JPH07209671A - 液晶画像表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶画像表示装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH07209671A JPH07209671A JP6220230A JP22023094A JPH07209671A JP H07209671 A JPH07209671 A JP H07209671A JP 6220230 A JP6220230 A JP 6220230A JP 22023094 A JP22023094 A JP 22023094A JP H07209671 A JPH07209671 A JP H07209671A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- display device
- liquid crystal
- pixel electrode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 単結晶Si基板を用いたマトリックス型で、
かつ透過型液晶画像表示装置を、加工時にSi基板を破
損することなく、高精度で、再現性よく製造する。 【構成】 Si単結晶基板31上に、縦、横方向にそれぞ
れ複数個の信号線32、複数個のゲート電極33を配置し、
その信号線およびゲート線にスイッチング素子を介して
画素電極34をマトリックス状に形成する。次いで、その
Si単結晶基板をガラス基板41に接着した後、画素電極3
4の下部のSi基板31を選択的に除去する。また、画素電
極34の下部のSi基板31を選択的に除去した後、画素電
極34上にカラーフィルタ64を形成する。
かつ透過型液晶画像表示装置を、加工時にSi基板を破
損することなく、高精度で、再現性よく製造する。 【構成】 Si単結晶基板31上に、縦、横方向にそれぞ
れ複数個の信号線32、複数個のゲート電極33を配置し、
その信号線およびゲート線にスイッチング素子を介して
画素電極34をマトリックス状に形成する。次いで、その
Si単結晶基板をガラス基板41に接着した後、画素電極3
4の下部のSi基板31を選択的に除去する。また、画素電
極34の下部のSi基板31を選択的に除去した後、画素電
極34上にカラーフィルタ64を形成する。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、画像表示装置、特にマ
トリックス型液晶画像表示装置の製造方法に関するもの
である。 【0002】 【従来の技術】近年、液晶画像表示装置は、低消費電
力、薄型であるという特徴を生かして、多くの分野で利
用されている。中でも、マトリックス型液晶画像表示装
置は、多くの情報を表示することが可能で、ポケットテ
レビジョン表示装置にも利用されるようになってきた。 【0003】以下、図面を参照しながら、従来の単結晶
Si基板を用いたマトリックス型液晶画像表示装置につ
いて説明する。 【0004】図1は、マトリックス型液晶画像表示装置
の回路構成を示したものである。図1において、11は画
像信号の入力端子で、ここよりテレビ映像信号等の画像
信号を入力する。12は水平駆動回路で、一走査線ごとに
画像信号を各列ごとにサンプリング・ホールドする。13
は信号線、14は各行を選択するゲート電極、15はスイッ
チングトランジスタ、16は画素電極、17は垂直駆動回路
である。 【0005】図2は、従来の単結晶Si基板を用いたマ
トリックス型液晶表示装置の単位画素部の模式的断面を
示したものである。図2において、21は単結晶Si基
板、13は信号線、14はゲート電極、16は画素電極、25は
液晶、26は共通電極、27はガラス基板である。 【0006】このように構成された画像表示装置につい
て、以下その動作について説明する。まず、画像信号を
水平駆動回路12に入力すると、この回路では、各信号線
13に対して、一走査線ごとに画像信号を伝送する。ま
た、垂直駆動回路17で順番に行を選択する。次に、選択
された行のスイッチングトランジスタ15だけを導通し
て、信号線13から選択された行の画素電極16に画像信号
が伝送され、画素電極16とその上の共通電極26との間の
液晶25によって画像表示を行う。 【0007】上記のような単結晶Si基板を用いたマト
リックス型液晶画像表示装置は、矢印P1のように光を
反射する反射型液晶表示装置であり、十分なコントラス
トが得られなく、またカラー表示装置には、応用できな
いという欠点があった。 【0008】 【発明が解決しようとする課題】上記のような単結晶S
i基板を用いたマトリックス型液晶画像表示装置は、矢
印P1のように光を反射する反射型液晶表示装置であ
り、十分なコントラストが得られなく、またカラー表示
装置には、応用できないという欠点があった。 【0009】本発明は、上記欠点に鑑み、単結晶Si基
板を用いたマトリックス型で、かつ透過型液晶画像表示
装置を実現しようとするもので、加工時のSi基板が破
損することなく、機械的強度を保ったまま、精度および
再現性よく製造することができる透過型液晶画像表示装
置の製造方法を提供することを目的とする。 【0010】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の透過型液晶画像表示装置の製造方法は、S
i単結晶基板上に、縦方向に配置された複数個の信号
線、横方向に配置された複数個のゲート線、並びに前記
信号線およびゲート線にスイッチング素子を介して接続
された縦方向および横方向にマトリックス状に配置され
た複数個の透明金属からなる画素電極を形成する工程
と、前記Si単結晶基板をガラス基板に接着する工程
と、前記画素電極の下部のSi基板を選択的に除去する
工程とを備えたものである。 【0011】また、さらに、前記画素電極の下部のSi
基板を除去する工程の後に、前記画素電極上にカラーフ
ィルタを形成する工程を加えたものである。 【0012】 【作用】上記構成によれば、マトリックス回路を形成し
たSi基板をガラス基板に接着した後、Si基板を薄く
し、画素電極下部のSi基板を除去するので、Si基板の
破損を防止し、機械的強度を保ったまま、精度および再
現性よく製造することができる。 【0013】 【実施例】以下、図面を用いて、本発明の一実施例を詳
細に説明する。単結晶Si基板上に、図1に示すマトリ
ックス型液晶表示装置を、従来のSiプロセスで形成す
る。図3は、その単位画素部の模式的断面を示したもの
である。図3において、31はP型Si基板、32は信号
線、33はゲート電極、34は例えばITOからなる透明画
素電極である。 【0014】次に、図4に示したように、図3のSi基
板31に形成したマトリックス回路上にガラス基板41を透
明な接着材42を用いて接着する。さらに、Si基板31を
研磨または、エッチングにより薄くする。 【0015】次に、図5に示したように、透明画素電極
34の下部のSi基板をエッチングにより選択的に除去す
る。さらに、図6に示したように、このマトリックス回
路と、透明金属からなる共通電極62を備えたガラス基板
61とで液晶63を挾んだ構造にする。 【0016】このように構成された本実施例は、画素電
極34の下にSi基板31がなく、図中の矢印P2のように光
を通す透過型構造になっている。また、画素電極34の下
のSi基板31を除去するに先立って、Si基板をガラス基
板41に接着するので、機械的強度を保ち、Si基板を破
損することはない。 【0017】さらに、図6に示すように、画素電極上に
カラーフィルム64を形成して、白色のバックライトを用
いれば、カラー液晶画像表示装置とすることができる。 【0018】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
単結晶Si基板上にマトリックス回路及びその駆動回路
を形成し、その回路上にガラス基板を接着した後、透明
画素電極下部のSi基板を選択的に除去する工程を採用
したので、マトリックス型で、かつ透明型の液晶画像表
示装置を、加工時にSi基板を破損することなく、高精
度かつ再現性よく製造することができる。さらには、カ
ラーマトリックス型液晶画像表示装置も実現することが
可能になる。
トリックス型液晶画像表示装置の製造方法に関するもの
である。 【0002】 【従来の技術】近年、液晶画像表示装置は、低消費電
力、薄型であるという特徴を生かして、多くの分野で利
用されている。中でも、マトリックス型液晶画像表示装
置は、多くの情報を表示することが可能で、ポケットテ
レビジョン表示装置にも利用されるようになってきた。 【0003】以下、図面を参照しながら、従来の単結晶
Si基板を用いたマトリックス型液晶画像表示装置につ
いて説明する。 【0004】図1は、マトリックス型液晶画像表示装置
の回路構成を示したものである。図1において、11は画
像信号の入力端子で、ここよりテレビ映像信号等の画像
信号を入力する。12は水平駆動回路で、一走査線ごとに
画像信号を各列ごとにサンプリング・ホールドする。13
は信号線、14は各行を選択するゲート電極、15はスイッ
チングトランジスタ、16は画素電極、17は垂直駆動回路
である。 【0005】図2は、従来の単結晶Si基板を用いたマ
トリックス型液晶表示装置の単位画素部の模式的断面を
示したものである。図2において、21は単結晶Si基
板、13は信号線、14はゲート電極、16は画素電極、25は
液晶、26は共通電極、27はガラス基板である。 【0006】このように構成された画像表示装置につい
て、以下その動作について説明する。まず、画像信号を
水平駆動回路12に入力すると、この回路では、各信号線
13に対して、一走査線ごとに画像信号を伝送する。ま
た、垂直駆動回路17で順番に行を選択する。次に、選択
された行のスイッチングトランジスタ15だけを導通し
て、信号線13から選択された行の画素電極16に画像信号
が伝送され、画素電極16とその上の共通電極26との間の
液晶25によって画像表示を行う。 【0007】上記のような単結晶Si基板を用いたマト
リックス型液晶画像表示装置は、矢印P1のように光を
反射する反射型液晶表示装置であり、十分なコントラス
トが得られなく、またカラー表示装置には、応用できな
いという欠点があった。 【0008】 【発明が解決しようとする課題】上記のような単結晶S
i基板を用いたマトリックス型液晶画像表示装置は、矢
印P1のように光を反射する反射型液晶表示装置であ
り、十分なコントラストが得られなく、またカラー表示
装置には、応用できないという欠点があった。 【0009】本発明は、上記欠点に鑑み、単結晶Si基
板を用いたマトリックス型で、かつ透過型液晶画像表示
装置を実現しようとするもので、加工時のSi基板が破
損することなく、機械的強度を保ったまま、精度および
再現性よく製造することができる透過型液晶画像表示装
置の製造方法を提供することを目的とする。 【0010】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の透過型液晶画像表示装置の製造方法は、S
i単結晶基板上に、縦方向に配置された複数個の信号
線、横方向に配置された複数個のゲート線、並びに前記
信号線およびゲート線にスイッチング素子を介して接続
された縦方向および横方向にマトリックス状に配置され
た複数個の透明金属からなる画素電極を形成する工程
と、前記Si単結晶基板をガラス基板に接着する工程
と、前記画素電極の下部のSi基板を選択的に除去する
工程とを備えたものである。 【0011】また、さらに、前記画素電極の下部のSi
基板を除去する工程の後に、前記画素電極上にカラーフ
ィルタを形成する工程を加えたものである。 【0012】 【作用】上記構成によれば、マトリックス回路を形成し
たSi基板をガラス基板に接着した後、Si基板を薄く
し、画素電極下部のSi基板を除去するので、Si基板の
破損を防止し、機械的強度を保ったまま、精度および再
現性よく製造することができる。 【0013】 【実施例】以下、図面を用いて、本発明の一実施例を詳
細に説明する。単結晶Si基板上に、図1に示すマトリ
ックス型液晶表示装置を、従来のSiプロセスで形成す
る。図3は、その単位画素部の模式的断面を示したもの
である。図3において、31はP型Si基板、32は信号
線、33はゲート電極、34は例えばITOからなる透明画
素電極である。 【0014】次に、図4に示したように、図3のSi基
板31に形成したマトリックス回路上にガラス基板41を透
明な接着材42を用いて接着する。さらに、Si基板31を
研磨または、エッチングにより薄くする。 【0015】次に、図5に示したように、透明画素電極
34の下部のSi基板をエッチングにより選択的に除去す
る。さらに、図6に示したように、このマトリックス回
路と、透明金属からなる共通電極62を備えたガラス基板
61とで液晶63を挾んだ構造にする。 【0016】このように構成された本実施例は、画素電
極34の下にSi基板31がなく、図中の矢印P2のように光
を通す透過型構造になっている。また、画素電極34の下
のSi基板31を除去するに先立って、Si基板をガラス基
板41に接着するので、機械的強度を保ち、Si基板を破
損することはない。 【0017】さらに、図6に示すように、画素電極上に
カラーフィルム64を形成して、白色のバックライトを用
いれば、カラー液晶画像表示装置とすることができる。 【0018】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
単結晶Si基板上にマトリックス回路及びその駆動回路
を形成し、その回路上にガラス基板を接着した後、透明
画素電極下部のSi基板を選択的に除去する工程を採用
したので、マトリックス型で、かつ透明型の液晶画像表
示装置を、加工時にSi基板を破損することなく、高精
度かつ再現性よく製造することができる。さらには、カ
ラーマトリックス型液晶画像表示装置も実現することが
可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】マトリックス型液晶画像表示装置の回路構成図
である。 【図2】従来の単結晶Si基板を用いたマトリックス型
液晶表示装置の単位画素部の模式的断面図である。 【図3】本発明の一実施例の一連の製造工程のうち、S
i基板上にマトリックス回路を形成した状態の単位画素
部の模式的断面図である。 【図4】同実施例のマトリックス回路上にガラス基板を
接着した状態の単位画素部の模式的断面図である。 【図5】同実施例のガラス基板を接着した後、画素電極
下部のSi基板を除去した状態の単位画素部の模式的断
面図である。 【図6】同実施例の画素電極下部のSi基板を除去した
部分にカラーフィルタを設け、液晶を挾んで共通電極を
設けた状態の単位画素部の模式的断面図である。 【符号の説明】 31 … 単結晶Si基板、 32 … 信号線、 33 … ゲート
電極、 34 …透明金属からなる画素電極、 41,61 … ガ
ラス基板、 62 … 共通電極、 63 … 液晶、 64… カラ
ーフィルタ。
である。 【図2】従来の単結晶Si基板を用いたマトリックス型
液晶表示装置の単位画素部の模式的断面図である。 【図3】本発明の一実施例の一連の製造工程のうち、S
i基板上にマトリックス回路を形成した状態の単位画素
部の模式的断面図である。 【図4】同実施例のマトリックス回路上にガラス基板を
接着した状態の単位画素部の模式的断面図である。 【図5】同実施例のガラス基板を接着した後、画素電極
下部のSi基板を除去した状態の単位画素部の模式的断
面図である。 【図6】同実施例の画素電極下部のSi基板を除去した
部分にカラーフィルタを設け、液晶を挾んで共通電極を
設けた状態の単位画素部の模式的断面図である。 【符号の説明】 31 … 単結晶Si基板、 32 … 信号線、 33 … ゲート
電極、 34 …透明金属からなる画素電極、 41,61 … ガ
ラス基板、 62 … 共通電極、 63 … 液晶、 64… カラ
ーフィルタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) Si単結晶基板上に、縦方向に配置された複数
個の信号線、横方向に配置された複数個のゲート線、並
びに前記信号線およびゲート線にスイッチング素子を介
して接続された縦方向および横方向にマトリックス状に
配置された複数個の透明金属からなる画素電極を形成す
る工程と、前記Si単結晶基板をガラス基板に接着する
工程と、前記画素電極の下部のSi基板を選択的に除去
する工程とを備えたことを特徴とする液晶画像表示装置
の製造方法。 (2) 画素電極の下部のSi基板を除去する工程の後
に、前記画素電極上にカラーフィルタを形成する工程を
備えたことを特徴とする特許請求の範囲(1)記載の液晶
画像表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22023094A JP2571546B2 (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 液晶画像表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22023094A JP2571546B2 (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 液晶画像表示装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59053466A Division JPS60198581A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | 液晶画像表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07209671A true JPH07209671A (ja) | 1995-08-11 |
| JP2571546B2 JP2571546B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=16747932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22023094A Expired - Lifetime JP2571546B2 (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 液晶画像表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2571546B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11505671A (ja) * | 1996-03-12 | 1999-05-21 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | ハイブリッド集積回路の製造方法 |
-
1994
- 1994-09-14 JP JP22023094A patent/JP2571546B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11505671A (ja) * | 1996-03-12 | 1999-05-21 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | ハイブリッド集積回路の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2571546B2 (ja) | 1997-01-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |