JPH0719973B2 - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
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- JPH0719973B2 JPH0719973B2 JP29602590A JP29602590A JPH0719973B2 JP H0719973 B2 JPH0719973 B2 JP H0719973B2 JP 29602590 A JP29602590 A JP 29602590A JP 29602590 A JP29602590 A JP 29602590A JP H0719973 B2 JPH0719973 B2 JP H0719973B2
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は集積度の高いLSI実装用基板に関して、微細か
つ高多層配線ができ、高密度実装が可能な多層配線基板
に関するものである。
つ高多層配線ができ、高密度実装が可能な多層配線基板
に関するものである。
（従来の技術） 従来、この種の多層配線基板は、配線抵抗の低いCuを主
成分とする導体配線と、ポリイミド樹脂からなる導体配
線の層間絶縁体から構成されている。
成分とする導体配線と、ポリイミド樹脂からなる導体配
線の層間絶縁体から構成されている。
第３図に従来技術による多層配線基板の構成図を示す。
基板31の表面に導体層32が設けられる。この導体層32は
Cr/Pd/Cu、あるいはCr/Cu/Cr膜などの複数層構成を有し
ている。そして全表面に感光製を有したポリイミド樹脂
層間絶縁膜33をコーティングし、光によりビアホール34
が形成される。この上にさらに導体配線層35が形成され
る。
基板31の表面に導体層32が設けられる。この導体層32は
Cr/Pd/Cu、あるいはCr/Cu/Cr膜などの複数層構成を有し
ている。そして全表面に感光製を有したポリイミド樹脂
層間絶縁膜33をコーティングし、光によりビアホール34
が形成される。この上にさらに導体配線層35が形成され
る。
（発明が解決しようとする課題） 上述した従来の多層配線基板は、層間絶縁体に用いてい
るポリイミド樹脂の硬化温度が高く、また硬化中におい
て脱水反応があり、さらには硬化膜の吸水性が大きいの
で、配線抵抗の低いCuを主成分とする導体配線を用いた
場合、Cu配線の酸化、腐食などを引き起こす欠点があ
る。
るポリイミド樹脂の硬化温度が高く、また硬化中におい
て脱水反応があり、さらには硬化膜の吸水性が大きいの
で、配線抵抗の低いCuを主成分とする導体配線を用いた
場合、Cu配線の酸化、腐食などを引き起こす欠点があ
る。
さらには層間絶縁体にポリイミドを用いているため、Cu
イオンがポリイミド樹脂絶縁体中に拡散してしまい。こ
のためイオンのマイグレーションを引き起こし、絶縁性
が著しく低下するという欠点もある。
イオンがポリイミド樹脂絶縁体中に拡散してしまい。こ
のためイオンのマイグレーションを引き起こし、絶縁性
が著しく低下するという欠点もある。
このため層間絶縁体にポリイミド樹脂を用いた従来の多
層配線基板では、Cuを主成分とする導体配線を用いるに
あたり、長期信頼性に欠くという問題点がある。
層配線基板では、Cuを主成分とする導体配線を用いるに
あたり、長期信頼性に欠くという問題点がある。
一方エレクトロニクス機器の高性能、高機能化の要求に
対し、高速伝送に対応した材料が必要となる。高速伝送
では特性インピーダンスを整合させ、かつ信号の伝播遅
延時間の短縮が要求されている。信号伝播遅延時間Ｔは
次式で示される。
対し、高速伝送に対応した材料が必要となる。高速伝送
では特性インピーダンスを整合させ、かつ信号の伝播遅
延時間の短縮が要求されている。信号伝播遅延時間Ｔは
次式で示される。
（ただし、C:光速、ε：層間絶縁体の誘電率、K:定数） すなわち層間絶縁体の誘電率が低いほど信号伝播遅延時
間は短縮され、高速化が実現される。
間は短縮され、高速化が実現される。
上述した従来の多層配線基板は、層間絶縁体に用いてい
るポリイミド樹脂の誘電率が3.5程度となっており、信
号伝播遅延時間が長くなるという欠点がある。
るポリイミド樹脂の誘電率が3.5程度となっており、信
号伝播遅延時間が長くなるという欠点がある。
なお誘電率は、ASTMD150の測定法において、106Hzの周
波数での値を用いる。
波数での値を用いる。
（課題を解決するための手段） 前述したように、配線抵抗の低いCuを主成分とした導体
配線を用いるにあたり、ポリイミド樹脂を層間絶縁膜と
して用いた場合、諸問題が発生している。これらの問題
を解決するため鋭意工夫を行なった。
配線を用いるにあたり、ポリイミド樹脂を層間絶縁膜と
して用いた場合、諸問題が発生している。これらの問題
を解決するため鋭意工夫を行なった。
その結果、本発明の多層配線基板は、配線抵抗の低いCu
を主成分とする導体配線とベンゾシクロブテン樹脂から
なる層間絶縁体を有する構成、あるいは導体配線と導体
配線の層間絶縁体との層間にベンゾシクロブテン樹脂を
介した構成となっている。
を主成分とする導体配線とベンゾシクロブテン樹脂から
なる層間絶縁体を有する構成、あるいは導体配線と導体
配線の層間絶縁体との層間にベンゾシクロブテン樹脂を
介した構成となっている。
（作用） このベンゾシクロブテン樹脂は200℃、もしくはそれ以
下で硬化させることができ、また硬化膜は耐湿性にも優
れている。このためCu導体配線層上に、直接ベンゾシク
ロブテン樹脂を形成し、ベンゾシクロブテン樹脂層間絶
縁体を構成することにより、Cu配線の酸化、腐食を防ぐ
ことができる。
下で硬化させることができ、また硬化膜は耐湿性にも優
れている。このためCu導体配線層上に、直接ベンゾシク
ロブテン樹脂を形成し、ベンゾシクロブテン樹脂層間絶
縁体を構成することにより、Cu配線の酸化、腐食を防ぐ
ことができる。
またはまず低温で膜が形成可能なベンゾシクロブテン樹
脂で導体配線を介して、そのあとにポリイミド樹脂絶縁
体などを形成することにより導体配線の酸化を防ぐこと
ができる。またポリイミド樹脂絶縁体中へのCuイオン拡
散を防ぎ、イオンのマイグレーションによる絶縁性の低
下も防ぐことができる。
脂で導体配線を介して、そのあとにポリイミド樹脂絶縁
体などを形成することにより導体配線の酸化を防ぐこと
ができる。またポリイミド樹脂絶縁体中へのCuイオン拡
散を防ぎ、イオンのマイグレーションによる絶縁性の低
下も防ぐことができる。
さらには硬化したベンゾシクロブテン樹脂は耐湿性にも
優れていることから、長期的な導体配線の酸化、腐食を
防ぐことができる。
優れていることから、長期的な導体配線の酸化、腐食を
防ぐことができる。
一方、ベンゾシクロブテン樹脂の誘電率は2.6と従来の
ポリイミドよりも低く、これを層間絶縁体として用いる
ことにより、信号伝播遅延時間を短縮することができ
る。
ポリイミドよりも低く、これを層間絶縁体として用いる
ことにより、信号伝播遅延時間を短縮することができ
る。
（実施例） 次に本発明について図面を参照して説明する。第１図は
層間絶縁体にベンゾシクロブテン樹脂を有する本発明の
一実施例の構成図である。
層間絶縁体にベンゾシクロブテン樹脂を有する本発明の
一実施例の構成図である。
シリコン、サファイア、あるいはアルミナなどを主成分
とするセラミックなどからなる基板11の表面に、Cuを主
成分とする導体配線層12が設けられる。
とするセラミックなどからなる基板11の表面に、Cuを主
成分とする導体配線層12が設けられる。
そして全表面にベンゾシクロブテン樹脂絶縁体13をコー
ティングしたのち、この表面にフォトレジストでパター
ン形成させ、ベンゾシクロブテンをエッチングすること
により、ビアホール14を得ることができ、エッチングに
はプラズマエッチャーを用いることができ、ガスはCF4
とO2、あるいはSF6とO2混合ガスが適当である。
ティングしたのち、この表面にフォトレジストでパター
ン形成させ、ベンゾシクロブテンをエッチングすること
により、ビアホール14を得ることができ、エッチングに
はプラズマエッチャーを用いることができ、ガスはCF4
とO2、あるいはSF6とO2混合ガスが適当である。
ビアホール形成後、導体配線層15は、全表面にCuスパッ
タ膜を形成しエッチングして得るか、あるいは全表面に
Crスパッタ膜を形成したのち、Cuスパッタ膜あるいはめ
っきCu箔を形成することにより得ることができる。
タ膜を形成しエッチングして得るか、あるいは全表面に
Crスパッタ膜を形成したのち、Cuスパッタ膜あるいはめ
っきCu箔を形成することにより得ることができる。
第２図は導体配線と導体配線の層間絶縁体との層間にベ
ンゾシクロブテン樹脂を介した構成を含む、本発明の一
実施例の構成図である。
ンゾシクロブテン樹脂を介した構成を含む、本発明の一
実施例の構成図である。
シリコン、サファイア、あるいはアルミナなどを主成分
とするセラミックなどからなる基板21の表面に、導体配
線層22が設けられる。この導体配線層22は複数個からな
り、最下層にはCrあるいはTiスパッタ膜を用いることが
でき、上層にはCu,Au,Alなとを用いることができる。
とするセラミックなどからなる基板21の表面に、導体配
線層22が設けられる。この導体配線層22は複数個からな
り、最下層にはCrあるいはTiスパッタ膜を用いることが
でき、上層にはCu,Au,Alなとを用いることができる。
そして全表面にベンゾシクロブテン樹脂絶縁体23をコー
ティングしたのち硬化させ、その上にさらにポリイミド
樹脂絶縁体24をコーティングする。
ティングしたのち硬化させ、その上にさらにポリイミド
樹脂絶縁体24をコーティングする。
この絶縁体24のポリイミドは感光性を有し、光でパター
ン形成ができる。パターン形成したポリイミド樹脂絶縁
体24自体をそのままマスクとして用いて、ベンゾシクロ
ブテン樹脂絶縁体24をエッチングすることができ、これ
によりビアホール25を容易に形成することができる。エ
ッチングにはプラズマエッチャーを用いることができ、
ガスはCF4とO2、あるいはSF6とO2混合ガスが適当であ
る。
ン形成ができる。パターン形成したポリイミド樹脂絶縁
体24自体をそのままマスクとして用いて、ベンゾシクロ
ブテン樹脂絶縁体24をエッチングすることができ、これ
によりビアホール25を容易に形成することができる。エ
ッチングにはプラズマエッチャーを用いることができ、
ガスはCF4とO2、あるいはSF6とO2混合ガスが適当であ
る。
導体配線層26は複数個から構成され、ビアホール形成
後、全表面にCr、あるいはTiスパッタ膜を形成したの
ち、Cu,Au,Al膜などを形成することにより得ることがで
きる。
後、全表面にCr、あるいはTiスパッタ膜を形成したの
ち、Cu,Au,Al膜などを形成することにより得ることがで
きる。
（発明の効果） 以上説明したように、本発明の多層配線基板は、導体配
線の層間絶縁体にベンゾシクロブテン樹脂を有するか、
あるいは導体配線と導体配線の層間絶縁体との層間にベ
ンゾシクロブテン樹脂を介した構成を有することによ
り、Cu導体配線の酸化、腐食を防ぎ、またCuイオンのマ
イグレーションによる絶縁性の低下を防ぐことができる
効果がある。
線の層間絶縁体にベンゾシクロブテン樹脂を有するか、
あるいは導体配線と導体配線の層間絶縁体との層間にベ
ンゾシクロブテン樹脂を介した構成を有することによ
り、Cu導体配線の酸化、腐食を防ぎ、またCuイオンのマ
イグレーションによる絶縁性の低下を防ぐことができる
効果がある。
これにより配線抵抗の低いCuを主成分とする導体配線を
有した微細かつ高多層配線を形成することができ、高密
度実装が可能な多層配線基板を提供することができる。
有した微細かつ高多層配線を形成することができ、高密
度実装が可能な多層配線基板を提供することができる。
またベンゾシクロブテン樹脂は誘電率が2.6と低く、こ
れを層間絶縁体として用いることにより、信号伝播遅延
時間が短縮されるという効果もある。
れを層間絶縁体として用いることにより、信号伝播遅延
時間が短縮されるという効果もある。
第１図は層間絶縁体にベンゾシクロブテン樹脂を用いる
本発明の一実施例の構成図である。 第２図は導体配線と導体配線の層間絶縁体との層間に、
ベンゾシクロブテン樹脂を介した構成を有する本発明の
一実施例の構成図である。 第３図は従来技術による多層配線基板の構成図である。 図において、11,21,31……基板、12,15,22,26,32,35…
…導体配線層、13,23……ベンゾシクロブテン樹脂絶縁
体、14,25,34……ビアホール、24,33……ポリイミド樹
脂絶縁体である。
本発明の一実施例の構成図である。 第２図は導体配線と導体配線の層間絶縁体との層間に、
ベンゾシクロブテン樹脂を介した構成を有する本発明の
一実施例の構成図である。 第３図は従来技術による多層配線基板の構成図である。 図において、11,21,31……基板、12,15,22,26,32,35…
…導体配線層、13,23……ベンゾシクロブテン樹脂絶縁
体、14,25,34……ビアホール、24,33……ポリイミド樹
脂絶縁体である。
Claims (2)
- 【請求項１】Cuを主成分とする導体配線を有し、ベンゾ
シクロブテン樹脂を導体配線の層間絶縁体に用いること
を特徴とする多層配線基板。 - 【請求項２】導体配線と導体配線の層間絶縁体との層間
に、ベンゾシクロブテン樹脂を介した構造を含むことを
特徴とする多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29602590A JPH0719973B2 (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29602590A JPH0719973B2 (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 多層配線基板 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8112558A Division JP2917909B2 (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04167596A JPH04167596A (ja) | 1992-06-15 |
| JPH0719973B2 true JPH0719973B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=17828143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29602590A Expired - Fee Related JPH0719973B2 (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719973B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000003037A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-01-07 | Nec Corp | 配線構造とその製造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2531464B2 (ja) * | 1993-12-10 | 1996-09-04 | 日本電気株式会社 | 半導体パッケ―ジ |
| US5641974A (en) * | 1995-06-06 | 1997-06-24 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | LCD with bus lines overlapped by pixel electrodes and photo-imageable insulating layer therebetween |
| JPH09270325A (ja) | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Tokin Corp | 電子部品 |
| JP3390329B2 (ja) * | 1997-06-27 | 2003-03-24 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP5370674B2 (ja) * | 2009-12-15 | 2013-12-18 | Ｔｄｋ株式会社 | 電子部品 |
-
1990
- 1990-10-31 JP JP29602590A patent/JPH0719973B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000003037A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-01-07 | Nec Corp | 配線構造とその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04167596A (ja) | 1992-06-15 |
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| JPH0240232B2 (ja) |
Legal Events
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|---|---|---|---|
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