JPH10242040A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
- Publication number
- JPH10242040A JPH10242040A JP9056914A JP5691497A JPH10242040A JP H10242040 A JPH10242040 A JP H10242040A JP 9056914 A JP9056914 A JP 9056914A JP 5691497 A JP5691497 A JP 5691497A JP H10242040 A JPH10242040 A JP H10242040A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- mask
- optical system
- projection optical
- photosensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、半導体装置あるいは液晶表示装置を
製造する際に用いられる投影露光装置に関し、基板厚を
検出して基板搬送速度やプリアライメント・ピン駆動速
度の速度制御が行える投影露光装置を提供することを目
的とする。 【解決手段】マスク5を保持して移動するマスクステー
ジ3と、パターンの像を感光基板6に投影する投影光学
系7と、感光基板6を保持してマスクステージ3と同期
して移動する基板ステージ4と、投影光学系7の光軸方
向に関する感光基板6とマスク5との間の距離を測定す
る測定系10A〜10Dと、マスクステージ3と基板ス
テージ4との少なくとも一方を投影光学系7の光軸方向
に移動して、感光基板6を投影光学系7の結像位置に移
動させる移動手段20とを有する投影露光装置1におい
て、測定系10A〜10Dの出力に基づいて、基板の厚
さを検出する検出系21、22を備えるように構成す
る。
製造する際に用いられる投影露光装置に関し、基板厚を
検出して基板搬送速度やプリアライメント・ピン駆動速
度の速度制御が行える投影露光装置を提供することを目
的とする。 【解決手段】マスク5を保持して移動するマスクステー
ジ3と、パターンの像を感光基板6に投影する投影光学
系7と、感光基板6を保持してマスクステージ3と同期
して移動する基板ステージ4と、投影光学系7の光軸方
向に関する感光基板6とマスク5との間の距離を測定す
る測定系10A〜10Dと、マスクステージ3と基板ス
テージ4との少なくとも一方を投影光学系7の光軸方向
に移動して、感光基板6を投影光学系7の結像位置に移
動させる移動手段20とを有する投影露光装置1におい
て、測定系10A〜10Dの出力に基づいて、基板の厚
さを検出する検出系21、22を備えるように構成す
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置あるい
は液晶表示装置を製造する際に用いられる投影露光装置
に関し、特に自動焦点調節機能を有する投影露光装置に
関する。
は液晶表示装置を製造する際に用いられる投影露光装置
に関し、特に自動焦点調節機能を有する投影露光装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】投影露光装置は、マスク及び感光基板を
投影光学系を介して対面するように保持した状態でマス
クに照明光を照射し、マスクを通過した照明光によるマ
スクのパターン像を投影光学系を介して感光基板上に結
像投影して感光基板を露光するようになっている。
投影光学系を介して対面するように保持した状態でマス
クに照明光を照射し、マスクを通過した照明光によるマ
スクのパターン像を投影光学系を介して感光基板上に結
像投影して感光基板を露光するようになっている。
【0003】通常、この種の投影露光装置には、投影光
学系の光軸方向(焦点方向)におけるマスク及び感光基
板の感光面の位置をそれぞれ個別に検出し、検出結果に
基づいて感光基板の感光面が投影光学系の焦点位置に位
置するように所定の補正動作を行う機能(自動焦点調整
機能)が設けられており、これにより安定した結像性能
を得ることができるようになっている。
学系の光軸方向(焦点方向)におけるマスク及び感光基
板の感光面の位置をそれぞれ個別に検出し、検出結果に
基づいて感光基板の感光面が投影光学系の焦点位置に位
置するように所定の補正動作を行う機能(自動焦点調整
機能)が設けられており、これにより安定した結像性能
を得ることができるようになっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような投影露光装
置によりマスクのパターン像が露光される感光基板の例
として、液晶表示装置に用いられるガラス基板がある。
近年、液晶表示パネルの大型化、薄型化が進み、それに
伴って、投影露光装置で露光されるガラス基板も大型
化、薄型化され、例えば、大きいもので500mm×6
00mm程度の基板面積を有し、基板厚さは1.1mm
厚あるいは0.7mm厚のものがよく用いられている。
このように基板面積に比して、厚さが極めて薄いガラス
基板を搬送して基板載置面に載置して、安定した露光精
度で所定の露光動作を行わせるには、ガラス基板の厚さ
に応じた投影露光装置の制御が必要になってくる。
置によりマスクのパターン像が露光される感光基板の例
として、液晶表示装置に用いられるガラス基板がある。
近年、液晶表示パネルの大型化、薄型化が進み、それに
伴って、投影露光装置で露光されるガラス基板も大型
化、薄型化され、例えば、大きいもので500mm×6
00mm程度の基板面積を有し、基板厚さは1.1mm
厚あるいは0.7mm厚のものがよく用いられている。
このように基板面積に比して、厚さが極めて薄いガラス
基板を搬送して基板載置面に載置して、安定した露光精
度で所定の露光動作を行わせるには、ガラス基板の厚さ
に応じた投影露光装置の制御が必要になってくる。
【0005】例えば、薄い基板と厚い基板とでは、基板
搬送速度やプリアライメント・ピン駆動速度を異ならせ
る必要がある。薄い基板に対して基板搬送速度やプリア
ライメント・ピン駆動速度を高速にし過ぎると、基板に
与える衝撃が大きくなったり、それに伴って振動が生じ
たりして、安定した露光精度が得られないことがある。
そのため、従来では基板厚さの異なるガラス基板を搬
送、プリアライメントする際には、基板厚さ毎に基板搬
送速度やプリアライメント・ピン駆動速度を変更するた
めのパラメータをその都度変更しなければならないとい
う手間がかかっていた。
搬送速度やプリアライメント・ピン駆動速度を異ならせ
る必要がある。薄い基板に対して基板搬送速度やプリア
ライメント・ピン駆動速度を高速にし過ぎると、基板に
与える衝撃が大きくなったり、それに伴って振動が生じ
たりして、安定した露光精度が得られないことがある。
そのため、従来では基板厚さの異なるガラス基板を搬
送、プリアライメントする際には、基板厚さ毎に基板搬
送速度やプリアライメント・ピン駆動速度を変更するた
めのパラメータをその都度変更しなければならないとい
う手間がかかっていた。
【0006】本発明の目的は、基板厚を検出して基板搬
送速度やプリアライメント・ピン駆動速度の速度制御が
行える投影露光装置を提供することにある。
送速度やプリアライメント・ピン駆動速度の速度制御が
行える投影露光装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】一実施の形態を表す図1
に対応付けて説明すると上記目的は、パターンが描画さ
れたマスク(5)を保持して移動するマスクステージ
(3)と、パターンの像を感光基板(6)に投影する投
影光学系(7)と、感光基板(6)を保持してマスクス
テージ(3)と同期して移動する基板ステージ(4)
と、投影光学系(7)の光軸方向に関する感光基板
(6)とマスク(5)との間の距離を測定する測定手段
(10A〜10D)と、マスクステージ(3)と基板ス
テージ(4)との少なくとも一方を投影光学系(7)の
光軸方向に移動して、感光基板(6)を投影光学系
(7)の結像位置に移動させる移動手段(20)とを有
する投影露光装置(1)において、測定手段(10A〜
10D)と移動手段(20)との少なくとも一方の出力
に基づいて、基板の厚さを検出する検出手段(21、2
2)を備えたことを特徴とする投影露光装置によって達
成される。
に対応付けて説明すると上記目的は、パターンが描画さ
れたマスク(5)を保持して移動するマスクステージ
(3)と、パターンの像を感光基板(6)に投影する投
影光学系(7)と、感光基板(6)を保持してマスクス
テージ(3)と同期して移動する基板ステージ(4)
と、投影光学系(7)の光軸方向に関する感光基板
(6)とマスク(5)との間の距離を測定する測定手段
(10A〜10D)と、マスクステージ(3)と基板ス
テージ(4)との少なくとも一方を投影光学系(7)の
光軸方向に移動して、感光基板(6)を投影光学系
(7)の結像位置に移動させる移動手段(20)とを有
する投影露光装置(1)において、測定手段(10A〜
10D)と移動手段(20)との少なくとも一方の出力
に基づいて、基板の厚さを検出する検出手段(21、2
2)を備えたことを特徴とする投影露光装置によって達
成される。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態による投影
露光装置を図1乃至図5を用いて説明する。図1は、本
実施の形態による投影露光装置1の概略の構成を示して
いる。図1において、断面がコ字状に形成されたキャリ
ッジ2の第1の側壁部2Aの内側にマスクステージ3が
配設され、キャリッジ2の第2の側壁部2Bの内側にレ
ベリングステージ構成の基板ステージ4が配設され、こ
れらマスクステージ3及び基板ステージ4によりマスク
5及び感光基板6が投影光学系7を挟んで対面するよう
に保持される。
露光装置を図1乃至図5を用いて説明する。図1は、本
実施の形態による投影露光装置1の概略の構成を示して
いる。図1において、断面がコ字状に形成されたキャリ
ッジ2の第1の側壁部2Aの内側にマスクステージ3が
配設され、キャリッジ2の第2の側壁部2Bの内側にレ
ベリングステージ構成の基板ステージ4が配設され、こ
れらマスクステージ3及び基板ステージ4によりマスク
5及び感光基板6が投影光学系7を挟んで対面するよう
に保持される。
【0009】キャリッジ2の第1の側壁部2Aの外側に
は、第1の側壁部2Aに形成された開口部(図示せ
ず)、マスクステージ3の開口部(図示せず)及びマス
ク5を順次介して投影光学系7と対向するように照明光
学系8が配設されており、照明光学系8から出射した照
明光でマスク5を照明し、マスク5を通過した照明光で
得られるマスク5のパターン像を投影光学系7を介して
感光基板6の感光面6A上に結像投影するようになって
いる。本実施の形態による走査型露光装置1の投影光学
系7は、マスク5のパターン像を正立正像等倍で感光基
板6の感光面6A上に投影するようになっている。キャ
リッジ2は、図示しない駆動機構により投影光学系7及
び照明光学系8に対して矢印aで示すキャリッジ2の長
手方向に移動できるようになっている。
は、第1の側壁部2Aに形成された開口部(図示せ
ず)、マスクステージ3の開口部(図示せず)及びマス
ク5を順次介して投影光学系7と対向するように照明光
学系8が配設されており、照明光学系8から出射した照
明光でマスク5を照明し、マスク5を通過した照明光で
得られるマスク5のパターン像を投影光学系7を介して
感光基板6の感光面6A上に結像投影するようになって
いる。本実施の形態による走査型露光装置1の投影光学
系7は、マスク5のパターン像を正立正像等倍で感光基
板6の感光面6A上に投影するようになっている。キャ
リッジ2は、図示しない駆動機構により投影光学系7及
び照明光学系8に対して矢印aで示すキャリッジ2の長
手方向に移動できるようになっている。
【0010】本実施の形態による走査型露光装置1は、
動作時において、マスク5及び感光基板6がキャリッジ
2を介して一体に矢印a方向に移動することにより、マ
スク5のパターン像を順次部分的に感光基板6の感光面
6A上に結像投影し、これにより感光基板6の感光面6
Aの全面をマスク5のパターンに応じて露光できるよう
になっている。
動作時において、マスク5及び感光基板6がキャリッジ
2を介して一体に矢印a方向に移動することにより、マ
スク5のパターン像を順次部分的に感光基板6の感光面
6A上に結像投影し、これにより感光基板6の感光面6
Aの全面をマスク5のパターンに応じて露光できるよう
になっている。
【0011】この走査型露光装置1のキャリッジ2の走
査動作には高い精度が要求される。高い走査精度を維持
するには、走査範囲における感光基板6の感光面6Aに
対する傾き(倒れ)が常に微小量であることが必須であ
り、このため本実施の形態による走査型露光装置1で
は、様々な角度から感光基板6の感光面6Aの状態を検
出できるように投影光学系7に4組のフォーカスセンサ
10A〜10Dが設けられている。
査動作には高い精度が要求される。高い走査精度を維持
するには、走査範囲における感光基板6の感光面6Aに
対する傾き(倒れ)が常に微小量であることが必須であ
り、このため本実施の形態による走査型露光装置1で
は、様々な角度から感光基板6の感光面6Aの状態を検
出できるように投影光学系7に4組のフォーカスセンサ
10A〜10Dが設けられている。
【0012】この場合、各フォーカスセンサ10A〜1
0Dは、それぞれ図2に示すように、第1及び第2の光
源(例えばLED)11A及び11Bから発射された第
1及び第2の光ビームL1A及びL1Bをそれぞれスリ
ット(図示せず)を介して所定ビーム幅に整形し、これ
をマスク5上又は感光基板6の感光面6A上に集光する
と共に、第1の光ビームL1Aがマスク5において反射
して得られた第1の反射光L2Aと、第2の光ビームL
1Bが感光基板6の感光面6Aにおいて反射して得られ
た第2の反射光L2Bとを、それぞれプリズム12の対
応する反射面12A、12Bを順次介して検出器13の
受光面13Aに平行に導入して結像させるようになって
いる。
0Dは、それぞれ図2に示すように、第1及び第2の光
源(例えばLED)11A及び11Bから発射された第
1及び第2の光ビームL1A及びL1Bをそれぞれスリ
ット(図示せず)を介して所定ビーム幅に整形し、これ
をマスク5上又は感光基板6の感光面6A上に集光する
と共に、第1の光ビームL1Aがマスク5において反射
して得られた第1の反射光L2Aと、第2の光ビームL
1Bが感光基板6の感光面6Aにおいて反射して得られ
た第2の反射光L2Bとを、それぞれプリズム12の対
応する反射面12A、12Bを順次介して検出器13の
受光面13Aに平行に導入して結像させるようになって
いる。
【0013】検出器13としては、CCD(Charg
e Coupled Device)イメージセンサや
MOS(Metal Oxide Semicondu
ctor)リニアイメージセンサ等の光位置検出器が用
いられており、これにより後述のように、検出器13の
受光面13Aにおける第1及び第2の反射光L2A及び
L2Bの入射位置P1及びP2を、マスク5及び感光基
板6の傾斜の影響を受けることなくそれぞれ精度良く検
出できるようになっている。
e Coupled Device)イメージセンサや
MOS(Metal Oxide Semicondu
ctor)リニアイメージセンサ等の光位置検出器が用
いられており、これにより後述のように、検出器13の
受光面13Aにおける第1及び第2の反射光L2A及び
L2Bの入射位置P1及びP2を、マスク5及び感光基
板6の傾斜の影響を受けることなくそれぞれ精度良く検
出できるようになっている。
【0014】検出器13から出力される、図3に示すよ
うな第1反射光L2Aで発生する第1のピークPA10
と、第2の反射光L2Bで発生する第2のピークPA1
1とが形成されたセンサ信号S1は、図1に示すフォー
カス制御部20に供給されるようになっている。
うな第1反射光L2Aで発生する第1のピークPA10
と、第2の反射光L2Bで発生する第2のピークPA1
1とが形成されたセンサ信号S1は、図1に示すフォー
カス制御部20に供給されるようになっている。
【0015】フォーカス制御部20では、各オートフォ
ーカスセンサ10A〜10Dからそれぞれ供給されるセ
ンサ信号S1に基づいて、ソフトウエア処理により第1
及び第2のピークPA10及びPA11(図3)のエッ
ジとスライスレベルSL10(図3)との交点からこれ
ら第1及び第2のピークPA10及びPA11の中心C
10及びC11をそれぞれ算出し、さらに当該算出結果
から第1及び第2ピークPA10及びPA11間の間隔
K(検出器13の検出面における第1及び第2の反射光
L2A及びL2B間の距離に相当)を検出する。
ーカスセンサ10A〜10Dからそれぞれ供給されるセ
ンサ信号S1に基づいて、ソフトウエア処理により第1
及び第2のピークPA10及びPA11(図3)のエッ
ジとスライスレベルSL10(図3)との交点からこれ
ら第1及び第2のピークPA10及びPA11の中心C
10及びC11をそれぞれ算出し、さらに当該算出結果
から第1及び第2ピークPA10及びPA11間の間隔
K(検出器13の検出面における第1及び第2の反射光
L2A及びL2B間の距離に相当)を検出する。
【0016】またフォーカス制御部20は、この検出結
果に基づいて第1及び第2のピークPA10及びPA1
1間の間隔Kが常に所定値にあるように制御信号S2
(図1)を順次生成し、これを基板ステージ4の駆動機
構(図示せず)に送出することにより、必要に応じて感
光基板6を投影光学系7の光軸方向に移動させる。
果に基づいて第1及び第2のピークPA10及びPA1
1間の間隔Kが常に所定値にあるように制御信号S2
(図1)を順次生成し、これを基板ステージ4の駆動機
構(図示せず)に送出することにより、必要に応じて感
光基板6を投影光学系7の光軸方向に移動させる。
【0017】これにより走査型露光装置1においては、
投影露光の際に、マスク5を基準として、マスク5と感
光基板6の感光面6Aとの距離を常に一定に保つことが
でき、感光基板6の感光面6Aを常に投影光学系7の焦
点位置に位置させることができるようになっている。
投影露光の際に、マスク5を基準として、マスク5と感
光基板6の感光面6Aとの距離を常に一定に保つことが
でき、感光基板6の感光面6Aを常に投影光学系7の焦
点位置に位置させることができるようになっている。
【0018】このように本実施の形態による投影露光装
置における感光基板の感光面を投影光学系の焦点位置に
位置させる方法は、マスク及び感光基板の感光面にそれ
ぞれ第1又は第2の光ビームを照射し、これら第1及び
第2の光ビームのマスク又は感光基板の感光面における
第1または第2の反射光を平行に受光素子の受光面に導
入すると共に、当該受光素子の受光面における第1及び
第2の反射光の距離を受光素子の出力に基づいて検出
し、当該距離が常に所定値となるように感光基板を投影
光学系の光軸方向に移動させるようになっている。この
場合、受光素子の受光面における第1及び第2の反射光
の距離は、光軸素子から出力される第1の反射光に対応
する第1のピークの中心と、第2の反射光に対応する第
2のピークの中心との間の間隔として算出する。
置における感光基板の感光面を投影光学系の焦点位置に
位置させる方法は、マスク及び感光基板の感光面にそれ
ぞれ第1又は第2の光ビームを照射し、これら第1及び
第2の光ビームのマスク又は感光基板の感光面における
第1または第2の反射光を平行に受光素子の受光面に導
入すると共に、当該受光素子の受光面における第1及び
第2の反射光の距離を受光素子の出力に基づいて検出
し、当該距離が常に所定値となるように感光基板を投影
光学系の光軸方向に移動させるようになっている。この
場合、受光素子の受光面における第1及び第2の反射光
の距離は、光軸素子から出力される第1の反射光に対応
する第1のピークの中心と、第2の反射光に対応する第
2のピークの中心との間の間隔として算出する。
【0019】また図1に示すようにフォーカス制御部2
0には、プレート搬送速度制御部21、およびプリアラ
イメント・ピン速度制御部22が接続されている。フォ
ーカス制御部20は、プレート搬送速度制御部21、お
よびプリアライメント・ピン速度制御部22に対してそ
れらの速度制御のための制御情報として、第1及び第2
ピークPA10及びPA11間の間隔K(以下、間隔K
という)を送出するようになっている。なお、プレート
搬送速度制御部21、およびプリアライメント・ピン速
度制御部22に、フォーカス制御部20を介さずにオー
トフォーカスセンサ10A〜10Dから直接センサ信号
S1を入力して、これらの速度制御部21、22で間隔
Kを算出するようにしてももちろんよい。
0には、プレート搬送速度制御部21、およびプリアラ
イメント・ピン速度制御部22が接続されている。フォ
ーカス制御部20は、プレート搬送速度制御部21、お
よびプリアライメント・ピン速度制御部22に対してそ
れらの速度制御のための制御情報として、第1及び第2
ピークPA10及びPA11間の間隔K(以下、間隔K
という)を送出するようになっている。なお、プレート
搬送速度制御部21、およびプリアライメント・ピン速
度制御部22に、フォーカス制御部20を介さずにオー
トフォーカスセンサ10A〜10Dから直接センサ信号
S1を入力して、これらの速度制御部21、22で間隔
Kを算出するようにしてももちろんよい。
【0020】プレート搬送速度制御部21、およびプリ
アライメント・ピン速度制御部22では、入力された間
隔Kに基づいて基板の厚さを検出し、得られた基板の厚
さに基づいて基板搬送の速度およびプリアライメント・
ピンの速度を制御する。図2および図5、図6を用いて
プレート搬送速度制御部21、およびプリアライメント
・ピン速度制御部22での動作を説明する。
アライメント・ピン速度制御部22では、入力された間
隔Kに基づいて基板の厚さを検出し、得られた基板の厚
さに基づいて基板搬送の速度およびプリアライメント・
ピンの速度を制御する。図2および図5、図6を用いて
プレート搬送速度制御部21、およびプリアライメント
・ピン速度制御部22での動作を説明する。
【0021】まず、感光基板6を保持しない状態で基板
ステージ4の表面とマスク5との間の投影光学系7の光
軸方向の距離である基板ステージ−マスク間距離をオー
トフォーカスセンサ10A〜10Dにより測定する。感
光基板6を保持しない状態での基板ステージ−マスク間
距離は、次の感光基板の基板ステージ4への搬送および
載置に備えて基板ステージ4が下降しているので、露光
時の基板ステージ−マスク間距離より長くなっている。
ステージ4の表面とマスク5との間の投影光学系7の光
軸方向の距離である基板ステージ−マスク間距離をオー
トフォーカスセンサ10A〜10Dにより測定する。感
光基板6を保持しない状態での基板ステージ−マスク間
距離は、次の感光基板の基板ステージ4への搬送および
載置に備えて基板ステージ4が下降しているので、露光
時の基板ステージ−マスク間距離より長くなっている。
【0022】すなわちオートフォーカスセンサ10A〜
10Dでの第1及び第2ピークPA10及びPA11間
の間隔Kは露光時の所定値より広くなっている。この状
態でオートフォーカスセンサ10A〜10Dの第2の光
源11Bから出射された第2の光ビームの経路L1Bお
よびL2Bを図2に実線で示している。第2の光源11
Bから出射した第2の光ビームは、2個の反射鏡16
a、16bで反射されて基板ステージ4表面で反射し、
その反射光は反射鏡16cで反射され、さらにプリズム
12の反射面12Bで反射されて検出器13に入射す
る。
10Dでの第1及び第2ピークPA10及びPA11間
の間隔Kは露光時の所定値より広くなっている。この状
態でオートフォーカスセンサ10A〜10Dの第2の光
源11Bから出射された第2の光ビームの経路L1Bお
よびL2Bを図2に実線で示している。第2の光源11
Bから出射した第2の光ビームは、2個の反射鏡16
a、16bで反射されて基板ステージ4表面で反射し、
その反射光は反射鏡16cで反射され、さらにプリズム
12の反射面12Bで反射されて検出器13に入射す
る。
【0023】一方、第1の光源11Aから出射された第
1の光ビームは、2個の反射鏡17a、17bで反射さ
れてマスク5表面で反射し、その反射光は反射鏡17c
で反射され、さらにプリズム12の反射面12Aで反射
されて検出器13に入射する。この状態でのオートフォ
ーカスセンサ10A〜10Dのそれぞれからのセンサ信
号S1に基づいて得られた間隔Kがフォーカス制御部2
0を介してプレート搬送速度制御部21、およびプリア
ライメント・ピン速度制御部22に入力され記憶され
る。
1の光ビームは、2個の反射鏡17a、17bで反射さ
れてマスク5表面で反射し、その反射光は反射鏡17c
で反射され、さらにプリズム12の反射面12Aで反射
されて検出器13に入射する。この状態でのオートフォ
ーカスセンサ10A〜10Dのそれぞれからのセンサ信
号S1に基づいて得られた間隔Kがフォーカス制御部2
0を介してプレート搬送速度制御部21、およびプリア
ライメント・ピン速度制御部22に入力され記憶され
る。
【0024】次に、感光基板6が搬送されて基板ステー
ジ4に載置されると、再び感光基板6の表面とマスク5
との間の投影光学系7の光軸方向の距離である感光基板
−マスク間距離をオートフォーカスセンサ10A〜10
Dにより測定する。この状態でオートフォーカスセンサ
10A〜10Dの第2の光源11Bから出射された第2
の光ビームの経路L1BおよびL2Bを図2に二点鎖線
で示している。第2の光源11Bから出射した第2の光
ビームは、2個の反射鏡16a、16bで反射されて感
光基板6表面に入射するが、その反射光は、感光基板6
がない場合に比較して感光基板6の厚さ分だけ反射光路
がずらされる。
ジ4に載置されると、再び感光基板6の表面とマスク5
との間の投影光学系7の光軸方向の距離である感光基板
−マスク間距離をオートフォーカスセンサ10A〜10
Dにより測定する。この状態でオートフォーカスセンサ
10A〜10Dの第2の光源11Bから出射された第2
の光ビームの経路L1BおよびL2Bを図2に二点鎖線
で示している。第2の光源11Bから出射した第2の光
ビームは、2個の反射鏡16a、16bで反射されて感
光基板6表面に入射するが、その反射光は、感光基板6
がない場合に比較して感光基板6の厚さ分だけ反射光路
がずらされる。
【0025】この反射光は反射鏡16cで反射され、さ
らにプリズム12の反射面12Bで反射されて検出器1
3に入射する。検出器13での第2の光源からの光ビー
ムの位置は、基板がないときの位置に対して感光基板6
の基板厚分だけずれている。図2中、この位置のずれ幅
を距離15で示している。一方、第1の光源11Aから
出射された第1の光ビームの検出器13での位置は変化
しない。この状態でのオートフォーカスセンサ10A〜
10Dのそれぞれからのセンサ信号S1に基づく間隔
K’がフォーカス制御部20を介してプレート搬送速度
制御部21、およびプリアライメント・ピン速度制御部
22に入力され記憶される。
らにプリズム12の反射面12Bで反射されて検出器1
3に入射する。検出器13での第2の光源からの光ビー
ムの位置は、基板がないときの位置に対して感光基板6
の基板厚分だけずれている。図2中、この位置のずれ幅
を距離15で示している。一方、第1の光源11Aから
出射された第1の光ビームの検出器13での位置は変化
しない。この状態でのオートフォーカスセンサ10A〜
10Dのそれぞれからのセンサ信号S1に基づく間隔
K’がフォーカス制御部20を介してプレート搬送速度
制御部21、およびプリアライメント・ピン速度制御部
22に入力され記憶される。
【0026】プレート搬送速度制御部21、およびプリ
アライメント・ピン速度制御部22では、記憶した基板
ステージ−マスク間距離に対応する間隔Kと、感光基板
−マスク間距離に対応する間隔K’との差である距離1
5を計算し、それに基づいて感光基板6の基板厚を求め
る。
アライメント・ピン速度制御部22では、記憶した基板
ステージ−マスク間距離に対応する間隔Kと、感光基板
−マスク間距離に対応する間隔K’との差である距離1
5を計算し、それに基づいて感光基板6の基板厚を求め
る。
【0027】以上は、プレート搬送速度制御部21、お
よびプリアライメント・ピン速度制御部22で共通の動
作であるが、次に、それぞれの処理の流れを図4および
図5を用いて説明する。初めに、図4を用いてプレート
搬送速度制御部21の処理の流れを説明する。まずステ
ップS1において、上述の検出器13からの2つのセン
サ信号S1に基づいてフォーカス制御部20から出力さ
れた2つの間隔K、K’から基板の厚さを計算する(フ
ォーカスセンシング)。
よびプリアライメント・ピン速度制御部22で共通の動
作であるが、次に、それぞれの処理の流れを図4および
図5を用いて説明する。初めに、図4を用いてプレート
搬送速度制御部21の処理の流れを説明する。まずステ
ップS1において、上述の検出器13からの2つのセン
サ信号S1に基づいてフォーカス制御部20から出力さ
れた2つの間隔K、K’から基板の厚さを計算する(フ
ォーカスセンシング)。
【0028】次に、得られた基板厚が所定範囲内にある
かどうかを判断する(ステップS2)。得られた基板厚
が所定範囲を超えている場合にはエラー処理を行って処
理を終了する(ステップS3)。基板厚が所定範囲内で
あれば、基板厚が例えば0.7mmか1.1mmの何れ
であるか判断し(ステップS4)、基板厚が1.1mm
の場合は、ステップS5に移行してプレート搬送の速度
を高速にするように指示する。基板厚が0.7mmの場
合は、ステップS6に移行してプレート搬送の速度を低
速にするように指示する。
かどうかを判断する(ステップS2)。得られた基板厚
が所定範囲を超えている場合にはエラー処理を行って処
理を終了する(ステップS3)。基板厚が所定範囲内で
あれば、基板厚が例えば0.7mmか1.1mmの何れ
であるか判断し(ステップS4)、基板厚が1.1mm
の場合は、ステップS5に移行してプレート搬送の速度
を高速にするように指示する。基板厚が0.7mmの場
合は、ステップS6に移行してプレート搬送の速度を低
速にするように指示する。
【0029】このように本実施の形態によるプレート搬
送速度制御部21によれば、プレート搬送時に、厚いプ
レートに対しては搬送速度を上げ、薄いプレートに対し
ては速度を下げることにより、安全に安定して基板を搬
送することができるようになる。例えば、1ロット単位
の基板処理において、基板の厚さが分からない1枚目に
ついては、遅い速度で搬送させ、上述のプレート搬送速
度制御部21により1枚目の基板の厚さを計測し終わっ
たら、2枚目以降の基板については適切な搬送速度で搬
送させることができるようになる。
送速度制御部21によれば、プレート搬送時に、厚いプ
レートに対しては搬送速度を上げ、薄いプレートに対し
ては速度を下げることにより、安全に安定して基板を搬
送することができるようになる。例えば、1ロット単位
の基板処理において、基板の厚さが分からない1枚目に
ついては、遅い速度で搬送させ、上述のプレート搬送速
度制御部21により1枚目の基板の厚さを計測し終わっ
たら、2枚目以降の基板については適切な搬送速度で搬
送させることができるようになる。
【0030】特に、薄い基板を低速で搬送させることに
より、基板の振動を抑え安定して搬送することができる
ようになる。図4におけるステップS4およびステップ
S5での速度の制御は、電気回路的に速度指令値(D/
Aコンバータの値)をソフトウエアで切り替えるように
しても、予め2段階(若しくは多段階)の速度設定を用
意しておいて、ソフトウエアでスイッチの切替を行うよ
うにしてもよい。
より、基板の振動を抑え安定して搬送することができる
ようになる。図4におけるステップS4およびステップ
S5での速度の制御は、電気回路的に速度指令値(D/
Aコンバータの値)をソフトウエアで切り替えるように
しても、予め2段階(若しくは多段階)の速度設定を用
意しておいて、ソフトウエアでスイッチの切替を行うよ
うにしてもよい。
【0031】次に、図5を用いてプリアライメント・ピ
ン駆動速度制御部22の処理の流れを説明する。まずス
テップS10において、上述の検出器13からの2つの
センサ信号S1に基づいてフォーカス制御部20から出
力された2つの間隔K、K’から基板の厚さを計算する
(フォーカスセンシング)。次に、得られた基板厚が所
定範囲内にあるかどうかを判断する(ステップS1
1)。得られた基板厚が所定範囲を超えている場合には
エラー処理を行って処理を終了させる(ステップS1
2)。
ン駆動速度制御部22の処理の流れを説明する。まずス
テップS10において、上述の検出器13からの2つの
センサ信号S1に基づいてフォーカス制御部20から出
力された2つの間隔K、K’から基板の厚さを計算する
(フォーカスセンシング)。次に、得られた基板厚が所
定範囲内にあるかどうかを判断する(ステップS1
1)。得られた基板厚が所定範囲を超えている場合には
エラー処理を行って処理を終了させる(ステップS1
2)。
【0032】基板厚が所定範囲内であれば、基板厚が例
えば0.7mmか1.1mmの何れであるか判断し(ス
テップS13)、基板厚が1.1mmの場合は、ステッ
プS14に移行してプリアライメント・ピンの駆動速度
を高速にする駆動指令を発する。基板厚が0.7mmの
場合は、ステップS15に移行してプリアライメント・
ピンの駆動速度を低速にする駆動指令を発する。
えば0.7mmか1.1mmの何れであるか判断し(ス
テップS13)、基板厚が1.1mmの場合は、ステッ
プS14に移行してプリアライメント・ピンの駆動速度
を高速にする駆動指令を発する。基板厚が0.7mmの
場合は、ステップS15に移行してプリアライメント・
ピンの駆動速度を低速にする駆動指令を発する。
【0033】このように本実施の形態によるプリアライ
メント・ピン駆動速度制御部22によれば、プリアライ
メント時のプリアライメント・ピンの押し当て速度を、
厚い基板に対しては速度を上げて、薄い基板に対しては
速度を遅くすることにより、基板に必要以上の衝撃を与
えることなく、確実で安全にプリアライメントを実行す
ることができるようになる。図5におけるステップS1
4およびステップS15での速度の制御も、プレート搬
送速度制御部21での制御と同様に行うことができる。
メント・ピン駆動速度制御部22によれば、プリアライ
メント時のプリアライメント・ピンの押し当て速度を、
厚い基板に対しては速度を上げて、薄い基板に対しては
速度を遅くすることにより、基板に必要以上の衝撃を与
えることなく、確実で安全にプリアライメントを実行す
ることができるようになる。図5におけるステップS1
4およびステップS15での速度の制御も、プレート搬
送速度制御部21での制御と同様に行うことができる。
【0034】以上説明したプレート搬送速度制御部21
およびプリアライメント・ピン駆動速度制御部22での
動作が終了したら、フォーカス制御部20は制御信号S
2を出力して、基板ステージ4を投影光学系7の光軸方
向に移動させて感光基板−マスク間距離が所定値(すな
わち、第1及び第2のピークPA10及びPA11間の
間隔Kが常に所定値)になるように制御して露光を開始
する準備が完了する。
およびプリアライメント・ピン駆動速度制御部22での
動作が終了したら、フォーカス制御部20は制御信号S
2を出力して、基板ステージ4を投影光学系7の光軸方
向に移動させて感光基板−マスク間距離が所定値(すな
わち、第1及び第2のピークPA10及びPA11間の
間隔Kが常に所定値)になるように制御して露光を開始
する準備が完了する。
【0035】このように本実施の形態による投影露光装
置によれば、マスク5と感光基板6との距離を一定に保
つためのオートフォーカスセンサ10A〜10Dからの
センサ信号を利用して、基板の厚さを測定することがで
きる。そして、この測定された基板厚さの情報を利用し
て、搬送されてくる感光基板の厚さに応じて基板搬送速
度を制御することができるようになり、またプリアライ
メント・ピンの速度を制御することができるようになる
ので、安定した露光精度が得られるようになる。
置によれば、マスク5と感光基板6との距離を一定に保
つためのオートフォーカスセンサ10A〜10Dからの
センサ信号を利用して、基板の厚さを測定することがで
きる。そして、この測定された基板厚さの情報を利用し
て、搬送されてくる感光基板の厚さに応じて基板搬送速
度を制御することができるようになり、またプリアライ
メント・ピンの速度を制御することができるようになる
ので、安定した露光精度が得られるようになる。
【0036】本発明は、上記実施の形態に限らず種々の
変形が可能である。例えば、上述の実施の形態において
は、感光基板6の感光面6Aを投影光学系7の焦点位置
に位置させる手段として、感光基板6を載置する基板ス
テージ4を投影光学系7の光軸方向に移動させるように
した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、マ
スク5を載置するマスクステージ3を投影光学系7の光
軸方向に移動させ、又はマスク5及び感光基板6を投影
光学系7の光軸方向に移動させるようにすることももち
ろん可能である。
変形が可能である。例えば、上述の実施の形態において
は、感光基板6の感光面6Aを投影光学系7の焦点位置
に位置させる手段として、感光基板6を載置する基板ス
テージ4を投影光学系7の光軸方向に移動させるように
した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、マ
スク5を載置するマスクステージ3を投影光学系7の光
軸方向に移動させ、又はマスク5及び感光基板6を投影
光学系7の光軸方向に移動させるようにすることももち
ろん可能である。
【0037】また、上記実施の形態では、本発明を基板
搬送速度の制御およびプリアライメント・ピンの駆動速
度の制御に適用したが、本発明はこれに限られず、例え
ば、基板を基板載置面で真空吸着させる際の吸着力を基
板の厚さに応じて適正な値に設定するために本発明を適
用することができる。この場合には、薄い基板に対して
高い吸着力で吸着すると吸着部領域がたわんでしまい、
露光精度が低下してしまうという問題を解決することが
できるようになる。
搬送速度の制御およびプリアライメント・ピンの駆動速
度の制御に適用したが、本発明はこれに限られず、例え
ば、基板を基板載置面で真空吸着させる際の吸着力を基
板の厚さに応じて適正な値に設定するために本発明を適
用することができる。この場合には、薄い基板に対して
高い吸着力で吸着すると吸着部領域がたわんでしまい、
露光精度が低下してしまうという問題を解決することが
できるようになる。
【0038】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、基板厚を
判断して基板搬送速度やプリアライメント・ピン駆動速
度の速度制御が行える投影露光装置を実現できる。
判断して基板搬送速度やプリアライメント・ピン駆動速
度の速度制御が行える投影露光装置を実現できる。
【図1】本発明の一実施の形態による投影露光装置の概
略の構成を示す図である。
略の構成を示す図である。
【図2】本発明の一実施の形態による投影露光装置で使
用するフォーカスセンサの構成を示す図である。
用するフォーカスセンサの構成を示す図である。
【図3】検出器から出力されるセンサ信号の波形を示す
図である。
図である。
【図4】本発明の一実施の形態による投影露光装置にお
けるプレート搬送速度制御部での処理の流れを示す図で
ある。
けるプレート搬送速度制御部での処理の流れを示す図で
ある。
【図5】本発明の一実施の形態による投影露光装置にお
けるプリアライメント・ピン速度制御部での処理の流れ
を示す図である。
けるプリアライメント・ピン速度制御部での処理の流れ
を示す図である。
1 走査型露光装置 2 キャリッジ 3 マスクステージ 4 基板ステージ 5 マスク 6 感光基板 6A 感光面 7 投影光学系 8 照明光学系 10A〜10D フォーカスセンサ 11A、11B 光源 13 検出器 13A 受光面 20 制御部 C10、C11 中心 K 距離 L1A、L1B 光ビーム L2A、L2B 反射光 PA11 ピーク S1 センサ信号 S2 制御信号 W10、W11 ピーク幅 SL10 スライスレベル SLB ベースレベル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳原 政光 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 株 式会社ニコン内
Claims (2)
- 【請求項1】パターンが描画されたマスクを保持して移
動するマスクステージと、 前記パターンの像を感光基板に投影する投影光学系と、 前記感光基板を保持して前記マスクステージと同期して
移動する基板ステージと、 前記投影光学系の光軸方向に関する前記感光基板と前記
マスクとの間の距離を測定する測定手段と、 前記マスクステージと前記基板ステージとの少なくとも
一方を前記投影光学系の光軸方向に移動して、前記感光
基板を前記投影光学系の結像位置に移動させる移動手段
とを有する投影露光装置において、 前記測定手段と前記移動手段との少なくとも一方の出力
に基づいて、前記基板の厚さを検出する検出手段を備え
たことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項2】請求項1記載の投影露光装置において、 前記投影光学系は、正立正像等倍の光学系であることを
特徴とする投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9056914A JPH10242040A (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9056914A JPH10242040A (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | 投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242040A true JPH10242040A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=13040751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9056914A Withdrawn JPH10242040A (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10242040A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0967692A2 (en) | 1998-06-26 | 1999-12-29 | Harness System Technologies Research, Ltd. | Connector and connector attachment structure |
| US6727979B2 (en) | 2002-01-11 | 2004-04-27 | Pentax Corporation | Projection aligner |
| US6807013B2 (en) | 2001-12-26 | 2004-10-19 | Pentax Corporation | Projection aligner |
| US6839124B2 (en) | 2001-12-26 | 2005-01-04 | Pentax Corporation | Projection aligner |
| US6853441B2 (en) | 2001-12-26 | 2005-02-08 | Pentax Corporation | Projection aligner |
| EP2264836A2 (en) | 1999-09-27 | 2010-12-22 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Connector |
| JP2016015371A (ja) * | 2014-07-01 | 2016-01-28 | ウシオ電機株式会社 | 厚さ測定装置、厚さ測定方法及び露光装置 |
| JP2019516136A (ja) * | 2016-05-31 | 2019-06-13 | シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント(グループ)カンパニー リミティド | フォーカスレベリング測定装置および方法 |
-
1997
- 1997-02-24 JP JP9056914A patent/JPH10242040A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0967692A2 (en) | 1998-06-26 | 1999-12-29 | Harness System Technologies Research, Ltd. | Connector and connector attachment structure |
| EP2264836A2 (en) | 1999-09-27 | 2010-12-22 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Connector |
| US6807013B2 (en) | 2001-12-26 | 2004-10-19 | Pentax Corporation | Projection aligner |
| US6839124B2 (en) | 2001-12-26 | 2005-01-04 | Pentax Corporation | Projection aligner |
| US6853441B2 (en) | 2001-12-26 | 2005-02-08 | Pentax Corporation | Projection aligner |
| US6727979B2 (en) | 2002-01-11 | 2004-04-27 | Pentax Corporation | Projection aligner |
| JP2016015371A (ja) * | 2014-07-01 | 2016-01-28 | ウシオ電機株式会社 | 厚さ測定装置、厚さ測定方法及び露光装置 |
| JP2019516136A (ja) * | 2016-05-31 | 2019-06-13 | シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント(グループ)カンパニー リミティド | フォーカスレベリング測定装置および方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3572430B2 (ja) | 露光方法及びその装置 | |
| US6277533B1 (en) | Scanning exposure method | |
| KR940006341B1 (ko) | 초점면 검출방법 및 장치 | |
| US4577095A (en) | Automatic focusing apparatus for a semiconductor pattern inspection system | |
| JP3308063B2 (ja) | 投影露光方法及び装置 | |
| US20020176082A1 (en) | Exposure method and apparatus | |
| JP3453818B2 (ja) | 基板の高さ位置検出装置及び方法 | |
| JP2890882B2 (ja) | 位置付け方法、半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置 | |
| CN105204303B (zh) | 曝光装置及曝光方法 | |
| KR0132269B1 (ko) | 노광장비에서의 자동초점과 자동수평 조절장치 및 조절방법 | |
| KR20180030431A (ko) | 노광 장치 및 물품 제조 방법 | |
| JPH10242040A (ja) | 投影露光装置 | |
| US6479832B1 (en) | Surface height detecting apparatus and exposure apparatus using the same | |
| JPH0992593A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3305448B2 (ja) | 面位置設定装置、露光装置、及び露光方法 | |
| JPH09236425A (ja) | 面位置検出方法 | |
| JPH09134864A (ja) | 露光方法 | |
| JPH0864506A (ja) | 走査露光方法 | |
| KR102756371B1 (ko) | 노광 장치 및 물품의 제조 방법 | |
| JPH11288867A (ja) | 位置合わせ方法、アライメントマークの形成方法、露光装置及び露光方法 | |
| KR100758198B1 (ko) | 오토포커싱 장치 | |
| JPH10270317A (ja) | 走査露光方法 | |
| JP2003173960A (ja) | 露光装置 | |
| JPH07142346A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH07221012A (ja) | 露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040511 |