KR100695246B1 - 에칭용 또는 세정용 용액의 제조법 - Google Patents

에칭용 또는 세정용 용액의 제조법 Download PDF

Info

Publication number
KR100695246B1
KR100695246B1 KR1020057017187A KR20057017187A KR100695246B1 KR 100695246 B1 KR100695246 B1 KR 100695246B1 KR 1020057017187 A KR1020057017187 A KR 1020057017187A KR 20057017187 A KR20057017187 A KR 20057017187A KR 100695246 B1 KR100695246 B1 KR 100695246B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
amines
aliphatic
organic solvent
solution
hetero atom
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020057017187A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050109569A (ko
Inventor
마코토 스야마
다케히코 게즈카
미츠시 이타노
Original Assignee
다이킨 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다이킨 고교 가부시키가이샤 filed Critical 다이킨 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20050109569A publication Critical patent/KR20050109569A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100695246B1 publication Critical patent/KR100695246B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02Inorganic compounds
    • C11D7/04Water-soluble compounds
    • C11D7/10Salts
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02Inorganic compounds
    • C11D7/04Water-soluble compounds
    • C11D7/06Hydroxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02Inorganic compounds
    • C11D7/04Water-soluble compounds
    • C11D7/08Acids
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22Organic compounds
    • C11D7/32Organic compounds containing nitrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22Organic compounds
    • C11D7/32Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3209Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/28Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
    • H10P50/282Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
    • H10P50/283Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials by chemical means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10Objects to be cleaned
    • C11D2111/14Hard surfaces
    • C11D2111/22Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P70/00Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P70/10Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H10P70/15Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process by wet cleaning only

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

(1) 암모니아, 하이드록실 아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종과 플루오르화 수소산으로 형성된 플루오르화물염 및 중플루오르화물염 중 적어도 1종; (2) 헤테로 원자를 갖는 유기용매 중 적어도 1종: 및 (3) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭용 또는 세정용 용액의 제조방법으로서,
공정 1 : 플루오르화수소산 수용액과 헤테로 원자를 갖는 유기용매 중 적어도 1종을 혼합하는 것, 및
공정 2 : 공정 1에서 얻어진 혼합물과 암모니아, 하이드록실 아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종 또는 그 플루오르화물염을 혼합하는 것을 포함하는 방법.

Description

에칭용 또는 세정용 용액의 제조법{PROCESS FOR PRODUCTION OF ETCHING OR CLEANING FLUIDS}
본 발명은 에칭용 또는 세정용 용액의 제조법에 관한 것이다.
종래, 플루오르화 수소산염 및 유기용매를 포함하는 에칭용 또는 세정용 조성물로서, 다양한 것이 사용된다(일본 특허공개 2000-164585, 일본 특허공개 2000-164586, 일본 특허공개 2001-326948).
그러나, 플루오르화 수소산과 아민류, 특히 암모니아의 염은 유기용매에 난용성(難溶性)이므로, 특히 물의 함량이 낮은 농후 용액의 조제는 곤란했다.
본 발명은, 에칭용 또는 세정용 용액을 용이하게 조제하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 이하의 에칭용 또는 세정용 용액의 제조법을 제공하는 것이다.
항 1. (1) 암모니아, 하이드록실 아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종과 플루오르화 수소산으로 형성된 플루오르화물염 및 중플루오르화물염 중 적어도 1종; (2) 헤테로 원자를 갖는 유기용매 중 적어도 1종: 및 (3) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭용 또는 세정용 용액의 제조방법으로서,
공정 1 : 플루오르화수소산 수용액과 헤테로 원자를 갖는 유기용매 중 적어도 1종을 혼합하는 것, 및
공정 2 : 공정 1에서 얻어진 혼합물과 암모니아, 하이드록실 아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종 또는 그 플루오르화물염을 혼합하는 방법.
항 2. (1) 암모니아, 하이드록실 아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종과 플루오르화수소산으로 형성된 플루오르화물염 및 중플루오르화물염 중 적어도 1종; (2) 헤테로 원자를 갖는 유기용매 중 적어도 1종; 및 (3) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭용 또는 세정용 용액의 제조방법으로서,
공정 1 : 플루오르화수소산 수용액과 암모니아, 하이드록실 아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종 또는 그 플루오르화물염을 혼합하는 것, 및
공정 2 : 공정 1에서 얻어진 혼합물과 헤테로 원자를 갖는 유기용매 중 적어도 1종을 혼합하는 것, 및 필요에 따라
공정 3 : 공정 2에서 얻어진 혼합물을 여과하는 것을 포함하는 방법.
항 3. (1) 암모니아, 하이드록실 아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종과 플루오르화 수소산으로 형성된 플루오르화물염 및 중플루오르화물염 중 적어도 1종; (2) 헤테로 원자를 갖는 유기용매 중 적어도 1종; 및 (3) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭용 또는 세정용 용액의 제조방법으로서,
헤테로 원자를 갖는 유기용매 중 적어도 1종과 물을 포함하는 혼합액에, 암모니아, 하이드록실 아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종과 플루오르화 수소산으로 형성된 플루오르화물염 및 중플루오르화물염의 고형물을 첨가하여 용해시키는 공정을 가지는 방법.
항 4. 암모니아, 하이드록실 아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종 또는 그 플루오르화물염이 수용액의 형태인 항 1 또는 2에 기재의 방법.
항 5. 암모니아, 하이드록실 아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종 또는 그 플루오르화물염의 수용액이, 플루오르화 암모늄의 수용액인 항 4에 기재의 방법.
항 6. 상기 고형물이 1수소 2플루오르화 암모늄(NH4F·HF)인 항 3에 기재의 방법.
항7. 얻어지는 용액이 1수소 2플루오르화암모늄, 모노, 디 또는 트리에탄올 아민 중플루오르화물염 및 에틸 아민 중플루오르화물염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종, 에탄올, 이소프로판올(IPA) 및 아세톤으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 헤테로 원자를 갖는 유기용매를 포함하는 함수(含水) 용액인 항 1∼6 중 어느 한 항 기재의 방법.
항 8. 1수소 2플루오르화 암모늄, 모노에탄올 아민 중플루오르화물염 및 에틸아민 중플루오르화물염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종 0.001∼5질량%, 에탄올, 이소프로판올(IPA) 및 아세톤으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 헤테로 원자를 갖는 유기용매 92∼99.9989질량%, 물이 0.0001∼3질량%인 항 1∼7 중 어느 한 항 기재의 방법.
항 9. 헤테로 원자를 갖는 유기용매와 플루오르화수소산 수용액을 혼합하고, 다음에 플루오르화 암모늄 용액을 혼합하는 것을 특징으로 하는 1수소 2플루오르화 암모늄 및 헤테로 원자를 갖는 유기용매를 포함하는 에칭용 또는 세정용 조성물의 제조법.
항 10. 플루오르화수소산 수용액과 플루오르화 암모늄 용액을 혼합한 혼합액과 헤테로 원자를 갖는 유기용매를 혼합하고, 석출한 1수소 2플루오르화 암모늄을 여과하는 것을 특징으로 하는 1수소 2플루오르화 암모늄 및 헤테로 원자를 갖는 유기용매를 포함하는 에칭용 또는 세정용 용액의 제조법.
본 발명의 방법에 의해 얻어진 용액은, 에칭용 또는 세정용 용액으로서 적합하다.
에칭용 용액은, 일본 특허공개 2000-164585 또는 일본 특허공개 2000-164586에 기재의 에칭액으로서 적합하게 사용할 수 있다. 일본 특허공개 2000-164585 및 일본 특허공개 2000-164586의 기재는, 본 명세서에 참고로서 원용된다.
세정용 용액은, 반도체 제조 공정에서 적합하게 사용된다. 구체적으로는, STI, 메탈 게이트, 콘택트 홀, 비어 홀, 캐패시터 등의 세정, 레지스트 유래의 폴리머 박리나 CMP 후 세정 시에 있어서, 표면의 거칠음을 일으키지 않는 세정제로서 사용 가능하다. 상기 세정제는, IC나 LSI 등의 반도체 소자 혹은 액정 패널 소자의 제조에 적합하게 사용할 수 있다.
본 발명의 방법에 의해 제조되는 용액은, (1) 암모니아, 하이드록실 아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종(이하, 「질소함유 염기성분」이라고 한다)과 플루오르화 수소산으로 형성된 플루오르화물염 및 중플루오르화물염 중 적어도 1종; (2) 헤테로 원자를 갖는 유기용매 중 적어도 1종; 및 (3) 물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
(1) 질소함유 염기성분
질소함유 염기성분으로는, 암모니아, 하이드록실 아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염을 들 수 있다.
하이드록실 아민류로는, N, N-디메틸하이드록실 아민, N-에틸하이드록실 아민, N, N-디에틸하이드록실 아민, N-프로필하이드록실 아민, N-페닐하이드록실 아민 등의 직쇄 또는 분기를 갖는 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 페닐기로 모노 또는 디 치환된 하이드록실 아민을 들 수 있다.
지방족 아민류로는, 에틸 아민, 프로필 아민, 이소프로필 아민, 부틸 아민, 헥실 아민, 옥틸 아민, 데실 아민, 도데실 아민, 디메틸 아민, 디에틸 아민, 디프로필 아민, 디이소플로필 아민, 디부틸 아민, 트리메틸 아민, 트리에틸 아민, 트리프로필 아민, 트리이소프로필 아민, 트리부틸 아민 등의 직쇄 또는 분기를 갖는 탄소수 1∼12의 알킬기로 모노, 디 또는 트리 치환된 지방족 아민; 모노 플루오로메틸 아민, 디플루오로메틸 아민, 트리플루오로메틸 아민, 퍼플루오로에틸 아민, 퍼플루오로프로필 아민, 퍼플루오로이소프로필 아민, 퍼플루오로부틸 아민, 퍼플루오로헥실 아민, 퍼플루오로옥틸 아민, 디(퍼플루오로메틸)아민, 디(퍼플루오로에틸)아민, 디(퍼플루오로프로필)아민, 디(퍼플루오로이소프로필)아민, 디(퍼플루오로부틸)아민, 트리(퍼플루오로메틸)아민, 트리(퍼플루오로에틸)아민, 트리(퍼플루오로프로필)아민, 트리(퍼플루오로이소프로필)아민, 트리(퍼플루오로부틸)아민 등의 직쇄 또는 분기를 갖는 적어도 1개의 불소 원자 함유 C1∼8 알킬기로 모노, 디 또는 트리 치환된 지방족 아민; 에탄올 아민, 에틸렌디아민, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 디에탄올 아민, 2-에틸아미노에탄올, 디메틸아미노에탄올, 에틸디에탄올 아민, 시클로헥실 아민, 디시클로헥실 아민 등을 들 수 있다.
방향족 아민류로는, 아닐린, N-메틸 아닐린, N. N-디메틸 아닐린, 벤질 아민, 디벤질 아민, N-메틸벤질 아민 등을 들 수 있다.
지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로는, 테트라에틸 암모늄, 테트라프로필 암모늄, 테트라이소프로필 암모늄, 테트라부틸 암모늄, 테트라페닐 암모늄 등의 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄의 염산염, 브롬화수소산염, 황산염, 질산염 등의 광산염을 들 수 있다.
이들 질소함유 염기성분은, 단독으로, 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수 있다.
(2) 질소함유 염기성분과 플루오르화 수소산으로 형성된 플루오르화물염 및 중플루오르화물염
질소함유 염기성분과 플루오르화 수소산으로 형성된 플루오르화물염은, 질소함유 염기성분과 플루오르화 수소산(HF)이 1:1의 몰비로 결합한 화합물을 들 수 있고, 예를 들면 암모니아와 플루오르화 수소산으로 형성되는 플루오르화물염은 플루오르화 암모늄으로, 하이드록실 아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류와 플루오르화 수소산도 마찬가지로, 양자가 1:1의 비율로 결합한 플루오르화물염〔(질소함유 염기성분)·HF〕이 형성된다.
지방족 내지 방향족 제4급 암모늄과 플루오르화 수소산으로 형성되는 플루오르화물염은, (지방족 내지 방향족 제4급 암모늄)·F로 표시된다.
마찬가지로, 질소함유 염기성분과 플루오르화 수소산으로 형성된 중플루오르화물염은, 질소함유 염기성분과 플루오르화 수소산(HF)이 1 : 2의 몰비로 결합한 화합물을 들 수 있고, 예를 들면 암모니아와 플루오르화 수소산으로 형성되는 중플루오르화물염은, 1수소 2플루오르화 암모늄으로, 하이드록실 아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류와 플루오르화 수소산으로 형성된 중플루오르화물염도 마찬가지로, 양자가 1:2의 비율로 결합한 중플루오르화물염〔(질소함유 염기성분)·2HF〕이 형성된다.
지방족 내지 방향족 제4급 암모늄과 플루오르화 수소산으로 형성되는 중플루오르화물염은, (지방족 내지 방향족 제4급 암모늄) F·HF로 표시된다.
지방족 내지 방향족 제4급 암모늄과 플루오르화 수소산으로 형성되는 중플루오르화물염은, (지방족 내지 방향족 제4급 암모늄) F·HF로 표시된다.
본 발명의 제조 방법에 의해, 물에 대한 용해도가 보다 낮은 중플루오르화물염(hydrogenfluoride)을 포함하는 용액을 바람직하게 제조할 수 있다.
본 발명에서 사용되는 바람직한 플루오르화물염 및 중플루오르화물염은, 플루오르화 암모늄, 1수소 2플루오르화 암모늄, 모노 에탄올 아민 플루오르화물염, 모노 에탄올 아민 중플루오르화물염, 에틸 아민 플루오르화물염, 에틸 아민 중플루오르화물염, 디에탄올 아민 플루오르화물염, 디에탄올 아민 중플루오르화물염, 트리에탄올 아민 플루오르화물염, 트리에탄올 아민 중플루오르화물염, 메틸 아민 플루오르화물염, 메틸 아민 중플루오르화물염, 프로필 아민 플루오르화물염, 프로필아민 중플루오르화물염 등을 들 수 있고, 바람직하게는, 암모니아, 모노 에탄올 아민, 에틸 아민의 플루오르화물염 및 중플루오르화물염을 들 수 있다.
(3) 헤테로 원자를 갖는 유기 용매
본 발명 조성물에 포함되는 헤테로 원자를 갖는 유기용매로는, N, N-디메틸포름아미드, N, N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, N-메틸-2-피롤리돈, 1, 3-디메틸-2-이미다졸리디논(imidazolidinone) ; 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알콜(IPA), 1-프로판올, 1-부탄올 , 2-부탄올, t-부탄올, 2-메틸-1-프로판올, 1-펩탄올, 1-헥산올, 1-헵탄올, 4-헵탄올, 1-옥탄올, 1-노닐알콜, 1-데카놀, 1-도데카놀 등의 알콜류; 에틸렌 글리콜, 1, 2-프로판디올, 프로필렌 글리콜, 2, 3-부탄디올, 글리세린 등의 폴리올류; 아세톤, 아세틸 아세톤, 메틸에틸케톤, 1, 3-디하이드록시 아세톤 등의 케톤류; 아세트 니트릴, 프로피오 니트릴, 부티로 니트릴, 이소부티로 니트릴, 벤조 니트릴 등의 니트릴류; 포름 알데히드, 아세트 알데히드, 프로피온 알데히드 등의 알데히드류; 에틸렌글리콜 모노 메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노 에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노 부틸에테르 등의 알킬렌 글리콜 모노 알킬에테르; 테트라하이드로푸란, 디옥산 등의 환형상 에테르류; 트리플루오로 에탄올, 펜타플루오로프로판올, 2, 2, 3, 3-테트라플루오로프로판올 등의 불소 알콜 ; 1, 2, 2-테트라플루오로-1-(2, 2, 2-트리플루오로에톡시) 에탄 등의 하이드로플루오로에테르류; 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 이소부티르산, 길초산, 카프로산, 카프릴산, 모노 클로로아세트산, 디클로로 아세트산, 트리클로로 아세트산, 모노 플루오로 아세트산, 디플루오로 아세트산, 트리플루오로 아세트산,
Figure 112005051255467-pct00001
-클로로부티르산, δ-클로로부티르산,
Figure 112005051255467-pct00002
-클로로부티르산, 유산, 글리콜산, 필빈산, 글리옥살산, 아크릴산 등의 모노 카르복실산, 메탄술폰산, 톨루엔 술폰산 등의 술폰산, 옥살산, 숙신산, 아디핀산, 주석산, 구연산 등의 폴리카르복실산; 술포란 및 니트로메탄이 예시된다. 보다 바람직하게는 알콜류, 모노 카르복실산 및 케톤류로 이루어지는 산소함유 유기용매를 들 수 있다. 구체적으로는 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올(IPA) 등의 알콜류, 아세톤, 메틸에틸케톤, 1, 3-디하이드록시 아세톤 등의 케톤류, 아세트산, 프로피온산 등의 모노 카르복실산류를 보다 바람직하게 들 수 있다. 이들 헤테로 원자를 갖는 유기용매는, 단독으로, 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수 있다.
(4) 본 발명의 제조법
이하에서, 질소함유 염기성분과 플루오르화 수소산으로 형성되는 플루오르화물염을 간단히 플루오르화물염으로 기재하는 경우가 있고, 질소함유 염기성분과 플루오르화 수소산으로 형성되는 중플루오르화물염을 간단히 중플루오르화물염으로 기재하는 경우가 있다.
플루오르화 수소산은 바람직하게는 55질량% 이하, 보다 바람직하게는 약 50질량%의 수용액이 이용된다.
플루오르화물염 및 중플루오르화물염은, 헤테로 원자를 갖는 유기용매에 대한 용해도가 낮은 것이다. 예를 들면 헤테로 원자를 갖는 유기 용매에 플루오르화물염의 수용액을 첨가한 후, 플루오르화 수소산 수용액을 첨가해도, 침전물이 석출하여, 해당 침전물은 용해되지 않고 남은 상태로 된다.
플루오르화물염 및 중플루오르화물염의 고형물을 첨가하는 경우에는, 물 또는 함수 유기 용매에 첨가할 필요가 있다. 플루오르화물염 및 중플루오르화물염을 비수 유기용매에 첨가한 후에 물을 첨가해도, 플루오르화물염 및 중플루오르화물염의 고형물을 용해시킬 수 없다.
따라서, 본 발명에서는, 각 성분의 배합 순서가 매우 중요하다.
중플루오르화물염을 주성분으로서 포함하는 용액의 제조법의 하나의 실시 형태로는, 헤테로 원자를 포함하는 유기용매와 플루오르화 수소산 수용액을 혼합하고, 다음에 질소함유 염기성분 또는 그 플루오르화물염의 수용액을 첨가하는 방법이 예시된다. 이 첨가 순서를 바꾸어, 헤테로 원자를 포함하는 유기용매와 질소함유 염기성분 또는 그 플루오르화물염의 수용액을 혼합하고, 다음에 플루오르화 수소산 수용액을 첨가해도 용해되지 않고 침전이 석출된다.
플루오르화물염을 주성분으로서 포함하는 용액의 제조법의 하나의 실시 형태로는, 헤테로 원자를 포함하는 유기용매와 플루오르화 수소산 수용액을 혼합하고, 다음에 질소함유 염기성분 또는 그 수용액을 첨가하는 방법이 예시된다. 이 첨가 순서를 바꾸어, 헤테로 원자를 포함하는 유기 용매와 질소함유 염기성분 또는 그 수용액을 혼합하고, 다음에 플루오르화 수소산 수용액을 첨가하면 침전이 석출된다.
중플루오르화물염을 포함하는 용액의 제조법의 다른 실시 형태로는, 플루오르화 수소산 수용액과 플루오르화물염의 수용액을, 바람직하게는 HF: 플루오르화물염= 1:1(몰비)의 비율로 혼합하여 중플루오르화물염의 수용액으로 하고, 다음에 이 수용액을 헤테로 원자를 포함하는 유기용매와 혼합하는 방법이 예시된다. 이 방법에 있어서, 유기 용매의 사용량을 상대적으로 적게 하면, 중플루오르화물염의 농축 용액를 얻을 수 있고, 그 농도에 따라서 중플루오르화물염이 석출되는데, 상기 석출물은 순수한 중플루오르화물염이므로, 반도체 제조 용도 등의 고순도의 중플루오르화물염이 필요한 경우에 적합하게 사용된다. 여과액은 에칭 내지 세정 용도의 용액으로서 적합하게 사용할 수 있다. 상기 여과액은 중플루오르화물염의 농후 용액이므로, 사용 시에 헤테로 원자를 포함하는 유기 용매를 첨가해 농도를 조제하여 사용 가능하다. NH4F·HF 등의 중플루오르화물염의 함수 용액은, 평형에 도달하는데 시간이 걸리므로, 포화 용해도로 되지 않아도 중플루오르화물염이 석출되는 경향이 있다. 여과액 중의 중플루오르화물염 농도는, 전기 전도도를 측정함으로써 결정할 수 있고, 필요한 조성의 용액으로 희석 등에 의해 조제하는 것이 가능하다.
플루오르화물염을 포함하는 용액의 제조법의 다른 실시 형태로는, 플루오르화 수소산 수용액과 질소함유 염기성분 또는 그 수용액을, 바람직하게는 HF:질소함유 염기성분= 1:1(몰비)의 비율로 혼합하여 플루오르화물염의 수용액으로 하고, 다음에 이 수용액을 헤테로 원자를 포함하는 유기 용매와 혼합하는 방법이 예시된다. 이 방법에 있어서, 유기 용매의 사용량을 상대적으로 적게 하면, 플루오르화물염의 농축 용액를 얻을 수 있고, 그 농도에 따라서 플루오르화물염이 석출되는데, 상기 석출물은 순수한 플루오르화물염이므로, 반도체 제조용도 등의 고순도의 플루오르화물염이 필요한 경우에 적합하게 사용된다. 여과액은 에칭 내지 세정 용도의 용액으로서 적합하게 사용할 수 있다. 상기 여과액은 플루오르화물염의 농후 용액이므로, 사용시에 헤테로 원자를 포함하는 유기 용매를 첨가해 농도를 조제하여 사용가능하다. NH4F 등의 플루오르화물염의 함수 용액은, 평형에 도달하는데 시간이 걸리므로, 포화 용해도로 되지 않아도 플루오르화물염이 석출되는 경향이 있다. 여과액 중의 플루오르화물염 농도는, 전기 전도도를 측정함으로써 결정할 수 있고, 필요한 조성의 용액으로 희석 등에 의해 조제하는 것이 가능하다.
중플루오르화물염을 포함하는 용액의 제조법의 다른 실시 형태로는, 헤테로 원자를 갖는 유기 용매와 물을 혼합한 함수 용액에 중플루오르화물염의 고형물을 첨가해 용해하는 방법이 예시된다. 이 방법에서, 중플루오르화물염을 헤테로 원자를 갖는 유기 용매에 첨가하고 나서 물을 첨가해도 완전하게는 용해되지 않으므로, 함수 유기 용매에 중플루오르화물염을 첨가할 필요가 있다.
플루오르화물염을 포함하는 용액의 제조법의 다른 실시 형태로는, 헤테로 원자를 갖는 유기 용매와 물을 혼합한 함수 용액에 플루오르화물염의 고형물을 첨가해 용해하는 방법이 예시된다. 이 방법에서, 플루오르화물염을 헤테로 원자를 갖는 유기 용매에 첨가하고 나서 물을 첨가해도 완전히는 용해되지 않으므로, 함수 유기 용매에 플루오르화물염을 첨가할 필요가 있다.
본 발명의 제조 방법으로 얻어지는 에칭용 또는 세정용 용액에 있어서, 1수소 2플루오르화 암모늄 등의 질소함유 염기성분의 중플루오르화물염의 함유량은, 바람직하게는 0.001∼10질량% 정도, 보다 바람직하게는 0.001∼5질량% 정도이다. 또한, 플루오르화 암모늄 등의 질소함유 염기성분의 플루오르화물염의 함유량은, 바람직하게는 0.001∼10질량%정도, 보다 바람직하게는 0.001∼5질량%정도, 더욱 바람직하게는 0.001∼4질량% 정도이다.
물의 함유량은, 바람직하게는 10질량% 이하, 보다 바람직하게는 3질량% 이하이고, 또한, 바람직하게는 0.0001질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.0005질량% 이상이다.
헤테로 원자를 갖는 유기 용매의 함유량은, 바람직하게는 80질량% 이상, 보다 바람직하게는 92질량% 이상이다.
본 발명의 방법에 의해 제조되는 용액은, 통상 (1) 플루오르화물염 및 중플루오르화물염 중 적어도 1종을 0.001∼10질량%, (2) 헤테로 원자를 갖는 유기 용매 80∼99.9989질량%, 및 (3) 물을 0.0001∼10질량% 포함하고 ; 바람직하게는 (1) 플루오르화물염 및 중플루오르화물염 중 적어도 1종을 0.001∼5질량%, (2) 헤테로 원자를 갖는 유기 용매 85∼99.9985질량%, 및 (3) 물을 0.0005∼10질량% 포함한다.
본 발명의 바람직한 용액의 배합비를 이하에 표시한다.
1수소 2플루오르화 암모늄 : IPA : 물 = 0.001∼5질량% : 92∼99.999질량%: 0보다 크고 3질량% 이하; 바람직하게는 0.001∼5질량% : 92∼99.9989질량% : 0.0001∼3질량%; 보다 바람직하게는 0.001∼5질량% : 92∼99.9985질량% : 0.0005∼3질량%;
1수소 2플루오르화 암모늄 : 에탄올 : 물 = 0.001∼5질량% : 92∼99.999질량% : 0보다 크고 3질량% 이하; 바람직하게는 0.001∼5질량% : 92∼99.9989질량% : 0.0001∼3질량%; 보다 바람직하게는 0.001∼5질량% : 92∼99.9985질량% : 0.0005∼3질량%;
1수소 2플루오르화 암모늄 : 아세톤 : 물 = 0.001∼5질량% : 92∼99.999질량%: 0보다 크고 3질량% 이하; 바람직하게는 0.001∼5질량% : 92∼99.9989질량% : 0.0001∼3질량%; 보다 바람직하게는 0.001∼5질량%: 92∼99.9985질량%: 0.0005∼3질량%;
플루오르화 암모늄 : IPA : 물 = 0.001∼4질량% : 86∼99.999질량% : 0보다 크고 10질량% 이하; 바람직하게는 0.001∼4질량% : 86∼99.9989질량% : 0.0001∼10질량%; 보다 바람직하게는 0.001∼4질량% : 86∼99.9985질량% : 0.0005∼10질량% ;
플루오르화 암모늄 : 아세트산 : 물 = 0.001∼4질량% : 94.5∼99.999질량% : 0보다 크고 1.5질량% 이하; 바람직하게는 0.001∼4질량% : 94.5∼99.9989질량% : 0.0001∼1.5질량%; 보다 바람직하게는 0.001∼4질량% : 94.5∼99.9985질량% : 0.0005∼1.5질량%;
플루오르화 암모늄 : 에탄올 : 물 = 0.001∼5질량% : 85∼99.999질량% : 0보다 크고 10질량% 이하; 바람직하게는 0.001∼5질량% : 85∼99.9989질량% : 0.0001∼10질량% 이하; 보다 바람직하게는 0.001∼5질량% : 85∼99.9985질량% : 0.0005∼10질량% 이하;
모노 에탄올아민 중플루오르화물염 : 에탄올 : 물 = 0.001∼5질량% : 92∼99.999질량% : 0보다 크고 3질량% 이하; 바람직하게는 0.001∼5질량% : 92∼99.9989질량% : 0.0001∼3질량%; 보다 바람직하게는 0.001∼5질량% : 92∼99.9985질량% : 0.0005∼3질량%;
모노 에탄올아민 중플루오르화물염 : IPA : 물 = 0.001∼5질량% : 92∼99.999질량% : 0보다 크고 3질량% 이하; 바람직하게는 0.001∼5질량% : 92∼99.9989질량% : 0.0001∼3질량%; 보다 바람직하게는 0.001∼5질량% : 92∼99.9985질량% : 0.0005∼3질량%.
본 발명의 제조법에 의해 얻어진 에칭 또는 세정 용도의 용액은, 보존 안정성이 우수하므로, 대량으로 제조하여 저장한 용액을 사용해도 되고, 에칭 또는 세정을 행하는 공장내 등에서 사용시에 필요량을 조제하여 곧장 사용해도 된다. 또한, 상기 용액을 플루오르화물염 또는 중플루오르화물염의 농도가 높은 농축 용액으로서 제조하여, 사용 시에 헤테로 원자를 갖는 유기 용매를 첨가해 필요한 농도까지 희석하여 사용해도 된다.
본 발명에 의하면, 에칭 및 세정 용도에 사용할 수 있는 용액을 간편하게 조제할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 보다 상세히 설명한다.
또한, 실시예의 판정에 있어서, 결정의 석출 상태는 눈으로 봐서 판정했다.
또한, 전기 전도도(μS/㎝)는 동아(東亞)전파공업제 (CM-40S)를 이용하여 25℃에서의 측정값을 표시했다.
실시예 1∼2, 비교예 1∼2
유기 용매(IPA) 1L에 표 1과 같이 50% HF(HF : 0.0067몰)와 40% NH4F(NH4F : 0.0067몰)을 각각 첨가했을 때의, IPA로의 첨가 순서의 차이에 의한 결정 석출의 상태와 작성된 에칭액의 전기 전도도를 표 1에 표시한다.
IPA에의 첨가 방법은 이하와 같이 행하였다.
유기 용매(IPA) 1L을 교반하는데 50% HF 수용액을 서서히 적하하였다. 다음에 40% NH4F 수용액을 서서히 적하하였다.
표1
50% HF, 40% NH4F 첨가 순서에 의한 에칭액 조제 결과
Figure 112006087055162-pct00006
실시예 3∼5
50% HF 수용액과 40% NH4F 수용액을 50% HF 수용액(32.0g)과 40% NH4F 수용액(73.6g)을 혼합하여 HF와 NH4F의 당량몰(equimolar) 수용액을 조제했다.
유기 용매(IPA) 1L과 먼저의 HF/NH4F 당량몰 수용액을 전량 혼합했다. IPA와 HF/NH4F는 완전 용해되지 않으므로 분리하여 결정 석출하는데, 맑은 상액의 전기 전도도가 400μS/㎝ 이상이 되기까지 교반 용해시켰다.
맑은 상액의 전기 전도도가 400μS/㎝ 이상이 된 시점에서 맑은 상액과 결정 부분을 여과 분리했다.
IPA와 맑은 상액을 혼합하여 전기 전도도를 모니터함으로써 에칭액의 농도를 조정했다. 결과를 표 2에 표시했다.
표 2
고농도 NH4FHF·IPA 맑은 상액에 의한 에칭액 조정 결과
Figure 112005051255467-pct00004
실시예 6 및 비교예 3
유기용매(IPA) 1L에 분말 NH4F·HF와 물을 첨가했을 때의, IPA에의 첨가 순서의 차이에 따른 결정 석출의 상태와 작성된 에칭액의 전기 전도도를 표 3에 표시한다.
유기용매(IPA) 1L에 물 5.0g을 첨가하여 교반 후, 분말의 NH4FHF를 0.38g 첨가하여 충분히 교반했다.
또한, 유기용매(IPA) 1L에 분말의 NH4FHF를 0.38g 첨가하여 교반 후, 물 5.0g을 첨가하여 충분히 교반했다.
표 3
분말 NH4FHF와 물의 첨가 순서에 의한 에칭액 조정 결과
Figure 112005051255467-pct00005

Claims (10)

  1. (1) 암모니아, 하이드록실 아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종과 플루오르화 수소산으로 형성된 플루오르화물염 및 중플루오르화물염 중 적어도 1종; (2) 헤테로 원자를 갖는 유기용매 중 적어도 1종: 및 (3) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭용 또는 세정용 용액의 제조방법으로서,
    공정 1 : 플루오르화수소산 수용액과 헤테로 원자를 갖는 유기용매 중 적어도 1종을 혼합하는 것, 및
    공정 2 : 공정 1에서 얻어진 혼합물과 암모니아, 하이드록실 아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종 또는 그 플루오르화물염을 혼합하는 것을 포함하는 방법.
  2. (1) 암모니아, 하이드록실 아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종과 플루오르화수소산으로 형성된 플루오르화물염 및 중플루오르화물염 중 적어도 1종; (2) 헤테로 원자를 갖는 유기용매 중 적어도 1종; 및 (3) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭용 또는 세정용 용액의 제조방법으로서,
    공정 1 : 플루오르화수소산 수용액과 암모니아, 하이드록실 아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군에 서 선택되는 적어도 1종 또는 그 플루오르화물염을 혼합하는 것, 및
    공정 2 : 공정 1에서 얻어진 혼합물과 헤테로 원자를 갖는 유기용매 중 적어도 1종을 혼합하는 것, 및 필요에 따라
    공정 3 : 공정 2에서 얻어진 혼합물을 여과하는 것을 포함하는 방법.
  3. (1) 암모니아, 하이드록실 아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종과 플루오르화 수소산으로 형성된 플루오르화물염 및 중플루오르화물염 중 적어도 1종; (2) 헤테로 원자를 갖는 유기용매 중 적어도 1종; 및 (3) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭용 또는 세정용 용액의 제조방법으로서,
    헤테로 원자를 갖는 유기용매 중 적어도 1종과 물을 포함하는 혼합액에, 암모니아, 하이드록실 아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종과 플루오르화 수소산으로 형성된 플루오르화물염 및 중플루오르화물염의 고형물을 첨가하여 용해시키는 공정을 가지는 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 암모니아, 하이드록실 아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종 또는 그 플루오르화물염이 수용액의 형태인 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 암모니아, 하이드록실 아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종 또는 그 플루오르화물염의 수용액이, 플루오르화 암모늄의 수용액인 방법.
  6. 제 3 항에 있어서, 상기 고형물이 1수소 2플루오르화 암모늄(NH4F·HF)인 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 얻어지는 용액이 1수소 2플루오르화암모늄, 모노, 디 또는 트리에탄올 아민 중플루오르화물염 및 에틸 아민 중플루오르화물염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종, 에탄올, 이소프로판올(IPA) 및 아세톤으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 헤테로 원자를 갖는 유기용매를 포함하는 함수(含水) 용액인 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 에칭용 또는 세정용 용액이 1수소 2플루오르화 암모늄, 모노에탄올 아민 중플루오르화물염 및 에틸아민 중플루오르화물염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종 0.001∼5질량%, 에탄올, 이소프로판올(IPA) 및 아세톤으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 헤테로 원자를 갖는 유기용매 92∼99.9989질량%, 물 0.0001∼3질량%을 함유하는 용액인 방법.
  9. 헤테로 원자를 갖는 유기용매와 플루오르화수소산 수용액을 혼합하고, 다음에 플루오르화 암모늄 용액을 혼합하는 것을 특징으로 하는 1수소 2플루오르화 암모늄 및 헤테로 원자를 갖는 유기용매를 포함하는 에칭용 또는 세정용 조성물의 제조법.
  10. 플루오르화수소산 수용액과 플루오르화 암모늄 용액을 혼합한 혼합액과 헤테로 원자를 갖는 유기용매를 혼합하고, 석출한 1수소 2플루오르화 암모늄을 여과하는 것을 특징으로 하는 1수소 2플루오르화 암모늄 및 헤테로 원자를 갖는 유기용매를 포함하는 에칭용 또는 세정용 용액의 제조법.
KR1020057017187A 2003-03-17 2004-03-10 에칭용 또는 세정용 용액의 제조법 Expired - Fee Related KR100695246B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2003-00071365 2003-03-17
JP2003071365A JP2004277576A (ja) 2003-03-17 2003-03-17 エッチング用又は洗浄用の溶液の製造法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050109569A KR20050109569A (ko) 2005-11-21
KR100695246B1 true KR100695246B1 (ko) 2007-03-14

Family

ID=33027685

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057017187A Expired - Fee Related KR100695246B1 (ko) 2003-03-17 2004-03-10 에칭용 또는 세정용 용액의 제조법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20060178282A1 (ko)
JP (1) JP2004277576A (ko)
KR (1) KR100695246B1 (ko)
CN (1) CN1759472A (ko)
TW (1) TWI276677B (ko)
WO (1) WO2004084288A1 (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100649418B1 (ko) * 2002-08-22 2006-11-27 다이킨 고교 가부시키가이샤 박리액
JP4580331B2 (ja) 2005-01-20 2010-11-10 メック株式会社 エッチング液と補給液及びこれを用いた導体パターンの形成方法
JP4838613B2 (ja) 2006-03-28 2011-12-14 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
KR100741991B1 (ko) 2006-06-29 2007-07-23 삼성전자주식회사 실리콘 산화물 식각액 및 이를 이용한 콘택홀 형성 방법
KR100818708B1 (ko) * 2006-08-18 2008-04-01 주식회사 하이닉스반도체 표면 세정을 포함하는 반도체소자 제조방법
CN101657887B (zh) * 2007-04-13 2012-02-01 大金工业株式会社 蚀刻液
EP2268765A4 (en) * 2008-03-07 2011-10-26 Advanced Tech Materials UNSELECTIVE OXIDIZE WET CLEANING AGENT AND USE
JP5303994B2 (ja) * 2008-03-31 2013-10-02 東亞合成株式会社 エッチング方法、及び、導電性高分子を有する基板
CN103119693B (zh) * 2010-08-20 2016-05-04 三菱瓦斯化学株式会社 晶体管的制造方法
US9536730B2 (en) 2012-10-23 2017-01-03 Air Products And Chemicals, Inc. Cleaning formulations
CN113214920A (zh) 2015-03-31 2021-08-06 弗萨姆材料美国有限责任公司 清洁制剂
JP6934376B2 (ja) * 2017-09-20 2021-09-15 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2025115562A (ja) * 2024-01-26 2025-08-07 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07201794A (ja) * 1994-01-07 1995-08-04 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法
JPH09197681A (ja) * 1995-11-13 1997-07-31 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト用剥離液組成物
JP2001242642A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4871422A (en) * 1987-01-27 1989-10-03 Olin Corporation Etching solutions containing ammonium fluoride and anionic sulfate esters of alkylphenol polyglycidol ethers and method of etching
US6030932A (en) * 1996-09-06 2000-02-29 Olin Microelectronic Chemicals Cleaning composition and method for removing residues
JP3903215B2 (ja) * 1998-11-24 2007-04-11 ダイキン工業株式会社 エッチング液
AU4314600A (en) * 1999-04-27 2000-11-10 Hiroshi Miwa Glass etching composition and method for frosting using the same
EP1277830A4 (en) * 2000-04-26 2004-08-04 Daikin Ind Ltd DETERGENT COMPOSITION
TW594444B (en) * 2000-09-01 2004-06-21 Tokuyama Corp Residue cleaning solution
JP2003129089A (ja) * 2001-10-24 2003-05-08 Daikin Ind Ltd 洗浄用組成物

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07201794A (ja) * 1994-01-07 1995-08-04 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法
JPH09197681A (ja) * 1995-11-13 1997-07-31 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト用剥離液組成物
JP2001242642A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1759472A (zh) 2006-04-12
JP2004277576A (ja) 2004-10-07
US20060178282A1 (en) 2006-08-10
TW200424290A (en) 2004-11-16
TWI276677B (en) 2007-03-21
KR20050109569A (ko) 2005-11-21
WO2004084288A1 (ja) 2004-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100695246B1 (ko) 에칭용 또는 세정용 용액의 제조법
ES2310677T3 (es) Composiciones acuosas a base de acido fosforico para la limpieza de dispositivos semiconductores.
ES2988486T3 (es) Tensioactivos para electrónica
JP3630168B2 (ja) エッチング液組成物
TWI648430B (zh) 半導體裝置用基板洗淨液及半導體裝置用基板之洗淨方法
JP3903215B2 (ja) エッチング液
JP2019116634A (ja) 表面上の残渣を除去するための洗浄用製剤
JPS6219509B2 (ko)
TWI725022B (zh) 晶圓再生用的包含含碳之矽氧化物的材料之清洗液及清洗方法
JP2009542849A (ja) 表面上の残留物を除去するための洗浄調合物
EP0201808B1 (en) Soluble fluorinated cycloalkane sulfonate surfactant additives for NH4F/HF oxide etchant solutions
TWI902733B (zh) 洗淨液、洗淨方法
KR102375342B1 (ko) Tin 풀-백 및 클리닝 조성물
JP5519728B2 (ja) エッチング方法及びこれに用いられるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法
KR20120068818A (ko) 플라즈마 식각 잔류물 세척액
KR101757639B1 (ko) 실리콘산화막 및 실리콘질화막 에칭액 조성물
KR101294906B1 (ko) 반도체 소자 제조공정의 선택적 식각액
JP2003223010A (ja) 剥離剤組成物
US20060097218A1 (en) Etchants containing filterable surfactant
KR20060050482A (ko) 세정 조성물 및 세정방법
TW202206584A (zh) 用於去除蝕刻殘餘物的清洗液
JP4396267B2 (ja) エッチング剤
JP4474914B2 (ja) レジスト残渣剥離用組成物及びそれを用いた洗浄方法
KR101758766B1 (ko) 매거진 세정액 조성물
CN121825673A (zh) 一种清洗液

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0105 International application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A15-nap-PA0105

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U12-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130227

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140220

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150224

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160219

Year of fee payment: 10

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 10

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170221

Year of fee payment: 11

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20180309

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20180309

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000