JPH07209879A - パターンを形成する方法 - Google Patents
パターンを形成する方法Info
- Publication number
- JPH07209879A JPH07209879A JP6004421A JP442194A JPH07209879A JP H07209879 A JPH07209879 A JP H07209879A JP 6004421 A JP6004421 A JP 6004421A JP 442194 A JP442194 A JP 442194A JP H07209879 A JPH07209879 A JP H07209879A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- developing
- pattern
- solution
- seconds
- resolution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 感光性ポリイミド前駆体を含む感光性組成物
から所定のパターンを形成する方法において、自動機械
を用いたスプレーまたはパドル現像法で現像を行うに際
し、該感光性組成物に対する溶解度の異なる２種類以上
の現像液をその溶解度の高い順に用いるパターン形成方
法。 【効果】 スループットを損なうことなく解像度を向上
させることが可能となった。
から所定のパターンを形成する方法において、自動機械
を用いたスプレーまたはパドル現像法で現像を行うに際
し、該感光性組成物に対する溶解度の異なる２種類以上
の現像液をその溶解度の高い順に用いるパターン形成方
法。 【効果】 スループットを損なうことなく解像度を向上
させることが可能となった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体工業において層
間絶縁膜などを形成する際に、ポリイミド前駆体として
使用する光架橋性重合体を含む感光性組成物から解像度
の高いパターンを形成する方法に関するものである。
間絶縁膜などを形成する際に、ポリイミド前駆体として
使用する光架橋性重合体を含む感光性組成物から解像度
の高いパターンを形成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体工業において、耐熱性が高
く無機物質と比較して段差形成に優れたポリイミド樹脂
などの複素環を有する樹脂が、固体素子における絶縁膜
やパッシベーション膜として、あるいは集積回路や多層
プリントの配線板の層間絶縁膜として用いられるように
なった。層間絶縁膜を形成する場合には、上下層の導通
をとるためのバイアホールを設ける必要があるが、その
ための方法としてプロセス性に優れた感光性ポリイミド
などを用いたパターン形成方法が提案されている。
く無機物質と比較して段差形成に優れたポリイミド樹脂
などの複素環を有する樹脂が、固体素子における絶縁膜
やパッシベーション膜として、あるいは集積回路や多層
プリントの配線板の層間絶縁膜として用いられるように
なった。層間絶縁膜を形成する場合には、上下層の導通
をとるためのバイアホールを設ける必要があるが、その
ための方法としてプロセス性に優れた感光性ポリイミド
などを用いたパターン形成方法が提案されている。
【０００３】これらパターン形成に用いられる材料の中
で、下記式〔Ｉ〕で示される繰り返し単位を有する光架
橋性重合体を含む感光性組成物は、それが厚膜の場合で
もパターンの形成が可能であり、また、現像時に露光部
の膜べりが殆ど無いなどの優れた特徴を有するものであ
る。
で、下記式〔Ｉ〕で示される繰り返し単位を有する光架
橋性重合体を含む感光性組成物は、それが厚膜の場合で
もパターンの形成が可能であり、また、現像時に露光部
の膜べりが殆ど無いなどの優れた特徴を有するものであ
る。
【０００４】
【化２】
【０００５】該組成物を用いるパターン形成方法は、例
えば、以下の工程順で行われる。 1 塗布 ：該前駆体組成物ワニスを所定の基板上に塗布
する。 2 乾燥 ：溶媒を蒸発させて、該前駆体組成物の塗膜と
する。 3 露光 ：所定のフォトマスクを用いて露光する。 4 現像 ：未露光部を可溶な現像液で溶解除去し、さら
に未露光部に対して貧溶媒であるリンス液によってリン
ス洗浄する。 5 熱硬化：加熱することにより、ポリイミド樹脂に転化
させ、所定のパターンを得る。
えば、以下の工程順で行われる。 1 塗布 ：該前駆体組成物ワニスを所定の基板上に塗布
する。 2 乾燥 ：溶媒を蒸発させて、該前駆体組成物の塗膜と
する。 3 露光 ：所定のフォトマスクを用いて露光する。 4 現像 ：未露光部を可溶な現像液で溶解除去し、さら
に未露光部に対して貧溶媒であるリンス液によってリン
ス洗浄する。 5 熱硬化：加熱することにより、ポリイミド樹脂に転化
させ、所定のパターンを得る。
【０００６】一連の工程で従来現像・リンス液として
は、該前駆体の良溶媒単独または良溶媒と貧溶媒からな
る混合物の現像液と該前駆体の貧溶媒単独または貧溶媒
の混合物のリンス液が用いられる。例えばＮ−メチルピ
ロリドンやγ−ブチロラクトン単独の現像液またはそれ
らとキシレンやイソプロピルアルコールの混合の現像
液、イソプロピルアルコールやキシレン単独またはそれ
らの混合物のリンス液が用いられる。また、その現像方
法としては、スプレー現像法、パドル現像法、ディップ
現像法または超音波現像法が用いられる。
は、該前駆体の良溶媒単独または良溶媒と貧溶媒からな
る混合物の現像液と該前駆体の貧溶媒単独または貧溶媒
の混合物のリンス液が用いられる。例えばＮ−メチルピ
ロリドンやγ−ブチロラクトン単独の現像液またはそれ
らとキシレンやイソプロピルアルコールの混合の現像
液、イソプロピルアルコールやキシレン単独またはそれ
らの混合物のリンス液が用いられる。また、その現像方
法としては、スプレー現像法、パドル現像法、ディップ
現像法または超音波現像法が用いられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記の方法でパターン
を形成する場合、現像液としては、それが該光架橋性重
合組成物を溶解する範囲において貧溶媒の混合比率を高
くして溶解時間を長くする方が解像度の高いパターンを
得ることができる。また、現像方法としては、スプレー
現像法およびパドル現像法が解像度といったパターン質
の均一性を最も高くできる方法であり、また自動式の装
置として最も一般的に用いられているものである。
を形成する場合、現像液としては、それが該光架橋性重
合組成物を溶解する範囲において貧溶媒の混合比率を高
くして溶解時間を長くする方が解像度の高いパターンを
得ることができる。また、現像方法としては、スプレー
現像法およびパドル現像法が解像度といったパターン質
の均一性を最も高くできる方法であり、また自動式の装
置として最も一般的に用いられているものである。
【０００８】一方、そのような一般的装置を用いる場
合、それが基板を一枚一枚処理する様な構成となってい
るため、基板一枚あたりの処理時間を制限しないと、現
像工程でのスループットを著しく落としてしまう。とこ
ろが、そのためには現像液の成分としてある程度は良溶
媒の割合を増やして該光架橋性重合組成物の溶解速度を
速めざるを得ず、そのため高い解像度を得ることが困難
となってしまう。
合、それが基板を一枚一枚処理する様な構成となってい
るため、基板一枚あたりの処理時間を制限しないと、現
像工程でのスループットを著しく落としてしまう。とこ
ろが、そのためには現像液の成分としてある程度は良溶
媒の割合を増やして該光架橋性重合組成物の溶解速度を
速めざるを得ず、そのため高い解像度を得ることが困難
となってしまう。
【０００９】
【課題を解決する為の手段】本発明者らは、以上述べた
ような従来技術の問題点を解決するための鋭意研究を重
ねた結果、以下に詳述する現像方法を用いることによ
り、スループットを損なわずに解像度の高いパターンを
得ることができた。すなわち、本発明は、下記式〔Ｉ〕
で示される繰り返し単位を有する光架橋性重合体を含む
感光性組成物からパターンを形成する方法において、自
動機械を用いたスプレーまたはパドル現像法で現像を行
うに際し、上記光架橋性重合体に対する溶解度の異なる
２種類以上の現像液をその溶解度の高い順に用いること
を特徴とするパターン形成方法である。
ような従来技術の問題点を解決するための鋭意研究を重
ねた結果、以下に詳述する現像方法を用いることによ
り、スループットを損なわずに解像度の高いパターンを
得ることができた。すなわち、本発明は、下記式〔Ｉ〕
で示される繰り返し単位を有する光架橋性重合体を含む
感光性組成物からパターンを形成する方法において、自
動機械を用いたスプレーまたはパドル現像法で現像を行
うに際し、上記光架橋性重合体に対する溶解度の異なる
２種類以上の現像液をその溶解度の高い順に用いること
を特徴とするパターン形成方法である。
【００１０】
【化３】
【００１１】本発明で用いられる式〔Ｉ〕のＸは、例え
ば芳香族テトラカルボン酸のカルボキシル基を除いた化
学構造を示すものであり、またＹは、例えば芳香族ジア
ミンのアミノ基を除いた化学構造を示すものである。式
〔Ｉ〕の光架橋性重合体としては、例えばピロメリット
酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物等の
酸無水物と、例えば４，４′−ジアミノジフェニルエー
テル、４，４′−ジアミノジフェニルスルホン等のジア
ミンとの重縮合により生成される繰り返し単位の側鎖に
感光基を有するポリイミド前駆体が挙げられる。
ば芳香族テトラカルボン酸のカルボキシル基を除いた化
学構造を示すものであり、またＹは、例えば芳香族ジア
ミンのアミノ基を除いた化学構造を示すものである。式
〔Ｉ〕の光架橋性重合体としては、例えばピロメリット
酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物等の
酸無水物と、例えば４，４′−ジアミノジフェニルエー
テル、４，４′−ジアミノジフェニルスルホン等のジア
ミンとの重縮合により生成される繰り返し単位の側鎖に
感光基を有するポリイミド前駆体が挙げられる。
【００１２】該前駆体に導入される感光基としては、光
により二量化または重合可能な炭素−炭素二重結合を有
する基で、ビニル基、アリル基、アクリル基、メタクリ
ル基、シンナミル基、マレイミド基を有する基が好まし
い。感光基の結合形式としては、一般的にエステル結
合、アミド結合等の共有結合とイオン結合がある。式
〔Ｉ〕で示される繰り返し単位を有する光架橋性重合体
の感光性を向上させる目的で混合される感光性化合物と
しては以下の例が挙げられる。例えば、ベンゾフェノン
および４，４′−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノ
ン等のベンゾフェノン類、ベンゾインエーテル、アント
ラキノン、チオキサントン誘導体、２，６−ビス−
（４′−ジエチルアミノベンザル）−シクロヘキサノン
等のビスアジド類、１−フェニル−５−メルカプトテト
ラゾール等のメルカプト化合物、１−フェニル−１，２
−プロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）−
オキシム等のオキシム類、２，４，５−トリフェニルイ
ミダゾール二量体などのイミダゾール類などである。ま
た、感光性モノマーとして以下のものが好ましい例であ
る。例えば、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、トリメチロールプロパントリメタクリレートおよび
ジメチルアミノエチルメタクリレート等の（メタ）アク
リレート類、チオグリコールなどメルカプト化合物、フ
ェニルスルホニルマレイミド等のマレイミド類、メタク
リル酸エチルイソシアネート等のイソシアネート類など
である。これら添加剤を光架橋性重合体１００重量部に
対して、０．１から５０重量部添加することが好まし
い。溶媒としてはＮ，Ｎ′−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセトアミト゛、γ−ブチロラクト
ン、Ｎ−メチルピロリドン等が好ましい。
により二量化または重合可能な炭素−炭素二重結合を有
する基で、ビニル基、アリル基、アクリル基、メタクリ
ル基、シンナミル基、マレイミド基を有する基が好まし
い。感光基の結合形式としては、一般的にエステル結
合、アミド結合等の共有結合とイオン結合がある。式
〔Ｉ〕で示される繰り返し単位を有する光架橋性重合体
の感光性を向上させる目的で混合される感光性化合物と
しては以下の例が挙げられる。例えば、ベンゾフェノン
および４，４′−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノ
ン等のベンゾフェノン類、ベンゾインエーテル、アント
ラキノン、チオキサントン誘導体、２，６−ビス−
（４′−ジエチルアミノベンザル）−シクロヘキサノン
等のビスアジド類、１−フェニル−５−メルカプトテト
ラゾール等のメルカプト化合物、１−フェニル−１，２
−プロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）−
オキシム等のオキシム類、２，４，５−トリフェニルイ
ミダゾール二量体などのイミダゾール類などである。ま
た、感光性モノマーとして以下のものが好ましい例であ
る。例えば、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、トリメチロールプロパントリメタクリレートおよび
ジメチルアミノエチルメタクリレート等の（メタ）アク
リレート類、チオグリコールなどメルカプト化合物、フ
ェニルスルホニルマレイミド等のマレイミド類、メタク
リル酸エチルイソシアネート等のイソシアネート類など
である。これら添加剤を光架橋性重合体１００重量部に
対して、０．１から５０重量部添加することが好まし
い。溶媒としてはＮ，Ｎ′−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセトアミト゛、γ−ブチロラクト
ン、Ｎ−メチルピロリドン等が好ましい。
【００１３】現像液としては、Ｎ，Ｎ′−ジメチルホル
ムアミド、Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセトアミト゛、γ−ブ
チロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン、ジグライム、シ
クロペンタノン等の良溶媒単独および水、キシレン、エ
タノールやイソプロピルアルコール等のアルコール類、
メチルセロソルブなどのセロソルブ類等の貧溶媒を混合
して溶解速度を調整した物が用いられる。例えば、２種
類用いる場合、良溶媒の種類としては、光架橋性重合組
成を溶解するのであれば特にこれらに限定されないが、
溶解度の観点から、現像液を溶解度の高い順に現像液
１，２，３…とすれば、現像液１の良溶媒としては、γ
−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン、ジグライ
ム、シクロペンタノンの単独液およびこれらと貧溶媒と
の混合液が好ましく、また、現像液２等としては、ジグ
ライム、シクロペンタノン、シクロヘキサノンの単独液
およびこれらと貧溶媒との混合液が好ましい。
ムアミド、Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセトアミト゛、γ−ブ
チロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン、ジグライム、シ
クロペンタノン等の良溶媒単独および水、キシレン、エ
タノールやイソプロピルアルコール等のアルコール類、
メチルセロソルブなどのセロソルブ類等の貧溶媒を混合
して溶解速度を調整した物が用いられる。例えば、２種
類用いる場合、良溶媒の種類としては、光架橋性重合組
成を溶解するのであれば特にこれらに限定されないが、
溶解度の観点から、現像液を溶解度の高い順に現像液
１，２，３…とすれば、現像液１の良溶媒としては、γ
−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン、ジグライ
ム、シクロペンタノンの単独液およびこれらと貧溶媒と
の混合液が好ましく、また、現像液２等としては、ジグ
ライム、シクロペンタノン、シクロヘキサノンの単独液
およびこれらと貧溶媒との混合液が好ましい。
【００１４】現像液１と２等は、それらの光架橋性重合
体を含む感光性組成物の溶解速度比が、解像度の観点か
ら２以上となるように選ばれるのが好ましく、さらに５
以上であることが好ましい。但し、現像液１、２等の現
像時間の和としてはスループットの観点から２分以内が
好ましく、さらに１分以内が好ましい。また、現像液１
の溶解速度は大きすぎるとパターンの崩れ等が生じて効
果がなくなってしまう為、その溶解速度としては未露光
部分の乾燥後塗膜において、１秒間あたり、２μｍ以下
であることが好ましい。現像液１、２等の組成はこれら
を満たすものとして選ばれるがさらに、リンス後に残渣
が残らない組成でなけれならない。
体を含む感光性組成物の溶解速度比が、解像度の観点か
ら２以上となるように選ばれるのが好ましく、さらに５
以上であることが好ましい。但し、現像液１、２等の現
像時間の和としてはスループットの観点から２分以内が
好ましく、さらに１分以内が好ましい。また、現像液１
の溶解速度は大きすぎるとパターンの崩れ等が生じて効
果がなくなってしまう為、その溶解速度としては未露光
部分の乾燥後塗膜において、１秒間あたり、２μｍ以下
であることが好ましい。現像液１、２等の組成はこれら
を満たすものとして選ばれるがさらに、リンス後に残渣
が残らない組成でなけれならない。
【００１５】基板上への塗布法としては、スピナー、ロ
ールコーター等によるものが代表的であり、基板として
はシリコンウェハー、セラミックス、銅板等が挙げられ
る。乾燥方法としは、ホットプレートや循環式オーブン
等が好例として挙げられ、乾燥温度は５０〜１４０℃、
さらに好ましくは、６０〜１００℃が良い。乾燥時間
は、厚みや乾燥方法によって異なるが、ホットプレート
で約１〜５分が好ましい。
ールコーター等によるものが代表的であり、基板として
はシリコンウェハー、セラミックス、銅板等が挙げられ
る。乾燥方法としは、ホットプレートや循環式オーブン
等が好例として挙げられ、乾燥温度は５０〜１４０℃、
さらに好ましくは、６０〜１００℃が良い。乾燥時間
は、厚みや乾燥方法によって異なるが、ホットプレート
で約１〜５分が好ましい。
【００１６】露光方法としては、通常のフォトレジスト
工程に用いる露光機によりフォトマスクを通して紫外線
を照射するのが好ましい。露光時間は、光架橋重合体の
種類、添加剤の種類および露光機の光強度によって異な
るが、一般的には０. １秒から１０分の間で最適な時間
を選べば良い。また露光後に熱処理を加えることなどの
処理は、使用するワニスの性能に合わせて実施すればな
んら問題はない。
工程に用いる露光機によりフォトマスクを通して紫外線
を照射するのが好ましい。露光時間は、光架橋重合体の
種類、添加剤の種類および露光機の光強度によって異な
るが、一般的には０. １秒から１０分の間で最適な時間
を選べば良い。また露光後に熱処理を加えることなどの
処理は、使用するワニスの性能に合わせて実施すればな
んら問題はない。
【００１７】現像された感光性組成物のパターン画像
は、現像液を取り除くために直ちにリンス液で洗浄す
る。リンス液としては、該感光性組成物に対する貧溶媒
を用いることが好ましく、例として、トルエン、キシレ
ン、アセトン、エチルベンゼン、メチルセロソルブ、酢
酸エチル、イソプロピルベンゼン、イソプロピルアルコ
ール、イソブチルアルコール、水等が挙げられる。
は、現像液を取り除くために直ちにリンス液で洗浄す
る。リンス液としては、該感光性組成物に対する貧溶媒
を用いることが好ましく、例として、トルエン、キシレ
ン、アセトン、エチルベンゼン、メチルセロソルブ、酢
酸エチル、イソプロピルベンゼン、イソプロピルアルコ
ール、イソブチルアルコール、水等が挙げられる。
【００１８】得られたポリイミド前駆体パターンのポリ
イミドへの転化は２００℃〜５００℃で５分〜３時間熱
硬化することにより行われる。方法としては循環式オー
ブン、縦型熱硬化炉、ホットプレード等が挙げられる。
イミドへの転化は２００℃〜５００℃で５分〜３時間熱
硬化することにより行われる。方法としては循環式オー
ブン、縦型熱硬化炉、ホットプレード等が挙げられる。
【００１９】
【実施例】次に、本発明及びその効果を実施例により説
明する。
明する。
【００２０】
【合成例１】１００ｍｌのγブチロラクトンにピロメリ
ット酸無水物２７．０ｇ、２−ヒドロキシエチルメタク
リレート２７．０ｇを溶解し、１５時間室温で攪拌し
た。次に攪拌しながらチオニルクロライド２３．８ｇを
滴下した。さらに４，４′−ジアミノジフェニルエーテ
ル１６ｇをγブチロラクトン５０ｍｌでスラリー状にし
たものを氷冷下で滴下し、２時間攪拌した後、１０ｌの
イオン交換水中に攪拌しながら滴下し、沈澱物を濾過、
洗浄風乾し、淡黄色の粉末を得た。この粉末１０ｇ、ト
リメチロールプロパントリアクリレート１ｇ、ミヒラー
ズケトン０．４ｇ、１−フェニル−１，２−プロパンジ
オン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）−オキシム０．
４ｇをＮ−メチルピロリドン２０ｍｌに加え、均一溶液
を得た。この溶液を以下Ｓ−１と称する。
ット酸無水物２７．０ｇ、２−ヒドロキシエチルメタク
リレート２７．０ｇを溶解し、１５時間室温で攪拌し
た。次に攪拌しながらチオニルクロライド２３．８ｇを
滴下した。さらに４，４′−ジアミノジフェニルエーテ
ル１６ｇをγブチロラクトン５０ｍｌでスラリー状にし
たものを氷冷下で滴下し、２時間攪拌した後、１０ｌの
イオン交換水中に攪拌しながら滴下し、沈澱物を濾過、
洗浄風乾し、淡黄色の粉末を得た。この粉末１０ｇ、ト
リメチロールプロパントリアクリレート１ｇ、ミヒラー
ズケトン０．４ｇ、１−フェニル−１，２−プロパンジ
オン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）−オキシム０．
４ｇをＮ−メチルピロリドン２０ｍｌに加え、均一溶液
を得た。この溶液を以下Ｓ−１と称する。
【００２１】
【合成例２】ジアミノジフェニルエーテル１１０ｇをＮ
−メチルピロリドン２７８ｇに溶解し、アミン溶液とし
た。ピロメリッド酸無水物１２０ｇをジメチルアセトア
ミド３０８ｇに分散させ、次いでＮ−メチルピロリドン
１８４ｇを加えて溶解させ、酸溶液とした。６０℃のア
ミン溶液に酸溶液を加えて、３時間反応させ均一な溶液
を得た。この溶液５０ｇ、ミヒラーズケトン１．１５ｇ
を３０ｇのジメチルアセトアミドに溶解した溶液及びジ
エチルアミノエチルメタクリレート０．２ｇを１０ｇの
ジメチルアセトアミドに溶解した溶液を混合、濾過し
た。この溶液を以下Ｓ−２と称する。
−メチルピロリドン２７８ｇに溶解し、アミン溶液とし
た。ピロメリッド酸無水物１２０ｇをジメチルアセトア
ミド３０８ｇに分散させ、次いでＮ−メチルピロリドン
１８４ｇを加えて溶解させ、酸溶液とした。６０℃のア
ミン溶液に酸溶液を加えて、３時間反応させ均一な溶液
を得た。この溶液５０ｇ、ミヒラーズケトン１．１５ｇ
を３０ｇのジメチルアセトアミドに溶解した溶液及びジ
エチルアミノエチルメタクリレート０．２ｇを１０ｇの
ジメチルアセトアミドに溶解した溶液を混合、濾過し
た。この溶液を以下Ｓ−２と称する。
【００２２】
【実施例１】シリコンウェハー上にスピナーを用いてＳ
−１を塗布し、７０℃の循環式オーブンで約２時間乾燥
した。膜厚は２０μｍであった。この塗膜に１０〜５０
μｍ角（２μｍ刻み）のスルーホールテストパターンが
印刷されたフォトマスクを密着させ、キャノン（株）製
ＰＬＡ−６０１露光機を用いて６０秒露光した。次に、
大日本スクリーン製造（株）製Ｄ−ＳＰＩＮ６３６現像
機を用いて、スプレー現像を実施した。現像条件は、Ｎ
ＭＰ／キシレン（５０／５０，容量比）の現像液１で２
０秒間現像し、ついでシクロペンタノン／キシレン（４
０／５０，容量比）の現像液２で２０秒間現像し、イソ
プロピルアルコールのリンス液で１５秒間リンスを行っ
た。得られたパターンの解像度（最少バイアホール径）
は２０μｍであり、残渣が全く存在しない良好なパター
ンが得られた。
−１を塗布し、７０℃の循環式オーブンで約２時間乾燥
した。膜厚は２０μｍであった。この塗膜に１０〜５０
μｍ角（２μｍ刻み）のスルーホールテストパターンが
印刷されたフォトマスクを密着させ、キャノン（株）製
ＰＬＡ−６０１露光機を用いて６０秒露光した。次に、
大日本スクリーン製造（株）製Ｄ−ＳＰＩＮ６３６現像
機を用いて、スプレー現像を実施した。現像条件は、Ｎ
ＭＰ／キシレン（５０／５０，容量比）の現像液１で２
０秒間現像し、ついでシクロペンタノン／キシレン（４
０／５０，容量比）の現像液２で２０秒間現像し、イソ
プロピルアルコールのリンス液で１５秒間リンスを行っ
た。得られたパターンの解像度（最少バイアホール径）
は２０μｍであり、残渣が全く存在しない良好なパター
ンが得られた。
【００２３】
【実施例２〜５】実施例２，３，４，５は実施例１と同
様な機器を用いて現像液を変えて実験をした結果であ
る。これらの実験条件を表１に、現像液１、２組成とそ
れぞれの現像時間と解像度の結果を表２に示す。
様な機器を用いて現像液を変えて実験をした結果であ
る。これらの実験条件を表１に、現像液１、２組成とそ
れぞれの現像時間と解像度の結果を表２に示す。
【００２４】
【比較例１】シリコンウェハー上にスピナーを用いてＳ
−１を塗布し、７０℃の循環式オーブンで約２時間乾燥
した。膜厚は２０μｍであった。この塗膜に１０〜５０
μｍ角（２μｍ刻み）のスルーホールテストパターンが
印刷されたフォトマスクを密着させ、キャノン（株）製
ＰＬＡ−６０１露光機を用いて６０秒露光した。次に、
大日本スクリーン製造（株）製Ｄ−ＳＰＩＮ６３６現像
機を用いて、スプレー現像を実施した。現像条件は、Ｎ
ＭＰ／キシレン（５０／５０，容量比）の現像液で２６
秒現像し、引続きイソプロピルアルコールで１５秒リン
スを行った。得られたパターンの解像度（最少バイアホ
ール径）は２６μｍであり、残渣が少量確認された。
−１を塗布し、７０℃の循環式オーブンで約２時間乾燥
した。膜厚は２０μｍであった。この塗膜に１０〜５０
μｍ角（２μｍ刻み）のスルーホールテストパターンが
印刷されたフォトマスクを密着させ、キャノン（株）製
ＰＬＡ−６０１露光機を用いて６０秒露光した。次に、
大日本スクリーン製造（株）製Ｄ−ＳＰＩＮ６３６現像
機を用いて、スプレー現像を実施した。現像条件は、Ｎ
ＭＰ／キシレン（５０／５０，容量比）の現像液で２６
秒現像し、引続きイソプロピルアルコールで１５秒リン
スを行った。得られたパターンの解像度（最少バイアホ
ール径）は２６μｍであり、残渣が少量確認された。
【００２５】
【比較例２および３】比較例２および３は比較例１と同
様な機器を用いて現像液を変えた実験をした結果であ
る。その実験条件を表１に、現像液組成、現像時間と解
像度の結果を表３に示す。
様な機器を用いて現像液を変えた実験をした結果であ
る。その実験条件を表１に、現像液組成、現像時間と解
像度の結果を表３に示す。
【００２６】
【実施例６】シリコンウェハー上にスピナーを用いてＳ
−２を塗布し、６０℃の循環式オーブンで約２．５時間
乾燥した。膜厚は２０μｍであった。この塗膜に１０〜
５０μｍ角（２μｍ刻み）のスルーホールテストパター
ンが印刷されたフォトマスクを密着させ、キャノン
（株）製ＰＬＡ−６０１露光機を用いて７０秒露光し
た。次に、大日本スクリーン製造（株）製Ｄ−ＳＰＩＮ
６３６現像機を用いて、パドル現像を実施した。現像条
件は、ＮＭＰ／キシレン（５０／５０，容量比）の現像
液１を１０秒吐出し回転数１０ｒｐｍで８０秒間回転現
像を行い、ついでジグライムを現像液２として、１０秒
吐出後１０ｒｐｍ２０秒間回転現像を行い、引続きイソ
プロピルアルコールで１５秒リンスを行った。得られた
パターンの解像度（最少バイアホール径）は２６μｍで
あり、残渣が少量確認された。
−２を塗布し、６０℃の循環式オーブンで約２．５時間
乾燥した。膜厚は２０μｍであった。この塗膜に１０〜
５０μｍ角（２μｍ刻み）のスルーホールテストパター
ンが印刷されたフォトマスクを密着させ、キャノン
（株）製ＰＬＡ−６０１露光機を用いて７０秒露光し
た。次に、大日本スクリーン製造（株）製Ｄ−ＳＰＩＮ
６３６現像機を用いて、パドル現像を実施した。現像条
件は、ＮＭＰ／キシレン（５０／５０，容量比）の現像
液１を１０秒吐出し回転数１０ｒｐｍで８０秒間回転現
像を行い、ついでジグライムを現像液２として、１０秒
吐出後１０ｒｐｍ２０秒間回転現像を行い、引続きイソ
プロピルアルコールで１５秒リンスを行った。得られた
パターンの解像度（最少バイアホール径）は２６μｍで
あり、残渣が少量確認された。
【００２７】
【比較例４】シリコンウェハー上にスピナーを用いてＳ
−２を塗布し、６０℃の循環式オーブンで約２．５時間
乾燥した。膜厚は２０μｍであった。この塗膜に１０〜
５０μｍ角（２μｍ刻み）のスルーホールテストパター
ンが印刷されたフォトマスクを密着させ、キャノン
（株）製ＰＬＡ−６０１露光機を用いて７０秒露光し
た。次に、大日本スクリーン製造（株）製Ｄ−ＳＰＩＮ
６３６現像機を用いて、パドル現像を実施した。現像条
件は、ＮＭＰ／キシレン（５０／５０，容量比）の現像
液を１０秒吐出し回転数１０ｒｐｍで１００秒間回転現
像を行い、引続きイソプロピルアルコールで１５秒リン
スを行った。得られたパターンの解像度（最少バイアホ
ール径）は３０μｍであり、残渣が少量確認された。
−２を塗布し、６０℃の循環式オーブンで約２．５時間
乾燥した。膜厚は２０μｍであった。この塗膜に１０〜
５０μｍ角（２μｍ刻み）のスルーホールテストパター
ンが印刷されたフォトマスクを密着させ、キャノン
（株）製ＰＬＡ−６０１露光機を用いて７０秒露光し
た。次に、大日本スクリーン製造（株）製Ｄ−ＳＰＩＮ
６３６現像機を用いて、パドル現像を実施した。現像条
件は、ＮＭＰ／キシレン（５０／５０，容量比）の現像
液を１０秒吐出し回転数１０ｒｐｍで１００秒間回転現
像を行い、引続きイソプロピルアルコールで１５秒リン
スを行った。得られたパターンの解像度（最少バイアホ
ール径）は３０μｍであり、残渣が少量確認された。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】
【表３】
【００３１】
【発明の効果】本発明の方法により、光架橋重合体組成
物を用いてパターン形成を行えば、スループットを損な
うことなく解像度を向上させることが可能となった。
物を用いてパターン形成を行えば、スループットを損な
うことなく解像度を向上させることが可能となった。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｂ 7352−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】 下記式〔Ｉ〕で示される繰り返し単位を
有する光架橋性重合体を含む感光性組成物から所定のパ
ターンを形成する方法において、自動機械を用いたスプ
レーまたはパドル現像法で現像を行うに際し、上記光架
橋性重合体に対する溶解度の異なる２種類以上の現像液
をその溶解度の高い順に用いることを特徴とするパター
ン形成方法。 【化１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6004421A JPH07209879A (ja) | 1994-01-20 | 1994-01-20 | パターンを形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6004421A JPH07209879A (ja) | 1994-01-20 | 1994-01-20 | パターンを形成する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07209879A true JPH07209879A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=11583815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6004421A Withdrawn JPH07209879A (ja) | 1994-01-20 | 1994-01-20 | パターンを形成する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07209879A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017107188A (ja) * | 2015-12-09 | 2017-06-15 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ | パターン処理法 |
| WO2023032545A1 (ja) | 2021-08-31 | 2023-03-09 | 富士フイルム株式会社 | 硬化物の製造方法、積層体の製造方法、及び、半導体デバイスの製造方法、並びに、処理液 |
| KR20240036090A (ko) | 2021-08-31 | 2024-03-19 | 후지필름 가부시키가이샤 | 경화물의 제조 방법, 적층체의 제조 방법, 및, 반도체 디바이스의 제조 방법, 및, 처리액, 및, 수지 조성물 |
-
1994
- 1994-01-20 JP JP6004421A patent/JPH07209879A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017107188A (ja) * | 2015-12-09 | 2017-06-15 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ | パターン処理法 |
| WO2023032545A1 (ja) | 2021-08-31 | 2023-03-09 | 富士フイルム株式会社 | 硬化物の製造方法、積層体の製造方法、及び、半導体デバイスの製造方法、並びに、処理液 |
| KR20230104746A (ko) | 2021-08-31 | 2023-07-10 | 후지필름 가부시키가이샤 | 경화물의 제조 방법, 적층체의 제조 방법, 및, 반도체 디바이스의 제조 방법, 및, 처리액 |
| US11934102B2 (en) | 2021-08-31 | 2024-03-19 | Fujifilm Corporation | Manufacturing method for cured substance, manufacturing method for laminate, and manufacturing method for semiconductor device, and treatment liquid |
| KR20240036090A (ko) | 2021-08-31 | 2024-03-19 | 후지필름 가부시키가이샤 | 경화물의 제조 방법, 적층체의 제조 방법, 및, 반도체 디바이스의 제조 방법, 및, 처리액, 및, 수지 조성물 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003287889A (ja) | 高耐熱性感光性樹脂組成物 | |
| JPH0651535A (ja) | 基板上にパターン化されたポリイミド被膜を形成させる方法 | |
| US4783391A (en) | Radiation-sensitive polyamide polymer composition with anthraquinone monoazide | |
| JPH03194559A (ja) | 感光性ポリイミド前駆体用現像液 | |
| JP2008538011A (ja) | 前処理組成物 | |
| JP2949813B2 (ja) | 化学線感応性重合体組成物 | |
| JP2002121382A (ja) | ポリイミド前駆体組成物 | |
| JPH07209879A (ja) | パターンを形成する方法 | |
| JPH0658534B2 (ja) | 化学線感応性重合体組成物 | |
| JPH06295063A (ja) | 化学線感応性重合体組成物 | |
| JPH03186847A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JP3289399B2 (ja) | 感光性ポリイミド前駆体組成物 | |
| JP2511651B2 (ja) | パタ−ンを形成する方法 | |
| JPH06282081A (ja) | パターンを形成する方法 | |
| JP2862627B2 (ja) | 感光性樹脂組成物及びパターン形成方法 | |
| JPH06301209A (ja) | 感光性ポリイミド前駆体組成物 | |
| JP3303416B2 (ja) | 感光性ポリイミド前駆体用現像液 | |
| JPH0720639A (ja) | パターンを形成する方法 | |
| JP2000212446A (ja) | 感光性樹脂組成物および絶縁膜 | |
| JP2002122990A (ja) | 感光性ポリイミド前駆体組成物 | |
| JPH10316855A (ja) | 化学線感応性重合体組成物 | |
| JP3921734B2 (ja) | 高解像度感光性ポリイミド前駆体組成物 | |
| JP2002214801A (ja) | 感光性ポリイミド用現像液 | |
| JPH0159570B2 (ja) | ||
| JPH10307392A (ja) | 化学線感応性重合体組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010403 |