JPH07211632A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH07211632A JPH07211632A JP6321993A JP32199394A JPH07211632A JP H07211632 A JPH07211632 A JP H07211632A JP 6321993 A JP6321993 A JP 6321993A JP 32199394 A JP32199394 A JP 32199394A JP H07211632 A JPH07211632 A JP H07211632A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- reduction lens
- exposure
- lens
- deviation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハの傾きを矯正した後、半導体ウ
エハ上面の平坦度に追従し、さらに露光中にも自動的に
焦点合わせを行いながら露光を行うことにより、半導体
ウエハ上面の平坦度が悪い場合や露光中にも常に焦点の
正確に合った露光を行える露光装置を提供する。 【構成】 半導体ウエハの移動手段１０、該半導体ウエ
ハ上面までの距離を検出する検出手段１９、該半導体ウ
エハ上面の傾きを矯正する駆動手段１３ａ、１４ａ、１
７、および自動的に焦点合わせしながら露光する手段
（１０、１９、２２、１７）とを有する。
エハ上面の平坦度に追従し、さらに露光中にも自動的に
焦点合わせを行いながら露光を行うことにより、半導体
ウエハ上面の平坦度が悪い場合や露光中にも常に焦点の
正確に合った露光を行える露光装置を提供する。 【構成】 半導体ウエハの移動手段１０、該半導体ウエ
ハ上面までの距離を検出する検出手段１９、該半導体ウ
エハ上面の傾きを矯正する駆動手段１３ａ、１４ａ、１
７、および自動的に焦点合わせしながら露光する手段
（１０、１９、２２、１７）とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、原画パターンを半導体
ウエハ上面にステップ・アンド・リピートしながら、縮
小レンズによって縮小投影露光する露光方法の分野に属
する。
ウエハ上面にステップ・アンド・リピートしながら、縮
小レンズによって縮小投影露光する露光方法の分野に属
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、上記分野の露光方法としては、特
開昭５２−５５４７２号公報に記載されたものが知られ
ている。
開昭５２−５５４７２号公報に記載されたものが知られ
ている。
【０００３】この従来の技術は、（１）レンズの光軸に
垂直な平面上で、レンズの周辺に正方形に配置された４
つの空気センサの開口と、これら開口の直下における半
導体ウエハ上面との距離に応じた４つの信号を検出し、
（２）空気センサからの４つの信号の和による１つの出
力値と、（３）それぞれ対角線上位置の２つの開口から
の信号の差による２つの出力値とを使い、（４）半導体
上面の焦点合わせと傾き調整とを同時に行っていた。
垂直な平面上で、レンズの周辺に正方形に配置された４
つの空気センサの開口と、これら開口の直下における半
導体ウエハ上面との距離に応じた４つの信号を検出し、
（２）空気センサからの４つの信号の和による１つの出
力値と、（３）それぞれ対角線上位置の２つの開口から
の信号の差による２つの出力値とを使い、（４）半導体
上面の焦点合わせと傾き調整とを同時に行っていた。
【０００４】この空気センサは、図１に示すように、縮
小レンズの周辺の光学アセンブリ中の４カ所の開口１０
１、１０２、１０３、１０４と、これら開口の直下にお
ける半導体ウエハ上面との距離を同時に検出するもので
ある。そして、空気センサから同時に測定される４カ所
の開口からの検出信号を用い、いわゆる零点法により、
試料ホルダーの傾きを調整する駆動機構にフィードバッ
クして、半導体ウエハ上面の傾きを矯正し、焦点合わせ
を行っていた。
小レンズの周辺の光学アセンブリ中の４カ所の開口１０
１、１０２、１０３、１０４と、これら開口の直下にお
ける半導体ウエハ上面との距離を同時に検出するもので
ある。そして、空気センサから同時に測定される４カ所
の開口からの検出信号を用い、いわゆる零点法により、
試料ホルダーの傾きを調整する駆動機構にフィードバッ
クして、半導体ウエハ上面の傾きを矯正し、焦点合わせ
を行っていた。
【０００５】要するに、従来の技術の半導体ウエハ上面
の露光方法では、光学アセンブリ中の４カ所の開口部を
使って、同時に測定される４ヵ所の測定点までの距離が
所定値になるように半導体ウエハ上面の傾きを露光のた
びごとに矯正して露光を行うものとなっていた。
の露光方法では、光学アセンブリ中の４カ所の開口部を
使って、同時に測定される４ヵ所の測定点までの距離が
所定値になるように半導体ウエハ上面の傾きを露光のた
びごとに矯正して露光を行うものとなっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この従来の技術では、
図１に示すように、空気センサの開口１０１、１０２、
１０３、１０４が縮小レンズ１００より外側にある。縮
小レンズの結像面の直径は、結像光学系であるので縮小
レンズの直径より小さい。したがって、４つの開口が対
向した半導体ウエハ上面上の４カ所は、縮小レンズの結
像面と同一の大きさの半導体ウエハ上面の被露光領域を
取り囲む外周上の４カ所となる。
図１に示すように、空気センサの開口１０１、１０２、
１０３、１０４が縮小レンズ１００より外側にある。縮
小レンズの結像面の直径は、結像光学系であるので縮小
レンズの直径より小さい。したがって、４つの開口が対
向した半導体ウエハ上面上の４カ所は、縮小レンズの結
像面と同一の大きさの半導体ウエハ上面の被露光領域を
取り囲む外周上の４カ所となる。
【０００７】そのため、図２（ａ）のように、半導体ウ
エハ上面の平坦度が良好な場合には、被露光領域と縮小
レンズの結像面とを一致させることができるが、図２
（ｂ）のように、半導体ウエハ上面に凹凸部分があり平
坦度が悪い場合に、被露光領域外の４カ所で距離を測っ
て半導体ウエハ上面の傾きを矯正するため、この４カ所
の内側にある被露光領域の位置を検出することはできな
い。したがって、この検出される４カ所からの信号によ
って半導体ウエハ上面と縮小レンズの結像面とをほぼ平
行にできても、被露光領域に凹凸部分のある場合には、
この半導体ウエハ上面と縮小レンズの結像面とを一致さ
せることができなくなる場合があり、必要とされる解像
力が得られないという場合がしばしば生じるという問題
があることを発見した。
エハ上面の平坦度が良好な場合には、被露光領域と縮小
レンズの結像面とを一致させることができるが、図２
（ｂ）のように、半導体ウエハ上面に凹凸部分があり平
坦度が悪い場合に、被露光領域外の４カ所で距離を測っ
て半導体ウエハ上面の傾きを矯正するため、この４カ所
の内側にある被露光領域の位置を検出することはできな
い。したがって、この検出される４カ所からの信号によ
って半導体ウエハ上面と縮小レンズの結像面とをほぼ平
行にできても、被露光領域に凹凸部分のある場合には、
この半導体ウエハ上面と縮小レンズの結像面とを一致さ
せることができなくなる場合があり、必要とされる解像
力が得られないという場合がしばしば生じるという問題
があることを発見した。
【０００８】本発明が解決しようとする課題は、上記分
野において、縮小レンズの結像面直下で、半導体ウエハ
上面までの距離を検出することである。
野において、縮小レンズの結像面直下で、半導体ウエハ
上面までの距離を検出することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、上記分野において、半導体ウエハ上面の
少なくとも異なる３カ所で、該縮小レンズの結像面直下
の結像面から半導体ウエハ上面の被露光領域までの偏差
を検出する検出手段を用いて、該偏差を検出し、その偏
差がそれぞれゼロになるように、該縮小レンズの光軸方
向に該半導体ウエハを載置する台を上記少なくとも３カ
所に対応する駆動手段を用いて、それぞれ移動し半導体
ウエハ上面の傾きを矯正する工程と、その後、該検出手
段を用いて、半導体ウエハ上面を光軸方向に移動させ、
該縮小レンズの結像面に半導体ウエハ上面の被露光領域
を保持しながら、逐次該原画パターンを露光する工程と
を備えしめる、という技術的手段を講じた。
め、本発明は、上記分野において、半導体ウエハ上面の
少なくとも異なる３カ所で、該縮小レンズの結像面直下
の結像面から半導体ウエハ上面の被露光領域までの偏差
を検出する検出手段を用いて、該偏差を検出し、その偏
差がそれぞれゼロになるように、該縮小レンズの光軸方
向に該半導体ウエハを載置する台を上記少なくとも３カ
所に対応する駆動手段を用いて、それぞれ移動し半導体
ウエハ上面の傾きを矯正する工程と、その後、該検出手
段を用いて、半導体ウエハ上面を光軸方向に移動させ、
該縮小レンズの結像面に半導体ウエハ上面の被露光領域
を保持しながら、逐次該原画パターンを露光する工程と
を備えしめる、という技術的手段を講じた。
【００１０】
【作用】上記技術的手段においては、縮小レンズの結像
面から半導体ウエハ上面の被露光領域までの偏差を該縮
小レンズの結像面の直下で検出する検出手段を用いてい
るので、縮小レンズの結像面直下での半導体ウエハ上面
までの距離検出が実現される。
面から半導体ウエハ上面の被露光領域までの偏差を該縮
小レンズの結像面の直下で検出する検出手段を用いてい
るので、縮小レンズの結像面直下での半導体ウエハ上面
までの距離検出が実現される。
【００１１】
【実施例】以下に、この発明の好適一実施例を図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００１２】図３はこの実施例に係る装置の概略図で、
縮小レンズに設けた一つの検出器を用いて、半導体ウエ
ハ上面の傾きを検出して矯正し、焦点合わせをし、半導
体ウエハ上面に露光する方法を行うことのできる縮小投
影露光装置の概略図である。縮小レンズ１８は光軸１８
ａが台板１１の表面、すなわちステージ１０の移動する
案内面１１ａに垂直になるように設けられ、かつ縮小レ
ンズ１８の下端には縮小レンズの結像面に半導体ウエハ
上面を合わせ、すなわち焦点合わせを行なうようにする
ため、半導体ウエハ上面までの距離を検出する検出器１
９が取付けてある。半導体ウエハ３は半導体ウエハ台６
上に載置される。半導体ウエハ台６は第１の支持機構７
によって半導体ウエハ上面の傾きを微細に調整し得るよ
うに移動台８上に設けられ、また移動台８は第２の支持
機構９により上下方向に微細に移動し得るようにステー
ジ１０上に設けられ、さらにステージ１０は移動機構
（図示せず）により台板１１上を前後左右に移動し得る
ように構成されている。
縮小レンズに設けた一つの検出器を用いて、半導体ウエ
ハ上面の傾きを検出して矯正し、焦点合わせをし、半導
体ウエハ上面に露光する方法を行うことのできる縮小投
影露光装置の概略図である。縮小レンズ１８は光軸１８
ａが台板１１の表面、すなわちステージ１０の移動する
案内面１１ａに垂直になるように設けられ、かつ縮小レ
ンズ１８の下端には縮小レンズの結像面に半導体ウエハ
上面を合わせ、すなわち焦点合わせを行なうようにする
ため、半導体ウエハ上面までの距離を検出する検出器１
９が取付けてある。半導体ウエハ３は半導体ウエハ台６
上に載置される。半導体ウエハ台６は第１の支持機構７
によって半導体ウエハ上面の傾きを微細に調整し得るよ
うに移動台８上に設けられ、また移動台８は第２の支持
機構９により上下方向に微細に移動し得るようにステー
ジ１０上に設けられ、さらにステージ１０は移動機構
（図示せず）により台板１１上を前後左右に移動し得る
ように構成されている。
【００１３】第１の支持機構７は図４の移動台８に示す
ように、移動台８上のほぼ点対称の３点Ａ、Ｂ、Ｃの位
置にそれぞれ取付けた支点１２、１４、１３を有する。
このうち支点１２は固定支点であり、他の支点１３と１
４はそれぞれ駆動機構１３ａと１４ａにより先端を微細
に上下することができる。半導体ウエハ台６は、これら
の支点１２、１３、１４の高さを変えることにより、そ
の表面の傾きを微細に調整可能である。第２の支持機構
９は、移動台８の裏面に取付けたくさび板１５と、ステ
ージ１０上に左右方向に移動可能なように設けたくさび
板１６とから構成される。移動台８はガイド（図示せ
ず）により上下方向にのみ適宜移動可能な構造である。
駆動機構１７によりくさび板１６を左右方向に移動する
ことにより、移動台８を微細に上下移動できる。
ように、移動台８上のほぼ点対称の３点Ａ、Ｂ、Ｃの位
置にそれぞれ取付けた支点１２、１４、１３を有する。
このうち支点１２は固定支点であり、他の支点１３と１
４はそれぞれ駆動機構１３ａと１４ａにより先端を微細
に上下することができる。半導体ウエハ台６は、これら
の支点１２、１３、１４の高さを変えることにより、そ
の表面の傾きを微細に調整可能である。第２の支持機構
９は、移動台８の裏面に取付けたくさび板１５と、ステ
ージ１０上に左右方向に移動可能なように設けたくさび
板１６とから構成される。移動台８はガイド（図示せ
ず）により上下方向にのみ適宜移動可能な構造である。
駆動機構１７によりくさび板１６を左右方向に移動する
ことにより、移動台８を微細に上下移動できる。
【００１４】縮小レンズの結像面から半導体ウエハ上面
までの偏差に応じた検出信号は、検出器１９から判別回
路２０に加えられ、所定値（縮小レンズ１８の焦点距
離、すなわち基準面となる縮小レンズの結像面の位置に
対応した値）から変化すると、その偏差に対応した信号
が判別回路２０から増幅器２１に加えられる。さらに信
号は増幅されて切換回路２２に加わり、切換えにより駆
動機構１３ａ、１４ａ、または１７に分配されて、それ
ぞれに内蔵された駆動用のモータ（いずれも図示せず）
が駆動する。
までの偏差に応じた検出信号は、検出器１９から判別回
路２０に加えられ、所定値（縮小レンズ１８の焦点距
離、すなわち基準面となる縮小レンズの結像面の位置に
対応した値）から変化すると、その偏差に対応した信号
が判別回路２０から増幅器２１に加えられる。さらに信
号は増幅されて切換回路２２に加わり、切換えにより駆
動機構１３ａ、１４ａ、または１７に分配されて、それ
ぞれに内蔵された駆動用のモータ（いずれも図示せず）
が駆動する。
【００１５】次に、縮小レンズの結像面を基準面とし
て、この縮小レンズの結像面から半導体ウエハ上面まで
の偏差を被露光領域で検出する検出器を用いて、該縮小
レンズの結像面と該被露光領域との偏差を検出し、半導
体ウエハ上面の少なくとも異なる３カ所で該偏差が所定
値になるように該半導体ウエハ上面の傾きを矯正すれ
ば、半導体ウエハ上面の少なくとも異なる３カ所で、半
導体ウエハ上面が縮小レンズの結像面とほぼ平行となる
矯正方法の手順を述べる。
て、この縮小レンズの結像面から半導体ウエハ上面まで
の偏差を被露光領域で検出する検出器を用いて、該縮小
レンズの結像面と該被露光領域との偏差を検出し、半導
体ウエハ上面の少なくとも異なる３カ所で該偏差が所定
値になるように該半導体ウエハ上面の傾きを矯正すれ
ば、半導体ウエハ上面の少なくとも異なる３カ所で、半
導体ウエハ上面が縮小レンズの結像面とほぼ平行となる
矯正方法の手順を述べる。
【００１６】搬送機構（図示せず）により半導体ウエハ
台６上に半導体ウエハ３を置き、ステージ１０を台板１
１上で移動させ、移動台上の支点１２の位置Ａを検出器
１９の直下に位置決めする。ここで、切換回路２２を駆
動機構１７のモータに切換え、増幅器２１の出力、すな
わち支点１２上方の検出器から求められる半導体ウエハ
上面との距離、すなわち、縮小レンズの結像面からの偏
差に対応した出力が駆動機構１７に加わり、くさび板１
６が左右に移動して半導体ウエハ台を微細に上下動し
て、半導体ウエハ上面のＡ点部分は縮小レンズの焦点位
置に来る。
台６上に半導体ウエハ３を置き、ステージ１０を台板１
１上で移動させ、移動台上の支点１２の位置Ａを検出器
１９の直下に位置決めする。ここで、切換回路２２を駆
動機構１７のモータに切換え、増幅器２１の出力、すな
わち支点１２上方の検出器から求められる半導体ウエハ
上面との距離、すなわち、縮小レンズの結像面からの偏
差に対応した出力が駆動機構１７に加わり、くさび板１
６が左右に移動して半導体ウエハ台を微細に上下動し
て、半導体ウエハ上面のＡ点部分は縮小レンズの焦点位
置に来る。
【００１７】次に、切換回路２２を駆動機構１３ａのモ
ータに切換え、ステージ１０を移動させて支点１３の位
置Ｃを縮小レンズの光軸１８ａ上の検出器の直下に位置
決めする。この状態で駆動機構１３ａを動作させて、半
導体ウエハ上面のＣ点部分を焦点位置に合わせる。
ータに切換え、ステージ１０を移動させて支点１３の位
置Ｃを縮小レンズの光軸１８ａ上の検出器の直下に位置
決めする。この状態で駆動機構１３ａを動作させて、半
導体ウエハ上面のＣ点部分を焦点位置に合わせる。
【００１８】さらに切換回路２２を駆動機構１４ａのモ
ータに切換え、ステージ１０を移動し、移動台上のＢ点
を縮小レンズの光軸１８ａの検出器の直下に位置させて
焦点合わせを行い、半導体ウエハ上面のＢ点部分を焦点
位置に合わせる。
ータに切換え、ステージ１０を移動し、移動台上のＢ点
を縮小レンズの光軸１８ａの検出器の直下に位置させて
焦点合わせを行い、半導体ウエハ上面のＢ点部分を焦点
位置に合わせる。
【００１９】その結果、この半導体ウエハ上面の３カ所
の被露光領域が、基準面である縮小レンズの結像面に合
致するので、この半導体ウエハ上面の３カ所の被露光領
域が縮小レンズの光軸１８ａに直交するように、半導体
ウエハ上面の傾きが矯正される。
の被露光領域が、基準面である縮小レンズの結像面に合
致するので、この半導体ウエハ上面の３カ所の被露光領
域が縮小レンズの光軸１８ａに直交するように、半導体
ウエハ上面の傾きが矯正される。
【００２０】次に、回路２２を駆動機構１７のモータに
切換え、検出器１９から送出した距離検出信号を判別回
路２０に加え、所定値の偏差に対応した信号を増幅して
切換回路２２に加えて駆動機構１７のモータを駆動して
半導体ウエハ上面を縮小レンズの光軸方向に移動させる
ことによって自動的に半導体ウエハ上面と縮小レンズの
結像面とをほぼ平行に維持したまま、半導体ウエハ上面
の被露光領域を焦点位置に保持しながら露光することが
できる。
切換え、検出器１９から送出した距離検出信号を判別回
路２０に加え、所定値の偏差に対応した信号を増幅して
切換回路２２に加えて駆動機構１７のモータを駆動して
半導体ウエハ上面を縮小レンズの光軸方向に移動させる
ことによって自動的に半導体ウエハ上面と縮小レンズの
結像面とをほぼ平行に維持したまま、半導体ウエハ上面
の被露光領域を焦点位置に保持しながら露光することが
できる。
【００２１】すなわち、縮小レンズの結像面と半導体ウ
エハ上面の被露光領域とを常に合わせるように、ステー
ジ１０を台板１１上でステップ・アンド・リピート移動
させながら、半導体ウエハ上面に回路パターンをそのス
テップ・アンド・リピートの停止時に露光することがで
きる。なお駆動機構１３ａ、１４ａおよび１７は、それ
ぞれモータが増幅器２１に接続されていない時はモータ
回路を短絡する等の通常の保持手段を用いて固定するこ
とができる。
エハ上面の被露光領域とを常に合わせるように、ステー
ジ１０を台板１１上でステップ・アンド・リピート移動
させながら、半導体ウエハ上面に回路パターンをそのス
テップ・アンド・リピートの停止時に露光することがで
きる。なお駆動機構１３ａ、１４ａおよび１７は、それ
ぞれモータが増幅器２１に接続されていない時はモータ
回路を短絡する等の通常の保持手段を用いて固定するこ
とができる。
【００２２】
【発明の効果】本発明と同一の技術的課題を解決するに
は、半導体ウエハ上面の少なくとも異なる３カ所で、該
縮小レンズの結像面直下の結像面から半導体ウエハ上面
の被露光領域までの偏差を検出する検出手段を用いて、
該偏差を検出し、その偏差がそれぞれゼロになるよう
に、該縮小レンズの光軸方向に該半導体ウエハを載置す
る台を上記少なくとも３カ所に対応する駆動手段を用い
て、それぞれ移動し半導体ウエハ上面の傾きを矯正する
工程のみを備えしめるという技術的手段を講じても、先
の作用の項で述べたとおりにして、本発明の技術的課題
は解決される訳である。しかしながら、本発明では、こ
の工程のみならず、その後、該検出手段を用いて、半導
体ウエハ上面を光軸方向に移動させ、該縮小レンズの結
像面に半導体ウエハ上面の被露光領域を保持しながら、
逐次該原画パターンを露光する工程をも備えしめるとい
う技術的手段を講じたため、上記のような、第一の工程
のみを備えしめるという技術的手段を講じた場合に比較
して、半導体ウエハ上面の光軸方向に移動させることに
よる縮小レンズの結像面への半導体ウエハ上面の被露光
領域の一致度のさらなる向上という、第二の工程を付加
することによる工程増というマイナス面を補って余りあ
る利点を生じる。
は、半導体ウエハ上面の少なくとも異なる３カ所で、該
縮小レンズの結像面直下の結像面から半導体ウエハ上面
の被露光領域までの偏差を検出する検出手段を用いて、
該偏差を検出し、その偏差がそれぞれゼロになるよう
に、該縮小レンズの光軸方向に該半導体ウエハを載置す
る台を上記少なくとも３カ所に対応する駆動手段を用い
て、それぞれ移動し半導体ウエハ上面の傾きを矯正する
工程のみを備えしめるという技術的手段を講じても、先
の作用の項で述べたとおりにして、本発明の技術的課題
は解決される訳である。しかしながら、本発明では、こ
の工程のみならず、その後、該検出手段を用いて、半導
体ウエハ上面を光軸方向に移動させ、該縮小レンズの結
像面に半導体ウエハ上面の被露光領域を保持しながら、
逐次該原画パターンを露光する工程をも備えしめるとい
う技術的手段を講じたため、上記のような、第一の工程
のみを備えしめるという技術的手段を講じた場合に比較
して、半導体ウエハ上面の光軸方向に移動させることに
よる縮小レンズの結像面への半導体ウエハ上面の被露光
領域の一致度のさらなる向上という、第二の工程を付加
することによる工程増というマイナス面を補って余りあ
る利点を生じる。
【図１】半導体ウエハ上面の傾きを調整する従来の技術
における露光方法に使用されるレべリング装置の空気セ
ンサを示す説明図。
における露光方法に使用されるレべリング装置の空気セ
ンサを示す説明図。
【図２】従来の技術における問題を説明する断面図。
【図３】本発明の実施例を説明するための構成図。
【図４】移動台上の３点を示す説明図。
３…半導体ウエハ、６…半導体ウエハ台、７…第１の支
持機構、８…移動台、９…第２の支持機構、１０…ステ
ージ、１１…台板、１２，１３，１４…支点、１３ａ，
１４ａ…駆動機構、１５，１６…くさび板、１７…駆動
機構、１８…縮小レンズ、１８ａ…光軸、１９…検出
器。
持機構、８…移動台、９…第２の支持機構、１０…ステ
ージ、１１…台板、１２，１３，１４…支点、１３ａ，
１４ａ…駆動機構、１５，１６…くさび板、１７…駆動
機構、１８…縮小レンズ、１８ａ…光軸、１９…検出
器。
フロントページの続き (72)発明者 国▲吉▼ 伸治 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 保坂 純男 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 寺澤 恒男 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】光源、原画、縮小レンズを備えた露光装置
であって、該縮小レンズ直下の半導体ウエハ上面までの
偏差を検出する検出手段と、少なくとも３ヶ所の該偏差
を一定になるように該半導体ウエハ上面の傾きを矯正す
る矯正手段と、該矯正後、該検出手段を用いて該半導体
ウエハ上面の被露光領域を自動的に焦点合わせしながら
該原画パターンを逐次露光する露光手段とを有すること
を特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6321993A JP2605644B2 (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 露光装置および露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6321993A JP2605644B2 (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 露光装置および露光方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60038562A Division JPH0618168B2 (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 原画パターンを半導体ウエハ上面に露光する露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211632A true JPH07211632A (ja) | 1995-08-11 |
| JP2605644B2 JP2605644B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=18138734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6321993A Expired - Lifetime JP2605644B2 (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 露光装置および露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2605644B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200465352Y1 (ko) * | 2008-07-16 | 2013-02-14 | 세메스 주식회사 | 다이 본더용 반도체칩 픽업장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55134812A (en) * | 1979-04-02 | 1980-10-21 | Optimetrix Corp | Optical collection system |
-
1994
- 1994-12-26 JP JP6321993A patent/JP2605644B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55134812A (en) * | 1979-04-02 | 1980-10-21 | Optimetrix Corp | Optical collection system |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200465352Y1 (ko) * | 2008-07-16 | 2013-02-14 | 세메스 주식회사 | 다이 본더용 반도체칩 픽업장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2605644B2 (ja) | 1997-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5153916A (en) | Method and apparatus for detecting focal plane | |
| KR940015697A (ko) | 노광방법 및 그 장치 | |
| US4580900A (en) | Auto focus alignment and measurement system and method | |
| US5798822A (en) | Exposure apparatus | |
| JPH0618168B2 (ja) | 原画パターンを半導体ウエハ上面に露光する露光方法 | |
| JP3218466B2 (ja) | 露光方法及び装置 | |
| JPH07211632A (ja) | 露光装置 | |
| US6545284B1 (en) | Face position detection method and apparatus, and exposure method and exposure apparatus, a production method for an exposure apparatus and a production method for a semiconductor device | |
| JPH10242040A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3197629B2 (ja) | 光投影露光装置 | |
| JPH10256148A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP2743199B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2000252192A (ja) | 投影露光方法および投影露光装置 | |
| JPS6144429Y2 (ja) | ||
| JPH0478126A (ja) | 自動焦点検出装置 | |
| JP2877835B2 (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JPH06151278A (ja) | 焦点位置検出方法及び焦点位置合わせ方法 | |
| JPH0582410A (ja) | 結像平面検出方法 | |
| JP3008591B2 (ja) | 露光装置及びそれを用いた回路製造方法 | |
| JPS6134939A (ja) | 半導体焼付装置 | |
| JP2808151B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2002043218A (ja) | 露光方法 | |
| JP3673625B2 (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| KR900001655B1 (ko) | 광 노출 장치 | |
| JPH10209032A (ja) | 露光方法及び露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090913 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |