JPH07201917A - 回路形成基板とその製造方法 - Google Patents
回路形成基板とその製造方法Info
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- JPH07201917A JPH07201917A JP5336351A JP33635193A JPH07201917A JP H07201917 A JPH07201917 A JP H07201917A JP 5336351 A JP5336351 A JP 5336351A JP 33635193 A JP33635193 A JP 33635193A JP H07201917 A JPH07201917 A JP H07201917A
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- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 回路形成基板の小型化を図りつつ、薄膜金属
電極の剥離防止と接着樹脂の流入防止および接触低抗が
大きくなることの防止をした信頼性の高い回路形成基板
を提供することを目的とする。 【構成】 電気絶縁性基板１と、ＣｒやＮｉ層を介して
電気絶縁性基板１の上面に形成したＣｕからなる薄膜金
属電極４と、この薄膜金属電極４の上面にバンプ６を介
して電気的に接合する半導体ＩＣ５と、半導体ＩＣ５と
電気絶縁性基板１とを接着する接着樹脂７とを備えてお
り、さらに、電気絶縁性基板１の表面は微細な凹凸層の
粗面２を有した構成である。
電極の剥離防止と接着樹脂の流入防止および接触低抗が
大きくなることの防止をした信頼性の高い回路形成基板
を提供することを目的とする。 【構成】 電気絶縁性基板１と、ＣｒやＮｉ層を介して
電気絶縁性基板１の上面に形成したＣｕからなる薄膜金
属電極４と、この薄膜金属電極４の上面にバンプ６を介
して電気的に接合する半導体ＩＣ５と、半導体ＩＣ５と
電気絶縁性基板１とを接着する接着樹脂７とを備えてお
り、さらに、電気絶縁性基板１の表面は微細な凹凸層の
粗面２を有した構成である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子やＩＣなど
の電子部品をフェースダウン実装して搭載するための回
路形成基板とその製造方法に関するものである。
の電子部品をフェースダウン実装して搭載するための回
路形成基板とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子部品の高密度実装により、電
子部品を搭載する回路形成基板と電子部品との電気的接
続の信頼性向上や回路形成基板に設ける配線パターンの
高密度化が要望されている。
子部品を搭載する回路形成基板と電子部品との電気的接
続の信頼性向上や回路形成基板に設ける配線パターンの
高密度化が要望されている。
【０００３】以下、従来の回路形成基板について図面を
参照しながら説明する。図４は従来の回路形成基板を示
す断面図である。図４に示すように、回路形成基板は、
ガラスからなる電気絶縁性基板１１と、その表面に設け
た薄膜金属電極１４と、Ａｕからなるバンプ１６を介し
て薄膜金属電極１４と電気的に接合する半導体ＩＣ１５
と、この半導体ＩＣ１５と電気絶縁性基板１１とを接着
する接着樹脂１７とを有した構成である。
参照しながら説明する。図４は従来の回路形成基板を示
す断面図である。図４に示すように、回路形成基板は、
ガラスからなる電気絶縁性基板１１と、その表面に設け
た薄膜金属電極１４と、Ａｕからなるバンプ１６を介し
て薄膜金属電極１４と電気的に接合する半導体ＩＣ１５
と、この半導体ＩＣ１５と電気絶縁性基板１１とを接着
する接着樹脂１７とを有した構成である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、次のような問題点を有していた。
の構成では、次のような問題点を有していた。
【０００５】一般に、配線幅を小さくして配線数を増や
し、配線パターンの高密度化をする場合、配線の形成方
法としては、薄膜電極金属１４を電気絶縁性基板１１
に、蒸着やスパッタリングやフォトエッチング法によっ
て形成する方法がある。この方法によると、電気絶縁性
基板１１の表面には極力凹凸層がないものが望ましく、
ガラスからなる電気絶縁性基板１１が用いられる。
し、配線パターンの高密度化をする場合、配線の形成方
法としては、薄膜電極金属１４を電気絶縁性基板１１
に、蒸着やスパッタリングやフォトエッチング法によっ
て形成する方法がある。この方法によると、電気絶縁性
基板１１の表面には極力凹凸層がないものが望ましく、
ガラスからなる電気絶縁性基板１１が用いられる。
【０００６】第一の問題点は、ガラスのような凹凸層の
非常に少ない電気絶縁性基板１１に薄膜金属電極１４を
形成すると、薄膜金属電極１４と電気絶縁性基板１１と
を強固に密着接合する手段がなく、電気絶縁性基板１１
への薄膜金属電極１４の密着強度が非常に小さくなり、
薄膜金属電極１４が剥離しやすいというものである。
非常に少ない電気絶縁性基板１１に薄膜金属電極１４を
形成すると、薄膜金属電極１４と電気絶縁性基板１１と
を強固に密着接合する手段がなく、電気絶縁性基板１１
への薄膜金属電極１４の密着強度が非常に小さくなり、
薄膜金属電極１４が剥離しやすいというものである。
【０００７】第二の問題点は、一般に、薄膜金属電極１
４の表面は電気絶縁基板１１の表面に影響を受けるため
に、従来のガラスを用いた電気絶縁性基板１１の場合、
電気絶縁性基板１１の表面を投影した形状が薄膜金属電
極１４の表面に形成され、薄膜金属電極１４の表面は凹
凸が非常に少なくなり鏡面のようになる。このため、電
子部分を回路形成基板に加圧接着する際、バンプ１６と
薄膜金属電極１４の表面間において、薄膜金属電極１４
の摩擦係数が小さくなり、バンプ１６と薄膜金属電極１
４とにズレが生じて、接着樹脂１７が、バンプ１６と薄
膜金属電極１４との間に流入したり、バンプ１６と薄膜
金属電極１４との接合力を弱め、接触抵抗が大きくなっ
たりして、信頼性を悪くするというものである。
４の表面は電気絶縁基板１１の表面に影響を受けるため
に、従来のガラスを用いた電気絶縁性基板１１の場合、
電気絶縁性基板１１の表面を投影した形状が薄膜金属電
極１４の表面に形成され、薄膜金属電極１４の表面は凹
凸が非常に少なくなり鏡面のようになる。このため、電
子部分を回路形成基板に加圧接着する際、バンプ１６と
薄膜金属電極１４の表面間において、薄膜金属電極１４
の摩擦係数が小さくなり、バンプ１６と薄膜金属電極１
４とにズレが生じて、接着樹脂１７が、バンプ１６と薄
膜金属電極１４との間に流入したり、バンプ１６と薄膜
金属電極１４との接合力を弱め、接触抵抗が大きくなっ
たりして、信頼性を悪くするというものである。
【０００８】本願発明は上記問題点を解決するものであ
り、第一の目的としては、薄膜金属電極と電気絶縁性基
板との密着強度を大きくして、薄膜金属電極の剥離防止
を図ること、第二の目的としては、バンプと薄膜金属電
極の間への接着樹脂の流入防止およびバンプと薄膜金属
電極との接合力を強めて、接触抵抗が大きくなることの
防止をした信頼性の高い回路形成基板を提供することに
ある。
り、第一の目的としては、薄膜金属電極と電気絶縁性基
板との密着強度を大きくして、薄膜金属電極の剥離防止
を図ること、第二の目的としては、バンプと薄膜金属電
極の間への接着樹脂の流入防止およびバンプと薄膜金属
電極との接合力を強めて、接触抵抗が大きくなることの
防止をした信頼性の高い回路形成基板を提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の回路形成基板では、前記薄膜金属電極の表面
に凹凸層を有した構成とするものである。
に本発明の回路形成基板では、前記薄膜金属電極の表面
に凹凸層を有した構成とするものである。
【００１０】
【作用】上記構成によって本発明は、次のような作用を
示す回路形成基板を提供することができるものである。
示す回路形成基板を提供することができるものである。
【００１１】第一の作用は次の通りである。すなわち、
薄膜金属電極の表面に凹凸を有するので、バンプと薄膜
金属電極の表面間において、薄膜金属電極の摩擦係数が
大きくなり、電子部品を回路形成基板に加圧接着する
際、バンプが潰れて薄膜金属電極の表面の凹凸層に食い
込み、バンプと薄膜金属電極とが密着接合する。その結
果、電子部品と回路形成基板を接着する接着樹脂が、バ
ンプと薄膜金属電極との間に流入せず、またバンプと薄
膜金属電極との接合力を強め、接触抵抗を小さくするこ
とができる。
薄膜金属電極の表面に凹凸を有するので、バンプと薄膜
金属電極の表面間において、薄膜金属電極の摩擦係数が
大きくなり、電子部品を回路形成基板に加圧接着する
際、バンプが潰れて薄膜金属電極の表面の凹凸層に食い
込み、バンプと薄膜金属電極とが密着接合する。その結
果、電子部品と回路形成基板を接着する接着樹脂が、バ
ンプと薄膜金属電極との間に流入せず、またバンプと薄
膜金属電極との接合力を強め、接触抵抗を小さくするこ
とができる。
【００１２】第二の作用は次の通りである。すなわち、
薄膜金属電極と接触する電気絶縁性基板の表面に凹凸層
を有するので、薄膜金属電極と電気絶縁性基板の表面間
において、電気絶縁基板の表面積が大きくなり、薄膜金
属電極を電気絶縁性基板に形成する際、薄膜金属電極と
電気絶縁性基板との接触面積が大きくなる。その結果、
薄膜金属電極と電気絶縁基板とが強固に密着接合して、
薄膜金属電極の電気絶縁性基板への密着強度が非常に大
きくなり、薄膜金属電極の剥離を防止することができ
る。
薄膜金属電極と接触する電気絶縁性基板の表面に凹凸層
を有するので、薄膜金属電極と電気絶縁性基板の表面間
において、電気絶縁基板の表面積が大きくなり、薄膜金
属電極を電気絶縁性基板に形成する際、薄膜金属電極と
電気絶縁性基板との接触面積が大きくなる。その結果、
薄膜金属電極と電気絶縁基板とが強固に密着接合して、
薄膜金属電極の電気絶縁性基板への密着強度が非常に大
きくなり、薄膜金属電極の剥離を防止することができ
る。
【００１３】
（実施例１）以下、本発明の第１の実施例について図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００１４】図１は本発明の第１の実施例における回路
形成基板を示す断面図である。図１に示すように、回路
形成基板は、ガラスからなる電気絶縁性基板１と、厚さ
０．０５μｍ程度のＣｒやＮｉからなる密着強化層９を
介して電気絶縁基板１の上面に形成した厚さ０．０５〜
３μｍ程度のＣｕからなる薄膜金属電極４とこの薄膜金
属電極４の上面に形成した厚さ０．１μｍ程度のＡｕか
らなるメッキ層１０と、薄膜金属電極４にメッキ層とＡ
ｕからなるバンプ６を介して電気的に接合する半導体Ｉ
Ｃ５と、半導体ＩＣ５と電気絶縁性基板１とを接着する
紫外線硬化樹脂である接着樹脂７とを備えている。さら
に、電気絶縁性基板１の表面は表面粗さ０．０５〜１μ
ｍ程度の微細な凹凸層の粗面２を有し、かつこの粗面２
を含んだ電気絶縁基板１の上層部に電気絶縁性基板１の
構成元素であるナトリウムをカリウムで化学的に置換す
る科学処理を施した表面強化処理層３を有するととも
に、薄膜金属電極４の表面に表面粗さ０．０５〜１μｍ
程度の微細な凹凸層の粗面８を有した構成である。
形成基板を示す断面図である。図１に示すように、回路
形成基板は、ガラスからなる電気絶縁性基板１と、厚さ
０．０５μｍ程度のＣｒやＮｉからなる密着強化層９を
介して電気絶縁基板１の上面に形成した厚さ０．０５〜
３μｍ程度のＣｕからなる薄膜金属電極４とこの薄膜金
属電極４の上面に形成した厚さ０．１μｍ程度のＡｕか
らなるメッキ層１０と、薄膜金属電極４にメッキ層とＡ
ｕからなるバンプ６を介して電気的に接合する半導体Ｉ
Ｃ５と、半導体ＩＣ５と電気絶縁性基板１とを接着する
紫外線硬化樹脂である接着樹脂７とを備えている。さら
に、電気絶縁性基板１の表面は表面粗さ０．０５〜１μ
ｍ程度の微細な凹凸層の粗面２を有し、かつこの粗面２
を含んだ電気絶縁基板１の上層部に電気絶縁性基板１の
構成元素であるナトリウムをカリウムで化学的に置換す
る科学処理を施した表面強化処理層３を有するととも
に、薄膜金属電極４の表面に表面粗さ０．０５〜１μｍ
程度の微細な凹凸層の粗面８を有した構成である。
【００１５】上記構成による回路形成基板について、以
下その特性を説明する。薄膜金属電極４の表面に表面粗
さ０．０５〜１μｍ程度の微細な凹凸層の粗面８を有す
るので、この粗面８上に形成した厚さ０．１μｍ程度の
Ａｕからなるメッキ層１０を介して、Ａｕからなるバン
プ６と薄膜金属電極４の表面間において、薄膜金属電極
４の摩擦係数が大きくなる。すると、電子部品として半
導体ＩＣ５を電気絶縁性基板１に加圧接着する際、バン
プ６が潰れてメッキ層１０とともに薄膜金属電極４の表
面に形成した微細な凹凸層の粗面８に食い込み、バンプ
６と薄膜金属電極４とが密着接合する。その結果、半導
体ＩＣ５と電気絶縁性基板１を接着する紫外線硬化樹脂
である接着樹脂７が、バンプ６と薄膜金属電極４との間
に流入せず、またバンプ６と薄膜金属電極４との接合力
を強め、接触抵抗を小さくすることができる。
下その特性を説明する。薄膜金属電極４の表面に表面粗
さ０．０５〜１μｍ程度の微細な凹凸層の粗面８を有す
るので、この粗面８上に形成した厚さ０．１μｍ程度の
Ａｕからなるメッキ層１０を介して、Ａｕからなるバン
プ６と薄膜金属電極４の表面間において、薄膜金属電極
４の摩擦係数が大きくなる。すると、電子部品として半
導体ＩＣ５を電気絶縁性基板１に加圧接着する際、バン
プ６が潰れてメッキ層１０とともに薄膜金属電極４の表
面に形成した微細な凹凸層の粗面８に食い込み、バンプ
６と薄膜金属電極４とが密着接合する。その結果、半導
体ＩＣ５と電気絶縁性基板１を接着する紫外線硬化樹脂
である接着樹脂７が、バンプ６と薄膜金属電極４との間
に流入せず、またバンプ６と薄膜金属電極４との接合力
を強め、接触抵抗を小さくすることができる。
【００１６】また、薄膜金属電極４と接触する電気絶縁
性基板１の表面に表面粗さ０．０５〜１μｍ程度の微細
な凹凸層の粗面２を有するので、この粗面２上に形成し
た厚さ０．０５μｍ程度のＣｒやＮｉからなる密着強化
層９を介して、薄膜金属電極４と電気絶縁性基板１の表
面間において、電気絶縁性基板１の表面積が大きくな
る。すると、ＣｒやＮｉからなる密着強化層９を介し
て、薄膜金属電極４を電気絶縁性基板１に形成する際、
薄膜金属電極４と電気絶縁性基板１との接触面積が大き
くなる。その結果、薄膜金属電極４と電気絶縁性基板１
とが強固に密着接合して、薄膜金属電極４の電気絶縁性
基板１への密着強度が非常に大きくなり、薄膜金属電極
４の剥離を防止することができる。
性基板１の表面に表面粗さ０．０５〜１μｍ程度の微細
な凹凸層の粗面２を有するので、この粗面２上に形成し
た厚さ０．０５μｍ程度のＣｒやＮｉからなる密着強化
層９を介して、薄膜金属電極４と電気絶縁性基板１の表
面間において、電気絶縁性基板１の表面積が大きくな
る。すると、ＣｒやＮｉからなる密着強化層９を介し
て、薄膜金属電極４を電気絶縁性基板１に形成する際、
薄膜金属電極４と電気絶縁性基板１との接触面積が大き
くなる。その結果、薄膜金属電極４と電気絶縁性基板１
とが強固に密着接合して、薄膜金属電極４の電気絶縁性
基板１への密着強度が非常に大きくなり、薄膜金属電極
４の剥離を防止することができる。
【００１７】さらに、電気絶縁性基板１の微細な凹凸層
の粗面２を含んだ上層部に化学処理を施した表面強化処
理層３を有するので、電気絶縁性基板１の上層部におけ
る対破壊強度が大きくなる。その結果、半導体ＩＣ５を
電気絶縁性基板１に紫外線硬化樹脂である接着樹脂７に
よって加圧接着する際、加圧による薄膜金属電極４への
歪み強度が大きくなっても、その歪みによって薄膜金属
電極４と密着接合する電気絶縁性基板１の粗面２の破壊
や剥がれの発生を防止することができる。
の粗面２を含んだ上層部に化学処理を施した表面強化処
理層３を有するので、電気絶縁性基板１の上層部におけ
る対破壊強度が大きくなる。その結果、半導体ＩＣ５を
電気絶縁性基板１に紫外線硬化樹脂である接着樹脂７に
よって加圧接着する際、加圧による薄膜金属電極４への
歪み強度が大きくなっても、その歪みによって薄膜金属
電極４と密着接合する電気絶縁性基板１の粗面２の破壊
や剥がれの発生を防止することができる。
【００１８】このように本実施例によれば、半導体ＩＣ
５と電気絶縁性基板１を接着する紫外線硬化樹脂である
接着樹脂７が、バンプ６と薄膜金属電極４との間に流入
せず、またバンプ６と薄膜金属電極４との接合力を強
め、接触抵抗を小さくすることができる。
５と電気絶縁性基板１を接着する紫外線硬化樹脂である
接着樹脂７が、バンプ６と薄膜金属電極４との間に流入
せず、またバンプ６と薄膜金属電極４との接合力を強
め、接触抵抗を小さくすることができる。
【００１９】また、薄膜金属電極４と電気絶縁性基板１
とが強固に密着接合して、薄膜金属電極４の電気絶縁性
基板１への密着強度が非常に大きくなり、薄膜金属電極
４の剥離も防止することができる。
とが強固に密着接合して、薄膜金属電極４の電気絶縁性
基板１への密着強度が非常に大きくなり、薄膜金属電極
４の剥離も防止することができる。
【００２０】さらに、半導体ＩＣ５を電気絶縁性基板１
に紫外線硬化樹脂である接着樹脂７によって加圧接着す
る際、加圧による薄膜金属電極４への歪み強度が大きく
なっても、その歪みによって薄膜金属電極４と密着接合
する電気絶縁性基板１の粗面２の破壊や剥がれの発生ま
でも防止することができる。
に紫外線硬化樹脂である接着樹脂７によって加圧接着す
る際、加圧による薄膜金属電極４への歪み強度が大きく
なっても、その歪みによって薄膜金属電極４と密着接合
する電気絶縁性基板１の粗面２の破壊や剥がれの発生ま
でも防止することができる。
【００２１】なお、本実施例では電気絶縁性基板１の表
面強化処理層３は化学処理によって形成するが、熱処理
によって形成しても同様の効果を得ることができる。
面強化処理層３は化学処理によって形成するが、熱処理
によって形成しても同様の効果を得ることができる。
【００２２】また、本実施例ではフェースダウン実装に
おけるマイクロバンプ実装の構成について説明したが、
その他のフェースダウン実装の構成においても同様の効
果を得ることができる。
おけるマイクロバンプ実装の構成について説明したが、
その他のフェースダウン実装の構成においても同様の効
果を得ることができる。
【００２３】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について図面を参照しながら説明する。
について図面を参照しながら説明する。
【００２４】図２は回路形成基板の製造方法を示す工程
図である。図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示す
ように、回路形成基板の製造方法は、高圧ガスによって
ガラスやＳｉＣなどの微粒子を吹きつけるサンドブラス
ト法や粒径１μｍ程度のアルミナ微粒子などによる研磨
によって、ガラスからなる電気絶縁性基板１の表面に表
面粗さ０．０５〜１μｍ程度の微細な凹凸層の粗面２を
形成する第１工程と、電気絶縁性基板１の構成元素であ
るナトリウムをカリウムで化学的に置換する化学処理を
施した表面強化処理層３上に粗面２を含んだ電気絶縁性
基板１の上層部に形成する第２工程と、薄膜金属電極４
と電気絶縁性基板１との密着性を高めるために、電気絶
縁性基板１上に厚さ０．０５μｍ程度のＣｒやＮｉから
なる密着層９を形成する第３工程と、このＣｒやＮｉか
らなる密着層９上に厚さ０．３〜２μｍ程度のＡｌやＣ
ｕからなる薄膜金属電極４を形成し、フォトエッチング
によって所望の配線パターンに加工する第４工程と、こ
の薄膜金属電極４上に腐食防止のために厚さ０．１μｍ
程度のＡｕからなるメッキ層１０を形成する第５工程と
を有した構成である。この工程後に、図１（Ｅ）に示す
ように、メッキ層１０とＡｕからなるバンプ６を介して
薄膜金属電極４に電気的に接合する半導体ＩＣ５を電気
絶縁性基板１に紫外線硬化樹脂である接着樹脂７によっ
て加圧接着する工程を有して、回路形成基板に半導体Ｉ
Ｃ５を形成する。
図である。図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示す
ように、回路形成基板の製造方法は、高圧ガスによって
ガラスやＳｉＣなどの微粒子を吹きつけるサンドブラス
ト法や粒径１μｍ程度のアルミナ微粒子などによる研磨
によって、ガラスからなる電気絶縁性基板１の表面に表
面粗さ０．０５〜１μｍ程度の微細な凹凸層の粗面２を
形成する第１工程と、電気絶縁性基板１の構成元素であ
るナトリウムをカリウムで化学的に置換する化学処理を
施した表面強化処理層３上に粗面２を含んだ電気絶縁性
基板１の上層部に形成する第２工程と、薄膜金属電極４
と電気絶縁性基板１との密着性を高めるために、電気絶
縁性基板１上に厚さ０．０５μｍ程度のＣｒやＮｉから
なる密着層９を形成する第３工程と、このＣｒやＮｉか
らなる密着層９上に厚さ０．３〜２μｍ程度のＡｌやＣ
ｕからなる薄膜金属電極４を形成し、フォトエッチング
によって所望の配線パターンに加工する第４工程と、こ
の薄膜金属電極４上に腐食防止のために厚さ０．１μｍ
程度のＡｕからなるメッキ層１０を形成する第５工程と
を有した構成である。この工程後に、図１（Ｅ）に示す
ように、メッキ層１０とＡｕからなるバンプ６を介して
薄膜金属電極４に電気的に接合する半導体ＩＣ５を電気
絶縁性基板１に紫外線硬化樹脂である接着樹脂７によっ
て加圧接着する工程を有して、回路形成基板に半導体Ｉ
Ｃ５を形成する。
【００２５】上記構成による回路形成基板について、以
下その特性を説明する。電気絶縁性基板１の微細な凹凸
層の粗面２を形成することにより、その上に形成する薄
膜金属電極４は電気絶縁性基板１の表面に影響を受け
て、薄膜金属電極４の表面にも微細な凹凸層の粗面８を
形成する。この結果、実施例１における回路形成基板を
容易に製造することができる。
下その特性を説明する。電気絶縁性基板１の微細な凹凸
層の粗面２を形成することにより、その上に形成する薄
膜金属電極４は電気絶縁性基板１の表面に影響を受け
て、薄膜金属電極４の表面にも微細な凹凸層の粗面８を
形成する。この結果、実施例１における回路形成基板を
容易に製造することができる。
【００２６】このように本実施例では、サンドブラスト
法や研磨によって電気絶縁性基板１の表面に微細な凹凸
層を形成することにより、電気絶縁性基板１と薄膜金属
電極４との表面に微細な凹凸層の粗面２、粗面８を形成
するので、実施例１における回路形成基板を容易に製造
できる。
法や研磨によって電気絶縁性基板１の表面に微細な凹凸
層を形成することにより、電気絶縁性基板１と薄膜金属
電極４との表面に微細な凹凸層の粗面２、粗面８を形成
するので、実施例１における回路形成基板を容易に製造
できる。
【００２７】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
について図面を参照しながら説明する。
について図面を参照しながら説明する。
【００２８】第３の実施例は第２の実施例における回路
形成基板の製造方法を改良したものである。第３の実施
例における回路形成基板の製造方法は、第２の実施例に
おける回路形成基板の製造方法と略同等であるが、電気
絶縁性基板１の表面に微細な凹凸層の粗面２を形成せず
に、薄膜金属電極４の表面に微細な凹凸層の粗面８を形
成するものである。
形成基板の製造方法を改良したものである。第３の実施
例における回路形成基板の製造方法は、第２の実施例に
おける回路形成基板の製造方法と略同等であるが、電気
絶縁性基板１の表面に微細な凹凸層の粗面２を形成せず
に、薄膜金属電極４の表面に微細な凹凸層の粗面８を形
成するものである。
【００２９】図３は回路形成基板の製造方法を示す工程
図である。図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、回路形成
基板の製造方法は、薄膜金属電極４と電気絶縁性基板１
との密着性を高めるために、電気絶縁性基板１上に厚さ
０．０５μｍ程度のＣｒやＮｉからなる密着層９を形成
する第１工程と、このＣｒやＮｉからなる密着層９上に
厚さ０．３〜２μｍ程度のＡｌやＣｕからなる薄膜金属
電極４を形成し、フォトエッチングによって所望の配線
パターンに加工する第２工程と、この薄膜金属電極４の
表面に厚さ１μｍのＮｉからなるメッキ層１０を形成す
る第３工程と、高圧ガスによってガラスやＳｉＣなどの
微粒子を吹きつけるサンドブラスト法や粒径１μｍ程度
のアルミナ微粒子などによる研磨によってＮｉからなる
メッキ層の表面に０．０５〜１μｍ程度の微細な凹凸層
の粗面２を形成する第４工程と、この粗面８上に腐食防
止のために厚さ０．１μｍ程度のＡｕからなるメッキ層
１０を形成する第５工程とを有した構成である。この工
程後に、図３（Ｃ）に示すように、メッキ層とＡｕから
なるバンプ６を介して薄膜金属電極４に電気的に接合す
る半導体ＩＣ５を電気絶縁性基板１に紫外線硬化樹脂で
ある接着樹脂７によって加圧接着する工程を有して、回
路形成基板に半導体ＩＣ５を実装する。
図である。図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、回路形成
基板の製造方法は、薄膜金属電極４と電気絶縁性基板１
との密着性を高めるために、電気絶縁性基板１上に厚さ
０．０５μｍ程度のＣｒやＮｉからなる密着層９を形成
する第１工程と、このＣｒやＮｉからなる密着層９上に
厚さ０．３〜２μｍ程度のＡｌやＣｕからなる薄膜金属
電極４を形成し、フォトエッチングによって所望の配線
パターンに加工する第２工程と、この薄膜金属電極４の
表面に厚さ１μｍのＮｉからなるメッキ層１０を形成す
る第３工程と、高圧ガスによってガラスやＳｉＣなどの
微粒子を吹きつけるサンドブラスト法や粒径１μｍ程度
のアルミナ微粒子などによる研磨によってＮｉからなる
メッキ層の表面に０．０５〜１μｍ程度の微細な凹凸層
の粗面２を形成する第４工程と、この粗面８上に腐食防
止のために厚さ０．１μｍ程度のＡｕからなるメッキ層
１０を形成する第５工程とを有した構成である。この工
程後に、図３（Ｃ）に示すように、メッキ層とＡｕから
なるバンプ６を介して薄膜金属電極４に電気的に接合す
る半導体ＩＣ５を電気絶縁性基板１に紫外線硬化樹脂で
ある接着樹脂７によって加圧接着する工程を有して、回
路形成基板に半導体ＩＣ５を実装する。
【００３０】上記構成による回路形成基板について、以
下その特性を説明する。実施例２における回路形成基板
の製造方法において、薄膜金属電極４と電気絶縁性基板
１との間で、薄膜金属電極４の剥離の恐れがない場合
は、本実施例のように薄膜金属電極４上に直接微細な凹
凸層の粗面８を形成することにより、回路形成基板の製
造方法をより容易にすることができる。
下その特性を説明する。実施例２における回路形成基板
の製造方法において、薄膜金属電極４と電気絶縁性基板
１との間で、薄膜金属電極４の剥離の恐れがない場合
は、本実施例のように薄膜金属電極４上に直接微細な凹
凸層の粗面８を形成することにより、回路形成基板の製
造方法をより容易にすることができる。
【００３１】このように本実施例によれば、薄膜金属電
極４と電気絶縁性基板１との間で、薄膜金属電極４の剥
離の恐れがない場合は、薄膜金属電極４上に直接微細な
凹凸層の粗面８を形成することにより、回路形成基板の
製造方法をより容易にすることができる。
極４と電気絶縁性基板１との間で、薄膜金属電極４の剥
離の恐れがない場合は、薄膜金属電極４上に直接微細な
凹凸層の粗面８を形成することにより、回路形成基板の
製造方法をより容易にすることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、電気絶縁
性基板上に薄膜金属電極を形成することにより回路形成
基板の小型化を図りつつ、薄膜金属電極と電気絶縁性基
板との密着強度を大きくして、薄膜金属電極の剥離防止
と、バンプと薄膜金属電極の間への接着樹脂の流入防止
およびバンプと薄膜金属電極との接合力を強めて、接触
抵抗が大きくなることの防止をした信頼性の高い回路形
成基板を提供することができるものである。
性基板上に薄膜金属電極を形成することにより回路形成
基板の小型化を図りつつ、薄膜金属電極と電気絶縁性基
板との密着強度を大きくして、薄膜金属電極の剥離防止
と、バンプと薄膜金属電極の間への接着樹脂の流入防止
およびバンプと薄膜金属電極との接合力を強めて、接触
抵抗が大きくなることの防止をした信頼性の高い回路形
成基板を提供することができるものである。
【図１】本発明の第１の実施例における電子部品を搭載
した回路形成基板を示す断面図
した回路形成基板を示す断面図
【図２】本発明の第２の実施例における電子部品を搭載
した回路形成基板の製造方法を示す工程図
した回路形成基板の製造方法を示す工程図
【図３】本発明の第３の実施例における電子部品を搭載
した回路形成基板の製造方法を示す工程図
した回路形成基板の製造方法を示す工程図
【図４】従来の電子部品を搭載した回路形成基板を示す
断面図
断面図
１ 電気絶縁性基板 ２ 粗面 ３ 表面強化処理層 ４ 薄膜金属電極 ５ 半導体ＩＣ ６ バンプ ７ 接着樹脂 ８ 粗面 ９ 密着層 １０ メッキ層
Claims (5)
- 【請求項１】 電気絶縁性基板と、前記電気絶縁性基板
の表面に設けた薄膜金属電極と、前記薄膜金属電極にバ
ンプを介して電気的に接合した電子部品とを備え、前記
薄膜金属電極の表面に凹凸層を形成した回路形成基板。 - 【請求項２】 薄膜金属電極と接触する電気絶縁性基板
の表面に凹凸層を形成した請求項１記載の回路形成基
板。 - 【請求項３】 電気絶縁性基板の凹凸層を含んだ上層部
に表面強化処理層を有した請求項２記載の回路形成基
板。 - 【請求項４】 電気絶縁性基板の表面に薄膜金属電極を
形成し、前記薄膜金属電極にバンプを介して電子部品を
接合する工程において、前記電気絶縁性基板の表面に前
記薄膜金属電極を形成する前に、前記電気絶縁性基板の
表面に微細な凹凸層を形成する凹凸層形成工程を有した
回路形成基板の製造方法。 - 【請求項５】 凹凸層形成工程の後、電気絶縁性基板の
凹凸層を含んだ上層部に表面強化処理層を形成する表面
強化処理工程を設ける請求項４記載の回路形成基板の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5336351A JPH07201917A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 回路形成基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5336351A JPH07201917A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 回路形成基板とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201917A true JPH07201917A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18298232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5336351A Pending JPH07201917A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 回路形成基板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07201917A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6538335B2 (en) | 2001-01-29 | 2003-03-25 | Nec Corporation | Semiconductor apparatus and a semiconductor device mounting method |
| JP2003526937A (ja) * | 2000-03-10 | 2003-09-09 | チップパック，インク． | フリップチップ接合構造 |
| KR100688755B1 (ko) * | 2005-03-21 | 2007-03-02 | 삼성전기주식회사 | Ｂｇａ 인쇄회로기판의 솔더 볼 패드 형성방법 및 이로부터제조된 ｂｇａ 인쇄회로기판 |
| JP2007150374A (ja) * | 1997-03-21 | 2007-06-14 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びフィルムキャリアテープ並びにこれらの製造方法 |
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| US7705315B2 (en) | 1998-06-18 | 2010-04-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
| CN1897097B (zh) | 2005-07-11 | 2010-05-12 | 三星电子株式会社 | 驱动电路、方法、以及具有该驱动电路的显示装置 |
| JP2011159725A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Toppan Printing Co Ltd | 太陽電池モジュール用基材とその製造方法、太陽電池モジュール |
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| JP2012142553A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Ind Technol Res Inst | デカップリングデバイス |
| US8258625B2 (en) | 2007-04-06 | 2012-09-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| JP2013048290A (ja) * | 2012-11-09 | 2013-03-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 部品内蔵配線板 |
| US8987901B2 (en) | 2007-11-01 | 2015-03-24 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Component built-in wiring board and manufacturing method of component built-in wiring board |
| US10388626B2 (en) | 2000-03-10 | 2019-08-20 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of forming flipchip interconnect structure |
| CN119069447A (zh) * | 2024-09-25 | 2024-12-03 | 润芯感知科技(南昌)有限公司 | 封装结构及其制作方法和电子产品 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP5336351A patent/JPH07201917A/ja active Pending
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