JPS60130003A - 高周波用誘電体磁器組成物 - Google Patents

高周波用誘電体磁器組成物

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JPS60130003A
JPS60130003A JP58238630A JP23863083A JPS60130003A JP S60130003 A JPS60130003 A JP S60130003A JP 58238630 A JP58238630 A JP 58238630A JP 23863083 A JP23863083 A JP 23863083A JP S60130003 A JPS60130003 A JP S60130003A
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JP
Japan
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high frequency
frequency dielectric
porcelain composition
dielectric porcelain
dielectric
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JP58238630A
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JPH0255883B2 (ja
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勉 角岡
文夫 水野
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Nippon Tokushu Togyo KK
Niterra Co Ltd
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NGK Spark Plug Co Ltd
Nippon Tokushu Togyo KK
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Publication date
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、マイクロ周波数領域、特にＸ−ｂａｎｄ以」
−の周波数領域において応用されるものであって、これ
ら高周波数領域で高い誘電率と無負荷Ｑをｖし、かつ安
定した温度特性を有する誘電体磁器組成物に係る。
近年通信網の発達に伴い、使用戸波数領域カー拡大し、
マイクロ波に及ぶ。これと関連して誘電体磁器はマイク
ロ周波数領域において、誘電体共振器やマイクロ波集積
回路基板、各種マイクロ波回路のインピーダンス整合等
に応用されてし〜る。特に最近ではフィルタやガンまた
はＦＥＴマイクロ波発振器の周波数安定化のため多数個
必要となり、その需要が増大している。ところで最近の
一般的傾向として、マイクロ波回路の小型化が望まれて
いる。このマイクロ波回路の大きさは、電磁波の波長が
基準となっており、誘電体を用いたマイクロ波立体回路
内を電磁波が伝搬するときの、その波長は、真空中の波
長を入０．比誘電率をεとすると、入０／バとなる。従
ってεか大きいはと小型の回路素子が実現できることと
なる。そこで低損失でかつ安定した温度特性を有すると
ともに高誘電率の誘電体磁器組成物の提供が強く望まれ
ている。
従来の一般的な誘電体磁器材料としては、ＺｒＯ２−５
ｎ０２−Ｔｉｏｚ系磁器、ＢａＯ−ＴｉＯ２系磁器、お
よびその一部を他の元素で置換した磁器や、比誘電率温
度係数が正の値をもっている誘゛尼体磁器やガラスと、
負の値をもっているＴｉ０ｚとを組合わて比誘電率の温
度係数を調整したもの等がある。ところがこれらの材料
は比誘電率が小さかったり、無負荷Ｑの値が小さかった
リ、または所望の温度係数のものが得られなかったりす
る等、種々問題がある。
本発明は、前記欠点のないマイクロ波領域に適応できる
高誘電率、低損失かつ安定した温度特性を有する誘電体
磁器組成物の提供を目的とするもノテあッテ、組成式（
Ｂ　ａ　ｘ　Ｓ　ｒ　ｔ−ｘ）（Ｎ　ｉ４　Ｎｂ２／３
）Ｏ：ｌで表され、その成分組成がモル分率で０≦ｘ＜
１の範囲にあることを特徴とする誘電体磁器組成物であ
る。
前記本発明の試験値について説明する。
く試料〉 ＢａＣＯ３、Ｓ　ｒｃＯ３、ＮｂＯ５及びＮｉＯを各組
成に対応して秤量し、水を混入してホールミルで混合後
１０００°Ｃで２時間仮焼し、粉砕、造粒して圧縮成形
後１４００°Ｃ−１８００°Ｃの範囲で２時間焼成し、
所定形状に研磨成形して得る。
く試験値〉 組成式（Ｂ　ａ　ｘ　Ｓ　ｒ　ｔ−ｘ）（Ｎ　ｉ＋　Ｎ
　ｂｚ、、　）　０３イ においてＸ＝Ｏ〜１．００の範囲において測定した結果
次表の値を得た。なお共振周波数温度係数は＋２５°Ｃ
〜＋８５°Ｃの範囲で行ない、次式に基づいてめた値で
ある。
τｆ＝−展τＥ−α ここで　て、；比誘電率の温度変化率 α；磁器試料の線膨張率 以下余白 表 く結果〉 前夫において、共振周波数温度係数は、０≦Ｘくｌの範
囲において、Ｏ±３０　ｐ　ｐ　ｍ／’ｃ内にあり、し
かもτ（が連続的に制御できることを特徴とする。ただ
し、ｘ＝１はτ＋の値が大きく、実用に供し得ない。こ
のことより、本発明は、温度依存性が低く安定した磁器
組成物である（とが確認できた。また、９ＧＨ２におけ
る比誘電率εについてはいずれも３０以上の値を得るこ
とができ、マイクロ周波数領域において実用に適し得る
ことが確＋Ｗされた。無負荷Ｑは、０≦Ｘ≦１の範囲’
ｔ’３０．００以にであることがわかった。　− さらに、カサ密度については、＋４５０’Ｃ：　−１８
００″Ｃで最大となり、また焼成時間については、長時
間焼成による効果は特別みられず、むしろ２時間程度で
焼成したほうがより高いカサ密度を得ることができた。
本発明にかかる誘電体磁器組成物は、前記実験例で明ち
かにしたように、共振周波数温度係数の値で示されるよ
うに温度依存性が低く、また、９ＧＨｚにおける比誘電
率εについてはいずれも３Ｏ以にの高値を得ることがで
き、さらに無負荷Ｑも実用に適し得るものであり、この
ことからマイクロ周波数領域、特にＸ−ｂａｎｄ以上の
周波数領域において、温度係数が低く、高い誘電率と無
負荷Ｑを呈する有能な誘電組成材料であることが明白で
ある。
゛−：、〜

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 組成式 ％式％）：１ で表され、その成分組成がモル分率でＯ≦ｘ＜１の範囲
    にあることを特徴とする高周波用誘電体磁器組成物
JP58238630A 1983-12-16 1983-12-16 高周波用誘電体磁器組成物 Granted JPS60130003A (ja)

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