JPH07201794A - 半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法Info
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- JPH07201794A JPH07201794A JP6000520A JP52094A JPH07201794A JP H07201794 A JPH07201794 A JP H07201794A JP 6000520 A JP6000520 A JP 6000520A JP 52094 A JP52094 A JP 52094A JP H07201794 A JPH07201794 A JP H07201794A
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- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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Abstract
(57)【要約】
【構成】半導体装置製造工程において、フォトレジスト
によるマスク形成を行った後、ドライエッチングにより
配線構造を形成させ、その際に導電層及びフォトレジス
トの側壁部に生成する保護堆積膜を、第四級アンモニウ
ム塩とフッ素化合物を含有する水溶液、或いは第四級ア
ンモニウム塩とフッ素化合物に、アミド類、ラクトン
類、ニトリル類、アルコール類、エステル類から選ばれ
た有機溶媒を含有する水溶液からなる半導体装置洗浄剤
を用いて剥離する。 【効果】保護堆積膜の剥離が極めて確実に行われること
から、導電層表面の汚染が無くなり清浄化されるのでコ
ロージョンが発生しない。
によるマスク形成を行った後、ドライエッチングにより
配線構造を形成させ、その際に導電層及びフォトレジス
トの側壁部に生成する保護堆積膜を、第四級アンモニウ
ム塩とフッ素化合物を含有する水溶液、或いは第四級ア
ンモニウム塩とフッ素化合物に、アミド類、ラクトン
類、ニトリル類、アルコール類、エステル類から選ばれ
た有機溶媒を含有する水溶液からなる半導体装置洗浄剤
を用いて剥離する。 【効果】保護堆積膜の剥離が極めて確実に行われること
から、導電層表面の汚染が無くなり清浄化されるのでコ
ロージョンが発生しない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置製造工程に
用いられる洗浄剤および半導体装置の製造方法に関する
ものである。
用いられる洗浄剤および半導体装置の製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製造工程において、半導体基
板上に導電性材料を用い配線構造を形成する加工方法と
しては化学反応を利用したエッチング加工技術が用いら
れている。一般的には先ずフォトレジストによるマスク
加工工程を行った後に、化学薬品や反応性ガスを用いて
非マスク部の除去を行う方法が行われるが、近年の高集
積度化を目指す半導体工業においては、超微細化加工が
要求されている。特に金属膜配線加工に対する要求度は
益々高く、現在では半導体装置の加工精度を 0.5μｍ以
下を目標とすることが要求されている。
板上に導電性材料を用い配線構造を形成する加工方法と
しては化学反応を利用したエッチング加工技術が用いら
れている。一般的には先ずフォトレジストによるマスク
加工工程を行った後に、化学薬品や反応性ガスを用いて
非マスク部の除去を行う方法が行われるが、近年の高集
積度化を目指す半導体工業においては、超微細化加工が
要求されている。特に金属膜配線加工に対する要求度は
益々高く、現在では半導体装置の加工精度を 0.5μｍ以
下を目標とすることが要求されている。
【０００３】この目標を達成するにはフォトレジストの
加工精度の向上および非マスク部の除去を行うためのド
ライエッチ技術の向上が要求される。特にフォトレジス
トについては、従来のポジ型、ネガ型等の単層構造レジ
ストに加えて、これらのレジストと他の樹脂を併用した
多層構造レジストが用いられている。またドライエッチ
技術は、フォトレジストと反応性ガスによる側壁保護堆
積膜の形成技術の確立により、異方性エッチング技術が
高まり、より高度な選択性エッチングが行われてきてい
る。
加工精度の向上および非マスク部の除去を行うためのド
ライエッチ技術の向上が要求される。特にフォトレジス
トについては、従来のポジ型、ネガ型等の単層構造レジ
ストに加えて、これらのレジストと他の樹脂を併用した
多層構造レジストが用いられている。またドライエッチ
技術は、フォトレジストと反応性ガスによる側壁保護堆
積膜の形成技術の確立により、異方性エッチング技術が
高まり、より高度な選択性エッチングが行われてきてい
る。
【０００４】このような技術の確立に伴う弊害として、
側壁保護堆積膜の除去方法が非常に難しいことと、金属
配線素材の腐食（コロージョン）が揚げられる。側壁保
護堆積膜の除去が十分に行われない場合には、側壁保護
堆積膜に取り込まれた反応ガス中のラジカルやイオンが
エッチング終了後空気中に放置されることにより吸湿し
た水分と反応し酸を生成する。生成した酸は配線素材を
腐食し、その結果抵抗の増加、断線など多大な悪影響を
及ぼすこととなる。このような現象は特に配線材料とし
て多用されているアルミニウム及びアルミニウム合金等
において多く発生する。
側壁保護堆積膜の除去方法が非常に難しいことと、金属
配線素材の腐食（コロージョン）が揚げられる。側壁保
護堆積膜の除去が十分に行われない場合には、側壁保護
堆積膜に取り込まれた反応ガス中のラジカルやイオンが
エッチング終了後空気中に放置されることにより吸湿し
た水分と反応し酸を生成する。生成した酸は配線素材を
腐食し、その結果抵抗の増加、断線など多大な悪影響を
及ぼすこととなる。このような現象は特に配線材料とし
て多用されているアルミニウム及びアルミニウム合金等
において多く発生する。
【０００５】このようなコロージョンを防止する方法と
しては、ドライエッチング後に超純水洗浄を長時間行う
ことにより、塩素ラジカルやイオンを洗い流す方法が行
われている。しかしこの方法では側壁保護堆積膜中から
塩素イオンやラジカルを完全に除去することは極めて困
難であり、このためコロージョンが発生する危険性を常
にぬぐい去ることができない。従って、完全にコロージ
ョンを防止するためには側壁保護堆積膜を完全に除去す
ることが不可欠である。
しては、ドライエッチング後に超純水洗浄を長時間行う
ことにより、塩素ラジカルやイオンを洗い流す方法が行
われている。しかしこの方法では側壁保護堆積膜中から
塩素イオンやラジカルを完全に除去することは極めて困
難であり、このためコロージョンが発生する危険性を常
にぬぐい去ることができない。従って、完全にコロージ
ョンを防止するためには側壁保護堆積膜を完全に除去す
ることが不可欠である。
【０００６】このような側壁保護堆積膜を除去するため
に、酸性有機溶剤レジスト洗浄液やアルカリ性有機溶剤
レジスト洗浄液が使用されている。酸性有機溶剤レジス
ト洗浄液としては、アルキルベンゼンスルホン酸にフェ
ノール化合物や塩素系溶剤、芳香族炭化水素を転化した
洗浄液が一般に使用されているが、この洗浄液を用いて
１００℃以上に加熱処理しても側壁保護堆積膜を完全に
除去することはできない。またこれらの酸性有機溶剤レ
ジスト洗浄液は、水に対する溶解性が低いため、除去操
作の後水との相溶性の良いイソプロパノールの如き有機
溶剤で洗浄し、次いで水洗しなければならず、工程が複
雑になる。
に、酸性有機溶剤レジスト洗浄液やアルカリ性有機溶剤
レジスト洗浄液が使用されている。酸性有機溶剤レジス
ト洗浄液としては、アルキルベンゼンスルホン酸にフェ
ノール化合物や塩素系溶剤、芳香族炭化水素を転化した
洗浄液が一般に使用されているが、この洗浄液を用いて
１００℃以上に加熱処理しても側壁保護堆積膜を完全に
除去することはできない。またこれらの酸性有機溶剤レ
ジスト洗浄液は、水に対する溶解性が低いため、除去操
作の後水との相溶性の良いイソプロパノールの如き有機
溶剤で洗浄し、次いで水洗しなければならず、工程が複
雑になる。
【０００７】一方アルカリ性有機溶剤レジスト洗浄液も
上記の酸性洗浄液の場合と同様に１００℃以上に加熱し
ても側壁保護堆積膜を除去することがかなり困難であ
る。このように酸性あるいはアルカリ性のいずれの洗浄
液を用いた場合でも、側壁保護堆積膜を完全に除去でき
ないため、残存した塩素ラジカルやイオンによるコロー
ジョンの発生は回避できない。
上記の酸性洗浄液の場合と同様に１００℃以上に加熱し
ても側壁保護堆積膜を除去することがかなり困難であ
る。このように酸性あるいはアルカリ性のいずれの洗浄
液を用いた場合でも、側壁保護堆積膜を完全に除去でき
ないため、残存した塩素ラジカルやイオンによるコロー
ジョンの発生は回避できない。
【０００８】また上記の洗浄方法とは異なる方法とし
て、プラズマ灰化後のレジスト残りを、テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイドを含有するポジ型レジス
ト現像液の如きアルカリ性水溶液で除去するという方法
が知られている（特開昭６２−２８１３３２号）。しか
しながらこの方法では、アルミニウムを含む基体から成
る導電層がアルカリ性水溶液で激しく腐食される。
て、プラズマ灰化後のレジスト残りを、テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイドを含有するポジ型レジス
ト現像液の如きアルカリ性水溶液で除去するという方法
が知られている（特開昭６２−２８１３３２号）。しか
しながらこの方法では、アルミニウムを含む基体から成
る導電層がアルカリ性水溶液で激しく腐食される。
【０００９】更にチタンやタングステン層をドライエッ
チした際に生成する堆積保護膜については、その除去方
法は未だ確立されていない。これらのチタンやタングス
テン層は、半導体装置中の導電層を多層構造にする際の
中間層の金属配線に使用される場合が多く、もし生成し
た側壁保護堆積膜を放置しておくと、次工程で堆積させ
た膜の圧力等により隣接する配線が側壁保護堆積膜によ
り接触し、短絡や配線異常の原因となる。
チした際に生成する堆積保護膜については、その除去方
法は未だ確立されていない。これらのチタンやタングス
テン層は、半導体装置中の導電層を多層構造にする際の
中間層の金属配線に使用される場合が多く、もし生成し
た側壁保護堆積膜を放置しておくと、次工程で堆積させ
た膜の圧力等により隣接する配線が側壁保護堆積膜によ
り接触し、短絡や配線異常の原因となる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上の如く半導体装置
製造工程において、半導体基板上に形成された導電層や
フォトレジストの側壁部に生成する側壁保護堆積膜を除
去するために種々の方法が採られているが、コロージョ
ンの発生などが課題であり、側壁保護堆積膜の除去が容
易で、しかもその際金属導電層を腐食しないような半導
体装置洗浄剤が要望されている。本発明の目的は上記の
如き課題を解決し、ドライエッチングにより形成される
側壁保護堆積膜を容易に除去でき、配線素材となる各種
の金属素材からなる導電層を全く腐食せず、コロージョ
ンも全く発生しないような半導体装置洗浄剤、及び高精
度の回路配線を製造する半導体装置の製造方法を提供す
ることである。
製造工程において、半導体基板上に形成された導電層や
フォトレジストの側壁部に生成する側壁保護堆積膜を除
去するために種々の方法が採られているが、コロージョ
ンの発生などが課題であり、側壁保護堆積膜の除去が容
易で、しかもその際金属導電層を腐食しないような半導
体装置洗浄剤が要望されている。本発明の目的は上記の
如き課題を解決し、ドライエッチングにより形成される
側壁保護堆積膜を容易に除去でき、配線素材となる各種
の金属素材からなる導電層を全く腐食せず、コロージョ
ンも全く発生しないような半導体装置洗浄剤、及び高精
度の回路配線を製造する半導体装置の製造方法を提供す
ることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上記の如き
課題を解決すべく鋭意検討した結果、第四級アンモニウ
ム塩とフッ素化合物を含有する水溶液、或いは第四級ア
ンモニウム塩とフッ素化合物に、アミド類、ラクトン
類、ニトリル類、アルコール類、エステル類から選ばれ
た有機溶媒を含有する水溶液からなる半導体装置洗浄剤
が、ドライエッチングの際に形成される側壁保護堆積膜
に対する除去性と、コロージョン防止性、配線材料に対
する非腐食性および作業性を備えた、極めて優れた特性
を有することを見出し、本発明に到達した。
課題を解決すべく鋭意検討した結果、第四級アンモニウ
ム塩とフッ素化合物を含有する水溶液、或いは第四級ア
ンモニウム塩とフッ素化合物に、アミド類、ラクトン
類、ニトリル類、アルコール類、エステル類から選ばれ
た有機溶媒を含有する水溶液からなる半導体装置洗浄剤
が、ドライエッチングの際に形成される側壁保護堆積膜
に対する除去性と、コロージョン防止性、配線材料に対
する非腐食性および作業性を備えた、極めて優れた特性
を有することを見出し、本発明に到達した。
【００１２】即ち本発明は、一般式［（Ｒ1 ）3 Ｎ−
Ｒ］+ ・Ｘ- （Ｒは炭素数１〜４のアルキル基または炭
素数１〜４のヒドロキシル置換基、Ｒ1 は炭素数１〜４
のアルキル基、Ｘは無機酸または有機酸）で表される第
四級アンモニウム塩とフッ素化合物を含有することを特
徴とする半導体装置洗浄剤、更にこれらの第四級アンモ
ニウム塩とフッ素化合物に、アミド類、ラクトン類、ニ
トリル類、アルコール類、エステル類から選ばれた一種
以上の有機溶剤を１〜５０重量％含有する半導体装置洗
浄剤、および半導体基板上に形成され、少なくともチタ
ン、タングステン、アルミニウムおよびアルミニウム合
金のいずれか一つを含む導電層上に、フォトレジストに
よるマスク形成を行った後、ドライエッチングにより配
線構造を形成する際、導電層及びフォトレジストの側壁
部に発生する保護堆積膜を、一般式［（Ｒ1 ）3 Ｎ−
Ｒ］+ ・Ｘ- （Ｒは炭素数１〜４のアルキル基または炭
素数１〜４のヒドロキシル置換基、Ｒ1 は炭素数１〜４
のアルキル基、Ｘは無機酸または有機酸）で表される第
四級アンモニウム塩とフッ素化合物を含有する半導体装
置洗浄剤を用いて剥離する洗浄工程を含む半導体装置の
製造方法である。
Ｒ］+ ・Ｘ- （Ｒは炭素数１〜４のアルキル基または炭
素数１〜４のヒドロキシル置換基、Ｒ1 は炭素数１〜４
のアルキル基、Ｘは無機酸または有機酸）で表される第
四級アンモニウム塩とフッ素化合物を含有することを特
徴とする半導体装置洗浄剤、更にこれらの第四級アンモ
ニウム塩とフッ素化合物に、アミド類、ラクトン類、ニ
トリル類、アルコール類、エステル類から選ばれた一種
以上の有機溶剤を１〜５０重量％含有する半導体装置洗
浄剤、および半導体基板上に形成され、少なくともチタ
ン、タングステン、アルミニウムおよびアルミニウム合
金のいずれか一つを含む導電層上に、フォトレジストに
よるマスク形成を行った後、ドライエッチングにより配
線構造を形成する際、導電層及びフォトレジストの側壁
部に発生する保護堆積膜を、一般式［（Ｒ1 ）3 Ｎ−
Ｒ］+ ・Ｘ- （Ｒは炭素数１〜４のアルキル基または炭
素数１〜４のヒドロキシル置換基、Ｒ1 は炭素数１〜４
のアルキル基、Ｘは無機酸または有機酸）で表される第
四級アンモニウム塩とフッ素化合物を含有する半導体装
置洗浄剤を用いて剥離する洗浄工程を含む半導体装置の
製造方法である。
【００１３】本発明に使用される第四級アンモニウム塩
は次式に表される。 ［（Ｒ1 ）3 Ｎ−Ｒ］+ ・Ｘ- （Ｒは炭素数１〜４のアルキル基または炭素数１〜４の
ヒドロキシ置換アルキル基、Ｒ1 は炭素数１〜４のアル
キル基、Ｘは無機酸、有機酸基を示す。）
は次式に表される。 ［（Ｒ1 ）3 Ｎ−Ｒ］+ ・Ｘ- （Ｒは炭素数１〜４のアルキル基または炭素数１〜４の
ヒドロキシ置換アルキル基、Ｒ1 は炭素数１〜４のアル
キル基、Ｘは無機酸、有機酸基を示す。）
【００１４】このような一般式で表される第四級アンモ
ニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムギ酸塩、
テトラメチルアンモニウム酢酸塩、テトラメチルアンモ
ニウムプロピオン酸塩、テトラメチルアンモニウム酪酸
塩、テトラメチルアンモニウムシュウ酸塩、テトラメチ
ルアンモニウムマロン酸塩、テトラメチルアンモニウム
マレイン酸塩、テトラメチルアンモニウムフマル酸塩、
テトラメチルアンモニウムシトラコン酸塩、テトラメチ
ルアンモニウム安息香酸塩、テトラメチルアンモニウム
トルイル酸塩、テトラメチルアンモニウムフタル酸塩、
テトラメチルアンモニウムアクリル酸塩、トリメチル
（2-ヒドロキシエチル）アンモニウウムギ酸塩、トリメ
チル（2-ヒドロキシエチル）アンモニウム酢酸塩、トリ
メチル（2-ヒドロキシエチル）アンモニウム安息香酸
塩、トリメチル（2-ヒドロキシエチル）アンモニウムフ
タル酸塩、テトラエチルアンモニウムギ酸塩、テトラエ
チルアンモニウム酢酸塩、テトラプロピルアンモニウム
ギ酸塩、テトラプロピルアンモニウム酢酸塩、テトラブ
チルアンモニウムギ酸塩、テトラブチルアンモニウム酢
酸塩、テトラメチルアンモニウムホウ酸塩、テトラメチ
ルアンモニウムリン酸塩、テトラメチルアンモニウム硫
酸塩、トリメチル（2-ヒドロキシエチル）アンモニウム
ホウ酸塩、トリメチル（2-ヒドロキシエチル）アンモニ
ウムリン酸塩、トリメチル（2-ヒドロキシエチル）アン
モニウム硫酸塩等が挙げられる。
ニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムギ酸塩、
テトラメチルアンモニウム酢酸塩、テトラメチルアンモ
ニウムプロピオン酸塩、テトラメチルアンモニウム酪酸
塩、テトラメチルアンモニウムシュウ酸塩、テトラメチ
ルアンモニウムマロン酸塩、テトラメチルアンモニウム
マレイン酸塩、テトラメチルアンモニウムフマル酸塩、
テトラメチルアンモニウムシトラコン酸塩、テトラメチ
ルアンモニウム安息香酸塩、テトラメチルアンモニウム
トルイル酸塩、テトラメチルアンモニウムフタル酸塩、
テトラメチルアンモニウムアクリル酸塩、トリメチル
（2-ヒドロキシエチル）アンモニウウムギ酸塩、トリメ
チル（2-ヒドロキシエチル）アンモニウム酢酸塩、トリ
メチル（2-ヒドロキシエチル）アンモニウム安息香酸
塩、トリメチル（2-ヒドロキシエチル）アンモニウムフ
タル酸塩、テトラエチルアンモニウムギ酸塩、テトラエ
チルアンモニウム酢酸塩、テトラプロピルアンモニウム
ギ酸塩、テトラプロピルアンモニウム酢酸塩、テトラブ
チルアンモニウムギ酸塩、テトラブチルアンモニウム酢
酸塩、テトラメチルアンモニウムホウ酸塩、テトラメチ
ルアンモニウムリン酸塩、テトラメチルアンモニウム硫
酸塩、トリメチル（2-ヒドロキシエチル）アンモニウム
ホウ酸塩、トリメチル（2-ヒドロキシエチル）アンモニ
ウムリン酸塩、トリメチル（2-ヒドロキシエチル）アン
モニウム硫酸塩等が挙げられる。
【００１５】本発明の半導体装置洗浄剤における第四級
アンモニウム塩の濃度は１〜６０重量％、好ましくは１
０〜５０重量％の範囲で使用される。第四級アンモニウ
ム塩の濃度が１重量％より低い場合は、配線材料への腐
食が激しく、６０重量％より高い場合には側壁保護堆積
膜の除去速度が遅くなり好ましくない。
アンモニウム塩の濃度は１〜６０重量％、好ましくは１
０〜５０重量％の範囲で使用される。第四級アンモニウ
ム塩の濃度が１重量％より低い場合は、配線材料への腐
食が激しく、６０重量％より高い場合には側壁保護堆積
膜の除去速度が遅くなり好ましくない。
【００１６】本発明の半導体装置洗浄剤におけるフッ素
化合物としては、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、
フッ化水素アンモニウム、ホウフッ化アンモニウム、フ
ッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化水素テトラメチ
ルアンモニウム等が挙げられる。このフッ素化合物の濃
度は 0.1〜１０重量％、好ましくは 0.5〜５重量％であ
る。フッ素化合物の濃度が 0.1重量％より低い濃度では
側壁保護堆積膜の除去速度が遅く、１０重量％より高い
濃度では配線材料への腐食が激しくなる。
化合物としては、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、
フッ化水素アンモニウム、ホウフッ化アンモニウム、フ
ッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化水素テトラメチ
ルアンモニウム等が挙げられる。このフッ素化合物の濃
度は 0.1〜１０重量％、好ましくは 0.5〜５重量％であ
る。フッ素化合物の濃度が 0.1重量％より低い濃度では
側壁保護堆積膜の除去速度が遅く、１０重量％より高い
濃度では配線材料への腐食が激しくなる。
【００１７】本発明で更に添加されるされる有機溶媒と
しては、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミ
ド、ホルムアミド、N-メチルピロリドンなどのアミド
類、γ-ブチロラクトンなどのラクトン類、アセトニト
リル、ベンゾニトリルなどのニトリル類、メタノール，
エタノール，イソプロパノール，エチレングリコールな
どのアルコール類、および酢酸メチル、酢酸エチル、安
息香酸メチルなどのエステル類が挙げられる。これらの
有機溶媒の濃度は１〜６０重量％、好ましくは２０〜５
５重量％である。有機溶媒が１重量％より低い濃度では
配線材料の腐食が激しくなり、６０重量％より高い濃度
では側壁保護堆積膜の除去速度が遅くなる。
しては、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミ
ド、ホルムアミド、N-メチルピロリドンなどのアミド
類、γ-ブチロラクトンなどのラクトン類、アセトニト
リル、ベンゾニトリルなどのニトリル類、メタノール，
エタノール，イソプロパノール，エチレングリコールな
どのアルコール類、および酢酸メチル、酢酸エチル、安
息香酸メチルなどのエステル類が挙げられる。これらの
有機溶媒の濃度は１〜６０重量％、好ましくは２０〜５
５重量％である。有機溶媒が１重量％より低い濃度では
配線材料の腐食が激しくなり、６０重量％より高い濃度
では側壁保護堆積膜の除去速度が遅くなる。
【００１８】側壁保護堆積膜を除去する際の本発明の半
導体装置洗浄剤の温度は、通常、常温、例えば１８〜２
５℃で十分であるが、側壁保護堆積膜の除去速度が著し
く遅い場合には、例えば３０〜６０℃に加熱して使用さ
れる。また洗浄温度および洗浄時間は、側壁保護堆積膜
の状態、および配線材料の種類を考慮して、適宜選択さ
れる。側壁保護堆積膜の洗浄剥離に際し、その剥離工程
は被処理半導体基板を本発明の洗浄による従来から用い
られている方法、例えば、バッチ方式による浸漬洗浄、
枚葉式によるスプレイまたは噴霧洗浄等を採用し、その
後、前記方式による純水洗浄、乾燥して終了する。
導体装置洗浄剤の温度は、通常、常温、例えば１８〜２
５℃で十分であるが、側壁保護堆積膜の除去速度が著し
く遅い場合には、例えば３０〜６０℃に加熱して使用さ
れる。また洗浄温度および洗浄時間は、側壁保護堆積膜
の状態、および配線材料の種類を考慮して、適宜選択さ
れる。側壁保護堆積膜の洗浄剥離に際し、その剥離工程
は被処理半導体基板を本発明の洗浄による従来から用い
られている方法、例えば、バッチ方式による浸漬洗浄、
枚葉式によるスプレイまたは噴霧洗浄等を採用し、その
後、前記方式による純水洗浄、乾燥して終了する。
【００１９】本発明の半導体装置洗浄剤は、半導体装置
製造工程において、半導体基板上に形成された導電層
を、ポジ型及びネガ型の単層構造フォトレジスト、或い
は多層構造によるフォトレジストによるマスク形成を行
った後、ドライエッチングにより配線構造を形成させる
際に導電層及びフォトレジストの側壁部に生成する保護
堆積膜を除去するために用いられ、保護堆積膜の剥離が
極めて確実に行われることから、導電層表面の汚染が無
くなり清浄化されるのでコロージョンが発生しない。ま
た本発明の半導体装置洗浄剤は、従来困難であったチタ
ンやタングステン層をドライエッチした際に発生する堆
積保護膜の除去にも用いることができ、多層構造の半導
体装置や高度集積回路の製造に有利に使用される。
製造工程において、半導体基板上に形成された導電層
を、ポジ型及びネガ型の単層構造フォトレジスト、或い
は多層構造によるフォトレジストによるマスク形成を行
った後、ドライエッチングにより配線構造を形成させる
際に導電層及びフォトレジストの側壁部に生成する保護
堆積膜を除去するために用いられ、保護堆積膜の剥離が
極めて確実に行われることから、導電層表面の汚染が無
くなり清浄化されるのでコロージョンが発生しない。ま
た本発明の半導体装置洗浄剤は、従来困難であったチタ
ンやタングステン層をドライエッチした際に発生する堆
積保護膜の除去にも用いることができ、多層構造の半導
体装置や高度集積回路の製造に有利に使用される。
【００２０】
【実施例】以下実施例により、本発明を更に具体的に説
明する。
明する。
【００２１】実施例１ 図１に示す構造の導電層を形成した直後の半導体装置に
フォトレジストによるマスクを形成し、ドライエッチン
グにより配線構造を形成する際に導電層およびフォトレ
ジストの側壁部に生成した側壁保護堆積膜を洗浄した。
図１において導電層を形成した直後の半導体装置には、
中間絶縁膜であるＣＶＤ酸化層1 の上に第１層金属膜で
あるＴｉＷ層2 、第２層金属膜であるＣＶＤ−Ｗ層3 、
第３層金属膜であるＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層4 、反射防止膜
であるＴｉＮ層5 、耐薬品保護膜であるＰＬＡＳＭＡ
ＴＥＯＳ層6 が順に形成されている。各金属膜の膜厚は
第１層金属膜2 が６００Å、第２層金属膜3 が５００
Å、第３層金属膜４が５０００Åであり、更に上層膜で
あるＴｉＮ膜5 は２００Å、ＰＬＡＳＭＡ ＴＥＯＳ膜
6 は４００Åである。またこの時のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層
5 としては、Ｓｉ含有率１重量％、Ｃｕ含有率 0.5重量
％のものを用いた。
フォトレジストによるマスクを形成し、ドライエッチン
グにより配線構造を形成する際に導電層およびフォトレ
ジストの側壁部に生成した側壁保護堆積膜を洗浄した。
図１において導電層を形成した直後の半導体装置には、
中間絶縁膜であるＣＶＤ酸化層1 の上に第１層金属膜で
あるＴｉＷ層2 、第２層金属膜であるＣＶＤ−Ｗ層3 、
第３層金属膜であるＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層4 、反射防止膜
であるＴｉＮ層5 、耐薬品保護膜であるＰＬＡＳＭＡ
ＴＥＯＳ層6 が順に形成されている。各金属膜の膜厚は
第１層金属膜2 が６００Å、第２層金属膜3 が５００
Å、第３層金属膜４が５０００Åであり、更に上層膜で
あるＴｉＮ膜5 は２００Å、ＰＬＡＳＭＡ ＴＥＯＳ膜
6 は４００Åである。またこの時のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層
5 としては、Ｓｉ含有率１重量％、Ｃｕ含有率 0.5重量
％のものを用いた。
【００２２】図２はマスク形成工程まで終了した時点で
の構造を示す。図１に示した導電層上にポジ型フォトレ
ジスト7 を塗布（コーティング）し、露光してレジスト
マスク部を形成したものである。この時のフォトレジス
ト7 はノボラック系樹脂を主成分とした多層構造レジス
トを用いた。図３は導電層のフォトマスクに覆われてい
ない領域（非マスク領域）を塩素系ガスを用いたドライ
エッチングにより取り除いた時点での構造を示す。パタ
ーニングされた導電層側面に側壁保護堆積膜８の形成が
すでに認められる。
の構造を示す。図１に示した導電層上にポジ型フォトレ
ジスト7 を塗布（コーティング）し、露光してレジスト
マスク部を形成したものである。この時のフォトレジス
ト7 はノボラック系樹脂を主成分とした多層構造レジス
トを用いた。図３は導電層のフォトマスクに覆われてい
ない領域（非マスク領域）を塩素系ガスを用いたドライ
エッチングにより取り除いた時点での構造を示す。パタ
ーニングされた導電層側面に側壁保護堆積膜８の形成が
すでに認められる。
【００２３】図４はドライエッチングの後、マスクにな
っていたレジストをアッシング及び有機溶剤による洗浄
により除去した後の構造を示す。この方法では側壁保護
堆積膜8 を除去することは困難であることが確認され
た。図５は本発明の半導体装置洗浄剤を用いて図４の半
導体装置を洗浄した後の構造を示す。半導体装置洗浄剤
には、フッ化アンモニウム／テトラメチルアンモニウム
ギ酸塩／ジメチルホルムアミド／水が１／１０／４０／
４９（重量％）の溶液を用いて２３℃で２０分間洗浄後
水洗した。図５から本発明の半導体装置洗浄剤を用いる
ことにより図４の側壁保護堆積膜8 が完全除去され、パ
ターニングされた導電層表面の汚染が無くなり、清浄化
されたことが分かる。
っていたレジストをアッシング及び有機溶剤による洗浄
により除去した後の構造を示す。この方法では側壁保護
堆積膜8 を除去することは困難であることが確認され
た。図５は本発明の半導体装置洗浄剤を用いて図４の半
導体装置を洗浄した後の構造を示す。半導体装置洗浄剤
には、フッ化アンモニウム／テトラメチルアンモニウム
ギ酸塩／ジメチルホルムアミド／水が１／１０／４０／
４９（重量％）の溶液を用いて２３℃で２０分間洗浄後
水洗した。図５から本発明の半導体装置洗浄剤を用いる
ことにより図４の側壁保護堆積膜8 が完全除去され、パ
ターニングされた導電層表面の汚染が無くなり、清浄化
されたことが分かる。
【００２４】実施例２ 実施例１の図４と同一の半導体装置を、フッ化アンモニ
ウム／テトラメチルアンモニウムギ酸塩／水が２／４５
／５３（重量％）の組成の洗浄液を用い、２３℃で２０
分間洗浄後、水洗した。その結果、実施例１と同様に側
壁保護堆積膜が完全に除去され、パターニングされた導
電層表面の汚染が無くなり、清浄化された。
ウム／テトラメチルアンモニウムギ酸塩／水が２／４５
／５３（重量％）の組成の洗浄液を用い、２３℃で２０
分間洗浄後、水洗した。その結果、実施例１と同様に側
壁保護堆積膜が完全に除去され、パターニングされた導
電層表面の汚染が無くなり、清浄化された。
【００２５】実施例３ 実施例１の図４と同一の半導体装置を、フッ化テトラメ
チルアンモニウム／テトラメチルアンモニウム酢酸塩／
ジメチルアセトアミド／水が５／１５／４０／４０（重
量％）の組成の洗浄液を用い、２５℃で３０分間洗浄後
水洗した。その結果、実施例１と同様に側壁保護堆積膜
は完全に除去され、パターニングされた導電層の汚染が
無くなり、清浄化された。
チルアンモニウム／テトラメチルアンモニウム酢酸塩／
ジメチルアセトアミド／水が５／１５／４０／４０（重
量％）の組成の洗浄液を用い、２５℃で３０分間洗浄後
水洗した。その結果、実施例１と同様に側壁保護堆積膜
は完全に除去され、パターニングされた導電層の汚染が
無くなり、清浄化された。
【００２６】比較例１ 実施例１の図４と同一の半導体装置を、市販品洗浄液
（アルカリ性レジスト洗浄液）を用い、１００℃で１０
分間という洗浄条件の下で洗浄を行った。この結果、側
壁保護堆積膜は除去できなかった。
（アルカリ性レジスト洗浄液）を用い、１００℃で１０
分間という洗浄条件の下で洗浄を行った。この結果、側
壁保護堆積膜は除去できなかった。
【００２７】比較例２ 実施例１の図４と同一の半導体装置を、フッ化アンモニ
ウム１重量％の水溶液を用い、２３℃で２０分間洗浄を
行った。その結果、側壁保護堆積膜は除去できたが、Ａ
ｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層の腐食が激しく起こっていることが観
察された。
ウム１重量％の水溶液を用い、２３℃で２０分間洗浄を
行った。その結果、側壁保護堆積膜は除去できたが、Ａ
ｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層の腐食が激しく起こっていることが観
察された。
【００２８】実施例４ 図６に示す構造の導電層を形成した直後の半導体装置に
フォトレジストによるマスクを形成し、ドライエッチン
グにより配線構造を形成する際に導電層およびフォトレ
ジストの側壁部に生成した側壁保護堆積膜を洗浄した。
図６において導電層を形成した直後の半導体装置には、
中間絶縁膜であるＣＶＤ酸化層9 の上に第１層金属膜で
あるＴｉ層10、第２層金属膜であるＴｉＮ層11、第３層
金属膜であるＷ（タングステン）層12が順に形成されて
いる。各金属膜の膜厚は第１層金属膜10が３００〜５０
０Å、第２層金属膜11が５００〜７００Å、第３層金属
膜12が３０００Åである。
フォトレジストによるマスクを形成し、ドライエッチン
グにより配線構造を形成する際に導電層およびフォトレ
ジストの側壁部に生成した側壁保護堆積膜を洗浄した。
図６において導電層を形成した直後の半導体装置には、
中間絶縁膜であるＣＶＤ酸化層9 の上に第１層金属膜で
あるＴｉ層10、第２層金属膜であるＴｉＮ層11、第３層
金属膜であるＷ（タングステン）層12が順に形成されて
いる。各金属膜の膜厚は第１層金属膜10が３００〜５０
０Å、第２層金属膜11が５００〜７００Å、第３層金属
膜12が３０００Åである。
【００２９】図７はマスクを形成工程まで終了した時点
での構造を示す。図６に示した導電層上にポジ型フォト
レジスト13を塗布（コーティング）し、露光してレジス
トマスク部を形成したものである。この時のフォトレジ
スト13はノボラック系樹脂を主成分とした多層構造レジ
ストを用いた。図８は導電層のレジストマスクに覆われ
ていない領域をドライエッチングにより取り除いた時点
での構造を示す。パターニングされた導電層側面に側壁
保護堆積膜14の形成が既に認められる。
での構造を示す。図６に示した導電層上にポジ型フォト
レジスト13を塗布（コーティング）し、露光してレジス
トマスク部を形成したものである。この時のフォトレジ
スト13はノボラック系樹脂を主成分とした多層構造レジ
ストを用いた。図８は導電層のレジストマスクに覆われ
ていない領域をドライエッチングにより取り除いた時点
での構造を示す。パターニングされた導電層側面に側壁
保護堆積膜14の形成が既に認められる。
【００３０】図９はドライエッチング後、マスクになっ
ていたレジストをアッシング除去した後の構造を示す。
この方法ではレジスト除去までは可能であるが、側壁保
護堆積膜14を除去することが困難であることが確認され
た。図１０は本発明の半導体装置洗浄剤を用いて図９の
半導体装置を洗浄した後の構造を示す。半導体装置洗浄
剤にはフッ化アンモニウム／テトラメチルアンモニウム
蟻酸塩／ジメチルホルムアミド／水が１／１０／４０／
４９（重量％）の水溶液を用いて２３℃で２０分間洗浄
後水洗し乾燥した。図１０において側壁保護堆積膜14は
除去され、パターニングされた導電層表面の汚染物が無
くなり、清浄化されたことが分かる。
ていたレジストをアッシング除去した後の構造を示す。
この方法ではレジスト除去までは可能であるが、側壁保
護堆積膜14を除去することが困難であることが確認され
た。図１０は本発明の半導体装置洗浄剤を用いて図９の
半導体装置を洗浄した後の構造を示す。半導体装置洗浄
剤にはフッ化アンモニウム／テトラメチルアンモニウム
蟻酸塩／ジメチルホルムアミド／水が１／１０／４０／
４９（重量％）の水溶液を用いて２３℃で２０分間洗浄
後水洗し乾燥した。図１０において側壁保護堆積膜14は
除去され、パターニングされた導電層表面の汚染物が無
くなり、清浄化されたことが分かる。
【００３１】実施例５ 実施例４の図９と同一の半導体装置を、フッ化アンモニ
ウム／テトラメチルアンモニウムギ酸塩／水が２／４５
／５３（重量％）の組成の洗浄液を用い、２３℃で２０
分間洗浄後、水洗した。その結果、実施例４と同様に側
壁保護堆積膜14は完全に除去され、パターニングされた
導電層表面の汚染が無くなり、清浄化された。
ウム／テトラメチルアンモニウムギ酸塩／水が２／４５
／５３（重量％）の組成の洗浄液を用い、２３℃で２０
分間洗浄後、水洗した。その結果、実施例４と同様に側
壁保護堆積膜14は完全に除去され、パターニングされた
導電層表面の汚染が無くなり、清浄化された。
【００３２】実施例６ 実施例４の図９と同一の半導体装置を、フッ化アンモニ
ウム／トリメチル（２- ヒドロキシエチル）アンモニウ
ムギ酸塩／ジメチルホルムアミド／水が２／２０／３０
／４８（重量％）の組成の洗浄液を用いて、２５℃で２
０分間洗浄後、水洗した。その結果、実施例４と同様
に、側壁保護堆積膜14は完全に除去され、パターニング
された導電層表面の汚染が無くなり清浄化された。
ウム／トリメチル（２- ヒドロキシエチル）アンモニウ
ムギ酸塩／ジメチルホルムアミド／水が２／２０／３０
／４８（重量％）の組成の洗浄液を用いて、２５℃で２
０分間洗浄後、水洗した。その結果、実施例４と同様
に、側壁保護堆積膜14は完全に除去され、パターニング
された導電層表面の汚染が無くなり清浄化された。
【００３３】比較例３ 実施例４の図９と同一の半導体装置を、市販品洗浄液
（アルカリ性レジスト洗浄液）を用い、１００℃で２０
分間洗浄を行った。この結果、側壁保護堆積膜14は除去
できなかった。
（アルカリ性レジスト洗浄液）を用い、１００℃で２０
分間洗浄を行った。この結果、側壁保護堆積膜14は除去
できなかった。
【００３４】比較例４ 実施例４の図９と同一の半導体装置をテトラメチルアン
モニウムギ酸塩／ジメチルホルムアミド／水が１０／４
０／５０（重量%)の組成の洗浄液を用い２５℃で３０分
洗浄後水洗した。その結果、側壁保護堆積膜14は除去で
きなかった。
モニウムギ酸塩／ジメチルホルムアミド／水が１０／４
０／５０（重量%)の組成の洗浄液を用い２５℃で３０分
洗浄後水洗した。その結果、側壁保護堆積膜14は除去で
きなかった。
【００３５】
【発明の効果】半導体装置製造工程において本発明の半
導体装置洗浄剤を用いることにより、ドライエッチング
により配線構造を形成させる際に導電層及びフォトレジ
ストの側壁部に生成する保護堆積膜の剥離が極めて確実
に行われることから、導電層表面の汚染が無くなり清浄
化されるのでコロージョンが発生しない。また本発明の
半導体装置洗浄剤は、従来困難であったチタンやタング
ステン層をドライエッチした際に生成する堆積保護膜の
除去にも用いることができ、多層構造の半導体装置や高
度集積回路の製造に有利に使用される。
導体装置洗浄剤を用いることにより、ドライエッチング
により配線構造を形成させる際に導電層及びフォトレジ
ストの側壁部に生成する保護堆積膜の剥離が極めて確実
に行われることから、導電層表面の汚染が無くなり清浄
化されるのでコロージョンが発生しない。また本発明の
半導体装置洗浄剤は、従来困難であったチタンやタング
ステン層をドライエッチした際に生成する堆積保護膜の
除去にも用いることができ、多層構造の半導体装置や高
度集積回路の製造に有利に使用される。
【００３６】更に本発明の半導体装置洗浄剤を使用する
上で、次の利点が挙げられる。 (1) 従来除去することが困難であった導電層及びフォト
レジストの側壁部に生成する保護堆積膜の剥離が短時間
で、しかも常温付近で確実に行われる。 (2) 使用の際に配線材料であるアルミニウム合金などが
エッチングされない。 (3) 本発明の半導体装置洗浄剤を使用した後のリンスに
は水が用いられるので極めて容易である。
上で、次の利点が挙げられる。 (1) 従来除去することが困難であった導電層及びフォト
レジストの側壁部に生成する保護堆積膜の剥離が短時間
で、しかも常温付近で確実に行われる。 (2) 使用の際に配線材料であるアルミニウム合金などが
エッチングされない。 (3) 本発明の半導体装置洗浄剤を使用した後のリンスに
は水が用いられるので極めて容易である。
【図１】断面図 実施例１における導電層を形成した直後の半導体装置の
構造を示す。
構造を示す。
【図２】断面図 実施例１におけるマスク形成工程まで終了した時点での
構造を示す。
構造を示す。
【図３】断面図 実施例１における導電層のフォトマスクに覆われていな
い領域（非マスク領域）をドライエッチングにより取り
除いた時点での構造を示す。
い領域（非マスク領域）をドライエッチングにより取り
除いた時点での構造を示す。
【図４】断面図 実施例１におけるドライエッチングの後、マスクになっ
ていたレジストをアッシング及び有機溶剤による洗浄に
より除去した後の構造を示す。
ていたレジストをアッシング及び有機溶剤による洗浄に
より除去した後の構造を示す。
【図５】断面図 実施例１における本発明の半導体装置洗浄剤を用いて図
４の半導体装置を洗浄した後の構造を示す。
４の半導体装置を洗浄した後の構造を示す。
【図６】断面図 実施例４における導電層を形成した直後の半導体装置の
構造を示す。
構造を示す。
【図７】断面図 実施例４におけるマスク形成工程まで終了した時点での
構造を示す。
構造を示す。
【図８】断面図 実施例４における導電層のフォトマスクに覆われていな
い領域（非マスク領域）をドライエッチングにより取り
除いた時点での構造を示す。
い領域（非マスク領域）をドライエッチングにより取り
除いた時点での構造を示す。
【図９】断面図 実施例４におけるドライエッチングの後、マスクになっ
ていたレジストをアッシング及び有機溶剤による洗浄に
より除去した後の構造を示す。
ていたレジストをアッシング及び有機溶剤による洗浄に
より除去した後の構造を示す。
【図１０】断面図 実施例４における本発明の半導体装置洗浄剤を用いて図
９の半導体装置を洗浄した後の構造を示す。
９の半導体装置を洗浄した後の構造を示す。
【符号の説明】 1 ＣＶＤ酸化層 2 ＴｉＷ層 3 ＣＶＤ−Ｗ層 4 Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層 5 ＴｉＮ層 6 ＰＬＡＳＭＡ ＴＥＯＳ層 7 フォトレジスト 8 側壁保護堆積膜 9 ＣＶＤ酸化層 10 Ｔｉ層 11 ＴｉＮ層 12 Ｗ（タングステン）層 13 フォトレジスト 14 側壁保護堆積膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年１２月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】このような側壁保護堆積膜を除去するため
に、酸性有機溶剤レジスト洗浄液やアルカリ性有機溶剤
レジスト洗浄液が使用されている。酸性有機溶剤レジス
ト洗浄液としては、アルキルベンゼンスルホン酸にフェ
ノール化合物や塩素系溶剤、芳香族炭化水素を添加した
洗浄液が一般に使用されているが、この洗浄液を用いて
１００℃以上に加熱処理しても側壁保護堆積膜を完全に
除去することはできない。またこれらの酸性有機溶剤レ
ジスト洗浄液は、水に対する溶解性が低いため、除去操
作の後水との相溶性の良いイソプロパノールの如き有機
溶剤で洗浄し、次いで水洗しなければならず、工程が複
雑になる。
に、酸性有機溶剤レジスト洗浄液やアルカリ性有機溶剤
レジスト洗浄液が使用されている。酸性有機溶剤レジス
ト洗浄液としては、アルキルベンゼンスルホン酸にフェ
ノール化合物や塩素系溶剤、芳香族炭化水素を添加した
洗浄液が一般に使用されているが、この洗浄液を用いて
１００℃以上に加熱処理しても側壁保護堆積膜を完全に
除去することはできない。またこれらの酸性有機溶剤レ
ジスト洗浄液は、水に対する溶解性が低いため、除去操
作の後水との相溶性の良いイソプロパノールの如き有機
溶剤で洗浄し、次いで水洗しなければならず、工程が複
雑になる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】即ち本発明は、一般式［（Ｒ1 ）3 Ｎ−
Ｒ］+ ・Ｘ- （Ｒは炭素数１〜４のアルキル基または炭
素数１〜４のヒドロキシル置換アルキル基、Ｒ1 は炭素
数１〜４のアルキル基、Ｘは無機酸または有機酸）で表
される第四級アンモニウム塩とフッ素化合物を含有する
ことを特徴とする半導体装置洗浄剤、更にこれらの第四
級アンモニウム塩とフッ素化合物に、アミド類、ラクト
ン類、ニトリル類、アルコール類、エステル類から選ば
れた一種以上の有機溶剤を１〜５０重量％含有する半導
体装置洗浄剤、および半導体基板上に形成され、少なく
ともチタン、タングステン、アルミニウムおよびアルミ
ニウム合金のいずれか一つを含む導電層上に、フォトレ
ジストによるマスク形成を行った後、ドライエッチング
により配線構造を形成する際、導電層及びフォトレジス
トの側壁部に発生する保護堆積膜を、一般式［（Ｒ1 ）
3 Ｎ−Ｒ］+ ・Ｘ- （Ｒは炭素数１〜４のアルキル基ま
たは炭素数１〜４のヒドロキシル置換アルキル基、Ｒ1
は炭素数１〜４のアルキル基、Ｘは無機酸または有機
酸）で表される第四級アンモニウム塩とフッ素化合物を
含有する半導体装置洗浄剤を用いて剥離する洗浄工程を
含む半導体装置の製造方法である。
Ｒ］+ ・Ｘ- （Ｒは炭素数１〜４のアルキル基または炭
素数１〜４のヒドロキシル置換アルキル基、Ｒ1 は炭素
数１〜４のアルキル基、Ｘは無機酸または有機酸）で表
される第四級アンモニウム塩とフッ素化合物を含有する
ことを特徴とする半導体装置洗浄剤、更にこれらの第四
級アンモニウム塩とフッ素化合物に、アミド類、ラクト
ン類、ニトリル類、アルコール類、エステル類から選ば
れた一種以上の有機溶剤を１〜５０重量％含有する半導
体装置洗浄剤、および半導体基板上に形成され、少なく
ともチタン、タングステン、アルミニウムおよびアルミ
ニウム合金のいずれか一つを含む導電層上に、フォトレ
ジストによるマスク形成を行った後、ドライエッチング
により配線構造を形成する際、導電層及びフォトレジス
トの側壁部に発生する保護堆積膜を、一般式［（Ｒ1 ）
3 Ｎ−Ｒ］+ ・Ｘ- （Ｒは炭素数１〜４のアルキル基ま
たは炭素数１〜４のヒドロキシル置換アルキル基、Ｒ1
は炭素数１〜４のアルキル基、Ｘは無機酸または有機
酸）で表される第四級アンモニウム塩とフッ素化合物を
含有する半導体装置洗浄剤を用いて剥離する洗浄工程を
含む半導体装置の製造方法である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福田 秀樹 新潟県新潟市太夫浜字新割182番地 三菱 瓦斯化学株式会社新潟研究所内 (72)発明者 後藤 日出人 茨城県稲敷郡美浦村木原2355 日本テキサ ス・インスツルメンツ株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】一般式［（Ｒ1 ）3 Ｎ−Ｒ］+ ・Ｘ- （Ｒ
は炭素数１〜４のアルキル基または炭素数１〜４のヒド
ロキシル置換基、Ｒ1 は炭素数１〜４のアルキル基、Ｘ
は無機酸または有機酸）で表される第四級アンモニウム
塩とフッ素化合物を含有することを特徴とする半導体装
置洗浄剤。 - 【請求項２】アミド類、ラクトン類、ニトリル類、アル
コール類、エステル類から選ばれた一種以上の有機溶剤
を１〜５０重量％含有する請求項１の半導体装置洗浄
剤。 - 【請求項３】半導体基板上に形成され、少なくともチタ
ン、タングステン、アルミニウムおよびアルミニウム合
金のいずれか一つを含む導電層上に、フォトレジストに
よるマスク形成を行った後、ドライエッチングにより配
線構造を形成する際、導電層及びフォトレジストの側壁
部に発生する保護堆積膜を、一般式［（Ｒ1 ）3 Ｎ−
Ｒ］+ ・Ｘ- （Ｒは炭素数１〜４のアルキル基または炭
素数１〜４のヒドロキシル置換基、Ｒ1 は炭素数１〜４
のアルキル基、Ｘは無機酸または有機酸）で表される第
四級アンモニウム塩とフッ素化合物を含有する半導体装
置洗浄剤を用いて剥離する洗浄工程を含む半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00052094A JP3264405B2 (ja) | 1994-01-07 | 1994-01-07 | 半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法 |
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