JPH07202396A - 回路基板装置の製造方法 - Google Patents
回路基板装置の製造方法Info
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- JPH07202396A JPH07202396A JP1580294A JP1580294A JPH07202396A JP H07202396 A JPH07202396 A JP H07202396A JP 1580294 A JP1580294 A JP 1580294A JP 1580294 A JP1580294 A JP 1580294A JP H07202396 A JPH07202396 A JP H07202396A
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistors, capacitors or inductors
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 回路基板におけるランドを分割する半田流動
阻止用ダムを容易に厚く形成することができる方法を提
供する。 【構成】 回路基板１にランド３、４を形成すると共に
配線導体２を形成する。次に、クロスオーバーガラス層
５を配線導体２の上に形成すると同時にクロスオーバー
ガラスによる第１の半田流動阻止用ダム５ａをランド４
の上に形成する。クロスオーバーガラス層５の上にクロ
スオーバー配線導体２ａを形成する。厚膜抵抗体層６を
形成すると同時に厚膜抵抗体から第２の半田流動阻止用
ダム６ａを形成する。
阻止用ダムを容易に厚く形成することができる方法を提
供する。 【構成】 回路基板１にランド３、４を形成すると共に
配線導体２を形成する。次に、クロスオーバーガラス層
５を配線導体２の上に形成すると同時にクロスオーバー
ガラスによる第１の半田流動阻止用ダム５ａをランド４
の上に形成する。クロスオーバーガラス層５の上にクロ
スオーバー配線導体２ａを形成する。厚膜抵抗体層６を
形成すると同時に厚膜抵抗体から第２の半田流動阻止用
ダム６ａを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、混成集積回路等のクロ
スオーバー配線導体を有する回路基板装置の製造方法に
関する。
スオーバー配線導体を有する回路基板装置の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】混成集積回路を製造する際に、使用する
電子部品（例えばＩＣ）を、実質的に同一な電気的特性
を有しているにも拘らず寸法が幾らか相違するものに変
えなければならないことがしばしば生じる。この場合、
電子部品に合せて回路基板の部品取付用ランドのパター
ンを換えれば必然的に混成集積回路がコスト高になる。
電子部品（例えばＩＣ）を、実質的に同一な電気的特性
を有しているにも拘らず寸法が幾らか相違するものに変
えなければならないことがしばしば生じる。この場合、
電子部品に合せて回路基板の部品取付用ランドのパター
ンを換えれば必然的に混成集積回路がコスト高になる。
【０００３】この問題を解決するために、複数種の電子
部品に適合するように部品取付用ランドを大きめに予め
設けておくことが考えられる。しかし、部品取付用ラン
ドを大面積に形成すると、ここに塗布されるクリーム半
田（ペースト状半田）の量も多くなり、リフロー半田付
け時に部品取付用ランドから半田が流出して端子間短絡
を起こしたり、電子部品のリード端子の位置ずれを生じ
させることがある。この種の問題を解決するために、部
品取付用ランドを半田レジストで分割し、複数種の電子
部品（ＩＣ）に対応させることが例えば実開昭６２−１
９６３７６号公報に開示されている。
部品に適合するように部品取付用ランドを大きめに予め
設けておくことが考えられる。しかし、部品取付用ラン
ドを大面積に形成すると、ここに塗布されるクリーム半
田（ペースト状半田）の量も多くなり、リフロー半田付
け時に部品取付用ランドから半田が流出して端子間短絡
を起こしたり、電子部品のリード端子の位置ずれを生じ
させることがある。この種の問題を解決するために、部
品取付用ランドを半田レジストで分割し、複数種の電子
部品（ＩＣ）に対応させることが例えば実開昭６２−１
９６３７６号公報に開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ランドの分
割を半田レジストで行うと、分割のための工程が必要に
なり、回路基板装置が必然的にコスト高になる。また、
半田レジストで分割する場合には、この分割領域の高さ
がさほど高くならず、半田の流れを十分に阻止すること
ができなかった。
割を半田レジストで行うと、分割のための工程が必要に
なり、回路基板装置が必然的にコスト高になる。また、
半田レジストで分割する場合には、この分割領域の高さ
がさほど高くならず、半田の流れを十分に阻止すること
ができなかった。
【０００５】そこで、本発明の目的は、ランドに半田流
動阻止用ダムを有する回路基板装置を容易に得ることが
できる製造方法を提供することにある。
動阻止用ダムを有する回路基板装置を容易に得ることが
できる製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、クロスオーバー配線導体を有する回路基板
装置の製造方法において、回路基板の表面上に電子部品
を半田によって取付けるための部品取付用ランドを設け
且つ配線導体を設ける工程と、少なくとも前記配線導体
の前記クロスオーバー配線導体を設ける部分の上にクロ
スオーバーガラス層を設けると同時に前記部品取付用ラ
ンドを複数に分割するように前記クロスオーバーガラス
層と同一のガラスから成る半田流動阻止用ダムを設ける
工程とを有する回路基板装置の製造方法に係わるもので
ある。
の本発明は、クロスオーバー配線導体を有する回路基板
装置の製造方法において、回路基板の表面上に電子部品
を半田によって取付けるための部品取付用ランドを設け
且つ配線導体を設ける工程と、少なくとも前記配線導体
の前記クロスオーバー配線導体を設ける部分の上にクロ
スオーバーガラス層を設けると同時に前記部品取付用ラ
ンドを複数に分割するように前記クロスオーバーガラス
層と同一のガラスから成る半田流動阻止用ダムを設ける
工程とを有する回路基板装置の製造方法に係わるもので
ある。
【０００７】
【発明の作用及び効果】本発明においてはランドを分割
する半田流動阻止用ダムをクロスオーバー配線部のクロ
スオーバーガラス層の形成と同時に形成する。従って、
独立したランド分割のための工程が不要になり、回路基
板装置のコストの低減が可能になる。また、半田流動阻
止用ダムはクロスオーバーガラス層と同一のガラスで形
成されるので、半田レジストに比べて厚く形成すること
ができ、高さの高い半田流動阻止用ダムが容易に得られ
る。
する半田流動阻止用ダムをクロスオーバー配線部のクロ
スオーバーガラス層の形成と同時に形成する。従って、
独立したランド分割のための工程が不要になり、回路基
板装置のコストの低減が可能になる。また、半田流動阻
止用ダムはクロスオーバーガラス層と同一のガラスで形
成されるので、半田レジストに比べて厚く形成すること
ができ、高さの高い半田流動阻止用ダムが容易に得られ
る。
【０００８】
【実施例】次に、図１〜図５を参照して本発明の実施例
に係わる混成集積回路基板装置の製造方法を説明する。
まず、図１に示すように、アルミナ磁器基板から成る回
路基板１上に配線導体２、一方の側の部品取付用ランド
３及び他方の側の部品取付用ランド４を設ける。一方の
側の部品取付用ランド３と他方の側の部品取付用ランド
４とはＩＣ等の電子部品のリード端子に対応するように
配置されている。一方の側の部品取付用ランド３は複数
種の電子部品で共通に使用するように形成されている。
他方の側の部品取付用ランド４は複数種の電子部品に対
応することができるように長めに形成されている。
に係わる混成集積回路基板装置の製造方法を説明する。
まず、図１に示すように、アルミナ磁器基板から成る回
路基板１上に配線導体２、一方の側の部品取付用ランド
３及び他方の側の部品取付用ランド４を設ける。一方の
側の部品取付用ランド３と他方の側の部品取付用ランド
４とはＩＣ等の電子部品のリード端子に対応するように
配置されている。一方の側の部品取付用ランド３は複数
種の電子部品で共通に使用するように形成されている。
他方の側の部品取付用ランド４は複数種の電子部品に対
応することができるように長めに形成されている。
【０００９】次に、図２に示すように、配線導体２の上
にクロスオーバーガラス層５を形成すると同時に、他方
の側の部品取付用ランド４を分割するようにクロスオー
バーガラス層５と同一のガラス材料から成る第１の半田
流動阻止用ダム５ａを短冊状に形成する。なお、クロス
オーバーガラス層５及び第１の半田流動阻止用ダム５ａ
は周知の方法でガラスペーストを印刷し、焼成すること
によって形成する。第１の半田流動阻止用ダム５ａはク
ロスオーバーガラス層５と同一の工程で形成されるため
に、コストの低減が図られる。
にクロスオーバーガラス層５を形成すると同時に、他方
の側の部品取付用ランド４を分割するようにクロスオー
バーガラス層５と同一のガラス材料から成る第１の半田
流動阻止用ダム５ａを短冊状に形成する。なお、クロス
オーバーガラス層５及び第１の半田流動阻止用ダム５ａ
は周知の方法でガラスペーストを印刷し、焼成すること
によって形成する。第１の半田流動阻止用ダム５ａはク
ロスオーバーガラス層５と同一の工程で形成されるため
に、コストの低減が図られる。
【００１０】次に、クロスオーバーガラス層５の上にク
ロスオーバー配線導体２ａを形成する。
ロスオーバー配線導体２ａを形成する。
【００１１】次に、斜線を付して示すように、抵抗ペー
ストを印刷し、焼成することによって厚膜抵抗体層６と
これと同一の厚膜抵抗体から成る第２の半田流動阻止用
ダム６ａを形成する。第２の半田流動阻止用ダム６ａ
は、他方の側の部品取付用ランド４を長手方向において
２つに分割するようにクロスオーバーガラスから成る第
１の半田流動阻止用ダム５ａの上に配設する。これによ
り、クロスオーバーガラスから成る第１の半田流動阻止
用ダム５ａと厚膜抵抗体から成る第２の半田流動阻止用
ダム６ａとから成る半田流動阻止用ダム７が得られ、リ
ードランド４は第１のランド部４ａと第２のランド部４
ｂに分割される。クロスオーバーガラスから成る第１の
半田流動阻止用ダム５ａは約２０μｍの厚さを有し、厚
膜抵抗体から成る第２の半田流動阻止用ダム６ａは約１
３μｍの厚さを有するので、ランド分割領域における半
田流動阻止用ダム７の高さは全体で約３３μｍとなる。
クロスオーバーガラス層５を２層に形成する場合には第
１の半田流動阻止用ダム５ａが更に高くなり、例えば５
３μｍになる。
ストを印刷し、焼成することによって厚膜抵抗体層６と
これと同一の厚膜抵抗体から成る第２の半田流動阻止用
ダム６ａを形成する。第２の半田流動阻止用ダム６ａ
は、他方の側の部品取付用ランド４を長手方向において
２つに分割するようにクロスオーバーガラスから成る第
１の半田流動阻止用ダム５ａの上に配設する。これによ
り、クロスオーバーガラスから成る第１の半田流動阻止
用ダム５ａと厚膜抵抗体から成る第２の半田流動阻止用
ダム６ａとから成る半田流動阻止用ダム７が得られ、リ
ードランド４は第１のランド部４ａと第２のランド部４
ｂに分割される。クロスオーバーガラスから成る第１の
半田流動阻止用ダム５ａは約２０μｍの厚さを有し、厚
膜抵抗体から成る第２の半田流動阻止用ダム６ａは約１
３μｍの厚さを有するので、ランド分割領域における半
田流動阻止用ダム７の高さは全体で約３３μｍとなる。
クロスオーバーガラス層５を２層に形成する場合には第
１の半田流動阻止用ダム５ａが更に高くなり、例えば５
３μｍになる。
【００１２】次に、図３及び図４に示すように、一方の
側の部品取付用ランド３及び他方の側の第１及び第２の
ランド部４ａ、４ｂ、リードランド（図示せず）等を除
いた領域にオーバーコートガラス層８を形成する。以上
の工程で製作された回路基板装置は、図４に示す幅の狭
い第１の電子部品９ａと図５に示す幅の広い電子部品９
ｂとの両方に適合する。
側の部品取付用ランド３及び他方の側の第１及び第２の
ランド部４ａ、４ｂ、リードランド（図示せず）等を除
いた領域にオーバーコートガラス層８を形成する。以上
の工程で製作された回路基板装置は、図４に示す幅の狭
い第１の電子部品９ａと図５に示す幅の広い電子部品９
ｂとの両方に適合する。
【００１３】図３及び図４はＳＯＰ型パッケージＩＣか
ら成る幅の狭い第１の電子部品９ａを搭載した状態を示
す。この電子部品９ａは平板状本体部１０から左右対称
に導出された複数本のリード端子１１、１２を有する。
一方の側のリード端子１１は、一方の側の部品取付用ラ
ンド３に半田１３で固着され、他方の側のリード端子１
２は第１のランド４ａに半田１３で固着されている。一
方及び他方の側のリード端子１１、１２の半田付けは、
クリーム半田（ペースト状半田）をランド３及び４ａに
印刷し、このクリーム半田のリフローによって行う。リ
ード端子１２のための第１のランド部４ａは、ランド４
を半田流動阻止用ダム７によって分割した部分であるの
で、この第１のランド部４ａの半田の量は比較的少な
い。従って、リード端子１２の相互間の短絡や、半田１
３のかたよりに基づくリード端子１２の位置ずれを防ぐ
ことができる。
ら成る幅の狭い第１の電子部品９ａを搭載した状態を示
す。この電子部品９ａは平板状本体部１０から左右対称
に導出された複数本のリード端子１１、１２を有する。
一方の側のリード端子１１は、一方の側の部品取付用ラ
ンド３に半田１３で固着され、他方の側のリード端子１
２は第１のランド４ａに半田１３で固着されている。一
方及び他方の側のリード端子１１、１２の半田付けは、
クリーム半田（ペースト状半田）をランド３及び４ａに
印刷し、このクリーム半田のリフローによって行う。リ
ード端子１２のための第１のランド部４ａは、ランド４
を半田流動阻止用ダム７によって分割した部分であるの
で、この第１のランド部４ａの半田の量は比較的少な
い。従って、リード端子１２の相互間の短絡や、半田１
３のかたよりに基づくリード端子１２の位置ずれを防ぐ
ことができる。
【００１４】なお、半田流動阻止用ダム７におけるクロ
スオーバーガラスから成る第１の半田流動阻止用ダム５
ａはオーバーコートガラス層８よりも厚く形成すること
ができるので、半田流動の阻止機能をほぼ十分に備えて
いる。本実施例では更に厚膜抵抗体から成る第２の半田
流動阻止用ダム６ａも有するので、半田流動の阻止がよ
り確実に達成される。なお、第２の半田流動阻止用ダム
６ａは厚膜抵抗体層６の形成と同時に形成されるので、
これを設けることによるコストの増大はほとんどない。
スオーバーガラスから成る第１の半田流動阻止用ダム５
ａはオーバーコートガラス層８よりも厚く形成すること
ができるので、半田流動の阻止機能をほぼ十分に備えて
いる。本実施例では更に厚膜抵抗体から成る第２の半田
流動阻止用ダム６ａも有するので、半田流動の阻止がよ
り確実に達成される。なお、第２の半田流動阻止用ダム
６ａは厚膜抵抗体層６の形成と同時に形成されるので、
これを設けることによるコストの増大はほとんどない。
【００１５】幅広の第２の電子部品９ｂを搭載する場合
には、一方のリード端子１１を図５に示すように共通の
ランド３に半田１３で固着し、他方のリード端子１２を
第２のランド部４ａに半田１３で固着する。第２の電子
部品９ｂのリード端子１１、１２の相互間隔（ピッチ）
は第１の電子部品８ａとほぼ同一又は整数倍であるが、
幅は第１の電子部品９ａよりも大きい。
には、一方のリード端子１１を図５に示すように共通の
ランド３に半田１３で固着し、他方のリード端子１２を
第２のランド部４ａに半田１３で固着する。第２の電子
部品９ｂのリード端子１１、１２の相互間隔（ピッチ）
は第１の電子部品８ａとほぼ同一又は整数倍であるが、
幅は第１の電子部品９ａよりも大きい。
【００１６】この第２の電子部品９ｂをリフロー半田付
けする際にも半田１３に基づくリード端子１２の相互間
の短絡やリード端子１２の位置ずれが半田流動阻止用ダ
ム７の働きで阻止される。
けする際にも半田１３に基づくリード端子１２の相互間
の短絡やリード端子１２の位置ずれが半田流動阻止用ダ
ム７の働きで阻止される。
【００１７】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 一方の側の部品取付用ランド３もリード端子１
１の延びる方向に長手に形成し、ここにも半田流動阻止
用ダム７と同様なものを設けてもよい。 （２） 図５で破線で示すように半田流動阻止用ダム７
の厚膜抵抗体から成る第２の半田流動阻止用ダム６ａの
上にオーバーコートガラス層８を設けてもよい。また、
第２の半田流動阻止用ダム６ａを省いて単層又は複数層
のクロスオーバーガラスから成る第１の半田流動阻止用
ダム５ａのみとしてもよい。また、クロスオーバーガラ
スから成る第１の半田流動阻止用ダム５ａとオーバーコ
ートガラス層８との組み合わせで半田流動阻止用ダム７
を形成してもよい。 （３） 回路基板１をアルミナ基板以外の種々の基板に
置き換えることができる。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 一方の側の部品取付用ランド３もリード端子１
１の延びる方向に長手に形成し、ここにも半田流動阻止
用ダム７と同様なものを設けてもよい。 （２） 図５で破線で示すように半田流動阻止用ダム７
の厚膜抵抗体から成る第２の半田流動阻止用ダム６ａの
上にオーバーコートガラス層８を設けてもよい。また、
第２の半田流動阻止用ダム６ａを省いて単層又は複数層
のクロスオーバーガラスから成る第１の半田流動阻止用
ダム５ａのみとしてもよい。また、クロスオーバーガラ
スから成る第１の半田流動阻止用ダム５ａとオーバーコ
ートガラス層８との組み合わせで半田流動阻止用ダム７
を形成してもよい。 （３） 回路基板１をアルミナ基板以外の種々の基板に
置き換えることができる。
【図１】本発明の実施例の回路基板にランドを配線導体
に形成したものを示す平面図である。
に形成したものを示す平面図である。
【図２】図１の回路基板上にクロスオーバーガラス層と
半田流動阻止用ダムと厚膜抵抗体層とクロスオーバー配
線導体とを形成したものを示す平面図である。
半田流動阻止用ダムと厚膜抵抗体層とクロスオーバー配
線導体とを形成したものを示す平面図である。
【図３】図２の回路基板の上にオーバーコートガラス層
を形成し且つ電子部品を配置したものを示す平面図であ
る。
を形成し且つ電子部品を配置したものを示す平面図であ
る。
【図４】図３のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】図４の第１の電子部品の代りに第２の電子部品
を搭載したものを示す断面図である。
を搭載したものを示す断面図である。
２ 配線導体 ４ ランド ５ クロスオーバーガラス層 ５ａ 第１の半田流動阻止用ダム
Claims (1)
- 【請求項１】 クロスオーバー配線導体を有する回路基
板装置の製造方法において、 回路基板の表面上に電子部品を半田によって取付けるた
めの部品取付用ランドを設け且つ配線導体を設ける工程
と、 少なくとも前記配線導体の前記クロスオーバー配線導体
を設ける部分の上にクロスオーバーガラス層を設けると
同時に前記部分取付用ランドを複数に分割するように前
記クロスオーバーガラス層と同一のガラスから成る半田
流動阻止用ダムを設ける工程とを有することを特徴とす
る回路基板装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6015802A JP2528436B2 (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 回路基板装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6015802A JP2528436B2 (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 回路基板装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07202396A true JPH07202396A (ja) | 1995-08-04 |
| JP2528436B2 JP2528436B2 (ja) | 1996-08-28 |
Family
ID=11898975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6015802A Expired - Lifetime JP2528436B2 (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 回路基板装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2528436B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5088556A (ja) * | 1973-12-11 | 1975-07-16 | ||
| JPS58191421A (ja) * | 1982-05-04 | 1983-11-08 | Nec Corp | 化合物半導体成長用基板と化合物半導体の製造方法 |
| JPS6184905A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-04-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | アンテナ装置 |
-
1994
- 1994-01-14 JP JP6015802A patent/JP2528436B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5088556A (ja) * | 1973-12-11 | 1975-07-16 | ||
| JPS58191421A (ja) * | 1982-05-04 | 1983-11-08 | Nec Corp | 化合物半導体成長用基板と化合物半導体の製造方法 |
| JPS6184905A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-04-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | アンテナ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2528436B2 (ja) | 1996-08-28 |
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