JPH07198770A - 改良された非接触超伝導臨界電流測定プローブ装置及び方法 - Google Patents
改良された非接触超伝導臨界電流測定プローブ装置及び方法Info
- Publication number
- JPH07198770A JPH07198770A JP5353596A JP35359693A JPH07198770A JP H07198770 A JPH07198770 A JP H07198770A JP 5353596 A JP5353596 A JP 5353596A JP 35359693 A JP35359693 A JP 35359693A JP H07198770 A JPH07198770 A JP H07198770A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- coil
- coils
- exciting
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 170
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 40
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 31
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 26
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 241000238366 Cephalopoda Species 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 試料の局所的電流密度および超伝導体の臨界
電流密度を、非接触で測定するための高感度プローブ装
置および方法を提供する。 【構成】 試料を挟んで上下に直列に連結された、誘導
電流を生じさせるための磁場を形成する一対の励磁コイ
ルと、励磁コイルの外側に配置され試料を挟んで上下に
直列に連結された、誘導電流により形成される磁場を検
知する検知コイルと、励磁コイルによる検知コイルでの
誘導起電力を自動キャンセルするための、励磁コイルの
外部に位置し、上下に直列に連結された打ち消しコイル
とから成る改良型プローブ。それぞれのコイルはすべて
同軸に配置されている。試料が存在するときと存在しな
いときとの起電力の差を純粋な試料出力とし、それから
試料の磁化の振る舞いを求め、試料の性質を算出してい
く。上記改良型プローブにより、励磁磁場の強度が増加
し、試料の感じる磁場の均一性も向上したことより、検
出感度が飛躍的に向上した。
電流密度を、非接触で測定するための高感度プローブ装
置および方法を提供する。 【構成】 試料を挟んで上下に直列に連結された、誘導
電流を生じさせるための磁場を形成する一対の励磁コイ
ルと、励磁コイルの外側に配置され試料を挟んで上下に
直列に連結された、誘導電流により形成される磁場を検
知する検知コイルと、励磁コイルによる検知コイルでの
誘導起電力を自動キャンセルするための、励磁コイルの
外部に位置し、上下に直列に連結された打ち消しコイル
とから成る改良型プローブ。それぞれのコイルはすべて
同軸に配置されている。試料が存在するときと存在しな
いときとの起電力の差を純粋な試料出力とし、それから
試料の磁化の振る舞いを求め、試料の性質を算出してい
く。上記改良型プローブにより、励磁磁場の強度が増加
し、試料の感じる磁場の均一性も向上したことより、検
出感度が飛躍的に向上した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、試料の局所部分に生じ
させた誘導電流密度を測定する装置および方法、とくに
超伝導体の臨界電流密度を測定する装置および方法に関
する。
させた誘導電流密度を測定する装置および方法、とくに
超伝導体の臨界電流密度を測定する装置および方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】超伝導体は、その特異な性質より広く研
究され、また応用されてきている。そのため、超伝導体
の物理的性質、特にその臨界電流を精度よく知ることが
特に重要になってきている。
究され、また応用されてきている。そのため、超伝導体
の物理的性質、特にその臨界電流を精度よく知ることが
特に重要になってきている。
【０００３】超伝導体の臨界電流を非接触で測定する従
来の装置の１つが図５に示されている。この装置は、互
いに逆向きに巻かれた一対のピックアップコイル５１を
直列に接続し、その一対のピックアップコイルを包囲し
てリング状の超伝導体試料５２を設置し、一対のピック
アップコイル５１および試料５２を包囲してその一対の
ピックアップコイルとほぼ同軸に外部コイル５３を設置
し、外部コイル５３により時間的に変化する磁場を生じ
させ、試料のリングの内部領域を遮断しかつ変化する磁
場とともに発達する超伝導電流を試料に生じさせ、超伝
導体試料の臨界電流値に達したときのピックアップコイ
ルの電圧がほぼゼロになった時点の外部コイルにより生
じた磁場の大きさから相関的に超伝導体試料の臨界電流
値を測定するものである。
来の装置の１つが図５に示されている。この装置は、互
いに逆向きに巻かれた一対のピックアップコイル５１を
直列に接続し、その一対のピックアップコイルを包囲し
てリング状の超伝導体試料５２を設置し、一対のピック
アップコイル５１および試料５２を包囲してその一対の
ピックアップコイルとほぼ同軸に外部コイル５３を設置
し、外部コイル５３により時間的に変化する磁場を生じ
させ、試料のリングの内部領域を遮断しかつ変化する磁
場とともに発達する超伝導電流を試料に生じさせ、超伝
導体試料の臨界電流値に達したときのピックアップコイ
ルの電圧がほぼゼロになった時点の外部コイルにより生
じた磁場の大きさから相関的に超伝導体試料の臨界電流
値を測定するものである。
【０００４】臨界電流を非接触で測定する他の方法とし
て、スクイド（SQUID)磁束計があり、その装置の略示図
が図６に示されている。このスクイド磁束計は、超伝導
ワイヤのサーチコイル６１とそれに接続されたコイル６
２、スクイド素子６３、コイル６４とそれに接続された
増幅器６５、超伝導ホルダー６６、および低温槽６７か
ら成るものである。この磁束計を利用して、超伝導体の
臨界電流の測定は次のように行われる。まず、試料を超
伝導状態にし、かかる試料全体に磁場を印加する。磁場
は、試料の表面から侵入するが、その磁場分布は試料の
臨界電流密度に依存している。この分布は磁場を取り去
っても保持されることから、前記サーチコイルを試料表
面に近接させ、その表面付近の磁場分布を測定する。そ
して、その測定された磁場分布より臨界電流密度を導出
する。
て、スクイド（SQUID)磁束計があり、その装置の略示図
が図６に示されている。このスクイド磁束計は、超伝導
ワイヤのサーチコイル６１とそれに接続されたコイル６
２、スクイド素子６３、コイル６４とそれに接続された
増幅器６５、超伝導ホルダー６６、および低温槽６７か
ら成るものである。この磁束計を利用して、超伝導体の
臨界電流の測定は次のように行われる。まず、試料を超
伝導状態にし、かかる試料全体に磁場を印加する。磁場
は、試料の表面から侵入するが、その磁場分布は試料の
臨界電流密度に依存している。この分布は磁場を取り去
っても保持されることから、前記サーチコイルを試料表
面に近接させ、その表面付近の磁場分布を測定する。そ
して、その測定された磁場分布より臨界電流密度を導出
する。
【０００５】さらに他の非接触による測定装置は、特開
平４−１１５１５５号に開示されている。図３及び４
は、それぞれ該発明による反射型プローブ及び透過型プ
ローブの断面図である。図３の反射型プローブ３０は、
近接した試料３６の限定した部分内に誘導電流を生じさ
せるための磁場を形成する、逆向きに接続された一対の
励磁コイル３４及び３５と、該励磁コイルの内側に配置
され、前記誘導電流により試料に形成される磁場を検知
する検知コイル３３とから成り、前記励磁コイルおよび
前記検知コイルの軸線方向が共に前記試料の面３６に対
して垂直となるよう配置されるものである。一方、図４
の透過型プローブ４０は、近接した試料の限定した部分
内に誘導電流を生じさせるための磁場を形成する、逆向
きに接続された一対の励磁コイル４４及び４５と、前記
誘導電流により形成される磁場を検知する検知コイル４
３とから成り、前記励磁コイルは前記試料の表面近傍で
その軸線方向が前記試料の面４６に対して垂直となるよ
うに配置され、前記検知コイルは前記試料の反対側近傍
でその軸線が前記励磁コイルの軸線と一致するように配
置されるものである。超伝導体の臨界電流密度は以下の
方法で測定する。図３の反射型プローブ３０に所望の電
流を流すと磁場が試料層３６の局所化された部分に浸透
し、その部分に誘導電流が生じ、その誘導電流がまた磁
場を形成する。検知コイル３３はかかる磁場を誘導起電
力として検知する。この誘導電流が臨界電流に達する
と、その瞬間から検知コイル３３により検知される磁場
のパターンが共通波形から逸脱し始める。その時の励磁
磁場と試料の厚さから臨界電流を算出する。
平４−１１５１５５号に開示されている。図３及び４
は、それぞれ該発明による反射型プローブ及び透過型プ
ローブの断面図である。図３の反射型プローブ３０は、
近接した試料３６の限定した部分内に誘導電流を生じさ
せるための磁場を形成する、逆向きに接続された一対の
励磁コイル３４及び３５と、該励磁コイルの内側に配置
され、前記誘導電流により試料に形成される磁場を検知
する検知コイル３３とから成り、前記励磁コイルおよび
前記検知コイルの軸線方向が共に前記試料の面３６に対
して垂直となるよう配置されるものである。一方、図４
の透過型プローブ４０は、近接した試料の限定した部分
内に誘導電流を生じさせるための磁場を形成する、逆向
きに接続された一対の励磁コイル４４及び４５と、前記
誘導電流により形成される磁場を検知する検知コイル４
３とから成り、前記励磁コイルは前記試料の表面近傍で
その軸線方向が前記試料の面４６に対して垂直となるよ
うに配置され、前記検知コイルは前記試料の反対側近傍
でその軸線が前記励磁コイルの軸線と一致するように配
置されるものである。超伝導体の臨界電流密度は以下の
方法で測定する。図３の反射型プローブ３０に所望の電
流を流すと磁場が試料層３６の局所化された部分に浸透
し、その部分に誘導電流が生じ、その誘導電流がまた磁
場を形成する。検知コイル３３はかかる磁場を誘導起電
力として検知する。この誘導電流が臨界電流に達する
と、その瞬間から検知コイル３３により検知される磁場
のパターンが共通波形から逸脱し始める。その時の励磁
磁場と試料の厚さから臨界電流を算出する。
【０００６】上記のそれぞれの方法は非接触によるもの
であるが、試料に直接端子を設け臨界電流を測定する方
法として、四端子法がある。この方法は、試料に端子を
設け、その端子を介して輸送電流を試料に流し、試料内
での電位降下を試料に設けた電圧端子により測定するも
のである。
であるが、試料に直接端子を設け臨界電流を測定する方
法として、四端子法がある。この方法は、試料に端子を
設け、その端子を介して輸送電流を試料に流し、試料内
での電位降下を試料に設けた電圧端子により測定するも
のである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図５に示す装置によ
り、臨界電流密度を測定する方法は、試料を所定の形状
に加工しなければならない。したがって、大形の試料や
試料のいろいろな部分について臨界電流密度を測定する
必要がある場合に、かかる方法を採用できない。
り、臨界電流密度を測定する方法は、試料を所定の形状
に加工しなければならない。したがって、大形の試料や
試料のいろいろな部分について臨界電流密度を測定する
必要がある場合に、かかる方法を採用できない。
【０００８】図６に示すスクイド磁束計は、試料の各部
分について臨界電流密度等を測定できるが、その測定を
行うためには試料全体を磁化させる必要がある。そのた
め、測定時まで安定した磁化のための磁場を形成しなけ
ればならない。
分について臨界電流密度等を測定できるが、その測定を
行うためには試料全体を磁化させる必要がある。そのた
め、測定時まで安定した磁化のための磁場を形成しなけ
ればならない。
【０００９】さらに、外部磁場は試料の表面全体から侵
入するから、それに伴う誘導電流による発熱は試料全体
から発することになる。したがって、この発熱による試
料の破壊を阻止するためには、外部磁場の強さ、磁場の
印加時間に制限が加わざるを得ない。
入するから、それに伴う誘導電流による発熱は試料全体
から発することになる。したがって、この発熱による試
料の破壊を阻止するためには、外部磁場の強さ、磁場の
印加時間に制限が加わざるを得ない。
【００１０】図３及び図４に示す装置では、試料の感じ
る磁場が励磁コイルと試料面との距離に依存して増減す
るため、試料表面の平坦化加工工程が必要となり、しか
も厳密な位置合わせ作業が必要となる。
る磁場が励磁コイルと試料面との距離に依存して増減す
るため、試料表面の平坦化加工工程が必要となり、しか
も厳密な位置合わせ作業が必要となる。
【００１１】四端子法は、試料に直接端子を設けなけれ
ばならなず、また試料に輸送電流を流すことから、その
大きさに限度がある。さらに、試料の各部分についての
測定が殆ど不可能である。
ばならなず、また試料に輸送電流を流すことから、その
大きさに限度がある。さらに、試料の各部分についての
測定が殆ど不可能である。
【００１２】そこで、本発明の目的は、試料を加工する
ことなく且つ非接触で、試料を流れる電流密度を安定し
て測定するための方法および装置を提供することであ
る。
ことなく且つ非接触で、試料を流れる電流密度を安定し
て測定するための方法および装置を提供することであ
る。
【００１３】本発明の他の目的は、試料の各局所部分に
ついての電流密度を試料に非接触で測定する方法および
装置を提供することである。
ついての電流密度を試料に非接触で測定する方法および
装置を提供することである。
【００１４】さらに、本発明の他の目的は、超伝導体の
臨界電流値のより高感度な測定装置及び方法を与えるこ
とである。
臨界電流値のより高感度な測定装置及び方法を与えるこ
とである。
【００１５】さらにまた、本発明の他の目的は、試料の
厳密な位置合わせが不要な電流密度の測定装置及び方法
を与えることである。
厳密な位置合わせが不要な電流密度の測定装置及び方法
を与えることである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の非接触で試料の電流密度を測定するための
プローブは、試料を挟んで上下に直列に連結された、試
料の限定された部分内に誘導電流を発生させるための磁
場を形成する一対の励磁コイルと、励磁コイルの外側に
配置され、試料を挟んで上下に直列に連結された、上記
誘導電流により形成される磁場を検知する検知コイルと
から成り、励磁コイルおよび検知コイルの軸線方向が共
に試料の面に対して垂直となるものである。
に、本発明の非接触で試料の電流密度を測定するための
プローブは、試料を挟んで上下に直列に連結された、試
料の限定された部分内に誘導電流を発生させるための磁
場を形成する一対の励磁コイルと、励磁コイルの外側に
配置され、試料を挟んで上下に直列に連結された、上記
誘導電流により形成される磁場を検知する検知コイルと
から成り、励磁コイルおよび検知コイルの軸線方向が共
に試料の面に対して垂直となるものである。
【００１７】上記一対の励磁コイルは共軸に配置され、
同じ向きに巻かれた同一仕様のコイルであることが望ま
しい。同様に、一対の検知コイルは共軸に配置され、且
つ該軸線は励磁コイルの軸線と同軸であることが望まし
い。また、上記検知コイルは、同じ向きに巻かれた同一
仕様のコイルであり且つ試料の近傍に配置されているこ
とが望ましい。
同じ向きに巻かれた同一仕様のコイルであることが望ま
しい。同様に、一対の検知コイルは共軸に配置され、且
つ該軸線は励磁コイルの軸線と同軸であることが望まし
い。また、上記検知コイルは、同じ向きに巻かれた同一
仕様のコイルであり且つ試料の近傍に配置されているこ
とが望ましい。
【００１８】ここで、本発明のプローブは、励磁コイル
の直径と上下コイルの間隔とが、試料に対し均一な磁場
を与える関係を満たすように選択されているものであ
る。
の直径と上下コイルの間隔とが、試料に対し均一な磁場
を与える関係を満たすように選択されているものであ
る。
【００１９】また本発明のプローブは、励磁コイルの外
側に同軸に配置され、試料を挟んで上下に直列に且つ共
軸に連結された、検知コイルに発生する励磁磁場による
電圧を打ち消すための打ち消しコイルを含んでもよい。
その場合、打ち消しコイルは、試料の作る磁束を感じな
い程度に試料から離れて配置されていることが望まし
い。
側に同軸に配置され、試料を挟んで上下に直列に且つ共
軸に連結された、検知コイルに発生する励磁磁場による
電圧を打ち消すための打ち消しコイルを含んでもよい。
その場合、打ち消しコイルは、試料の作る磁束を感じな
い程度に試料から離れて配置されていることが望まし
い。
【００２０】励磁コイルにより形成される磁場の最大値
及び最小値を変化させるために、励磁コイルに三角波電
流を供給してもよく、また正弦波電流を供給してもよ
い。
及び最小値を変化させるために、励磁コイルに三角波電
流を供給してもよく、また正弦波電流を供給してもよ
い。
【００２１】本発明の超伝導体の臨界電流値測定装置
は、上記プローブと、前記検知コイルに発生する励磁磁
場による電圧を打ち消すための可変相互インダクタンス
系と、プローブの励磁コイルを作動させる励磁電源と、
プローブの検知コイルに接続され、検知された電圧を増
幅する検出用増幅器と、検出用増幅器により増幅された
信号から超伝導体の臨界電流値を算出する処理器とから
成るものである。ここで、上記プローブは、上記打ち消
しコイルを含んでも、含まなくてもよい。検出用増幅器
は積分器であることが望ましい。
は、上記プローブと、前記検知コイルに発生する励磁磁
場による電圧を打ち消すための可変相互インダクタンス
系と、プローブの励磁コイルを作動させる励磁電源と、
プローブの検知コイルに接続され、検知された電圧を増
幅する検出用増幅器と、検出用増幅器により増幅された
信号から超伝導体の臨界電流値を算出する処理器とから
成るものである。ここで、上記プローブは、上記打ち消
しコイルを含んでも、含まなくてもよい。検出用増幅器
は積分器であることが望ましい。
【００２２】本発明の非接触による超伝導体の臨界電流
値測定方法は、上下の励磁コイル及び検知コイルの間に
試料を、コイルの軸線と試料面が垂直になるように且つ
上下のコイルから等距離の位置に近接配置する工程と、
試料の磁化が十分に飽和するような大きさの且つ振幅が
一定の交流励磁電流を励磁コイルに供給する工程と、試
料が無いときの検知電圧がゼロボルトになるように打ち
消しコイルまたは可変相互インダスタンス系を調節する
工程と、金属試料の磁化測定から装置定数を算出する工
程と、超伝導体試料の磁化測定から上記装置定数を使っ
て、飽和磁化を算出する工程と、試料の磁化曲線を使っ
て、飽和磁化に対応する電流密度を求める工程とから成
るものである。
値測定方法は、上下の励磁コイル及び検知コイルの間に
試料を、コイルの軸線と試料面が垂直になるように且つ
上下のコイルから等距離の位置に近接配置する工程と、
試料の磁化が十分に飽和するような大きさの且つ振幅が
一定の交流励磁電流を励磁コイルに供給する工程と、試
料が無いときの検知電圧がゼロボルトになるように打ち
消しコイルまたは可変相互インダスタンス系を調節する
工程と、金属試料の磁化測定から装置定数を算出する工
程と、超伝導体試料の磁化測定から上記装置定数を使っ
て、飽和磁化を算出する工程と、試料の磁化曲線を使っ
て、飽和磁化に対応する電流密度を求める工程とから成
るものである。
【００２３】ここで、本発明による方法は、上記試料中
に超伝導物質と通常金属とが混在するとき、超伝導体の
磁化を分離するために、周波数を十分低くして通常金属
による磁化の影響を除外する工程をさらに含むことがで
きる。
に超伝導物質と通常金属とが混在するとき、超伝導体の
磁化を分離するために、周波数を十分低くして通常金属
による磁化の影響を除外する工程をさらに含むことがで
きる。
【００２４】
【作用】本発明に従えば、励磁のための磁場は、局所的
空間分布を有し、そのため試料の限定された部分にその
磁場を印加でき、したがってその限定された部分につい
て誘導電流を生じさせることができる。
空間分布を有し、そのため試料の限定された部分にその
磁場を印加でき、したがってその限定された部分につい
て誘導電流を生じさせることができる。
【００２５】
【実施例】図１は、本発明に従う改良型非接触プローブ
の好適実施例の断面図を略示したものである。プローブ
１の軸線に沿って位置する上下２本の芯ロッド２、１１
の先端を取り巻くようにそれぞれ励磁コイル３、１０が
巻かれている。これらの励磁コイルは直列に連結され、
好適には同じ向きに巻かれた同一仕様のコイルである。
また、その励磁コイル３、１０の外側で励磁コイルを取
り巻くように、試料６に近接して、且つ共軸に上下一対
の検知コイル５、８が巻かれている。この一対の検知コ
イルは直列に連結され、好適には同じ向きに巻かれた同
一仕様のコイルである。さらに、上記励磁コイル３、１
０の外側で励磁コイルを取り巻くように、試料６から離
れて、且つ共軸に上下一対の打ち消しコイル４、９が巻
かれている。この一対の打ち消しコイルは直列に連結さ
れ、検知コイルとは逆向きで好適には同じ向きに巻かれ
た同一仕様のコイルである。ただし、これらの打ち消し
コイル４、９は後述する可変相互インダクタンス系を使
用するときには省略してもよい。
の好適実施例の断面図を略示したものである。プローブ
１の軸線に沿って位置する上下２本の芯ロッド２、１１
の先端を取り巻くようにそれぞれ励磁コイル３、１０が
巻かれている。これらの励磁コイルは直列に連結され、
好適には同じ向きに巻かれた同一仕様のコイルである。
また、その励磁コイル３、１０の外側で励磁コイルを取
り巻くように、試料６に近接して、且つ共軸に上下一対
の検知コイル５、８が巻かれている。この一対の検知コ
イルは直列に連結され、好適には同じ向きに巻かれた同
一仕様のコイルである。さらに、上記励磁コイル３、１
０の外側で励磁コイルを取り巻くように、試料６から離
れて、且つ共軸に上下一対の打ち消しコイル４、９が巻
かれている。この一対の打ち消しコイルは直列に連結さ
れ、検知コイルとは逆向きで好適には同じ向きに巻かれ
た同一仕様のコイルである。ただし、これらの打ち消し
コイル４、９は後述する可変相互インダクタンス系を使
用するときには省略してもよい。
【００２６】ロッド２、励磁コイル３、および検知コイ
ル５の先端が同一平面と成るように、全体を（図１にお
いて一点鎖線で示すように）モールドして一体化する。
ロッド１１、励磁コイル１０、および検知コイル８につ
いても同様にモールドする。このように検知コイル、励
磁コイルを一体化することにより、プローブを試料に対
して相対的に移動させることができる。
ル５の先端が同一平面と成るように、全体を（図１にお
いて一点鎖線で示すように）モールドして一体化する。
ロッド１１、励磁コイル１０、および検知コイル８につ
いても同様にモールドする。このように検知コイル、励
磁コイルを一体化することにより、プローブを試料に対
して相対的に移動させることができる。
【００２７】プローブ１の励磁コイル３、１０の直径
と、上下のプローブの間隔との比は選択可能であって、
各試料に対して、所望の均一な磁場を付勢するよう調節
できる。一般に、試料が経験する磁場は、励磁コイルに
近づくにつれ増大するような位置の関数であるが、本発
明においては、試料は、適性に上下コイルに挟まれてい
る状態であり、言わばコイル内部にあるようなものなの
で、多少上下に移動しても試料が感じる磁場は一定であ
る。
と、上下のプローブの間隔との比は選択可能であって、
各試料に対して、所望の均一な磁場を付勢するよう調節
できる。一般に、試料が経験する磁場は、励磁コイルに
近づくにつれ増大するような位置の関数であるが、本発
明においては、試料は、適性に上下コイルに挟まれてい
る状態であり、言わばコイル内部にあるようなものなの
で、多少上下に移動しても試料が感じる磁場は一定であ
る。
【００２８】試料は、上下の励磁コイル及び検出コイル
の間に、コイルの軸線と試料面が垂直になるように且つ
上下のコイルから等距離の位置に近接配置される。励磁
コイル３、１０に、試料層６上に所望の磁場を形成する
よう電流を流す。励磁コイル３、１０は局所化された磁
場を形成することから、試料層６の限定された一部につ
いてのみ均一な磁場を印加できる。
の間に、コイルの軸線と試料面が垂直になるように且つ
上下のコイルから等距離の位置に近接配置される。励磁
コイル３、１０に、試料層６上に所望の磁場を形成する
よう電流を流す。励磁コイル３、１０は局所化された磁
場を形成することから、試料層６の限定された一部につ
いてのみ均一な磁場を印加できる。
【００２９】励磁コイル３、１０には試料層６に誘導電
流を生じさせるために時間変化する電流を流す。比較的
微弱な臨界電流をもつ試料に対しては正弦波電流を流す
ことが望ましいが、比較的大きな臨界電流をもつ試料に
対してはＬＣＲ放電によって電流を流すことが望まし
い。
流を生じさせるために時間変化する電流を流す。比較的
微弱な臨界電流をもつ試料に対しては正弦波電流を流す
ことが望ましいが、比較的大きな臨界電流をもつ試料に
対してはＬＣＲ放電によって電流を流すことが望まし
い。
【００３０】このような断続的に変化する電流を励磁コ
イルに流すと、通電状態では励磁コイルはその抵抗のた
め発熱するが、非通電状態では（自然）冷却される。し
たがって、励磁コイルの加熱と冷却とが交互になるた
め、短時間に非常に大きな電流が流れることにより励磁
コイルが安定動作ができない温度まで上昇しても、次に
冷却され、動作全体として励磁コイルの発熱を抑制で
き、励磁コイルに大きな電流を流すことができる。ま
た、試料層においても、非超伝導状態では励磁コイルが
通電しているとき誘導電流が発生し発熱するが、次の非
通電時に冷却されるため、発熱を抑制でき大きな磁場を
印加できる。
イルに流すと、通電状態では励磁コイルはその抵抗のた
め発熱するが、非通電状態では（自然）冷却される。し
たがって、励磁コイルの加熱と冷却とが交互になるた
め、短時間に非常に大きな電流が流れることにより励磁
コイルが安定動作ができない温度まで上昇しても、次に
冷却され、動作全体として励磁コイルの発熱を抑制で
き、励磁コイルに大きな電流を流すことができる。ま
た、試料層においても、非超伝導状態では励磁コイルが
通電しているとき誘導電流が発生し発熱するが、次の非
通電時に冷却されるため、発熱を抑制でき大きな磁場を
印加できる。
【００３１】図２は、上述したプローブを利用した、試
料の電流密度測定装置の好適実施例の略示ブロック図で
ある。可変相互インダクタンス系２５は、一方で、プロ
ーブ２０の励磁コイル２１、２３及び検知コイル２２、
２４に接続され、他方で、励磁電源２６及び磁化信号処
理系２８に接続されている。可変相互インダクタンス系
２５は、検知コイル２２、２４に発生する、励磁コイル
２１、２３の作る励磁磁場による誘導起電力を自動キャ
ンセルする。励磁電源２６は、可変相互インダクタンス
系２５を介して励磁コイル２１、２３に接続され、その
コイルを付勢する。励磁コイル２１、２３に流れる電流
値のデータは演算部２９に送られる。検出用増幅器２８
は、可変相互インダクタンス系２５を介して検知コイル
２２、２４に接続されている。その増幅器２８は好適に
は積分器であり、したがって、増幅器２８より得られる
データは試料６に誘導された磁場ということになる。そ
のデータも演算部２９に送られる。演算部２９およびデ
ータ処理部３０は、励磁電源２６および増幅器２８のデ
ータを演算処理し、電流密度、電気抵抗、臨界電流等を
導出する。また、制御部を設け、データ処理部３０から
の信号により、励磁電源２６及び可変相互インダクタン
ス系２５を制御してもよい。図２の実施例において使用
するプローブには、図１の打ち消しコイル４、９が含ま
れていても、いなくてもよい。
料の電流密度測定装置の好適実施例の略示ブロック図で
ある。可変相互インダクタンス系２５は、一方で、プロ
ーブ２０の励磁コイル２１、２３及び検知コイル２２、
２４に接続され、他方で、励磁電源２６及び磁化信号処
理系２８に接続されている。可変相互インダクタンス系
２５は、検知コイル２２、２４に発生する、励磁コイル
２１、２３の作る励磁磁場による誘導起電力を自動キャ
ンセルする。励磁電源２６は、可変相互インダクタンス
系２５を介して励磁コイル２１、２３に接続され、その
コイルを付勢する。励磁コイル２１、２３に流れる電流
値のデータは演算部２９に送られる。検出用増幅器２８
は、可変相互インダクタンス系２５を介して検知コイル
２２、２４に接続されている。その増幅器２８は好適に
は積分器であり、したがって、増幅器２８より得られる
データは試料６に誘導された磁場ということになる。そ
のデータも演算部２９に送られる。演算部２９およびデ
ータ処理部３０は、励磁電源２６および増幅器２８のデ
ータを演算処理し、電流密度、電気抵抗、臨界電流等を
導出する。また、制御部を設け、データ処理部３０から
の信号により、励磁電源２６及び可変相互インダクタン
ス系２５を制御してもよい。図２の実施例において使用
するプローブには、図１の打ち消しコイル４、９が含ま
れていても、いなくてもよい。
【００３２】次に、本発明による超伝導体の臨界電流値
の測定方法を説明する。上記打ち消しコイル又は可変相
互インダクタンス系により、励磁コイルが作る磁場によ
る検知コイルでの起電力は完全にキャンセルされ、出力
電圧は純粋に試料が作る磁場による検知コイルにおける
起電力のみになる。
の測定方法を説明する。上記打ち消しコイル又は可変相
互インダクタンス系により、励磁コイルが作る磁場によ
る検知コイルでの起電力は完全にキャンセルされ、出力
電圧は純粋に試料が作る磁場による検知コイルにおける
起電力のみになる。
【００３３】この状態でまず、通常金属、好適には平板
の金属の磁化を測定する。励磁電流として時間変化する
正弦波電流を励磁コイルに供給すると、試料表面には交
流的に変化する磁化Ｍが生じる。平板金属の場合、磁化
Ｍは、Ｍ∝σＤωと表され、試料の導電率σ、厚さＤ及
び角振動数ωの積に比例する。さらに、出力Ｖは磁化Ｍ
に比例することから、Ｖ−ωのグラフの傾きから出力Ｖ
と磁化Ｍの比例定数Ｒを装置定数として算出することが
できる。
の金属の磁化を測定する。励磁電流として時間変化する
正弦波電流を励磁コイルに供給すると、試料表面には交
流的に変化する磁化Ｍが生じる。平板金属の場合、磁化
Ｍは、Ｍ∝σＤωと表され、試料の導電率σ、厚さＤ及
び角振動数ωの積に比例する。さらに、出力Ｖは磁化Ｍ
に比例することから、Ｖ−ωのグラフの傾きから出力Ｖ
と磁化Ｍの比例定数Ｒを装置定数として算出することが
できる。
【００３４】次に、超伝導体試料の磁化を測定する。超
伝導体の場合、磁化Ｍの最大振幅は臨界電流密度ＪCで
決まることより、出力Ｖは飽和磁化Ｍ0(ＪC)に比例する
関係が得られる。ここで、上述の装置定数Ｒを用いて、
Ｖ＝４ＲＭ0なる関係式が導かれる。この式から飽和磁
化Ｍ0を求め、試料の磁化曲線から対応するＪCを導出す
る。
伝導体の場合、磁化Ｍの最大振幅は臨界電流密度ＪCで
決まることより、出力Ｖは飽和磁化Ｍ0(ＪC)に比例する
関係が得られる。ここで、上述の装置定数Ｒを用いて、
Ｖ＝４ＲＭ0なる関係式が導かれる。この式から飽和磁
化Ｍ0を求め、試料の磁化曲線から対応するＪCを導出す
る。
【００３５】また、この方法は、試料中に通常金属と、
超伝導体が混在する場合に応用することができる。上述
したように、金属の磁化はωに比例しているが超伝導体
の磁化は周波数に依存していないため、ωを十分小さく
とれば、金属の磁化の影響を除外でき、超伝導体からの
出力のみを分離することができる。
超伝導体が混在する場合に応用することができる。上述
したように、金属の磁化はωに比例しているが超伝導体
の磁化は周波数に依存していないため、ωを十分小さく
とれば、金属の磁化の影響を除外でき、超伝導体からの
出力のみを分離することができる。
【００３６】さらに、通常金属の抵抗率測定に上記方法
を応用できる。励磁電流の周波数を高くすることによ
り、信号を大きくすることもできる。
を応用できる。励磁電流の周波数を高くすることによ
り、信号を大きくすることもできる。
【００３７】さらにまた、上記方法では、試料位置によ
る試料経験磁場の変動が小さいので、励磁磁場対励磁電
流の関係式の更生が容易になる。
る試料経験磁場の変動が小さいので、励磁磁場対励磁電
流の関係式の更生が容易になる。
【００３８】以上のように、本発明に従うと、試料の所
望の部分について、超伝導体の臨界電流値等を測定する
ことができる。したがって、プローブを移動することに
より、またはマトリックス的に配置することにより試料
表面全体について測定することもでき、これにより臨界
電流値の分布図を作ることができる。
望の部分について、超伝導体の臨界電流値等を測定する
ことができる。したがって、プローブを移動することに
より、またはマトリックス的に配置することにより試料
表面全体について測定することもでき、これにより臨界
電流値の分布図を作ることができる。
【００３９】
【効果】本発明の改良型プローブにより、試料を加工す
ることなく且つ非接触で、電流密度を測定することが可
能になった。
ることなく且つ非接触で、電流密度を測定することが可
能になった。
【００４０】本発明の改良型プローブによって、励磁磁
場の磁場強度が従来のものの約２倍となり、検出感度が
向上した。
場の磁場強度が従来のものの約２倍となり、検出感度が
向上した。
【００４１】本発明の改良型プローブによって、試料が
感じる磁場が非常に均一化され、試料のＺ方向の位置精
度はあまり問題ではなくなった。
感じる磁場が非常に均一化され、試料のＺ方向の位置精
度はあまり問題ではなくなった。
【００４２】本発明の超伝導臨界電流測定装置によっ
て、出力されるのは、試料の作る磁場による誘導起電力
のみとなり、検出レベルが従来の約４倍に向上した。
て、出力されるのは、試料の作る磁場による誘導起電力
のみとなり、検出レベルが従来の約４倍に向上した。
【００４３】本発明の新局所臨界電流測定法により、測
定時間が短縮され、試料の分離も容易になった。
定時間が短縮され、試料の分離も容易になった。
【図１】図１は、本発明の改良型プローブの部分断面図
である。
である。
【図２】図２は、本発明のプロープを利用した電流密度
測定装置の略示ブロック図である。
測定装置の略示ブロック図である。
【図３】図３は、従来の反射型プローブの部分断面図で
ある。
ある。
【図４】図４は、従来の透過型プローブの部分断面図で
ある。
ある。
【図５】図５は、従来の超伝導体の臨界電流測定装置を
示す。
示す。
【図６】図６は、従来のスクイド磁束計を示す。
１ 改良型プローブ ２ 芯ロッド ３ 励磁コイル ４ 打ち消しコイル ５ 検知コイル ６ 試料層 ８ 検知コイル ９ 打ち消しコイル １０ 励磁コイル １１ 芯ロッド
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年６月１７日
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
Claims (13)
- 【請求項１】 非接触で試料の電流密度を測定するため
のプローブであって、 試料を挟んで上下に直列に連結された、該試料に誘導電
流を生じさせるための磁場を形成する一対の励磁コイル
と、 該励磁コイルの外側に配置され試料を挟んで上下に直列
に連結された、前記誘導電流により試料の形成する磁場
を検知する検知コイルと、から成り、 前記励磁コイルおよび前記検知コイルの軸線方向が共に
前記試料の面に対して垂直である、ところのプローブ。 - 【請求項２】 請求項１記載のプローブであって、 前記一対の励磁コイルが共軸に配置され、同じ向きに巻
かれた同一仕様のコイルであるところのプローブ。 - 【請求項３】 請求項２記載のプローブであって、 前記一対の検知コイルが共軸に配置され、且つ該軸線は
前記励磁コイルの軸線と同軸であるところのプローブ。 - 【請求項４】 請求項３記載のプローブであって、 前記一対の検知コイルは、同じ向きに巻かれた同一仕様
のコイルであり且つ試料の近傍に配置されているところ
のプローブ。 - 【請求項５】 請求項４記載のプローブであって、 前記励磁コイルの直径と上下コイルの間隔とが、試料に
対し均一な磁場を与える関係を満たすように選択されて
いるところのプローブ。 - 【請求項６】 請求項５記載のプローブであって、さら
に、 前記励磁コイルの外側に同軸に配置され、試料を挟んで
上下に直列に且つ共軸に連結された、検知コイルに発生
する励磁磁場による電圧を打ち消すための打ち消しコイ
ルを含むプローブ。 - 【請求項７】 請求項６記載のプローブであって、 前記打ち消しコイルは、試料の作る磁場を感じない程度
に試料から離れて配置されているところのプローブ。 - 【請求項８】 請求項１から７記載のプローブであっ
て、 前記励磁コイルは、三角波電流が供給されることで付勢
される、ところのプローブ。 - 【請求項９】 請求項１から７記載のプローブであっ
て、 前記励磁コイルは、正弦波電流が供給されることで付勢
される、ところのプローブ。 - 【請求項１０】 超伝導体の臨界電流値測定装置であっ
て、 請求項１から７記載のいずれかのプローブと、 前記検出コイルに発生する励磁磁場による電圧を打ち消
すための可変相互インダスタンス系と、 該プローブの励磁コイルを作動させる励磁電源と、 前記プローブの検知コイルに接続され、検知された電圧
を増幅する検出用増幅器と、 該検出用増幅器により増幅された信号から超伝導体の臨
界電流値を算出する処理器と、から成る装置 - 【請求項１１】 請求項１０記載の装置であって、前記
検出用増幅器が積分器である、ところの装置。 - 【請求項１２】 請求項１０または１１記載の装置を使
って超伝導体の臨界電流値を測定する方法であって、 上下の前記励磁コイル及び前記検知コイルの間に試料
を、該コイルの軸線と試料面が垂直になるように且つ上
下のコイルから等距離の位置に近接配置する工程と、 試料の磁化が十分に飽和するような大きさの且つ振幅が
一定の交流励磁電流を前記励磁コイルに供給する工程
と、 試料が無いときの検知電圧がゼロボルトになるように前
記打ち消しコイルまたは可変相互インダクタンス系を調
節する工程と、 金属試料の磁化測定から装置定数を算出する工程と、 超伝導体試料の磁化測定から上記装置定数を使って、飽
和磁化を算出する工程と、 試料の磁化曲線を使って、前記飽和磁化に対応する電流
密度を臨界電流密度として求める工程と、から成る方
法。 - 【請求項１３】 請求項１２記載の方法であって、試料
中に超伝導物質と通常金属とが混在するとき、さらに超
伝導体の磁化を分離するために、周波数を十分低くして
通常金属による磁化の影響を除外する工程を含む、とこ
ろの方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5353596A JPH07198770A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 改良された非接触超伝導臨界電流測定プローブ装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5353596A JPH07198770A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 改良された非接触超伝導臨界電流測定プローブ装置及び方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07198770A true JPH07198770A (ja) | 1995-08-01 |
Family
ID=18431915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5353596A Pending JPH07198770A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 改良された非接触超伝導臨界電流測定プローブ装置及び方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07198770A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6269472B1 (en) | 1996-02-27 | 2001-07-31 | Lsi Logic Corporation | Optical proximity correction method and apparatus |
| US6426131B1 (en) | 1998-08-24 | 2002-07-30 | Lsi Logic Corporation | Off-axis pupil aperture and method for making the same |
| JP2005127940A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 超伝導厚膜の臨界電流密度及び電流・電圧特性の測定方法、及び装置 |
| JP2006064419A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | National Institute For Materials Science | 磁化測定方法とこの方法を実施する磁化測定装置 |
| WO2006059497A1 (ja) * | 2004-12-01 | 2006-06-08 | Kyushu Institute Of Technology | 超電導体の臨界電流密度測定方法及び装置 |
| JP2007078500A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 超電導膜の臨界電流密度測定方法及び装置 |
| JP2010286327A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Railway Technical Res Inst | 超電導コイル作製時の臨界電流の推定方法 |
| WO2017213005A1 (ja) * | 2016-06-09 | 2017-12-14 | 愛知製鋼株式会社 | 磁界測定装置 |
| CN115128387A (zh) * | 2022-08-19 | 2022-09-30 | 北京东舟技术股份有限公司 | 机器人末端触屏测试系统、触屏测试系统及触屏测试方法 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP5353596A patent/JPH07198770A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6269472B1 (en) | 1996-02-27 | 2001-07-31 | Lsi Logic Corporation | Optical proximity correction method and apparatus |
| US6426131B1 (en) | 1998-08-24 | 2002-07-30 | Lsi Logic Corporation | Off-axis pupil aperture and method for making the same |
| JP2005127940A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 超伝導厚膜の臨界電流密度及び電流・電圧特性の測定方法、及び装置 |
| JP2006064419A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | National Institute For Materials Science | 磁化測定方法とこの方法を実施する磁化測定装置 |
| WO2006059497A1 (ja) * | 2004-12-01 | 2006-06-08 | Kyushu Institute Of Technology | 超電導体の臨界電流密度測定方法及び装置 |
| JPWO2006059497A1 (ja) * | 2004-12-01 | 2008-08-07 | 国立大学法人九州工業大学 | 超電導体の臨界電流密度測定方法及び装置 |
| JP2007078500A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 超電導膜の臨界電流密度測定方法及び装置 |
| JP2010286327A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Railway Technical Res Inst | 超電導コイル作製時の臨界電流の推定方法 |
| WO2017213005A1 (ja) * | 2016-06-09 | 2017-12-14 | 愛知製鋼株式会社 | 磁界測定装置 |
| JP2017219456A (ja) * | 2016-06-09 | 2017-12-14 | 愛知製鋼株式会社 | 磁界測定装置 |
| CN115128387A (zh) * | 2022-08-19 | 2022-09-30 | 北京东舟技术股份有限公司 | 机器人末端触屏测试系统、触屏测试系统及触屏测试方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0646790B1 (en) | Method and apparatus for detecting embrittlement of metal material | |
| US4528856A (en) | Eddy current stress-strain gauge | |
| US3359495A (en) | Magnetic reaction testing apparatus and method of testing utilizing semiconductor means for magnetic field sensing of an eddy-current-reaction magnetic field | |
| US5059902A (en) | Electromagnetic method and system using voltage induced by a decaying magnetic field to determine characteristics, including distance, dimensions, conductivity and temperature, of an electrically conductive material | |
| US6504363B1 (en) | Sensor for eddy current testing and method of use thereof | |
| JPH07198770A (ja) | 改良された非接触超伝導臨界電流測定プローブ装置及び方法 | |
| Wang et al. | A novel AC-MFL probe based on the parallel cables magnetizing technique | |
| JP2001318080A (ja) | 検出コイルとこの検出コイルを用いた検査装置 | |
| Hinken et al. | Thermoelectric SQUID method for the detection of segregations | |
| Mück et al. | Eddy current nondestructive material evaluation based on HTS SQUIDs | |
| JPS62273447A (ja) | 材料劣化度測定方法及びその装置 | |
| JP2938950B2 (ja) | 金属材料の劣化損傷検出装置 | |
| US4675605A (en) | Eddy current probe and method for flaw detection in metals | |
| JPH0820418B2 (ja) | 非接触による電流密度測定プローブ | |
| JP3140105B2 (ja) | 電磁誘導型検査装置 | |
| JPH11352109A (ja) | 渦流検査装置及び渦流検査方法 | |
| Matsunaga et al. | Application of a HTS coil with a magnetic sensor to nondestructive testing using a low-frequency magnetic field | |
| Pávó et al. | Eddy current testing with fluxset probe | |
| Deyneka et al. | Non-destructive testing of ferromagnetic materials using hand inductive sensor | |
| JPH11211698A (ja) | 磁気探傷装置の感度校正方法および装置ならびに校正 ロール | |
| Dalal Radia et al. | Detection of defects using GMR and inductive probes | |
| Mesquita et al. | Development of an Electronic Instrument for Eddy Current Testing | |
| JPWO2006059497A1 (ja) | 超電導体の臨界電流密度測定方法及び装置 | |
| JPH01269049A (ja) | 金属材料の劣化検査方法 | |
| JPH0470561A (ja) | 金属内異質層検出方法およびその装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050317 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051004 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051011 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091021 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101021 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101021 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111021 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111021 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121021 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121021 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131021 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131021 Year of fee payment: 8 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131021 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |