JPH0719755B2 - プラズマｃｖｄによる薄膜形成方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄによる薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPH0719755B2 JPH0719755B2 JP62257429A JP25742987A JPH0719755B2 JP H0719755 B2 JPH0719755 B2 JP H0719755B2 JP 62257429 A JP62257429 A JP 62257429A JP 25742987 A JP25742987 A JP 25742987A JP H0719755 B2 JPH0719755 B2 JP H0719755B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- source gas
- plasma
- gas outflow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はプラズマCVD（Chemical Vapour Deposition）
法により、基板上に薄膜を形成するプラズマCVDによる
薄膜形成方法に関するものである。
法により、基板上に薄膜を形成するプラズマCVDによる
薄膜形成方法に関するものである。
［従来技術］ 従来のプラズマCVDによる薄膜形成方法は、第４図に示
すように、真空反応容器１内の基板ヒータ２の上に処理
すべき基板３を寝かせて設置し、基板３の上方には基板
ヒータ２に対向させて電極４を設置し、該電極４と基板
ヒータ２との間に高周波電源５から高周波電力を印加
し、また真空反応容器１内にはパイプよりなる原料ガス
供給手段６で原料ガスを供給し、プラズマCVD法で基板
４の表面に薄膜を形成していた。
すように、真空反応容器１内の基板ヒータ２の上に処理
すべき基板３を寝かせて設置し、基板３の上方には基板
ヒータ２に対向させて電極４を設置し、該電極４と基板
ヒータ２との間に高周波電源５から高周波電力を印加
し、また真空反応容器１内にはパイプよりなる原料ガス
供給手段６で原料ガスを供給し、プラズマCVD法で基板
４の表面に薄膜を形成していた。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、このような従来のプラズマCVDによる薄
膜形成方法では、基板３の片面（上側となった面）にし
か薄膜を形成できないので、もう一方の面にも薄膜を形
成する作業をもう一度行わなければならず、能率が悪い
問題点があった。
膜形成方法では、基板３の片面（上側となった面）にし
か薄膜を形成できないので、もう一方の面にも薄膜を形
成する作業をもう一度行わなければならず、能率が悪い
問題点があった。
本発明の目的は、基板の両面に同時に薄膜を形成できる
プラズマCVDによる薄膜形成方法を提供することにあ
る。
プラズマCVDによる薄膜形成方法を提供することにあ
る。
［問題点を解決するための手段］ 上記の目的を達成するための本発明の構成を説明する
と、本発明のプラズマCVDによる薄膜形成方法は、真空
反応容器の共通の反応室内に１対の原料ガス流出電極を
相互に向い合せ、前後動して相互に近接離反できるよう
に配置し、処理用の基板を前記両原料ガス流出電極間の
中央に置き、前記原料ガス流出電極をアースし、前記基
板の両面に向けて原料ガスを流出させつつ、前記基板に
高周波電力を印加して、前記基板と前記両原料ガス流出
電極との間にプラズマを発生させ、該プラズマ中で前記
基板の両面に薄膜を形成することを特徴とする。
と、本発明のプラズマCVDによる薄膜形成方法は、真空
反応容器の共通の反応室内に１対の原料ガス流出電極を
相互に向い合せ、前後動して相互に近接離反できるよう
に配置し、処理用の基板を前記両原料ガス流出電極間の
中央に置き、前記原料ガス流出電極をアースし、前記基
板の両面に向けて原料ガスを流出させつつ、前記基板に
高周波電力を印加して、前記基板と前記両原料ガス流出
電極との間にプラズマを発生させ、該プラズマ中で前記
基板の両面に薄膜を形成することを特徴とする。
［作用］ このようにすると、基板とその両側の各原料ガス流出電
極とによって該基板の両側にプラズマを発生させること
ができ、且つ各原料ガス流出電極からの原料ガスを基板
の両面に供給でき、基板の両面に同時に薄膜が形成でき
る。
極とによって該基板の両側にプラズマを発生させること
ができ、且つ各原料ガス流出電極からの原料ガスを基板
の両面に供給でき、基板の両面に同時に薄膜が形成でき
る。
特に、基板の両面は共通の反応室内に置かれているの
で、反応条件（圧力，温度，電界等）を等しく、プラズ
マを均一に発生させることにより、基板の両面に同一種
の薄膜を同質，同一厚みで形成できる。
で、反応条件（圧力，温度，電界等）を等しく、プラズ
マを均一に発生させることにより、基板の両面に同一種
の薄膜を同質，同一厚みで形成できる。
更に、基板の両面側に発生するプラズマは印加する高周
波電力、基板・電極の外形状や取付状態、真空反応容器
の形状等によって影響を受け、不均一になって、基板の
両面に形成される薄膜の膜質が不安定になり、均一性が
低くなるが、１対の原料ガス流出電極を前後動して相互
に接近離反できるように配置し、基板と原料ガス流出電
極との距離を調整できるようにすることにより、基板の
両面側におけるプラズマが均一となり、前記薄膜の膜質
が安定し、均一性を高めることができる。
波電力、基板・電極の外形状や取付状態、真空反応容器
の形状等によって影響を受け、不均一になって、基板の
両面に形成される薄膜の膜質が不安定になり、均一性が
低くなるが、１対の原料ガス流出電極を前後動して相互
に接近離反できるように配置し、基板と原料ガス流出電
極との距離を調整できるようにすることにより、基板の
両面側におけるプラズマが均一となり、前記薄膜の膜質
が安定し、均一性を高めることができる。
また、両原料ガス流出電極をアースし、基板に高周波電
力を印加して、これと両原料ガス流出電極との間にプラ
ズマを発生させるので、プラズマが基板に集中して、こ
れにイオンが効率よく衝突し、基板の両面に硬くて緻密
な薄膜を形成することができる。
力を印加して、これと両原料ガス流出電極との間にプラ
ズマを発生させるので、プラズマが基板に集中して、こ
れにイオンが効率よく衝突し、基板の両面に硬くて緻密
な薄膜を形成することができる。
［実施例］ 以下、本発明の実施例を第１図乃至第３図を参照して詳
細に説明する。図示のように、本実施例のプラズマCVD
装置においては、真空反応容器１の共通の反応室内に１
対の原料ガス流出電極７が垂直向きで向い合せにして互
に平行に配置されている。各原料ガス流出電極７は、金
属製であって多数のガス流出孔８が分散して設けられて
いる。各原料ガス流出電極７の裏面には、金属製で漏斗
状をした分配室形成体9Aと、これに原料ガスを供給する
金属製の配管9Bと、両者を接続する継手9Cとからなる原
料ガス供給手段９が設けられている。継手9Cは配管9Bに
気密に連結固定されており、分配室形成体9Aは継手9Cに
ネジ結合で前後動して両原料ガス流出電極７が相互に接
近離反できるように取付けられている。配管9Bは真空反
応容器１の外に気密に導出されている。原料ガス流出電
極７は原料ガス供給手段９を介してアースされている。
両原料ガス流出電極７間の中央には処理用の基板３が金
属製の基板ホルダー10に支持されて置かれている。基板
ホルダー10は通電支柱11の上端に着脱自在に嵌め込み支
持されている。基板３には、外部の高周波電源５からマ
ッチングボックス12,給電コード13,通電支柱11,基板ホ
ルダー10を介して高周波電力が印加されるようになって
いる。真空反応容器１の下部には図示しない真空ポンプ
で真空引きするための排気管14が設けられている。
細に説明する。図示のように、本実施例のプラズマCVD
装置においては、真空反応容器１の共通の反応室内に１
対の原料ガス流出電極７が垂直向きで向い合せにして互
に平行に配置されている。各原料ガス流出電極７は、金
属製であって多数のガス流出孔８が分散して設けられて
いる。各原料ガス流出電極７の裏面には、金属製で漏斗
状をした分配室形成体9Aと、これに原料ガスを供給する
金属製の配管9Bと、両者を接続する継手9Cとからなる原
料ガス供給手段９が設けられている。継手9Cは配管9Bに
気密に連結固定されており、分配室形成体9Aは継手9Cに
ネジ結合で前後動して両原料ガス流出電極７が相互に接
近離反できるように取付けられている。配管9Bは真空反
応容器１の外に気密に導出されている。原料ガス流出電
極７は原料ガス供給手段９を介してアースされている。
両原料ガス流出電極７間の中央には処理用の基板３が金
属製の基板ホルダー10に支持されて置かれている。基板
ホルダー10は通電支柱11の上端に着脱自在に嵌め込み支
持されている。基板３には、外部の高周波電源５からマ
ッチングボックス12,給電コード13,通電支柱11,基板ホ
ルダー10を介して高周波電力が印加されるようになって
いる。真空反応容器１の下部には図示しない真空ポンプ
で真空引きするための排気管14が設けられている。
次に、このようなプラズマCVD装置を用いて行う本実施
例の薄膜形成方法について説明する。
例の薄膜形成方法について説明する。
真空反応容器１の共通の反応室内は真空引きして0.1Tor
r位に保つ。両側の原料ガス供給手段９からキャリアガ
スと共に供給された原料ガスを、両原料ガス流出電極７
のガス流出孔８から基板３の両面側に流出させる。基板
３に高周波電力を印加すると、プラズマは該基板３とそ
の両側の原料ガス流出電極７との間に起こり、各原料ガ
ス流出電極７から流出される原料ガスがプラズマ中で活
性化され、基板３の両面に同時に薄膜が形成される。こ
の場合、基板３にかける高周波の周波数は13.56MHzとす
る。高周波電力はマッチングボックス12で電気的に整合
されて基板３に印加されるようになっている。両原料ガ
ス流出電極７基板３に対して左右対称であり、原料ガス
の流量は同一であるが、基板３との距離は必要に応じて
基板の両面側のプラズマが均一となるよう前後動して相
互に接近又は離反させて調整する。排気は中央下部から
行い、プラズマ中に偏った影響がでないようにする。
r位に保つ。両側の原料ガス供給手段９からキャリアガ
スと共に供給された原料ガスを、両原料ガス流出電極７
のガス流出孔８から基板３の両面側に流出させる。基板
３に高周波電力を印加すると、プラズマは該基板３とそ
の両側の原料ガス流出電極７との間に起こり、各原料ガ
ス流出電極７から流出される原料ガスがプラズマ中で活
性化され、基板３の両面に同時に薄膜が形成される。こ
の場合、基板３にかける高周波の周波数は13.56MHzとす
る。高周波電力はマッチングボックス12で電気的に整合
されて基板３に印加されるようになっている。両原料ガ
ス流出電極７基板３に対して左右対称であり、原料ガス
の流量は同一であるが、基板３との距離は必要に応じて
基板の両面側のプラズマが均一となるよう前後動して相
互に接近又は離反させて調整する。排気は中央下部から
行い、プラズマ中に偏った影響がでないようにする。
成膜の終了は、原料ガスの供給を止めた後に高周波電源
５を切って行う。成膜の開始は、高周波を基板３に印加
した後に、原料ガスを長して行う。基板３は成膜中は同
一場所に保持する。基板ホルダー10はできるだけ薄くし
て、真空中での原料ガスの流れに乱れが生じないように
することが好ましい。
５を切って行う。成膜の開始は、高周波を基板３に印加
した後に、原料ガスを長して行う。基板３は成膜中は同
一場所に保持する。基板ホルダー10はできるだけ薄くし
て、真空中での原料ガスの流れに乱れが生じないように
することが好ましい。
実施例 基板３は8.89cm（3.5″）のアルミディスクとし、基板
ホルダー10はステンレススチール製とした。基板３の厚
みは、２〜3mmとした。基板３と両原料ガス流出電極７
との間の距離は各側でそれぞれ20〜50mmの範囲で調整し
た。各原料ガス流出電極７はステンレススチール製とし
て、基板の外径よりも外径を20％以上大きくした。配管
9Bの外周にはヒータを巻付け、その外周はテトラフロロ
エチレン等の絶縁体で包囲し、配管９の温度が一定とな
るように温調した。
ホルダー10はステンレススチール製とした。基板３の厚
みは、２〜3mmとした。基板３と両原料ガス流出電極７
との間の距離は各側でそれぞれ20〜50mmの範囲で調整し
た。各原料ガス流出電極７はステンレススチール製とし
て、基板の外径よりも外径を20％以上大きくした。配管
9Bの外周にはヒータを巻付け、その外周はテトラフロロ
エチレン等の絶縁体で包囲し、配管９の温度が一定とな
るように温調した。
成膜時間:30秒 高周波電力:150W,13.56MHz 配管の温度:100℃ キャリアガス:Ar,40cc/min 原料ガス：高温で気相になるモノマー 成膜した膜厚:300Å 膜厚分布:300ű５％ ［発明の効果］ 以上説明したように本発明に係るプラズマCVDによる薄
膜形成方法では、真空反応容器の共通の反応室内に１対
の原料ガス流出電極を相互に向い合せに配置し、これら
１対の原料ガス流出電極間に基板を配置し、基板と両原
料ガス流出電極との間に高周波電力を印加して基板の両
面側にプラズマを発生するようにし、これらプラズマ中
に両原料ガス流出電極から原料ガスを供給して活性化さ
せ、これにより基板に成膜を行わせるようにしたので、
基板の両面に同時に成膜を行わせることができる。従っ
て、本発明によれば、プラズマCVD法による成膜を能率
よく行うことができる。特に、本発明では、基板の両面
は共通の反応室内に置かれているので、反応条件（圧
力，温度，電界等）を等しく、プラズマを均一に発生さ
せることにより、基板の両面に同一種の薄膜を同質，同
一厚みで容易に形成することができる。
膜形成方法では、真空反応容器の共通の反応室内に１対
の原料ガス流出電極を相互に向い合せに配置し、これら
１対の原料ガス流出電極間に基板を配置し、基板と両原
料ガス流出電極との間に高周波電力を印加して基板の両
面側にプラズマを発生するようにし、これらプラズマ中
に両原料ガス流出電極から原料ガスを供給して活性化さ
せ、これにより基板に成膜を行わせるようにしたので、
基板の両面に同時に成膜を行わせることができる。従っ
て、本発明によれば、プラズマCVD法による成膜を能率
よく行うことができる。特に、本発明では、基板の両面
は共通の反応室内に置かれているので、反応条件（圧
力，温度，電界等）を等しく、プラズマを均一に発生さ
せることにより、基板の両面に同一種の薄膜を同質，同
一厚みで容易に形成することができる。
更に、１対の原料ガス流出電極を相互に向い合せ、前後
動して相互に接近離反できるように配置して、基板に前
記両原料ガス流出電極との距離を調整できるようにする
ことにより、基板の両面側におけるプラズマが均一とな
り、前記薄膜の膜質が安定し、均一性を高めることがで
きる。
動して相互に接近離反できるように配置して、基板に前
記両原料ガス流出電極との距離を調整できるようにする
ことにより、基板の両面側におけるプラズマが均一とな
り、前記薄膜の膜質が安定し、均一性を高めることがで
きる。
また、両原料ガス流出電極をアースし、基板に高周波電
力を印加して、これと両原料ガス流出電極との間にプラ
ズマを発生させるので、プラズマが基板に集中して、こ
れにイオンが効率よく衝突し、基板の両面に硬くて緻密
な薄膜を形成することができる。
力を印加して、これと両原料ガス流出電極との間にプラ
ズマを発生させるので、プラズマが基板に集中して、こ
れにイオンが効率よく衝突し、基板の両面に硬くて緻密
な薄膜を形成することができる。
第１図は本発明に係るプラズマCVDによる薄膜形成方法
を実施する装置の一実施例を示す縦断面図、第２図は第
１図で用いている原料ガス流出電極の正面図、第３図は
第１図に示す装置の電気的系統図、第４図は従来のプラ
ズマCVD装置の縦断面図である。 １……真空反応容器、３……基板、５……高周波電源、
７……原料ガス流出電極、８……原料ガス流出孔、９…
…原料ガス供給手段。
を実施する装置の一実施例を示す縦断面図、第２図は第
１図で用いている原料ガス流出電極の正面図、第３図は
第１図に示す装置の電気的系統図、第４図は従来のプラ
ズマCVD装置の縦断面図である。 １……真空反応容器、３……基板、５……高周波電源、
７……原料ガス流出電極、８……原料ガス流出孔、９…
…原料ガス供給手段。
Claims (1)
- 【請求項１】真空反応容器の共通の反応室内に１対の原
料ガス流出電極を相互に向い合せ、前後動して相互に接
近離反できるように配置し、処理用の基板を前記両原料
ガス流出電極間の中央に置き、前記両原料ガス流出電極
をアースし、前記基板の両面に向けて原料ガスを流出さ
せつつ、前記基板に高周波電力を印加して、前記基板と
前記両原料ガス流出電極との間にプラズマを発生させ、
該プラズマ中で前記基板の両面に薄膜を形成することを
特徴とするプラズマCVDによる薄膜形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62257429A JPH0719755B2 (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | プラズマｃｖｄによる薄膜形成方法 |
| KR1019890700595A KR930003136B1 (ko) | 1987-10-14 | 1988-10-14 | 프라즈마 cvd에 의한 박막 형성장치 |
| EP88908981A EP0336979B1 (en) | 1987-10-14 | 1988-10-14 | Apparatus for thin film formation by plasma cvd |
| US07/368,312 US4991542A (en) | 1987-10-14 | 1988-10-14 | Method of forming a thin film by plasma CVD and apapratus for forming a thin film |
| PCT/JP1988/001043 WO1989003587A1 (fr) | 1987-10-14 | 1988-10-14 | Procede et dispositif de formation de films minces par depot de vapeur chimique au plasma |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62257429A JPH0719755B2 (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | プラズマｃｖｄによる薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01100914A JPH01100914A (ja) | 1989-04-19 |
| JPH0719755B2 true JPH0719755B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=17306242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62257429A Expired - Fee Related JPH0719755B2 (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | プラズマｃｖｄによる薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719755B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100489643B1 (ko) * | 1997-11-05 | 2005-09-06 | 에스케이 주식회사 | 박막제조장치의자동화시스템 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5852650A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-28 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP62257429A patent/JPH0719755B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01100914A (ja) | 1989-04-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3206095B2 (ja) | 表面処理方法及びその装置 | |
| JP5600644B2 (ja) | ワークピース製造装置 | |
| JP2001520457A5 (ja) | ||
| JPH08186094A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0719755B2 (ja) | プラズマｃｖｄによる薄膜形成方法 | |
| JP2926711B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH11149999A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS60123033A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS62210623A (ja) | 気相反応装置用電極 | |
| JPH04211115A (ja) | Ｒｆプラズマｃｖｄ装置ならびに該装置による薄膜形成方法 | |
| JP4604591B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| TW201704527A (zh) | 電漿ｃｖｄ裝置及成膜方法 | |
| JPS5943880A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPH058271B2 (ja) | ||
| JP2014241394A (ja) | エッチング装置 | |
| JP3120666B2 (ja) | 処理装置 | |
| JPH07118461B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH01130517A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2766280B2 (ja) | 処理装置 | |
| JPH0544819B2 (ja) | ||
| JPH01220447A (ja) | プラズマ装置 | |
| JPH07110996B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH1197417A (ja) | リアクティブイオンエッチング方法および装置 | |
| JPH02159018A (ja) | 減圧式気相成長装置 | |
| JPH04329626A (ja) | 半導体素子の製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |