JPS633478B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS633478B2 JPS633478B2 JP53074399A JP7439978A JPS633478B2 JP S633478 B2 JPS633478 B2 JP S633478B2 JP 53074399 A JP53074399 A JP 53074399A JP 7439978 A JP7439978 A JP 7439978A JP S633478 B2 JPS633478 B2 JP S633478B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- supply wiring
- circuit board
- signal lines
- insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は混成集積回路基板の改良に関する。
従来、高集積化され、かつ大電力消費を伴なう
混成集積回路基板においてはパターンの形成方法
として、信号線と電源配線を同一面内に設ける方
法は、多層構造にして、信号線と電源配線を層別
に分離する方法の２種類が主に実施されている。
しかるに前者は、電源電圧変動を少なくするため
電源配線を信号線に比べ数倍以上太くする必要が
あるので、基板内の信号線の形成可能本数が減少
し、高集積化が難しいという欠点がある。後者は
通常、いわゆる厚膜ペーストを利用して実現され
る多層配線基板等に見られるものであり、第１図
にその断面図を示したように、絶縁基板１の上に
電源配線２を設け、その上に絶縁層３を設け、信
号線４と６を絶縁層５を介して二層に設けた構造
を有する。しかしこの構造では信号線の形成可能
本数を減少させずに電圧変動の少ない電源を供給
することが可能であるが、信号線４，６と電源配
線２との間の静電容量が大きくなり信号線の特性
インピーダンスは低くなり、高速動作回路基板と
しては不適当となる。これは、信号線４，６と電
源配線２の間に存在する絶縁層３，５によるもの
であり、通常使用されている厚膜絶縁層の場合、
その比誘電率は10〜20、膜厚は30μｍから60μｍ
程度なので静電容量は1.5PF／mm2から6PF／mm2程
度となるためである。
混成集積回路基板においてはパターンの形成方法
として、信号線と電源配線を同一面内に設ける方
法は、多層構造にして、信号線と電源配線を層別
に分離する方法の２種類が主に実施されている。
しかるに前者は、電源電圧変動を少なくするため
電源配線を信号線に比べ数倍以上太くする必要が
あるので、基板内の信号線の形成可能本数が減少
し、高集積化が難しいという欠点がある。後者は
通常、いわゆる厚膜ペーストを利用して実現され
る多層配線基板等に見られるものであり、第１図
にその断面図を示したように、絶縁基板１の上に
電源配線２を設け、その上に絶縁層３を設け、信
号線４と６を絶縁層５を介して二層に設けた構造
を有する。しかしこの構造では信号線の形成可能
本数を減少させずに電圧変動の少ない電源を供給
することが可能であるが、信号線４，６と電源配
線２との間の静電容量が大きくなり信号線の特性
インピーダンスは低くなり、高速動作回路基板と
しては不適当となる。これは、信号線４，６と電
源配線２の間に存在する絶縁層３，５によるもの
であり、通常使用されている厚膜絶縁層の場合、
その比誘電率は10〜20、膜厚は30μｍから60μｍ
程度なので静電容量は1.5PF／mm2から6PF／mm2程
度となるためである。
本発明の目的は、上記の欠点を除き高集積化が
可能でかつ高速動作に適した混成集積回路基板を
提供することである。
可能でかつ高速動作に適した混成集積回路基板を
提供することである。
本発明は、信号線あるいはさらに絶縁層の形成
された回路基板上に、ポリイミド等の絶縁性有機
物フイルムを介して、電源配線を形成することに
より信号線の形成可能本数を減少させることなく
信号線と電源配線間の静電容量を小さくしたこと
を特徴とする。
された回路基板上に、ポリイミド等の絶縁性有機
物フイルムを介して、電源配線を形成することに
より信号線の形成可能本数を減少させることなく
信号線と電源配線間の静電容量を小さくしたこと
を特徴とする。
以下図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第２図は、本発明による信号線２層、電源配線
１層の混成集積回路基板である。セラミツク等の
絶縁基板１上に任意の方法で、信号線４，６及び
絶縁層５，８を形成する。必要な場合にはさらに
抵抗体等の形成も可能である。
１層の混成集積回路基板である。セラミツク等の
絶縁基板１上に任意の方法で、信号線４，６及び
絶縁層５，８を形成する。必要な場合にはさらに
抵抗体等の形成も可能である。
次に該回路基板上に所望の形状及び膜厚を有す
る絶縁性有機物フイルム１０を接着剤９等により
被着する。絶縁性有機物フイルムの材料として
は、化学的安定性の点からポリイミド等が適当で
ある。絶縁性有機物フイルムの場合、印刷、焼成
あるいはスパツタリング等で形成する無機物絶縁
層に比べ膜厚の調整範囲がはるかに広く、容易で
あり、さらに比誘電率も３から４程度であり、無
機物絶縁層（例えばAl2O3、SiO2等）の1/3以下
である。次に絶縁性有機物フイルム１０上に電源
配線１１を任意の方法で形成する。この電源配線
１１の形成方法としては各種の方法が考えられる
が、大電力消費を伴なう回路基板では、所望の膜
厚を有する金属箔をラミネートする方法が電源配
線抵抗を低くする上で有効である。
る絶縁性有機物フイルム１０を接着剤９等により
被着する。絶縁性有機物フイルムの材料として
は、化学的安定性の点からポリイミド等が適当で
ある。絶縁性有機物フイルムの場合、印刷、焼成
あるいはスパツタリング等で形成する無機物絶縁
層に比べ膜厚の調整範囲がはるかに広く、容易で
あり、さらに比誘電率も３から４程度であり、無
機物絶縁層（例えばAl2O3、SiO2等）の1/3以下
である。次に絶縁性有機物フイルム１０上に電源
配線１１を任意の方法で形成する。この電源配線
１１の形成方法としては各種の方法が考えられる
が、大電力消費を伴なう回路基板では、所望の膜
厚を有する金属箔をラミネートする方法が電源配
線抵抗を低くする上で有効である。
尚、絶縁性有機物フイルム上に電源配線を形成
後、該回路基板上に接着剤等により被着すること
も可能である。
後、該回路基板上に接着剤等により被着すること
も可能である。
次に金属ワイヤー１２等により、回路基板上の
電極４と電源配線１１の間に必要な電気的接続を
行うことにより、本発明の混成集積回路基板が形
成される。半導体チツプ７等の実装は従来の混成
集積回路基板と同様に行なうことが可能である。
なお実施例では信号線２層電源配線層１層の場合
を示したが高集積化が要求される場合には、信号
線３層以上、電源配線２層以上の構造も可能であ
ることはもちろんである。
電極４と電源配線１１の間に必要な電気的接続を
行うことにより、本発明の混成集積回路基板が形
成される。半導体チツプ７等の実装は従来の混成
集積回路基板と同様に行なうことが可能である。
なお実施例では信号線２層電源配線層１層の場合
を示したが高集積化が要求される場合には、信号
線３層以上、電源配線２層以上の構造も可能であ
ることはもちろんである。
以上説明したように、本発明によれば、信号線
と電源配線を異つた層に形成するため、信号線の
高集積化が可能であり、且、信号線と電源配線の
間に絶縁性有機物フイルムを介しているため、無
機絶縁層の場合に比べ静電容量を小さくすること
ができ高速動作回路基板として充分な特性が期待
できる。
と電源配線を異つた層に形成するため、信号線の
高集積化が可能であり、且、信号線と電源配線の
間に絶縁性有機物フイルムを介しているため、無
機絶縁層の場合に比べ静電容量を小さくすること
ができ高速動作回路基板として充分な特性が期待
できる。
また電源配線の形成も従来の印刷焼成あるいは
蒸着法等で形成する場合に比べ、金属箔のラミネ
ート法を利用すれば、導体抵抗の減少が容易とな
り、大電力容量の電源配線が可能となるため、そ
の効果は大である。
蒸着法等で形成する場合に比べ、金属箔のラミネ
ート法を利用すれば、導体抵抗の減少が容易とな
り、大電力容量の電源配線が可能となるため、そ
の効果は大である。
第１図は電源配線１層、信号線２層からなる従
来の混成集積回路基板の断面図、第２図は本発明
による信号線２層、電源配線１層からなる混成集
積基板の断面図である。 １……絶縁基板、２，１１……電源配線、３，
５，８……絶縁層、４，６……信号線、７……半
導体チツプ、９……接着剤、１０……絶縁性有機
物フイルム、１２……金属ワイヤー。
来の混成集積回路基板の断面図、第２図は本発明
による信号線２層、電源配線１層からなる混成集
積基板の断面図である。 １……絶縁基板、２，１１……電源配線、３，
５，８……絶縁層、４，６……信号線、７……半
導体チツプ、９……接着剤、１０……絶縁性有機
物フイルム、１２……金属ワイヤー。
Claims (1)
- １ 回路配線層、絶縁層等の所望のパターンが形
成された回路基板上に絶縁性有機物フイルムを介
して電源供給用配線を形成したことを特徴とする
混成集積回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7439978A JPS54164252A (en) | 1978-06-19 | 1978-06-19 | Hybrid integrated circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7439978A JPS54164252A (en) | 1978-06-19 | 1978-06-19 | Hybrid integrated circuit board |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54164252A JPS54164252A (en) | 1979-12-27 |
| JPS633478B2 true JPS633478B2 (ja) | 1988-01-23 |
Family
ID=13546060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7439978A Granted JPS54164252A (en) | 1978-06-19 | 1978-06-19 | Hybrid integrated circuit board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54164252A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0463277U (ja) * | 1990-10-04 | 1992-05-29 | ||
| JPH04111477U (ja) * | 1991-03-19 | 1992-09-28 | 株式会社タク・プロジエクト | 名 刺 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5816176Y2 (ja) * | 1976-07-16 | 1983-04-01 | 三洋電機株式会社 | 大規模集積回路装置 |
-
1978
- 1978-06-19 JP JP7439978A patent/JPS54164252A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0463277U (ja) * | 1990-10-04 | 1992-05-29 | ||
| JPH04111477U (ja) * | 1991-03-19 | 1992-09-28 | 株式会社タク・プロジエクト | 名 刺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54164252A (en) | 1979-12-27 |
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