JPH0719485B2 - 誘電体磁器及びその製造方法 - Google Patents
誘電体磁器及びその製造方法Info
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- JPH0719485B2 JPH0719485B2 JP63149859A JP14985988A JPH0719485B2 JP H0719485 B2 JPH0719485 B2 JP H0719485B2 JP 63149859 A JP63149859 A JP 63149859A JP 14985988 A JP14985988 A JP 14985988A JP H0719485 B2 JPH0719485 B2 JP H0719485B2
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- fluoride
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- porcelain
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、誘電体磁器及びその製造方法に関し、特に高
い誘電率及び高い無負荷Ｑを有する誘電体磁器及びその
製造方法に関する。
い誘電率及び高い無負荷Ｑを有する誘電体磁器及びその
製造方法に関する。
一般に、マイクロ波やミリ波などの高周波領域の信号回
路に使用される誘電体共振器や誘電体基板には、高い誘
電率及び高い無負荷Ｑを有し、しかも共振周波数の温度
係数の絶対値が小さい誘電体磁器を用いることが望まれ
ている。従来、この種の誘電体磁器として、TiO2系の材
料がよく利用され、例えば、BaO−TiO2系、ZrO2−SnO2
−TiO2系の材料、最近では、Ba(Zn,Ta)O3系、Ba(Mg,Ta)
O3系の材料等がある。これらの材料からなる誘電体磁器
は、10GHz程度の高周波数において無負荷Ｑが3000〜700
0、誘電率が20〜40であり、共振周波数の温度特性はか
なり小さく0ppm/℃に近いという特性を有している。
路に使用される誘電体共振器や誘電体基板には、高い誘
電率及び高い無負荷Ｑを有し、しかも共振周波数の温度
係数の絶対値が小さい誘電体磁器を用いることが望まれ
ている。従来、この種の誘電体磁器として、TiO2系の材
料がよく利用され、例えば、BaO−TiO2系、ZrO2−SnO2
−TiO2系の材料、最近では、Ba(Zn,Ta)O3系、Ba(Mg,Ta)
O3系の材料等がある。これらの材料からなる誘電体磁器
は、10GHz程度の高周波数において無負荷Ｑが3000〜700
0、誘電率が20〜40であり、共振周波数の温度特性はか
なり小さく0ppm/℃に近いという特性を有している。
これらの誘電体磁器は、共沈法あるは多段湿式法などに
より、均一な組成の原料粉末混合物を調整し、この原料
粉末混合物を仮焼、粉砕した後、加圧成形し、得られた
加圧成形物を長時間、例えば140時間にわたって焼成処
理を施すことにより製造されている。
より、均一な組成の原料粉末混合物を調整し、この原料
粉末混合物を仮焼、粉砕した後、加圧成形し、得られた
加圧成形物を長時間、例えば140時間にわたって焼成処
理を施すことにより製造されている。
しかし、上記従来の製造方法は、多くの工程を必要と
し、また製造条件を厳密に制御する必要がある。そのた
め、工程管理が煩雑であり、また量産上問題がある。
し、また製造条件を厳密に制御する必要がある。そのた
め、工程管理が煩雑であり、また量産上問題がある。
そこで本発明の目的は、高い無負荷Ｑ及び高い誘電率を
有し、しかも簡便に製造可能で量産に適する誘電体磁器
及び該磁器の製造方法を提供することにある。
有し、しかも簡便に製造可能で量産に適する誘電体磁器
及び該磁器の製造方法を提供することにある。
本発明は、上記課題を解決するものとして、 一般式（Ｉ）： BaxAyB1-x-yFzOw（Ｉ） 〔ここで、ＡはMg、Zn、Ni及びCoからなる群から選ばれ
る少なくとも１種であり、ＢはTa及びNbから選ばれる少
なくとも１種であり、ｘ、ｙ及びｚは、それぞれ0.48≦
ｘ≦0.52、0.15≦ｙ≦0.19及び0.00025≦ｚ≦0.05で表
される数であって、ｗはBa、Ａ、Ｂの陽イオン及びＦの
陰イオンの合計の電荷を中和し、全体として実質的に電
気的中性となる数である。〕 で表される組成を有する誘電体磁器を提供するものであ
る。
る少なくとも１種であり、ＢはTa及びNbから選ばれる少
なくとも１種であり、ｘ、ｙ及びｚは、それぞれ0.48≦
ｘ≦0.52、0.15≦ｙ≦0.19及び0.00025≦ｚ≦0.05で表
される数であって、ｗはBa、Ａ、Ｂの陽イオン及びＦの
陰イオンの合計の電荷を中和し、全体として実質的に電
気的中性となる数である。〕 で表される組成を有する誘電体磁器を提供するものであ
る。
前記一般式（Ｉ）において、各陽イオンの割合を表すＸ
及びｙ並びにフッ素の割合を表すｚは、特に、本発明の
目的の一つである高周波領域における無負荷Ｑの高い誘
電体磁器を得る上で重要であり、その目的を達成するよ
うに、それぞれの範囲が限定される。ｘ、ｙ及びｚの範
囲は、前記のように、それぞれ0.48≦ｘ≦0.52、0.15≦
ｙ≦0.19及び0.00025≦ｚ≦0.05であり、好ましくは0.4
9≦ｘ≦0.51、0.15≦ｙ≦0.18及び0.0005≦ｚ≦0.01で
ある。ｘ、ｙ及びｚのいずれか１つでも上記の範囲から
逸脱すると、焼結が不十分となり、高い無負荷Ｑを得る
ことができなかったり、機械的強度、比誘電率が低下す
る。特にｚが0.00025未満であると焼結が困難となり、
得られる誘電体磁器の機械的強度及び無負荷Ｑが低下す
る。また、ｚが0.05を超えると得られる誘電体磁器の無
負荷Ｑが低下する。
及びｙ並びにフッ素の割合を表すｚは、特に、本発明の
目的の一つである高周波領域における無負荷Ｑの高い誘
電体磁器を得る上で重要であり、その目的を達成するよ
うに、それぞれの範囲が限定される。ｘ、ｙ及びｚの範
囲は、前記のように、それぞれ0.48≦ｘ≦0.52、0.15≦
ｙ≦0.19及び0.00025≦ｚ≦0.05であり、好ましくは0.4
9≦ｘ≦0.51、0.15≦ｙ≦0.18及び0.0005≦ｚ≦0.01で
ある。ｘ、ｙ及びｚのいずれか１つでも上記の範囲から
逸脱すると、焼結が不十分となり、高い無負荷Ｑを得る
ことができなかったり、機械的強度、比誘電率が低下す
る。特にｚが0.00025未満であると焼結が困難となり、
得られる誘電体磁器の機械的強度及び無負荷Ｑが低下す
る。また、ｚが0.05を超えると得られる誘電体磁器の無
負荷Ｑが低下する。
本発明の誘電体磁器を表す前記式（Ｉ）におけるＡは、
Mg、Zn、Ni及びCoからなる群から選ばれる少なくとも１
種であり、これらの元素を１種単独又は２種以上組合わ
せたものである。
Mg、Zn、Ni及びCoからなる群から選ばれる少なくとも１
種であり、これらの元素を１種単独又は２種以上組合わ
せたものである。
本発明の誘電体磁器の好ましい実施態様は、前記式
（Ｉ）におけるＡがMgを必須成分として含む場合、Ａ中
のNi及び／又はCoの含有量は、誘電体磁器の無負荷Ｑの
点で、40モル％以下であることが好ましい。
（Ｉ）におけるＡがMgを必須成分として含む場合、Ａ中
のNi及び／又はCoの含有量は、誘電体磁器の無負荷Ｑの
点で、40モル％以下であることが好ましい。
また、前記式（Ｉ）におけるＡがMgを含まず、Znを含む
場合、Ａ中のNi及び／又はCoの含有量は、誘電体磁器の
無負荷Ｑの点で70モル％以下であることが好ましい。
場合、Ａ中のNi及び／又はCoの含有量は、誘電体磁器の
無負荷Ｑの点で70モル％以下であることが好ましい。
本発明の誘電体磁器の最も好ましい実施態様の１つは、
前記式（Ｉ）におえるＡ、ＢがそれぞれMg、Taである場
合である。すなわち、誘電体磁器が下記式： BaxMgyTa1-x-yFzOw 〔式中、ｘ、ｙ、ｚ及びｗは前記式（Ｉ）と同じ〕 で表される元素の組合わせからなる場合である。この誘
電体磁気は、特に誘電率及び無負荷Ｑが高く、組成によ
っては、無負荷Ｑは36000を超えるものも得られ、例え
ば22GHz、50GHzの高周波数帯における利用も可能であ
る。
前記式（Ｉ）におえるＡ、ＢがそれぞれMg、Taである場
合である。すなわち、誘電体磁器が下記式： BaxMgyTa1-x-yFzOw 〔式中、ｘ、ｙ、ｚ及びｗは前記式（Ｉ）と同じ〕 で表される元素の組合わせからなる場合である。この誘
電体磁気は、特に誘電率及び無負荷Ｑが高く、組成によ
っては、無負荷Ｑは36000を超えるものも得られ、例え
ば22GHz、50GHzの高周波数帯における利用も可能であ
る。
また前記一般式（Ｉ）における酸素の割合を表すｗは、
前記各陽イオンの電荷及びフッ素の陰イオンの電荷の合
計電荷を中和し、誘電体磁器全体として実質的に電気的
中性となる数である。
前記各陽イオンの電荷及びフッ素の陰イオンの電荷の合
計電荷を中和し、誘電体磁器全体として実質的に電気的
中性となる数である。
本発明の誘電体磁器の製造は、例えば、 （ａ）Ba、 （ｂ）Mg、Zn、Ni及びCoからなる群から選ばれる少なく
とも１種、 （ｃ）Ta及びNbから選ばれる少なくとも１種、 並びに （ｄ）Ｆ を含む粉末原料を仮焼、粉砕した後、加圧成形し、得ら
れた加圧成形物を焼成することにより行うことができ
る。
とも１種、 （ｃ）Ta及びNbから選ばれる少なくとも１種、 並びに （ｄ）Ｆ を含む粉末原料を仮焼、粉砕した後、加圧成形し、得ら
れた加圧成形物を焼成することにより行うことができ
る。
本発明の誘電体磁器の製造に用いられるバリウムを含む
原料としては、例えば炭酸バリウム、フッ化バリウム等
の粉末を挙げることができる。
原料としては、例えば炭酸バリウム、フッ化バリウム等
の粉末を挙げることができる。
マグネシウムを含む原料としては、例えば酸化マグネシ
ウム、フッ化マグネシウム等を挙げることができる。亜
鉛を含む原料としては、例えば酸化亜鉛、フッ化亜鉛等
を挙げることができる。ニッケルを含む原料としては、
例えば酸化ニッケル、フッ化ニッケル等を挙げることが
できる。コバルトを含む原料としては、例えば酸化コバ
ルト、フッ化コバルト等を挙げることができる。タンタ
ルを含む原料としては、例えば五酸化二タンタル等の酸
化物、フッ化タンタル等のフッ化物、TaOF3、TaO2F等の
酸フッ化物などを挙げることができる。ニオブを含む原
料としては、例えば五酸化ニオブ、フッ化ニオブ又はNb
O2F等の酸化フッ化物などを挙げることができる。ま
た、これら使用元素の２種以上を含む複フッ化物も使用
することが出来、例えばバリウム、マグネシウムを含む
複フッ化物として、Ba2MgF6などを挙げることができ
る。バリウム、亜鉛を含む複フッ化物としては、BaZn
F4、Ba2ZnF6などを挙げることができる。バリウム、ニ
ッケルを含む複フッ化物としては、Ba2NiF6、BaNiF4な
どを挙げることができる。バリウム、コバルトを含む複
フッ化物としては、Ba2CoF6、BaCoF4などを挙げること
ができる。上記の場合、フッ素は、これら金属元素のフ
ッ化物として本発明の誘電体磁器に導入される。
ウム、フッ化マグネシウム等を挙げることができる。亜
鉛を含む原料としては、例えば酸化亜鉛、フッ化亜鉛等
を挙げることができる。ニッケルを含む原料としては、
例えば酸化ニッケル、フッ化ニッケル等を挙げることが
できる。コバルトを含む原料としては、例えば酸化コバ
ルト、フッ化コバルト等を挙げることができる。タンタ
ルを含む原料としては、例えば五酸化二タンタル等の酸
化物、フッ化タンタル等のフッ化物、TaOF3、TaO2F等の
酸フッ化物などを挙げることができる。ニオブを含む原
料としては、例えば五酸化ニオブ、フッ化ニオブ又はNb
O2F等の酸化フッ化物などを挙げることができる。ま
た、これら使用元素の２種以上を含む複フッ化物も使用
することが出来、例えばバリウム、マグネシウムを含む
複フッ化物として、Ba2MgF6などを挙げることができ
る。バリウム、亜鉛を含む複フッ化物としては、BaZn
F4、Ba2ZnF6などを挙げることができる。バリウム、ニ
ッケルを含む複フッ化物としては、Ba2NiF6、BaNiF4な
どを挙げることができる。バリウム、コバルトを含む複
フッ化物としては、Ba2CoF6、BaCoF4などを挙げること
ができる。上記の場合、フッ素は、これら金属元素のフ
ッ化物として本発明の誘電体磁器に導入される。
原料として、前記バリウム、マグネシウム又はタンタル
のフッ化物あるいは前記複フッ化物を使用すれば、誘電
体磁器中に、原料から金属元素の不純物が混入し難いの
で、製造上好ましい。他のフッ素を含む原料としては、
例えばフッ化カリウム、フッ化ナトリウム、フッ化リチ
ウム等が使用される。
のフッ化物あるいは前記複フッ化物を使用すれば、誘電
体磁器中に、原料から金属元素の不純物が混入し難いの
で、製造上好ましい。他のフッ素を含む原料としては、
例えばフッ化カリウム、フッ化ナトリウム、フッ化リチ
ウム等が使用される。
この製造に用いられる加圧成形物は、前記一般式（Ｉ）
に示す組成の本発明の誘電体磁器が得られるような割合
で、各原料粉末を配合し、得られた混合物を常法に従っ
て、仮焼、粉砕したものを、加圧成形したものである。
加圧成形方法には、特に制限はないが、等方圧加圧によ
る方法が好ましい。
に示す組成の本発明の誘電体磁器が得られるような割合
で、各原料粉末を配合し、得られた混合物を常法に従っ
て、仮焼、粉砕したものを、加圧成形したものである。
加圧成形方法には、特に制限はないが、等方圧加圧によ
る方法が好ましい。
上記加圧成形物は焼成処理されるが、この焼成処理にお
ける焼成温度は、通常1400〜1650℃程度である。この温
度が低過ぎると焼結が不十分となり、得られる誘電体磁
器の機械的強度が低くなり、無負荷Ｑも低くなる。また
焼成温度が高過ぎると、磁器を構成する成分の無用の揮
散を招いたり、保持容器が高温安定性が高いために焼成
工程によく使用される白金製容器である場合には、誘電
体磁器が該容器と反応し、得られる誘電体磁器の特性が
低下することがある。
ける焼成温度は、通常1400〜1650℃程度である。この温
度が低過ぎると焼結が不十分となり、得られる誘電体磁
器の機械的強度が低くなり、無負荷Ｑも低くなる。また
焼成温度が高過ぎると、磁器を構成する成分の無用の揮
散を招いたり、保持容器が高温安定性が高いために焼成
工程によく使用される白金製容器である場合には、誘電
体磁器が該容器と反応し、得られる誘電体磁器の特性が
低下することがある。
この焼成工程においては、焼成に要する時間は、通常30
分〜４時間程度でよい。
分〜４時間程度でよい。
また、この焼成工程は、通常、窒素、アルゴン等の不活
性雰囲気中、酸素、空気等の酸化性雰囲気中において行
われる。
性雰囲気中、酸素、空気等の酸化性雰囲気中において行
われる。
なお、上記仮焼及び焼成工程において、原料中のフッ素
の一部が加熱により揮散することがある。したがって、
この加熱によるフッ素の揮散量を見越して、原料中のフ
ッ素量を決定しなければならないが、この揮散を抑制す
る方法として、例えばMgO、Ta2O5、ZrO2、Al2O3などの
耐火性材料で、原料混合物を包む方法、又は、BaF2、Mg
F2、CaF2などの粉末を、仮焼、焼成を行う密封した耐火
性容器中に設置したり、あるいは蛍石などのフッ化物よ
りなる容器を使用して、原料の仮焼、焼成を行うなどの
方法がある。このフッ素の揮散を抑制する方法は、フッ
素の含有量が一般式（Ｉ）における下限（ｚ＝0.0002
5）付近の誘電体磁器を製造する場合に特に有効であ
る。
の一部が加熱により揮散することがある。したがって、
この加熱によるフッ素の揮散量を見越して、原料中のフ
ッ素量を決定しなければならないが、この揮散を抑制す
る方法として、例えばMgO、Ta2O5、ZrO2、Al2O3などの
耐火性材料で、原料混合物を包む方法、又は、BaF2、Mg
F2、CaF2などの粉末を、仮焼、焼成を行う密封した耐火
性容器中に設置したり、あるいは蛍石などのフッ化物よ
りなる容器を使用して、原料の仮焼、焼成を行うなどの
方法がある。このフッ素の揮散を抑制する方法は、フッ
素の含有量が一般式（Ｉ）における下限（ｚ＝0.0002
5）付近の誘電体磁器を製造する場合に特に有効であ
る。
以下、本発明の実施例及び比較例により本発明を詳細に
説明する。
説明する。
実施例１〜12、比較例１〜５ 原料として、それぞれ純度99.9重量％の炭酸バリウム、
酸化マグネシウム、酸化タンタル、フッ化バリウム及び
フッ化マグネシウムの粉末を用意し、これらの各原料粉
末を第１表に示す17種の組成を有する原料混合物となる
ように秤量、配合した。配合物を純水とともにボールミ
ル用ポットに入れ、樹脂コーティングしたホールを用い
て、16時間湿式混合した。
酸化マグネシウム、酸化タンタル、フッ化バリウム及び
フッ化マグネシウムの粉末を用意し、これらの各原料粉
末を第１表に示す17種の組成を有する原料混合物となる
ように秤量、配合した。配合物を純水とともにボールミ
ル用ポットに入れ、樹脂コーティングしたホールを用い
て、16時間湿式混合した。
この混合物をポットから取り出し、150℃で３時間乾燥
した後、酸素中において1000℃で２時間、仮焼を行っ
た。仮焼後、粉砕し、42メッシュの篩を通して整粒し
た。得られた粉末を金型を用いて、圧力500kg/cm2で直
径10mm、厚さ約5mmの円板状に一次成形した後、圧力200
0kg/cm2で静水圧プレスによって圧縮し、加圧成形体と
した。次に、この成形体を酸素中において５℃／分の昇
温速度で1600℃まで昇温し、1600℃で２時間焼成して誘
電体磁器を得た。
した後、酸素中において1000℃で２時間、仮焼を行っ
た。仮焼後、粉砕し、42メッシュの篩を通して整粒し
た。得られた粉末を金型を用いて、圧力500kg/cm2で直
径10mm、厚さ約5mmの円板状に一次成形した後、圧力200
0kg/cm2で静水圧プレスによって圧縮し、加圧成形体と
した。次に、この成形体を酸素中において５℃／分の昇
温速度で1600℃まで昇温し、1600℃で２時間焼成して誘
電体磁器を得た。
得られた誘電体磁器のフッ素含有量、及び誘電体円柱共
振法により10GHzの周波数における比誘電率（εr）及び
無負荷Ｑ（Ｑu）、並びに共振周波数の温度係数（τf）
を測定した。結果を第１表に示す。
振法により10GHzの周波数における比誘電率（εr）及び
無負荷Ｑ（Ｑu）、並びに共振周波数の温度係数（τf）
を測定した。結果を第１表に示す。
実施例13〜105、比較例６〜12 各例において、それぞれ純度99.9重量％の炭酸バリウ
ム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化ニッケル、酸化
コバルト、酸化タンタル、酸化ニオブ、フッ化バリウム
及びフッ化マグネシウムから所要粉末を選んで用意し、
これらの各原料粉末を秤量、配合して、各元素の組成比
がBa:A（Mg,Zn,Ni,Co）:B（Ta,Nb）＝3/6（ｘ）:1/6
（ｙ）:2/6（１−ｘ−ｙ）となり、かつ元素Ａ中のMg、
Zn、Ni及びCoの割合、並びに元素Ｂ中のTa及びNbの割合
が、それぞれ第２表に示すとおりとなるように秤量、配
合して原料混合物を調整した。得られた原料混合物を実
施例１と同様に処理して誘電体磁器を製造し、その誘電
体磁器の比誘電率（εr）、無負荷Ｑ（Ｑu）、共振周波
数の温度係数（τf）及び磁器中のフッ素の含有量を測
定した。
ム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化ニッケル、酸化
コバルト、酸化タンタル、酸化ニオブ、フッ化バリウム
及びフッ化マグネシウムから所要粉末を選んで用意し、
これらの各原料粉末を秤量、配合して、各元素の組成比
がBa:A（Mg,Zn,Ni,Co）:B（Ta,Nb）＝3/6（ｘ）:1/6
（ｙ）:2/6（１−ｘ−ｙ）となり、かつ元素Ａ中のMg、
Zn、Ni及びCoの割合、並びに元素Ｂ中のTa及びNbの割合
が、それぞれ第２表に示すとおりとなるように秤量、配
合して原料混合物を調整した。得られた原料混合物を実
施例１と同様に処理して誘電体磁器を製造し、その誘電
体磁器の比誘電率（εr）、無負荷Ｑ（Ｑu）、共振周波
数の温度係数（τf）及び磁器中のフッ素の含有量を測
定した。
結果を第２表に示す。
実施例106〜147、比較例13〜54 各実施例及び比較例において、それぞれ純度99.9重量％
の炭酸バリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化ニ
ッケル、酸化コバルト、酸化タンタル、酸化ニオブ、フ
ッ化バリウム、フッ化マグネシウム、フッ化亜鉛、フッ
化ニッケル及びフッ化コバルトから所要粉末を選んで用
意し、これらの各原料粉末を、各元素の組成比が第３表
に示すようになるように秤量、配合して原料混合物を調
整した。なお、比較例14、20、26、32、38、44及び50は
原料としてフッ化物を使用しない例である。
の炭酸バリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化ニ
ッケル、酸化コバルト、酸化タンタル、酸化ニオブ、フ
ッ化バリウム、フッ化マグネシウム、フッ化亜鉛、フッ
化ニッケル及びフッ化コバルトから所要粉末を選んで用
意し、これらの各原料粉末を、各元素の組成比が第３表
に示すようになるように秤量、配合して原料混合物を調
整した。なお、比較例14、20、26、32、38、44及び50は
原料としてフッ化物を使用しない例である。
得られた原料混合物を実施例１と同様に処理して誘電体
磁器を製造し、その誘電体磁器の比誘電率（εr）、無
負荷Ｑ（Ｑu）、共振周波数の温度係数（τf）及び磁器
中のフッ素の含有量を測定した。
磁器を製造し、その誘電体磁器の比誘電率（εr）、無
負荷Ｑ（Ｑu）、共振周波数の温度係数（τf）及び磁器
中のフッ素の含有量を測定した。
結果を第３表に示す。
第１表、第２表及び第３表に示すように、本発明の実施
例の誘電体磁器は、比誘電率（εr）及び無負荷Ｑ
（Ｑu）がともに優れている。
例の誘電体磁器は、比誘電率（εr）及び無負荷Ｑ
（Ｑu）がともに優れている。
これに対して、比較例の誘電体磁器は、実施例の磁器に
比して無負荷Ｑ及び機械的強度も低いものである。特
に、フッ素を含有しない磁器である比較例４では、比誘
電率及び無負荷Ｑがともに低い。
比して無負荷Ｑ及び機械的強度も低いものである。特
に、フッ素を含有しない磁器である比較例４では、比誘
電率及び無負荷Ｑがともに低い。
本発明の誘電体磁器は、高周波領域において誘電体率及
び無負荷Ｑが高く、かつ共振周波数の温度係数が小さい
ものであり、高周波用の誘電体としての要求性能を満た
すものである。特に、組成によっては、無負荷Ｑは3600
0を超え、例えば22GHz、50GHzの高周波数帯における利
用も可能である。
び無負荷Ｑが高く、かつ共振周波数の温度係数が小さい
ものであり、高周波用の誘電体としての要求性能を満た
すものである。特に、組成によっては、無負荷Ｑは3600
0を超え、例えば22GHz、50GHzの高周波数帯における利
用も可能である。
また、この誘電体磁器は、従来の煩雑な製造方法によら
ずに簡便に製造することができるため、品質管理が容易
で量産に適し、コスト低減による経済的利点も大きい。
ずに簡便に製造することができるため、品質管理が容易
で量産に適し、コスト低減による経済的利点も大きい。
Claims (2)
- 【請求項１】一般式： BaxAyB1-x-yFzOw 〔ここで、ＡはMg、Zn、Ni及びCoからなる群から選ばれ
る少なくとも１種であり、ＢはTa及びNbから選ばれる少
なくとも１種であり、ｘ、ｙ及びｚは、それぞれ0.48≦
ｘ≦0.52、0.15≦ｙ≦0.19及び0.00025≦ｚ≦0.05で表
される数であって、ｗはBa、Ａ、Ｂの陽イオン及びＦの
陰イオンの合計の電荷を中和し、全体として実質的に電
気的中性となる数である。〕 で表される組成を有する誘電体磁器。 - 【請求項２】（ａ）Ba、 （ｂ）Mg、Zn、Ni及びCoからなる群から選ばれる少なく
とも１種、 （ｃ）Ta及びNbから選ばれる少なくとも１種、並びに （ｄ）Ｆ を含む粉末原料を仮焼、粉砕した後、加圧成形し、得ら
れた加圧成形物を焼成し、 一般式： BaxAyB1-x-yFzOw 〔ここで、ＡはMg、Zn、Ni及びCoからなる群から選ばれ
る少なくとも１種であり、ＢはTa及びNbから選ばれる少
なくとも１種であり、ｘ、ｙ及びｚは、それぞれ0.48≦
ｘ≦0.52、0.15≦ｙ≦0.19及び0.00025≦ｚ≦0.05で表
される数であって、ｗはBa、Ａ、Ｂの陽イオン及びＦの
陰イオンの合計の電荷を中和し、全体として実質的に電
気的中性となる数である。〕 で表される組成を有する誘電体磁器を製造する方法。
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| JP63149859A JPH0719485B2 (ja) | 1987-12-16 | 1988-06-17 | 誘電体磁器及びその製造方法 |
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