JPH0721524A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH0721524A JPH0721524A JP18941193A JP18941193A JPH0721524A JP H0721524 A JPH0721524 A JP H0721524A JP 18941193 A JP18941193 A JP 18941193A JP 18941193 A JP18941193 A JP 18941193A JP H0721524 A JPH0721524 A JP H0721524A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板の上に磁性膜を形成した後、磁性膜を含
めた基板の上に絶縁膜を、全体として磁性膜の上面より
或る高さ以上に厚くなるように設ける。次に、ラッピン
グ等の機械的研磨加工又はエッチング等によって、磁性
膜より高い絶縁膜の部分を少なくとも部分的に除去して
平坦化した後、その上に導体コイル膜を形成する。 【効果】 磁性膜と基板との段差に拘らず、磁性膜の上
に平坦な絶縁膜が形成される。磁極コイル間の絶縁性が
保障されて、絶縁破壊電圧を高くでき、導体コイルの高
精度なパターニングが可能となって、信頼性が大幅に向
上する。
めた基板の上に絶縁膜を、全体として磁性膜の上面より
或る高さ以上に厚くなるように設ける。次に、ラッピン
グ等の機械的研磨加工又はエッチング等によって、磁性
膜より高い絶縁膜の部分を少なくとも部分的に除去して
平坦化した後、その上に導体コイル膜を形成する。 【効果】 磁性膜と基板との段差に拘らず、磁性膜の上
に平坦な絶縁膜が形成される。磁極コイル間の絶縁性が
保障されて、絶縁破壊電圧を高くでき、導体コイルの高
精度なパターニングが可能となって、信頼性が大幅に向
上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば磁気ディスク装
置、その他の磁気記録再生装置に使用される薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に関する。
置、その他の磁気記録再生装置に使用される薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、磁気ディスク装置の高性能化
に伴い、記録密度及び情報転送速度の向上を図るために
薄膜磁気ヘッドが採用されている。一般に、薄膜磁気ヘ
ッドの製造は、電気メッキ、スパッタリング等の堆積技
術、及びホトリソグラフィによる微細加工技術を用いて
行われる。
に伴い、記録密度及び情報転送速度の向上を図るために
薄膜磁気ヘッドが採用されている。一般に、薄膜磁気ヘ
ッドの製造は、電気メッキ、スパッタリング等の堆積技
術、及びホトリソグラフィによる微細加工技術を用いて
行われる。
【０００３】図５及び図６には、従来から周知の面内記
録再生用薄膜磁気ヘッドの構造が概略的に示されてい
る。Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系のセラミック材料等からなる基
板１には、アルミナ等の絶縁膜２が被着され、その上に
下部磁極を構成する下部磁性膜３が形成されている。下
部磁性膜３の上には、アルミナ等からなるギャップ膜４
が形成され、その上にノボラック樹脂等の有機絶縁樹脂
材料からなる絶縁膜５、６、７、Ｃｕ等からなる渦巻状
の導体コイル８、９、及び上部磁性膜１０が順次積層さ
れている。更に上部磁性膜１０の上には、アルミナ等の
保護膜１１がスパッタリング等によって形成されてい
る。このように形成された薄膜磁気ヘッド素子を基板か
ら切り出し、個々のスライダに搭載して薄膜磁気ヘッド
として使用する。
録再生用薄膜磁気ヘッドの構造が概略的に示されてい
る。Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系のセラミック材料等からなる基
板１には、アルミナ等の絶縁膜２が被着され、その上に
下部磁極を構成する下部磁性膜３が形成されている。下
部磁性膜３の上には、アルミナ等からなるギャップ膜４
が形成され、その上にノボラック樹脂等の有機絶縁樹脂
材料からなる絶縁膜５、６、７、Ｃｕ等からなる渦巻状
の導体コイル８、９、及び上部磁性膜１０が順次積層さ
れている。更に上部磁性膜１０の上には、アルミナ等の
保護膜１１がスパッタリング等によって形成されてい
る。このように形成された薄膜磁気ヘッド素子を基板か
ら切り出し、個々のスライダに搭載して薄膜磁気ヘッド
として使用する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来技術によれば、前
記絶縁膜は通例、例えばノボラック樹脂を塗布してソフ
トベークし、フォトマスクを当てて露光し、現像し、熱
処理して硬化させることにより形成される。ノボラック
樹脂は熱による流動性を有しかつベークすることによっ
て収縮するから、第１絶縁膜５は、図７に示されるよう
に、下部磁性膜３と基板１との段差によって、特に下部
磁性膜３の縁端付近の厚さが非常に薄くなる。図８は、
絶縁膜５の厚さが最も薄くなる下部磁性膜３の上端と導
体コイル８との距離Ｄと絶縁膜の耐電圧との関係を、実
験結果に基づいて線図に表したものである。同図から、
この実験では距離Ｄが１μｍ以下になると、耐電圧が急
激に低下したことが容易に理解される。このように、第
１絶縁膜５の上に形成された第１導体コイル８と下部磁
性膜３とがその縁端部分で接近し過ぎると、十分な絶縁
性が維持されずに磁極コイル間の絶縁抵抗や絶縁破壊電
圧が低下し、薄膜ヘッドによる情報の記録再生が正常に
行われない虞があるという問題があった。
記絶縁膜は通例、例えばノボラック樹脂を塗布してソフ
トベークし、フォトマスクを当てて露光し、現像し、熱
処理して硬化させることにより形成される。ノボラック
樹脂は熱による流動性を有しかつベークすることによっ
て収縮するから、第１絶縁膜５は、図７に示されるよう
に、下部磁性膜３と基板１との段差によって、特に下部
磁性膜３の縁端付近の厚さが非常に薄くなる。図８は、
絶縁膜５の厚さが最も薄くなる下部磁性膜３の上端と導
体コイル８との距離Ｄと絶縁膜の耐電圧との関係を、実
験結果に基づいて線図に表したものである。同図から、
この実験では距離Ｄが１μｍ以下になると、耐電圧が急
激に低下したことが容易に理解される。このように、第
１絶縁膜５の上に形成された第１導体コイル８と下部磁
性膜３とがその縁端部分で接近し過ぎると、十分な絶縁
性が維持されずに磁極コイル間の絶縁抵抗や絶縁破壊電
圧が低下し、薄膜ヘッドによる情報の記録再生が正常に
行われない虞があるという問題があった。
【０００５】また、第１絶縁膜５全体をより厚く形成す
れば、下部磁性膜３の周縁付近における第１絶縁膜５の
膜厚を十分に確保できるが、上部磁性膜１０の先端部分
の立ち上がり角度が非常に急になるため、その上に形成
される保護層１１の内部応力が大きくなってクラック等
が発生し、信頼性を低下させる虞れがあった。
れば、下部磁性膜３の周縁付近における第１絶縁膜５の
膜厚を十分に確保できるが、上部磁性膜１０の先端部分
の立ち上がり角度が非常に急になるため、その上に形成
される保護層１１の内部応力が大きくなってクラック等
が発生し、信頼性を低下させる虞れがあった。
【０００６】そこで、請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法は、上述した従来技術の問題点に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、比較的簡単な
工程により、基板の上に形成される磁性膜の縁端部分に
於いても、その上に形成される絶縁膜の膜厚を、保護層
にクラック等を発生させることなく十分に確保して、磁
性膜と導体コイル膜との間に良好な絶縁性を保障するこ
とができ、絶縁破壊電圧を高くして、信頼性を向上させ
ることができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供しよう
とするものである。
製造方法は、上述した従来技術の問題点に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、比較的簡単な
工程により、基板の上に形成される磁性膜の縁端部分に
於いても、その上に形成される絶縁膜の膜厚を、保護層
にクラック等を発生させることなく十分に確保して、磁
性膜と導体コイル膜との間に良好な絶縁性を保障するこ
とができ、絶縁破壊電圧を高くして、信頼性を向上させ
ることができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供しよう
とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した目的
を達成するためのものであり、請求項１記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法は、基板の上に磁性膜と導体コイル膜
とからなる磁気回路を有する薄膜磁気ヘッドに於いて、
磁性膜を含めた基板の上に絶縁膜を、全体として磁性膜
の上面より或る高さ以上に厚くなるように設け、磁性膜
より高い絶縁膜の部分を少なくとも部分的に除去して平
坦化した後、その上に導体コイル膜を形成することを特
徴とする。
を達成するためのものであり、請求項１記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法は、基板の上に磁性膜と導体コイル膜
とからなる磁気回路を有する薄膜磁気ヘッドに於いて、
磁性膜を含めた基板の上に絶縁膜を、全体として磁性膜
の上面より或る高さ以上に厚くなるように設け、磁性膜
より高い絶縁膜の部分を少なくとも部分的に除去して平
坦化した後、その上に導体コイル膜を形成することを特
徴とする。
【０００８】
【作用】従って、請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法によれば、分厚く形成した絶縁膜の上面から余分な
部分を適当に除去することによって、磁性膜と基板との
段差に拘らず、磁性膜と導体コイルとの間に於ける絶縁
膜の膜厚を容易に制御して、磁性膜の縁端部分を含めて
均一に設けることができ、磁極コイル間に良好な絶縁性
を確保することができる。
方法によれば、分厚く形成した絶縁膜の上面から余分な
部分を適当に除去することによって、磁性膜と基板との
段差に拘らず、磁性膜と導体コイルとの間に於ける絶縁
膜の膜厚を容易に制御して、磁性膜の縁端部分を含めて
均一に設けることができ、磁極コイル間に良好な絶縁性
を確保することができる。
【０００９】
【実施例】以下に、本発明について添付図面を参照しつ
つ好適な実施例を用いて詳細に説明する。
つ好適な実施例を用いて詳細に説明する。
【００１０】図１には、本発明の第１実施例に於いて、
面内記録再生用薄膜磁気ヘッドの下部磁性膜の上に絶縁
層を設ける工程を示している。図１−Ａに示すように、
Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣの導電性セラミックスからなる基板１
には、通常の手法によってアルミナの絶縁膜２が被着さ
れ、かつその上にＮｉ−Ｆｅ合金、コバルト合金等の軟
磁性材料からなる下部磁性膜３が、電気めっき、スパッ
タリング等によってパターン形成されている。下部磁性
膜３の上には、非磁性絶縁材料例えばアルミナからなる
ギャップ膜４が、スパッタリングにより成膜されてい
る。次に、有機絶縁膜を下部磁性膜３を含めて基板１の
上に積層する。
面内記録再生用薄膜磁気ヘッドの下部磁性膜の上に絶縁
層を設ける工程を示している。図１−Ａに示すように、
Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣの導電性セラミックスからなる基板１
には、通常の手法によってアルミナの絶縁膜２が被着さ
れ、かつその上にＮｉ−Ｆｅ合金、コバルト合金等の軟
磁性材料からなる下部磁性膜３が、電気めっき、スパッ
タリング等によってパターン形成されている。下部磁性
膜３の上には、非磁性絶縁材料例えばアルミナからなる
ギャップ膜４が、スパッタリングにより成膜されてい
る。次に、有機絶縁膜を下部磁性膜３を含めて基板１の
上に積層する。
【００１１】先ず、図１−Ｂに示すようにノボラック樹
脂等の有機絶縁樹脂材料からなるフォトレジスト５を通
常より厚く塗布する。この厚さは、この後に続く熱処理
によって焼結後の膜厚が、下部磁性膜３の上にある部分
以外の部分に於いても下部磁性膜上面より十分に高くな
るように、例えば前記部分の膜厚を通常２〜５μｍとし
た場合に５〜８μｍ程度にする。フォトレジスト５は、
図１−Ｃに示すようにフォトマスク１２を当てて露光し
た後、現像し水洗すると、図１−Ｄのように不要な部分
が除去される。これに熱処理又は紫外線ベークを施して
焼結すると、図１−Ｅに示すように絶縁膜５が形成され
る。絶縁膜５は、基板１と下部磁性膜３との段差によっ
て下部磁性膜３の部分が隆起しているが、それ以外の部
分を含めて全体として下部磁性膜３の上面より十分に高
くなっている。この高さは、絶縁膜５の上に積層される
導体コイルとの間の絶縁性が、下部磁性膜３の縁端部分
付近に於いても十分に確保される以上であれば良い。
尚、ノボラック樹脂は、通常焼結によって膜厚が５〜１
５％程度減少するから、１回の工程で所望の膜厚が得ら
れない場合には、上記図１−Ｂ〜Ｅの工程を繰り返し実
行する。
脂等の有機絶縁樹脂材料からなるフォトレジスト５を通
常より厚く塗布する。この厚さは、この後に続く熱処理
によって焼結後の膜厚が、下部磁性膜３の上にある部分
以外の部分に於いても下部磁性膜上面より十分に高くな
るように、例えば前記部分の膜厚を通常２〜５μｍとし
た場合に５〜８μｍ程度にする。フォトレジスト５は、
図１−Ｃに示すようにフォトマスク１２を当てて露光し
た後、現像し水洗すると、図１−Ｄのように不要な部分
が除去される。これに熱処理又は紫外線ベークを施して
焼結すると、図１−Ｅに示すように絶縁膜５が形成され
る。絶縁膜５は、基板１と下部磁性膜３との段差によっ
て下部磁性膜３の部分が隆起しているが、それ以外の部
分を含めて全体として下部磁性膜３の上面より十分に高
くなっている。この高さは、絶縁膜５の上に積層される
導体コイルとの間の絶縁性が、下部磁性膜３の縁端部分
付近に於いても十分に確保される以上であれば良い。
尚、ノボラック樹脂は、通常焼結によって膜厚が５〜１
５％程度減少するから、１回の工程で所望の膜厚が得ら
れない場合には、上記図１−Ｂ〜Ｅの工程を繰り返し実
行する。
【００１２】次に、絶縁膜５の上面にラッピング等の機
械的加工を加えて不必要な部分を除去し、必要かつ十分
な高さに平坦化する。例えば図２に示すように、絶縁膜
５を下向きにして基板１を平坦な研磨板１３の上に載置
する。研磨板１３としては、例えば従来の金属錫からな
るものを使用することができ、これに遊離砥粒として粒
径０．５μｍ程度のダイヤ粉末を用いればよい。図２の
ように配置した基板１を、上から荷重を加えつつ回転さ
せて、ラッピングを行う。上述したように、絶縁膜５は
下部磁性膜３の領域が隆起しているが、例えば１０ｒｐ
ｍ程度の回転速度で１〜２分間ラッピングを行うことに
より、絶縁膜５から前記隆起部分を除去しかつ上面全体
を研磨して、図１−Ｆに示すように平坦化することがで
きる。このとき、絶縁膜５の厚さは、下部磁性膜３の上
で０．５〜２μｍ程度にすると、必要かつ十分な絶縁性
が得られるので好都合である。また、このようなラッピ
ング加工では、１０cm（４インチ）角型ウェハを基板と
して用いた場合に絶縁膜の膜厚を＋／−０．５μｍ程度
の高精度で制御することができるので、十分な歩留りが
得られる。別の実施例では、粒径０．５μｍ程度のダイ
ヤ粉末を用いた研磨シートによってラッピングを行うこ
とができる。この場合、前記研磨シートをグラナイト定
盤等の台上に固定し、その上で絶縁膜５を前記研磨シー
トに押し当てながら基板１を２０mm程度移動させること
により、同様に平坦かつ所望の膜厚の絶縁膜が得られ
る。
械的加工を加えて不必要な部分を除去し、必要かつ十分
な高さに平坦化する。例えば図２に示すように、絶縁膜
５を下向きにして基板１を平坦な研磨板１３の上に載置
する。研磨板１３としては、例えば従来の金属錫からな
るものを使用することができ、これに遊離砥粒として粒
径０．５μｍ程度のダイヤ粉末を用いればよい。図２の
ように配置した基板１を、上から荷重を加えつつ回転さ
せて、ラッピングを行う。上述したように、絶縁膜５は
下部磁性膜３の領域が隆起しているが、例えば１０ｒｐ
ｍ程度の回転速度で１〜２分間ラッピングを行うことに
より、絶縁膜５から前記隆起部分を除去しかつ上面全体
を研磨して、図１−Ｆに示すように平坦化することがで
きる。このとき、絶縁膜５の厚さは、下部磁性膜３の上
で０．５〜２μｍ程度にすると、必要かつ十分な絶縁性
が得られるので好都合である。また、このようなラッピ
ング加工では、１０cm（４インチ）角型ウェハを基板と
して用いた場合に絶縁膜の膜厚を＋／−０．５μｍ程度
の高精度で制御することができるので、十分な歩留りが
得られる。別の実施例では、粒径０．５μｍ程度のダイ
ヤ粉末を用いた研磨シートによってラッピングを行うこ
とができる。この場合、前記研磨シートをグラナイト定
盤等の台上に固定し、その上で絶縁膜５を前記研磨シー
トに押し当てながら基板１を２０mm程度移動させること
により、同様に平坦かつ所望の膜厚の絶縁膜が得られ
る。
【００１３】この後、絶縁膜５の上に従来と同様の工程
によって、レジストパターンを形成しかつ電気めっきに
よりＣｕからなる渦巻状の第１導体コイル８を形成す
る。更に、第２絶縁膜６、第２導体コイル９、第３絶縁
膜７、上部磁性膜１０、及び保護層１１を順次積層して
薄膜磁気ヘッドを製造する。このとき、第１導体コイル
８は平坦な絶縁膜５上に形成されるので、レジストパタ
ーンを形成する際に露光焦点を１点にすることができ、
コイル幅及び膜厚をより正確に形成されるので、コイル
の短絡や断線を防止することができる。
によって、レジストパターンを形成しかつ電気めっきに
よりＣｕからなる渦巻状の第１導体コイル８を形成す
る。更に、第２絶縁膜６、第２導体コイル９、第３絶縁
膜７、上部磁性膜１０、及び保護層１１を順次積層して
薄膜磁気ヘッドを製造する。このとき、第１導体コイル
８は平坦な絶縁膜５上に形成されるので、レジストパタ
ーンを形成する際に露光焦点を１点にすることができ、
コイル幅及び膜厚をより正確に形成されるので、コイル
の短絡や断線を防止することができる。
【００１４】図３及び図４には、本発明の第２実施例に
於いて、アルミナ等の無機酸化物からなる絶縁膜を形成
する工程が示されている。上記第１実施例の場合と同様
に、基板１には、絶縁膜２、下部磁性膜３及びギャップ
膜４が積層されている（図３−Ａ、図４−Ａ）。先ず、
図３−Ｂ及び図４−Ｂに示すように下部磁性膜３を含む
基板１の領域に、ポリイミド系樹脂のネガレジスト１４
を厚く、例えば１５〜２５μｍ程度塗布する。次に、ネ
ガレジスト１４は、ソフトベークした後に図３−Ｃ及び
図４−Ｃのようにフォトマスク１５を当てて露光し、現
像した後、２００〜５００℃の温度でアニーリングす
る。このとき、下部磁性膜３の周囲に残存するネガレジ
スト１４の縁端部が、図３−Ｄ及び図４−Ｄに示す逆テ
ーパ状をなすように露光する。
於いて、アルミナ等の無機酸化物からなる絶縁膜を形成
する工程が示されている。上記第１実施例の場合と同様
に、基板１には、絶縁膜２、下部磁性膜３及びギャップ
膜４が積層されている（図３−Ａ、図４−Ａ）。先ず、
図３−Ｂ及び図４−Ｂに示すように下部磁性膜３を含む
基板１の領域に、ポリイミド系樹脂のネガレジスト１４
を厚く、例えば１５〜２５μｍ程度塗布する。次に、ネ
ガレジスト１４は、ソフトベークした後に図３−Ｃ及び
図４−Ｃのようにフォトマスク１５を当てて露光し、現
像した後、２００〜５００℃の温度でアニーリングす
る。このとき、下部磁性膜３の周囲に残存するネガレジ
スト１４の縁端部が、図３−Ｄ及び図４−Ｄに示す逆テ
ーパ状をなすように露光する。
【００１５】次に、スパッタリングによって膜厚５〜８
μｍのアルミナの膜を形成する（図３−Ｅ、図４−
Ｅ）。残存しているネガレジスト１４をヒドラジン等を
用いて除去すると、図３−Ｆ及び図４−Ｆに示すよう
に、下部磁性層３の領域が隆起しかつそれ以外の領域に
於いても下部磁性膜３より厚い絶縁膜５が得られる。こ
の膜厚は、上述した第１実施例の場合と同様に、その上
に積層する導体コイルと下部磁性膜３との絶縁性を考慮
して決定される。そして、第１実施例と同じく絶縁膜５
をラッピングにより研磨加工することによって、図３−
Ｇ及び図４−Ｇの均一かつ十分な膜厚の平坦な絶縁膜５
を得ることができる。また、絶縁膜５の上に第１及び第
２導体コイル８、９、層間絶縁膜６、７、上部磁性膜１
０等を積層する場合に、層間絶縁膜６、７を同様にして
アルミナの無機酸化物で形成することができる。
μｍのアルミナの膜を形成する（図３−Ｅ、図４−
Ｅ）。残存しているネガレジスト１４をヒドラジン等を
用いて除去すると、図３−Ｆ及び図４−Ｆに示すよう
に、下部磁性層３の領域が隆起しかつそれ以外の領域に
於いても下部磁性膜３より厚い絶縁膜５が得られる。こ
の膜厚は、上述した第１実施例の場合と同様に、その上
に積層する導体コイルと下部磁性膜３との絶縁性を考慮
して決定される。そして、第１実施例と同じく絶縁膜５
をラッピングにより研磨加工することによって、図３−
Ｇ及び図４−Ｇの均一かつ十分な膜厚の平坦な絶縁膜５
を得ることができる。また、絶縁膜５の上に第１及び第
２導体コイル８、９、層間絶縁膜６、７、上部磁性膜１
０等を積層する場合に、層間絶縁膜６、７を同様にして
アルミナの無機酸化物で形成することができる。
【００１６】上記第１及び第２実施例を変形させた別の
実施例では、ラッピングによる機械的加工ではなく、リ
ソグラフィ技術とイオンミリング等のドライエッチング
とを併用したエッチバックのような化学的方法手法によ
って、絶縁膜５を平坦化することができる。この場合、
図３−Ｆ及び図４−Ｆの絶縁膜５の上に、その段差が完
全に埋まるように上述したポリイミド系樹脂のフォトレ
ジストを塗布し、かつベークする。そして、イオンミリ
ングによってフォトレジスト及び余分なアルミナの部分
をエッチングする。このとき、フォトレジストと絶縁膜
のアルミナ部分とを同じ割合で除去する必要があるが、
例えばアルゴンイオンを用いたイオンミリングの場合、
基板への入射角度を３０°に設定すればよい。
実施例では、ラッピングによる機械的加工ではなく、リ
ソグラフィ技術とイオンミリング等のドライエッチング
とを併用したエッチバックのような化学的方法手法によ
って、絶縁膜５を平坦化することができる。この場合、
図３−Ｆ及び図４−Ｆの絶縁膜５の上に、その段差が完
全に埋まるように上述したポリイミド系樹脂のフォトレ
ジストを塗布し、かつベークする。そして、イオンミリ
ングによってフォトレジスト及び余分なアルミナの部分
をエッチングする。このとき、フォトレジストと絶縁膜
のアルミナ部分とを同じ割合で除去する必要があるが、
例えばアルゴンイオンを用いたイオンミリングの場合、
基板への入射角度を３０°に設定すればよい。
【００１７】尚、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、その技術的範囲内に於いて様々な変形・変更
を加えて実施することができる。例えば、本発明は、垂
直記録再生用薄膜磁気ヘッドについても同様に適用する
ことができる。また、上記実施例では、ギャップ層４を
絶縁膜５を形成する前に形成したが、絶縁膜５を形成し
た後に形成しても同様の薄膜磁気ヘッドが得られること
は言うまでもない。
ではなく、その技術的範囲内に於いて様々な変形・変更
を加えて実施することができる。例えば、本発明は、垂
直記録再生用薄膜磁気ヘッドについても同様に適用する
ことができる。また、上記実施例では、ギャップ層４を
絶縁膜５を形成する前に形成したが、絶縁膜５を形成し
た後に形成しても同様の薄膜磁気ヘッドが得られること
は言うまでもない。
【００１８】
【発明の効果】本発明は、以上のように構成されている
ので、以下に記載されるような効果を奏する。
ので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００１９】請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
によれば、磁性膜と基板との間に相当の段差があるにも
拘らず、磁性膜の上に平坦な絶縁膜を容易にかつその膜
厚を制御しつつ形成することができるので、磁性膜の縁
端部分を含めて磁極コイル間に十分な絶縁性が保障され
て、絶縁破壊電圧を高くすることができ、しかも、導体
コイルが平坦な絶縁膜の上に形成されるので、高精度の
パターニングが可能となり、信頼性が大幅に向上する。
によれば、磁性膜と基板との間に相当の段差があるにも
拘らず、磁性膜の上に平坦な絶縁膜を容易にかつその膜
厚を制御しつつ形成することができるので、磁性膜の縁
端部分を含めて磁極コイル間に十分な絶縁性が保障され
て、絶縁破壊電圧を高くすることができ、しかも、導体
コイルが平坦な絶縁膜の上に形成されるので、高精度の
パターニングが可能となり、信頼性が大幅に向上する。
【図１】Ａ図〜Ｆ図からなり、それぞれ本発明の第１実
施例による薄膜磁気ヘッドの製造方法の各過程を示す断
面図である。
施例による薄膜磁気ヘッドの製造方法の各過程を示す断
面図である。
【図２】絶縁膜をラッピング加工する要領を示す断面図
である。
である。
【図３】Ａ図〜Ｇ図からなり、それぞれ本発明の第２実
施例による製造方法の各過程を示す図１と同様の断面図
である。
施例による製造方法の各過程を示す図１と同様の断面図
である。
【図４】Ａ図〜Ｇ図からなり、それぞれ図３の各過程に
対応する縦断面図である。
対応する縦断面図である。
【図５】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す概略斜視図
である。
である。
【図６】図５に示す薄膜磁気ヘッドの縦断面図である。
【図７】図５のVII−VII線に於ける断面図である。
【図８】下部磁性膜の上端と導体コイル間の距離Ｄと絶
縁膜の耐電圧との関係を表す線図である。
縁膜の耐電圧との関係を表す線図である。
１ 基板 ２ 絶縁膜 ３ 下部磁性膜 ４ ギャップ膜 ５、６、７ 絶縁膜 ８、９ 導体コイル １０ 上部磁性膜 １１ 保護層 １２ フォトマスク １３ 研磨板 １４ フォトレジスト １５ フォトマスク
Claims (1)
- 【請求項１】 基板の上に形成された磁性膜と、その上
に絶縁膜を介して形成された導体コイル膜とからなる磁
気回路を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記磁性膜を含めた前記基板の上に前記絶縁膜を、全体
として前記磁性膜の上面より或る高さ以上に厚く形成す
る過程と、前記磁性膜より高い前記絶縁膜の部分を少な
くとも部分的に除去して平坦化した後に、前記導体コイ
ル膜を形成する過程とを含むことを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18941193A JPH0721524A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18941193A JPH0721524A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0721524A true JPH0721524A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=16240825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18941193A Pending JPH0721524A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0721524A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6757133B1 (en) | 1999-01-13 | 2004-06-29 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin Film magnetic head |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP18941193A patent/JPH0721524A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6757133B1 (en) | 1999-01-13 | 2004-06-29 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin Film magnetic head |
| US6941643B2 (en) | 1999-01-13 | 2005-09-13 | Alps Electric Co., Ltd. | Method of producing a thin film magnetic head |
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