JPH07204876A - Ｉｃ表面保護膜の穴あけ装置及びこの装置を用いた穴あけ方法 - Google Patents
Ｉｃ表面保護膜の穴あけ装置及びこの装置を用いた穴あけ方法Info
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- JPH07204876A JPH07204876A JP6015845A JP1584594A JPH07204876A JP H07204876 A JPH07204876 A JP H07204876A JP 6015845 A JP6015845 A JP 6015845A JP 1584594 A JP1584594 A JP 1584594A JP H07204876 A JPH07204876 A JP H07204876A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェハ状態あるいはチップ状態のＩＣ（半導
体集積回路）で、そのＩＣの不良解析を行うためにＩＣ
内部の配線パターンに接針で接触してＩＣテスタでテス
トを行う場合に、配線パターンに接針を当てるためにＩ
Ｃ表面の保護膜に穴をあける。この穴あけ装置が従来は
配線パターンまで切断したり、逆に保護膜が剥離できな
かったりしていた。本発明は、安全で正確なＩＣ表面保
護膜の穴あけ装置と方法を提供することを目的とする。 【構成】 上記目的を達成するために、本発明は、１ｎ
ｓから５ｎｓまでの短パルスのレーザ発振器を設け、レ
ーザビームの光路に膜厚測定器を設け、測定した膜厚に
応じてレーザビームの出射強度と対物レンズの焦点距離
を制御する制御部とを具備する構成とし、先ずＩＣ表面
の膜厚を測定し、膜厚に応じてレーザビームの出射強度
と対物レンズの焦点距離を設定し、その後にレーザビー
ムを出射する方法とする。
体集積回路）で、そのＩＣの不良解析を行うためにＩＣ
内部の配線パターンに接針で接触してＩＣテスタでテス
トを行う場合に、配線パターンに接針を当てるためにＩ
Ｃ表面の保護膜に穴をあける。この穴あけ装置が従来は
配線パターンまで切断したり、逆に保護膜が剥離できな
かったりしていた。本発明は、安全で正確なＩＣ表面保
護膜の穴あけ装置と方法を提供することを目的とする。 【構成】 上記目的を達成するために、本発明は、１ｎ
ｓから５ｎｓまでの短パルスのレーザ発振器を設け、レ
ーザビームの光路に膜厚測定器を設け、測定した膜厚に
応じてレーザビームの出射強度と対物レンズの焦点距離
を制御する制御部とを具備する構成とし、先ずＩＣ表面
の膜厚を測定し、膜厚に応じてレーザビームの出射強度
と対物レンズの焦点距離を設定し、その後にレーザビー
ムを出射する方法とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ウェハ状態あるいは
チップ状態のＩＣ（半導体集積回路）で、そのＩＣの不
良解析を行うためにＩＣ内部の配線パターンに接針で接
触してＩＣテスタでテストを行う場合において、配線パ
ターンに接針を当てるためのＩＣ表面の保護膜に穴あけ
する装置及びその方法に関する。
チップ状態のＩＣ（半導体集積回路）で、そのＩＣの不
良解析を行うためにＩＣ内部の配線パターンに接針で接
触してＩＣテスタでテストを行う場合において、配線パ
ターンに接針を当てるためのＩＣ表面の保護膜に穴あけ
する装置及びその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ内部の配線パターン上に接針を当て
るためには、そのＩＣ表面の保護膜の微少部分を剥離し
なければならないが、その剥離する手段として、従来か
らいくつかの方法があった。一つの手段は、ＩＣの製造
過程で行われるエッチング技法により保護膜を剥離する
方法である。しかしながら、大きいウエハ全体にエッチ
ング技法を用いるのは手数はかかっても可能であった
が、一つの小さなチップで行うのは困難であった。
るためには、そのＩＣ表面の保護膜の微少部分を剥離し
なければならないが、その剥離する手段として、従来か
らいくつかの方法があった。一つの手段は、ＩＣの製造
過程で行われるエッチング技法により保護膜を剥離する
方法である。しかしながら、大きいウエハ全体にエッチ
ング技法を用いるのは手数はかかっても可能であった
が、一つの小さなチップで行うのは困難であった。
【０００３】他の手段として、レーザによる剥離方法が
ある。ＹＡＧレーザを用いた穴あけ装置や、エキシマレ
ーザを用いたフォトアブレーション加工方法がある。し
かしながら従来の装置では、レーザビームパルスの半値
幅が５０ｎｓ前後と大きく、周辺に熱ダメージを与えた
り、レーザの加工エネルギーが均一でなかったり、レー
ザの出力が不安定であったりして、しばしば配線パター
ンを切断したり、逆に保護膜の剥離ができないこともあ
り、安全で確実に保護膜を剥離し穴あけする手段は無か
った。
ある。ＹＡＧレーザを用いた穴あけ装置や、エキシマレ
ーザを用いたフォトアブレーション加工方法がある。し
かしながら従来の装置では、レーザビームパルスの半値
幅が５０ｎｓ前後と大きく、周辺に熱ダメージを与えた
り、レーザの加工エネルギーが均一でなかったり、レー
ザの出力が不安定であったりして、しばしば配線パター
ンを切断したり、逆に保護膜の剥離ができないこともあ
り、安全で確実に保護膜を剥離し穴あけする手段は無か
った。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前述のＩＣ
表面上の狭範囲の保護膜の穴あけを、配線パターンを切
断することなく安全・確実に行うことを目的とする。
表面上の狭範囲の保護膜の穴あけを、配線パターンを切
断することなく安全・確実に行うことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、それぞれのＩＣの保護膜の種類や厚さに
対して、適切なエネルギーを持たせた短パルスレーザビ
ームを必要な個所に照射して、ＩＣの保護膜下の金属薄
膜の表面で爆発させ、その上方にある狭範囲の保護膜を
剥離させるものである。本出願人は、先に特願平４−２
１１５９（平成４年８月７日出願）で、「レーザ加工装
置」を開示した。本発明は、この発明を応用利用したＩ
Ｃ表面保護膜の穴あけ装置である。
に、本発明は、それぞれのＩＣの保護膜の種類や厚さに
対して、適切なエネルギーを持たせた短パルスレーザビ
ームを必要な個所に照射して、ＩＣの保護膜下の金属薄
膜の表面で爆発させ、その上方にある狭範囲の保護膜を
剥離させるものである。本出願人は、先に特願平４−２
１１５９（平成４年８月７日出願）で、「レーザ加工装
置」を開示した。本発明は、この発明を応用利用したＩ
Ｃ表面保護膜の穴あけ装置である。
【０００６】図４にその構成の一例を示す。図中１１は
レーザ発振器を示す。従来のレーザ発振器のレーザパル
ス半値幅は、５０ｎｓ前後あるいはそれ以上のものが多
く、狭い半値幅のレーザビームは得られなかったが、最
近は技術の進歩により得られるようになってきた。本発
明では１ｎｓから５ｎｓの半値幅パルスのレーザビーム
を用いる。
レーザ発振器を示す。従来のレーザ発振器のレーザパル
ス半値幅は、５０ｎｓ前後あるいはそれ以上のものが多
く、狭い半値幅のレーザビームは得られなかったが、最
近は技術の進歩により得られるようになってきた。本発
明では１ｎｓから５ｎｓの半値幅パルスのレーザビーム
を用いる。
【０００７】レーザ発振器１１から出射されるレーザビ
ーム１２はミラー１３、ビームスプリッタ１４、対物レ
ンズ１５を通じてＩＣ１７に照射される。ＩＣ１７はＸ
−Ｙ移動台１６に搭載され、Ｘ−Ｙ移動台１６の移動に
よってレーザビーム１２をＩＣ１７の任意の位置に照射
できる構造である。
ーム１２はミラー１３、ビームスプリッタ１４、対物レ
ンズ１５を通じてＩＣ１７に照射される。ＩＣ１７はＸ
−Ｙ移動台１６に搭載され、Ｘ−Ｙ移動台１６の移動に
よってレーザビーム１２をＩＣ１７の任意の位置に照射
できる構造である。
【０００８】ビームスプリッタ１４はレーザ発振器１１
から与えられる入射光の一部を分岐し、その分岐したレ
ーザビーム１２の一部を入射光量測定用の受光素子１８
に与える。受光素子１８の光電変換出力は、バッファア
ンプ１９を通してＡＤ変換器２１に与えられ、ＡＤ変換
器２１でＡＤ変換されて制御部２２に与えられ、レーザ
発振器１１の出射光を制御する。
から与えられる入射光の一部を分岐し、その分岐したレ
ーザビーム１２の一部を入射光量測定用の受光素子１８
に与える。受光素子１８の光電変換出力は、バッファア
ンプ１９を通してＡＤ変換器２１に与えられ、ＡＤ変換
器２１でＡＤ変換されて制御部２２に与えられ、レーザ
発振器１１の出射光を制御する。
【０００９】一方ビームスプリッタ１４はＩＣ１７から
反射するレーザビーム１２をビームスプリッタ２９を通
して反射光量測定用の受光素子２３に分岐し、反射光量
に対応した電気信号をＡＤ変換器２５に与え、ＡＤ変換
器２５でＡＤ変換した反射光量信号を制御部２２に与
え、レーザ発振器１１の出射光量を反射光によっても制
御するように構成している。
反射するレーザビーム１２をビームスプリッタ２９を通
して反射光量測定用の受光素子２３に分岐し、反射光量
に対応した電気信号をＡＤ変換器２５に与え、ＡＤ変換
器２５でＡＤ変換した反射光量信号を制御部２２に与
え、レーザ発振器１１の出射光量を反射光によっても制
御するように構成している。
【００１０】ビームスプリッタ２９はＩＣ１７からの反
射光の一部を分岐し、膜厚測定器２６に与える。膜厚測
定器２６としては顕微分光干渉法を利用したものや消光
法エリプソメトリを利用したものが実用化されている。
また、膜厚測定器２６を動作させるためにミラー１３の
上部に白色光源２７を設ける。そして白色光源２７は膜
厚測定器２６を動作させるに先だって点灯させる。ミラ
ー１３はハーフミラーが使用される。ハーフミラー１３
によって取り出した白色光をＩＣ１７に与え、その反射
した白色光をビームスプリッタ２９で分岐し、膜厚測定
器２６に与えるのである。膜厚測定器２６の膜厚測定値
は制御部２２に与えられ、ＩＣ１７の表面に形成された
保護膜Ｈ１の膜厚に応じてレーザ発信器１１から出射さ
れるレーザビーム１２の強度を制御する。
射光の一部を分岐し、膜厚測定器２６に与える。膜厚測
定器２６としては顕微分光干渉法を利用したものや消光
法エリプソメトリを利用したものが実用化されている。
また、膜厚測定器２６を動作させるためにミラー１３の
上部に白色光源２７を設ける。そして白色光源２７は膜
厚測定器２６を動作させるに先だって点灯させる。ミラ
ー１３はハーフミラーが使用される。ハーフミラー１３
によって取り出した白色光をＩＣ１７に与え、その反射
した白色光をビームスプリッタ２９で分岐し、膜厚測定
器２６に与えるのである。膜厚測定器２６の膜厚測定値
は制御部２２に与えられ、ＩＣ１７の表面に形成された
保護膜Ｈ１の膜厚に応じてレーザ発信器１１から出射さ
れるレーザビーム１２の強度を制御する。
【００１１】図１に本発明の実施例のフローチャート
を、図２にレーザビーム１２のパルス波形の一例を、図
３にＩＣ１７に照射するレーザビーム１２を示す。図１
のフローチャートを中心にして実施例を説明する。初め
にＩＣ１７表面保護膜の穴あけする位置を定める。これ
はレーザ加工を行う場合の当然の工程であり、Ｘ−Ｙ移
動台１６の微調で行う。図示していないが、必要により
ビームスプリッタを通して顕微鏡で見ながら位置定めを
行ってもよいし、精密なＸ−Ｙ移動台１６を用いてＣＰ
Ｕ制御しても良い。
を、図２にレーザビーム１２のパルス波形の一例を、図
３にＩＣ１７に照射するレーザビーム１２を示す。図１
のフローチャートを中心にして実施例を説明する。初め
にＩＣ１７表面保護膜の穴あけする位置を定める。これ
はレーザ加工を行う場合の当然の工程であり、Ｘ−Ｙ移
動台１６の微調で行う。図示していないが、必要により
ビームスプリッタを通して顕微鏡で見ながら位置定めを
行ってもよいし、精密なＸ−Ｙ移動台１６を用いてＣＰ
Ｕ制御しても良い。
【００１２】位置定めが終わると、レーザビーム１２の
出射強度が設定済みかどうかを判定する。最初の出射の
場合は、出射強度は設定されていないのでＮＯであり、
ＩＣ１７表面の保護膜Ｈ１の膜厚測定が行われる。この
とき白色光源２７が点灯され、その白色光がＩＣ１７で
反射され、膜厚測定器２６でＩＣ１７表面保護膜Ｈ１の
膜厚が測定される。
出射強度が設定済みかどうかを判定する。最初の出射の
場合は、出射強度は設定されていないのでＮＯであり、
ＩＣ１７表面の保護膜Ｈ１の膜厚測定が行われる。この
とき白色光源２７が点灯され、その白色光がＩＣ１７で
反射され、膜厚測定器２６でＩＣ１７表面保護膜Ｈ１の
膜厚が測定される。
【００１３】保護膜厚Ｈ１が測定されると、その膜厚値
が制御部２２に伝送され、レーザビーム１２の出射強度
の設定と対物レンズ１５の焦点距離が設定される。この
対物レンズ１５の焦点距離を、図３に示しているよう
に、例えばアルミニュウム薄膜のような金属薄膜配線パ
ターンＬ１の表面に焦点を合わせる。レーザビーム１２
のエネルギーをこの金属薄膜配線パターンＬ１の表面に
集中させ、そしてその表面で一瞬に爆発させるためであ
る。
が制御部２２に伝送され、レーザビーム１２の出射強度
の設定と対物レンズ１５の焦点距離が設定される。この
対物レンズ１５の焦点距離を、図３に示しているよう
に、例えばアルミニュウム薄膜のような金属薄膜配線パ
ターンＬ１の表面に焦点を合わせる。レーザビーム１２
のエネルギーをこの金属薄膜配線パターンＬ１の表面に
集中させ、そしてその表面で一瞬に爆発させるためであ
る。
【００１４】レーザビーム１２の出射強度の設定は、保
護膜Ｈ１の種類と膜厚で決める。前述したようにレーザ
発振器１１のレーザビーム１２の半値幅は１ｎｓから５
ｎｓまでの半値幅である短パルスであり、ＩＣ１７表面
の保護膜Ｈ１では熱の分散がなく、照射された金属薄膜
配線パターンＬ１表面の一部と狭範囲の保護膜だけが集
中した熱エネルギーで爆発剥離するのである。ただ、適
切なエネルギーは金属薄膜Ｌ１表面までの保護膜Ｈ１の
膜厚とその種類に依存しているので、出射エネルギー
（パルス高）を制御して適切なエネルギーを有するレー
ザビーム１２の出射を行なわなければならない。
護膜Ｈ１の種類と膜厚で決める。前述したようにレーザ
発振器１１のレーザビーム１２の半値幅は１ｎｓから５
ｎｓまでの半値幅である短パルスであり、ＩＣ１７表面
の保護膜Ｈ１では熱の分散がなく、照射された金属薄膜
配線パターンＬ１表面の一部と狭範囲の保護膜だけが集
中した熱エネルギーで爆発剥離するのである。ただ、適
切なエネルギーは金属薄膜Ｌ１表面までの保護膜Ｈ１の
膜厚とその種類に依存しているので、出射エネルギー
（パルス高）を制御して適切なエネルギーを有するレー
ザビーム１２の出射を行なわなければならない。
【００１５】適切なレーザビーム１２を出射すると、そ
のエネルギーは金属薄膜配線パターンＬ１表面に短時間
に集中し、瞬時に爆発現象を起こし、狭範囲の保護膜Ｈ
１を剥離する。金属薄膜配線パターンＬ１は高硬度であ
るから表面の一部が削られるのみである。
のエネルギーは金属薄膜配線パターンＬ１表面に短時間
に集中し、瞬時に爆発現象を起こし、狭範囲の保護膜Ｈ
１を剥離する。金属薄膜配線パターンＬ１は高硬度であ
るから表面の一部が削られるのみである。
【００１６】最初のレーザビーム１２の出射が終わる
と、次の穴あけが有るのか無いのかを判断する。一般的
にＩＣ１７内部の配線に接針を立てるには、複数点の場
所が必要である。従って、２度目の穴あけのために位置
定めをし、位置定めが終わると同じ工程でレーザビーム
１２を出射して２度目の穴あけを行う。しかしながら、
このような場合は保護膜Ｈ１の膜厚がほぼ同一の場合が
多いので、出射強度は設定済みとし、保護膜厚の測定と
レーザビームの出射強度・対物レンズの焦点距離の設定
を省略して直ちにレーザビームを出射しても良い。この
ようにして、予め設定した複数箇所の穴あけが終了して
作業は終了する。
と、次の穴あけが有るのか無いのかを判断する。一般的
にＩＣ１７内部の配線に接針を立てるには、複数点の場
所が必要である。従って、２度目の穴あけのために位置
定めをし、位置定めが終わると同じ工程でレーザビーム
１２を出射して２度目の穴あけを行う。しかしながら、
このような場合は保護膜Ｈ１の膜厚がほぼ同一の場合が
多いので、出射強度は設定済みとし、保護膜厚の測定と
レーザビームの出射強度・対物レンズの焦点距離の設定
を省略して直ちにレーザビームを出射しても良い。この
ようにして、予め設定した複数箇所の穴あけが終了して
作業は終了する。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、短パル
スのレーザビームを用いた装置で、従来困難であったＩ
Ｃ表面の保護膜の狭範囲の剥離で穴あけが安全で正確に
できるようになり、その効果は大である。
スのレーザビームを用いた装置で、従来困難であったＩ
Ｃ表面の保護膜の狭範囲の剥離で穴あけが安全で正確に
できるようになり、その効果は大である。
【図１】本発明の一実施例のフローチャートである。
【図２】本発明の一例のレーザビームのパルス波形の説
明図である。
明図である。
【図３】ＩＣに照射するレーザビームの説明図である。
【図４】本出願人が先に開示した一例の構成図である。
１１ レーザ発振器 １２ レーザビーム １３ ミラー（ハーフミラー） １４、１９ ビームスプリッタ １５ 対物レンズ １６ Ｘ−Ｙ移動台 １７ ＩＣ １８、２３ 受光素子 ２６ 膜厚測定器 Ｈ１ ＩＣ表面の保護膜 Ｌ１ 金属薄膜配線パターン
Claims (2)
- 【請求項１】 レーザ発振器を具備し、このレーザ発振
器から出射されるレーザビームをＩＣ表面に照射し、Ｉ
Ｃ表面の保護膜を剥離するＩＣ表面保護膜の穴あけ装置
において、 上記レーザ発振器はパルスの半値幅が１ｎｓから５ｎｓ
までのレーザビームを発振するレーザ発振器（１１）で
あり、 ＩＣ表面から反射されるビームの光路に設けられた膜厚
測定器（２６）と、 上記膜厚測定器（２６）の測定結果による膜厚に応じて
上記レーザ発振器（１１）のレーザビーム（１２）の出
射強度と対物レンズ（１５）の焦点距離を制御する制御
部（２２）と、を具備することを特徴とするＩＣ表面保
護膜の穴あけ装置。 - 【請求項２】 レーザ発振器を具備し、このレーザ発振
器から出射されるレーザビームをＩＣ表面に照射し、Ｉ
Ｃ表面の保護膜を剥離するＩＣ表面保護膜の穴あけ方法
において、 上記ＩＣ表面の保護膜厚を測定し、 膜厚に応じてパルスの半値幅が１ｎｓから５ｎｓまでの
レーザビーム（１２）の出射強度と対物レンズ（１５）
の焦点距離を設定し、 この設定後にレーザビーム（１２）を出射し、 ＩＣ表面の保護膜を剥離するＩＣ表面保護膜の穴あけ方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6015845A JPH07204876A (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | Ｉｃ表面保護膜の穴あけ装置及びこの装置を用いた穴あけ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6015845A JPH07204876A (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | Ｉｃ表面保護膜の穴あけ装置及びこの装置を用いた穴あけ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07204876A true JPH07204876A (ja) | 1995-08-08 |
Family
ID=11900166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6015845A Pending JPH07204876A (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | Ｉｃ表面保護膜の穴あけ装置及びこの装置を用いた穴あけ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07204876A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1935553A1 (en) | 2006-12-22 | 2008-06-25 | Elizabeth Varriano-Marston | Method of and system for laser microperforating fresh produce trays for modified/controlled atmosphere packaging including measuring the wall thickness of the tray |
| JP2008229706A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
| JP2012094591A (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | ビアホールの加工方法およびレーザー加工装置 |
| CN102489885A (zh) * | 2011-12-20 | 2012-06-13 | 深圳市木森科技有限公司 | 一种激光钻开锥孔的方法和装置 |
| JP2014050886A (ja) * | 2005-10-18 | 2014-03-20 | Electro Scientific Industries Inc | レーザ処理中の対象物リアルタイムトポグラフィートラッキング |
| KR101399533B1 (ko) * | 2006-09-21 | 2014-05-30 | 비아 메카닉스 가부시키가이샤 | 구멍뚫기 가공 방법 및 레이저 가공기 |
-
1994
- 1994-01-14 JP JP6015845A patent/JPH07204876A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014050886A (ja) * | 2005-10-18 | 2014-03-20 | Electro Scientific Industries Inc | レーザ処理中の対象物リアルタイムトポグラフィートラッキング |
| KR101399533B1 (ko) * | 2006-09-21 | 2014-05-30 | 비아 메카닉스 가부시키가이샤 | 구멍뚫기 가공 방법 및 레이저 가공기 |
| EP1935553A1 (en) | 2006-12-22 | 2008-06-25 | Elizabeth Varriano-Marston | Method of and system for laser microperforating fresh produce trays for modified/controlled atmosphere packaging including measuring the wall thickness of the tray |
| US8237084B2 (en) | 2006-12-22 | 2012-08-07 | Taylor Fresh Foods, Inc. | Laser microperforated fresh produce trays for modified/controlled atmosphere packaging |
| JP2008229706A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
| JP2012094591A (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | ビアホールの加工方法およびレーザー加工装置 |
| CN102489885A (zh) * | 2011-12-20 | 2012-06-13 | 深圳市木森科技有限公司 | 一种激光钻开锥孔的方法和装置 |
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