JPH07211628A - 基板加熱装置 - Google Patents
基板加熱装置Info
- Publication number
- JPH07211628A JPH07211628A JP6023265A JP2326594A JPH07211628A JP H07211628 A JPH07211628 A JP H07211628A JP 6023265 A JP6023265 A JP 6023265A JP 2326594 A JP2326594 A JP 2326594A JP H07211628 A JPH07211628 A JP H07211628A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- substrate
- substrate heating
- heating apparatus
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板を均一に加熱し面内均一性の良いパター
ン寸法を得ることを可能とした基板加熱装置を提供す
る。 【構成】 加熱手段と同心円状窪みを備えた熱板と温度
検出手段と温度調節手段とからなることを特徴とする。
ン寸法を得ることを可能とした基板加熱装置を提供す
る。 【構成】 加熱手段と同心円状窪みを備えた熱板と温度
検出手段と温度調節手段とからなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体および液晶パネ
ル用のホトマスク等厚型基板を加熱する加熱装置に関す
る。
ル用のホトマスク等厚型基板を加熱する加熱装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体用のホトマスクを例にとり説明す
る。最新の半導体用のホトマスクは、１５２ｍｍ正方で
厚み６．３ｍｍのガラス基板上に約１０００オングスト
ロームのクロム膜をスパッタし、その上にレジストを塗
布して電子線描画装置でパターンを描画した後レジスト
現像処理を行い、続いてクロム膜のエッチング処理とレ
ジスト剥離を行って完成する。
る。最新の半導体用のホトマスクは、１５２ｍｍ正方で
厚み６．３ｍｍのガラス基板上に約１０００オングスト
ロームのクロム膜をスパッタし、その上にレジストを塗
布して電子線描画装置でパターンを描画した後レジスト
現像処理を行い、続いてクロム膜のエッチング処理とレ
ジスト剥離を行って完成する。
【０００３】ＬＳＩの集積度の向上に伴うパターンの微
細化のため、耐ドライエッチング性が高く、高精度なレ
ジストパターンが得られるレジストとして化学増幅型レ
ジストが開発され実用化が進んでいる。代表的な商品
は、シプレー社のＳＡＬ６０１である。
細化のため、耐ドライエッチング性が高く、高精度なレ
ジストパターンが得られるレジストとして化学増幅型レ
ジストが開発され実用化が進んでいる。代表的な商品
は、シプレー社のＳＡＬ６０１である。
【０００４】化学増幅型レジストは電子線描画した後、
約１１０℃でベーキングを行いレジストの感度増幅を行
う。ベーキング時のホトマスク上面の温度の均一性によ
りパターン寸法が変化するので全面にわたって均一な温
度でベーキングすることが必要である。
約１１０℃でベーキングを行いレジストの感度増幅を行
う。ベーキング時のホトマスク上面の温度の均一性によ
りパターン寸法が変化するので全面にわたって均一な温
度でベーキングすることが必要である。
【０００５】図３は従来の基板加熱装置の縦断面図であ
る。
る。
【０００６】熱板１はヒータ２で加熱される。熱電対３
で熱板１の温度を検出し、温度調節器４で一定の温度例
えば１１０℃に温度調節する。ホトマスク１０は熱板１
の上面に載置されるが、密着して載置する場合とボール
等のスペーサを挿入し、０．１ｍｍ程度のギャップをと
って載置する場合がある。
で熱板１の温度を検出し、温度調節器４で一定の温度例
えば１１０℃に温度調節する。ホトマスク１０は熱板１
の上面に載置されるが、密着して載置する場合とボール
等のスペーサを挿入し、０．１ｍｍ程度のギャップをと
って載置する場合がある。
【０００７】この従来の加熱装置で１５２ｍｍ正方、厚
み６．３ｍｍのホトマスクを加熱すると、ホトマスク１
０の材質が熱伝導性の悪いガラスであるため、熱板の温
度は均一であってもホトマスク１０の上面の温度は平均
温度に対し中央部の温度が２〜３℃高く同心円状に分布
する。従って、中央部のレジスト感度が大きくなり、見
かけ上の露光部寸法が大きくなってホトマスク１０の面
内均一性が悪くなるという欠陥がある。
み６．３ｍｍのホトマスクを加熱すると、ホトマスク１
０の材質が熱伝導性の悪いガラスであるため、熱板の温
度は均一であってもホトマスク１０の上面の温度は平均
温度に対し中央部の温度が２〜３℃高く同心円状に分布
する。従って、中央部のレジスト感度が大きくなり、見
かけ上の露光部寸法が大きくなってホトマスク１０の面
内均一性が悪くなるという欠陥がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、基板
を均一に加熱し面内均一性の良いパターン寸法を得るこ
とを可能とした基板加熱装置を提供することである。
を均一に加熱し面内均一性の良いパターン寸法を得るこ
とを可能とした基板加熱装置を提供することである。
【０００９】
【問題を解決するための手段】本発明は、加熱手段と同
心円状窪みを備えた熱板と温度検出手段と温度調節手段
とからなることを特徴とする。
心円状窪みを備えた熱板と温度検出手段と温度調節手段
とからなることを特徴とする。
【００１０】
【実施例】以下本発明を図面を参照して説明する。図１
ａは本発明の基板加熱装置の第１の実施例の縦断面図、
図１ｂはその平面図である。
ａは本発明の基板加熱装置の第１の実施例の縦断面図、
図１ｂはその平面図である。
【００１１】熱板１の温度調節は図３の場合と同様に行
う。熱板１の中央部に窪み５をつけることによりホトマ
スク１０の中心部の温度を下げることができる。窪みの
直径と深さにより低下する温度は変化するが、１５２ｍ
ｍ正方で厚み６．３ｍｍのホトマスクの場合、直径を５
０ｍｍ、深さを０．２ｍｍとした時の中心の温度は平均
温度に対し０．５℃高く、窪みがない場合に比較し大幅
に小さくなった。
う。熱板１の中央部に窪み５をつけることによりホトマ
スク１０の中心部の温度を下げることができる。窪みの
直径と深さにより低下する温度は変化するが、１５２ｍ
ｍ正方で厚み６．３ｍｍのホトマスクの場合、直径を５
０ｍｍ、深さを０．２ｍｍとした時の中心の温度は平均
温度に対し０．５℃高く、窪みがない場合に比較し大幅
に小さくなった。
【００１２】図２ａは本発明の基板加熱装置の第２の実
施例の縦断面図、図２ｂはその平面図である。
施例の縦断面図、図２ｂはその平面図である。
【００１３】ホトマスク１０の温度分布に合わせて同心
円のリング状窪みを７および８のように、１本または複
数本付加することにより一層均一性の良い基板加熱装置
にすることができる。
円のリング状窪みを７および８のように、１本または複
数本付加することにより一層均一性の良い基板加熱装置
にすることができる。
【００１４】また、中心の窪みを円錐形窪み６とするこ
とにより、窪みに温度勾配をもたせることができるので
ホトマスク１０の温度分布が一層改善される。
とにより、窪みに温度勾配をもたせることができるので
ホトマスク１０の温度分布が一層改善される。
【００１５】上記説明では、熱板の窪みが円形である場
合について述べたが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、多角形の窪みであっても本発明を実現できるこ
とは明らかである。
合について述べたが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、多角形の窪みであっても本発明を実現できるこ
とは明らかである。
【００１６】上記説明では、レジストが化学増幅型レジ
ストの場合について述べたが、本発明はこれに限定され
るものではなくベーキング温度の均一性が要求されるレ
ジストについては全く同様に適用できることは明らかで
ある。
ストの場合について述べたが、本発明はこれに限定され
るものではなくベーキング温度の均一性が要求されるレ
ジストについては全く同様に適用できることは明らかで
ある。
【００１７】上記説明では、ホトマスクを例にとり述べ
たが、半導体基板、液晶パネル基板であっても全く同様
に実現できることは明らかである。
たが、半導体基板、液晶パネル基板であっても全く同様
に実現できることは明らかである。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は次のよう
な効果を奏するものである。基板を均一に加熱し面内均
一性の良いパターン寸法が得られる。
な効果を奏するものである。基板を均一に加熱し面内均
一性の良いパターン寸法が得られる。
【図１ａ】本発明の基板加熱装置の第１の実施例の縦断
面図。
面図。
【図１ｂ】本発明の基板加熱装置の第１の実施例の平面
図。
図。
【図２ａ】本発明の基板加熱装置の第２の実施例の縦断
面図。
面図。
【図２ｂ】本発明の基板加熱装置の第２の実施例の平面
図。
図。
【図３】従来の基板加熱装置の縦断面図。
１…熱板、２…ヒータ、３…熱電対、４…温度調節器、
５、６、７、８…窪み、１０…ホトマスク。
５、６、７、８…窪み、１０…ホトマスク。
Claims (4)
- 【請求項１】 基板を加熱する加熱装置において、加熱
手段と同心円状窪みを備えた熱板と温度検出手段と温度
調節手段とからなることを特徴とした基板加熱装置。 - 【請求項２】 前記窪みが深さ０．０５〜０．５ｍｍの
円形であることを特徴とした請求項１記載の基板加熱装
置。 - 【請求項３】 前記窪みが深さ０．０５〜０．５ｍｍの
円錐形であることを特徴とした請求項１記載の基板加熱
装置。 - 【請求項４】 前記窪みが深さ０．０５〜０．５ｍｍの
リングであることを特徴とした請求項１記載の基板加熱
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6023265A JPH07211628A (ja) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | 基板加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6023265A JPH07211628A (ja) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | 基板加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211628A true JPH07211628A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=12105777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6023265A Pending JPH07211628A (ja) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | 基板加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07211628A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5817178A (en) * | 1995-05-30 | 1998-10-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for baking photoresist applied on substrate |
| US6399926B2 (en) | 2000-04-03 | 2002-06-04 | Sigmameltec Ltd. | Heat-treating apparatus capable of high temperature uniformity |
-
1994
- 1994-01-24 JP JP6023265A patent/JPH07211628A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5817178A (en) * | 1995-05-30 | 1998-10-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for baking photoresist applied on substrate |
| US6033474A (en) * | 1995-05-30 | 2000-03-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for baking photoresist applied on substrate |
| US6051371A (en) * | 1995-05-30 | 2000-04-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for baking photoresist applied on substrate |
| US6399926B2 (en) | 2000-04-03 | 2002-06-04 | Sigmameltec Ltd. | Heat-treating apparatus capable of high temperature uniformity |
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