JPH0719904B2 - 光検知素子の製造方法 - Google Patents
光検知素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0719904B2 JPH0719904B2 JP63007309A JP730988A JPH0719904B2 JP H0719904 B2 JPH0719904 B2 JP H0719904B2 JP 63007309 A JP63007309 A JP 63007309A JP 730988 A JP730988 A JP 730988A JP H0719904 B2 JPH0719904 B2 JP H0719904B2
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- Japan
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- oxide film
- film
- anodic oxide
- manufacturing
- wafer
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、光検知素子の製造方法に係り、特に光導電
型赤外線検知素子等の保護膜としての陽極酸化膜を高品
位に形成できる光検知素子の製造方法に関するものであ
る。
型赤外線検知素子等の保護膜としての陽極酸化膜を高品
位に形成できる光検知素子の製造方法に関するものであ
る。
第１図（ａ）は光導電型赤外線検知素子の構造の一例を
示す平面図、第１図（ｂ）は、同図（ａ）に示した切断
線Ａ−Ａの断面図である。この図において、１は赤外線
検知素子用ウエハ（以下単にウエハと称す）で、高抵抗
の基板1aと化合物半導体1bとから構成されている。化合
物半導体1bは、例えばｎ型のcdxHg1-xTe等が該当し、高
抵抗の基板1a上にエピタキシャル成長などの方法によっ
て所定の厚さに形成される。ただし、ｘは０≦ｘ≦１な
る組成比を表す。cdxHg1-xTeはバンドギャップの狭い半
導帯で、組成比ｘ＝0.3のものは３〜５μｍ波帯の、ま
た、組成比Ｘ＝0.2のものは10μｍ波帯の赤外線検知素
子として広く利用されている。２は溝で、高抵抗の基板
1aに達するか、それよりも深く掘るものとする。３は金
属蒸着膜、3aは電極で、金属蒸着膜３のなかで電極とし
て用いられる部分を示す。金属蒸着膜３は、例えば蒸着
したCr上にさらにAuを蒸着した（以下Cr/Auと記す）金
属膜である。４は受光面、５は陽極酸化膜で、受光面４
表面の安定化のために形成された膜で、その形成により
直下の化合物半導体1bがN+化される。このため、赤外線
入射により発生する過剰少数キャリアの正孔が表面に拡
散しにくくなり表面結合が防止される。６は反射防止膜
で、材質は、例えばZnSで10μｍ波帯の赤外線検知素子
の場合その厚さは1.1μｍである。
示す平面図、第１図（ｂ）は、同図（ａ）に示した切断
線Ａ−Ａの断面図である。この図において、１は赤外線
検知素子用ウエハ（以下単にウエハと称す）で、高抵抗
の基板1aと化合物半導体1bとから構成されている。化合
物半導体1bは、例えばｎ型のcdxHg1-xTe等が該当し、高
抵抗の基板1a上にエピタキシャル成長などの方法によっ
て所定の厚さに形成される。ただし、ｘは０≦ｘ≦１な
る組成比を表す。cdxHg1-xTeはバンドギャップの狭い半
導帯で、組成比ｘ＝0.3のものは３〜５μｍ波帯の、ま
た、組成比Ｘ＝0.2のものは10μｍ波帯の赤外線検知素
子として広く利用されている。２は溝で、高抵抗の基板
1aに達するか、それよりも深く掘るものとする。３は金
属蒸着膜、3aは電極で、金属蒸着膜３のなかで電極とし
て用いられる部分を示す。金属蒸着膜３は、例えば蒸着
したCr上にさらにAuを蒸着した（以下Cr/Auと記す）金
属膜である。４は受光面、５は陽極酸化膜で、受光面４
表面の安定化のために形成された膜で、その形成により
直下の化合物半導体1bがN+化される。このため、赤外線
入射により発生する過剰少数キャリアの正孔が表面に拡
散しにくくなり表面結合が防止される。６は反射防止膜
で、材質は、例えばZnSで10μｍ波帯の赤外線検知素子
の場合その厚さは1.1μｍである。
次に第２図（ａ），（ｂ），（ｃ）を参照しながら第１
図（ａ），（ｂ）に示した光導電型の赤外線検知素子の
従来の製造方法について説明する。なお、各図中の同一
符号は同一または相当部分を示す。
図（ａ），（ｂ）に示した光導電型の赤外線検知素子の
従来の製造方法について説明する。なお、各図中の同一
符号は同一または相当部分を示す。
まず、高抵抗の基板1a上に化合物半導体1bを形成し、ウ
エハ１を作成する。次に、ウエハ１を写真製版法を用い
てエッチングし、第２図（ａ）に示すようなコの字型の
溝２を形成する。続いて、ウエハ１をブロムメタノール
液を用いて軽くエッチングして清浄にした後、Cr/Auを
蒸着し、写真製版法を用いて第２図（ｂ）に示すような
形状の金属蒸着膜３を形成する。なお、金属蒸着膜３の
形成は、リフトオフ法を用いてもおこなえる。この場合
には、写真製版法を用いて所定形状のレジスト膜を形成
した後、ウエハ１の露出した面をブロムメタノール液を
用いてエッチングし、清浄にしたうえでCr/Auを蒸着す
る。その後、不要部分のレジスト膜を剥離すると同時に
レジスト膜上のCr/Auをも除去することにより第２図
（ｂ）に示した金属蒸着膜３が得られる。
エハ１を作成する。次に、ウエハ１を写真製版法を用い
てエッチングし、第２図（ａ）に示すようなコの字型の
溝２を形成する。続いて、ウエハ１をブロムメタノール
液を用いて軽くエッチングして清浄にした後、Cr/Auを
蒸着し、写真製版法を用いて第２図（ｂ）に示すような
形状の金属蒸着膜３を形成する。なお、金属蒸着膜３の
形成は、リフトオフ法を用いてもおこなえる。この場合
には、写真製版法を用いて所定形状のレジスト膜を形成
した後、ウエハ１の露出した面をブロムメタノール液を
用いてエッチングし、清浄にしたうえでCr/Auを蒸着す
る。その後、不要部分のレジスト膜を剥離すると同時に
レジスト膜上のCr/Auをも除去することにより第２図
（ｂ）に示した金属蒸着膜３が得られる。
次にウエハ１をプラズマ陽極酸化し、陽極酸化膜５を形
成する。この時、金属蒸着膜３がマスクとなるので、第
２図（ｂ）に示す金属蒸着膜３以外の露出している部
分、すなわち化合物半導体1b部分にのみ陽極酸化膜５が
形成される。
成する。この時、金属蒸着膜３がマスクとなるので、第
２図（ｂ）に示す金属蒸着膜３以外の露出している部
分、すなわち化合物半導体1b部分にのみ陽極酸化膜５が
形成される。
上記のように金属蒸着膜３をマスクとして陽極酸化膜５
を選択的に形成した後、反射防止膜６を蒸着、スパッタ
等の方法によりウエハ１の表面全面に形成する。
を選択的に形成した後、反射防止膜６を蒸着、スパッタ
等の方法によりウエハ１の表面全面に形成する。
次に、写真製版法を用いて反射防止膜６をエッチング
し、第２図（ｃ）に示すような電極3aを形成し、最後に
ダイシングソーを用いウエハ１を切断分割し、第１図
（ａ），（ｂ）に示したような赤外線検知素子を製造し
ていた。
し、第２図（ｃ）に示すような電極3aを形成し、最後に
ダイシングソーを用いウエハ１を切断分割し、第１図
（ａ），（ｂ）に示したような赤外線検知素子を製造し
ていた。
しかし、以上説明したような従来の光検知素子の製造方
法では、受光面４の反射防止膜６に剥離が起こったり、
剥離しない場合でも素子特性が劣化するという問題点が
あった。
法では、受光面４の反射防止膜６に剥離が起こったり、
剥離しない場合でも素子特性が劣化するという問題点が
あった。
これは、金属蒸着膜３形成時の写真製版等によって汚染
された化合物半導体1bを直接陽極酸化して陽極酸化膜５
を形成したため、その膜質が劣っていること、あるいは
陽極酸化膜５の形成後、反射防止膜６の形成までに間が
あき、陽極酸化膜５の表面が汚染されるなどの理由によ
る。
された化合物半導体1bを直接陽極酸化して陽極酸化膜５
を形成したため、その膜質が劣っていること、あるいは
陽極酸化膜５の形成後、反射防止膜６の形成までに間が
あき、陽極酸化膜５の表面が汚染されるなどの理由によ
る。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、膜質がよく表面が汚染されていない陽極酸
化膜の上に反射防止膜を形成することのできる光検知素
子の製造方法を提供することを目的とする。
れたもので、膜質がよく表面が汚染されていない陽極酸
化膜の上に反射防止膜を形成することのできる光検知素
子の製造方法を提供することを目的とする。
この発明に係る光検知素子の製造方法は、受光面となる
化合物半導体上に陽極酸化膜を形成する酸化膜形成工程
と、この酸化膜形成工程で形成された陽極酸化膜を除去
する工程と、陽極酸化膜除去後に再度陽極酸化膜を形成
する工程と、再度形成された陽極酸化膜上に反射防止膜
を形成する工程とを含むものである。
化合物半導体上に陽極酸化膜を形成する酸化膜形成工程
と、この酸化膜形成工程で形成された陽極酸化膜を除去
する工程と、陽極酸化膜除去後に再度陽極酸化膜を形成
する工程と、再度形成された陽極酸化膜上に反射防止膜
を形成する工程とを含むものである。
この発明においては、酸化膜形成工程で形成された陽極
酸化膜とともに素子上の汚染が除去され、素子上の汚染
を除去した後に膜質のよい陽極酸化膜が再形成され、再
形成された良質の酸化膜上に高品位の反射防止膜が形成
される。
酸化膜とともに素子上の汚染が除去され、素子上の汚染
を除去した後に膜質のよい陽極酸化膜が再形成され、再
形成された良質の酸化膜上に高品位の反射防止膜が形成
される。
以下、この発明の光検知素子の製造方法の一実施例を第
１図および第２図を用いて説明する。なお、第１図およ
び第２図は従来例を説明する図とこの発明の一実施例を
説明する図とを兼ねている。
１図および第２図を用いて説明する。なお、第１図およ
び第２図は従来例を説明する図とこの発明の一実施例を
説明する図とを兼ねている。
この発明の一実施例を示す光検知素子の製造方法におい
ては、陽極酸化膜５の形成までを従来例と全く同様にし
ておこなう。すなわち、高抵抗の基板1a上に化合物半導
体1bを形成し、ウエハ１を作成する。次にウエハ１を写
真製版法を用いてエッチングし、第２図（ａ）に示すよ
うなコの字型の溝２を形成する。続いて、ウエハ１をブ
ロムメタノール液を用いて軽くエッチングして清浄した
後、Cr/Auを蒸着し、写真製版法を用いて第２図（ｂ）
に示すような形状の金属蒸着膜３を形成する。次にウエ
ハ１をプラズマ陽極酸化し、第２図（ｂ）に示す化合物
半導体1b部分に陽極酸化膜５を形成する。
ては、陽極酸化膜５の形成までを従来例と全く同様にし
ておこなう。すなわち、高抵抗の基板1a上に化合物半導
体1bを形成し、ウエハ１を作成する。次にウエハ１を写
真製版法を用いてエッチングし、第２図（ａ）に示すよ
うなコの字型の溝２を形成する。続いて、ウエハ１をブ
ロムメタノール液を用いて軽くエッチングして清浄した
後、Cr/Auを蒸着し、写真製版法を用いて第２図（ｂ）
に示すような形状の金属蒸着膜３を形成する。次にウエ
ハ１をプラズマ陽極酸化し、第２図（ｂ）に示す化合物
半導体1b部分に陽極酸化膜５を形成する。
従来例においては、その後すぐに反射防止膜６を蒸着し
ていたが、この発明においては、一度形成した陽極酸化
膜５を除去した後、再度陽極酸化膜５の形成を行う。そ
の後、従来例と同様に反射防止膜６をウエハ１の表面全
面に形成する。
ていたが、この発明においては、一度形成した陽極酸化
膜５を除去した後、再度陽極酸化膜５の形成を行う。そ
の後、従来例と同様に反射防止膜６をウエハ１の表面全
面に形成する。
陽極酸化膜５の除去は、例えば酒石酸水溶液等の弱酸を
用いておこなうことができる。陽極酸化膜５の厚さは40
0Å程度なので、酒石酸水溶液を用い１〜２分で除去で
きる。その後、充分水洗して酒石酸を除去し、イソプロ
ピルアルコールを用いて煮沸、乾燥する。
用いておこなうことができる。陽極酸化膜５の厚さは40
0Å程度なので、酒石酸水溶液を用い１〜２分で除去で
きる。その後、充分水洗して酒石酸を除去し、イソプロ
ピルアルコールを用いて煮沸、乾燥する。
このようにして、はじめに形成した陽極酸化膜５を除去
すれば化合物半導体1b上の汚れも同時に除去され、再度
形成された陽極酸化膜５は質のよい膜となる。なお、陽
極酸化膜５の除去工程では、酒石酸を用いるので、金属
蒸着膜３等が侵されることはない。
すれば化合物半導体1b上の汚れも同時に除去され、再度
形成された陽極酸化膜５は質のよい膜となる。なお、陽
極酸化膜５の除去工程では、酒石酸を用いるので、金属
蒸着膜３等が侵されることはない。
また、工程の都合上、陽極酸化膜５の形成から反射防止
膜６の形成までに間があき、陽極酸化膜５の表面が汚染
された場合にも反射防止膜６の形成の直前に上記の陽極
酸化膜５の除去と再形成の工程を行うことにより、清浄
な陽極酸化膜５上に反射防止膜６を形成することができ
る。
膜６の形成までに間があき、陽極酸化膜５の表面が汚染
された場合にも反射防止膜６の形成の直前に上記の陽極
酸化膜５の除去と再形成の工程を行うことにより、清浄
な陽極酸化膜５上に反射防止膜６を形成することができ
る。
以上のようにして、陽極酸化膜５の形成，除去，再形
成，反射防止膜６の形成を行った後、従来例と同様にし
て写真製版法を用いて反射防止膜６をエッチングし第２
図（ｃ）に示すような電極3aを形成し、最後にダイシン
グソーを用いウエハ１を切断分割し、第１図（ａ），
（ｂ）に示すような赤外線検知素子を製造する。
成，反射防止膜６の形成を行った後、従来例と同様にし
て写真製版法を用いて反射防止膜６をエッチングし第２
図（ｃ）に示すような電極3aを形成し、最後にダイシン
グソーを用いウエハ１を切断分割し、第１図（ａ），
（ｂ）に示すような赤外線検知素子を製造する。
なお、上記の実施例では化合物半導体1bとしてCdxHg1-x
Teを用いた赤外線検知素子の場合を示したが、この発明
の製造方法を他の半導体の酸化膜形成時に用いても上記
実施例と同様の効果を奏する。
Teを用いた赤外線検知素子の場合を示したが、この発明
の製造方法を他の半導体の酸化膜形成時に用いても上記
実施例と同様の効果を奏する。
以上説明したようにこの発明は、受光面となる化合物半
導体上に陽極酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、この
酸化膜形成工程で形成された陽極酸化膜を除去する工程
と、陽極酸化膜除去後に再度陽極酸化膜を形成する工程
と、再度形成された陽極酸化膜上に反射防止膜を形成す
る工程とを含むので、陽極酸化膜の除去により化合物半
導体の表面と、化合物半導体と陽極酸化膜の界面にある
汚れを同時に除去できるため、膜質がよく、表面が清浄
な陽極酸化膜を形成でき、その上に反射防止膜を形成で
きるので、反射防止膜の剥離がなくなり、歩留りが向上
し、また、特性のよい素子が得られる効果がある。
導体上に陽極酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、この
酸化膜形成工程で形成された陽極酸化膜を除去する工程
と、陽極酸化膜除去後に再度陽極酸化膜を形成する工程
と、再度形成された陽極酸化膜上に反射防止膜を形成す
る工程とを含むので、陽極酸化膜の除去により化合物半
導体の表面と、化合物半導体と陽極酸化膜の界面にある
汚れを同時に除去できるため、膜質がよく、表面が清浄
な陽極酸化膜を形成でき、その上に反射防止膜を形成で
きるので、反射防止膜の剥離がなくなり、歩留りが向上
し、また、特性のよい素子が得られる効果がある。
第１図（ａ）は光導電型赤外線検知素子の構造の一例を
示す平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）に示した切断
線Ａ−Ａの断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は、第１図
（ａ），（ｂ）に示した光導電型赤外線検知素子の製造
方法を説明するための図である。 図において、１はウエハ、1aは高抵抗の基板、1bは化合
物半導体、４は受光面、５は陽極酸化膜、６は反射防止
膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
示す平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）に示した切断
線Ａ−Ａの断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は、第１図
（ａ），（ｂ）に示した光導電型赤外線検知素子の製造
方法を説明するための図である。 図において、１はウエハ、1aは高抵抗の基板、1bは化合
物半導体、４は受光面、５は陽極酸化膜、６は反射防止
膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7210−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｋ
Claims (1)
- 【請求項１】受光面となる化合物半導体上に陽極酸化膜
を形成する酸化膜形成工程と、この酸化膜形成工程で形
成された陽極酸化膜を除去する工程と、陽極酸化膜除去
後に再度陽極酸化膜を形成する工程と、再度形成された
陽極酸化膜上に反射防止膜を形成する工程とを含むこと
を特徴とする光検知素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63007309A JPH0719904B2 (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 光検知素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63007309A JPH0719904B2 (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 光検知素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01183169A JPH01183169A (ja) | 1989-07-20 |
| JPH0719904B2 true JPH0719904B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=11662403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63007309A Expired - Lifetime JPH0719904B2 (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 光検知素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719904B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110512254B (zh) * | 2019-09-16 | 2021-09-17 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电子设备的壳体及其制作方法、电子设备 |
-
1988
- 1988-01-14 JP JP63007309A patent/JPH0719904B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01183169A (ja) | 1989-07-20 |
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