JPH05159221A - 薄膜ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜ヘッドおよびその製造方法Info
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- JPH05159221A JPH05159221A JP3317267A JP31726791A JPH05159221A JP H05159221 A JPH05159221 A JP H05159221A JP 3317267 A JP3317267 A JP 3317267A JP 31726791 A JP31726791 A JP 31726791A JP H05159221 A JPH05159221 A JP H05159221A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
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Abstract
(57)【要約】
【目的】薄膜ヘッドおよびその製造方法に関し、電気メ
ッキで形成されたメッキ層のメッキベースを除去する際
に、下地層まで余分に削ることなく、しかもメッキベー
スのみを確実に除去可能とすることを目的とする。 【構成】磁極やコイルなどのパターンが、電気メッキ法
で成膜した後パターニングすることによって形成される
薄膜ヘッドにおいて、電気メッキの際のメッキ電極とな
るメッキベース16の少なくとも下地層19と接する層17
を、その下地層19を構成する材料およびメッキ層15と比
べてケミカルエッチングレートの高い材料もしくは選択
エッチングできる材料で構成する。
ッキで形成されたメッキ層のメッキベースを除去する際
に、下地層まで余分に削ることなく、しかもメッキベー
スのみを確実に除去可能とすることを目的とする。 【構成】磁極やコイルなどのパターンが、電気メッキ法
で成膜した後パターニングすることによって形成される
薄膜ヘッドにおいて、電気メッキの際のメッキ電極とな
るメッキベース16の少なくとも下地層19と接する層17
を、その下地層19を構成する材料およびメッキ層15と比
べてケミカルエッチングレートの高い材料もしくは選択
エッチングできる材料で構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置や磁
気テープ装置、光磁気ディスク装置などにおいて、情報
を高密度で記録／再生するのに使用される薄膜ヘッドお
よびその製造方法に関する。
気テープ装置、光磁気ディスク装置などにおいて、情報
を高密度で記録／再生するのに使用される薄膜ヘッドお
よびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は薄膜磁気ヘッドの全容を示す斜視
図である。薄膜磁気ヘッドは、スライダ部ｓとヘッド素
子部ｈとで構成され、ヘッド素子部ｈは、図５に示すよ
うに、薄膜技術とリソグラフィ技術によって積層形成さ
れる。Ｇは、記録／再生用のギャップ、ｔは記録／再生
コイルｃの端子である。浮上レールｒや空気の流入斜面
ａは、スライダ部ｓを研削することによって形成され
る。
図である。薄膜磁気ヘッドは、スライダ部ｓとヘッド素
子部ｈとで構成され、ヘッド素子部ｈは、図５に示すよ
うに、薄膜技術とリソグラフィ技術によって積層形成さ
れる。Ｇは、記録／再生用のギャップ、ｔは記録／再生
コイルｃの端子である。浮上レールｒや空気の流入斜面
ａは、スライダ部ｓを研削することによって形成され
る。
【０００３】図５は薄膜磁気ヘッドの従来の製造方法を
工程順に示す図であり、図４におけるＡ−Ａ断面位置に
おける積層状態を示している。ｓはAl2O3TiCなどからな
る基板であり、図４におけるスライダを構成するもので
ある。この基板ｓ上に工程でAl2O3 からなる保護膜１
が積層され、保護膜１上に工程で基準位置マーカー２
が形成されるとともに、工程でNiFe等からなる下部磁
極３が形成される。
工程順に示す図であり、図４におけるＡ−Ａ断面位置に
おける積層状態を示している。ｓはAl2O3TiCなどからな
る基板であり、図４におけるスライダを構成するもので
ある。この基板ｓ上に工程でAl2O3 からなる保護膜１
が積層され、保護膜１上に工程で基準位置マーカー２
が形成されるとともに、工程でNiFe等からなる下部磁
極３が形成される。
【０００４】そして、下部磁極３上に、工程でAl2O3
等をスパッタすることで、ギャップ層４が形成され、そ
の上に工程で下部絶縁層５が形成された後、工程で
コイル層６が形成され、コイル層６上に、工程で上部
絶縁層７が形成される。
等をスパッタすることで、ギャップ層４が形成され、そ
の上に工程で下部絶縁層５が形成された後、工程で
コイル層６が形成され、コイル層６上に、工程で上部
絶縁層７が形成される。
【０００５】この上部絶縁層７上に、工程でNiFe等か
らなる上部磁極８が形成され、その上に工程でAl2O3
等をスパッタすることで素子保護膜９が形成される。最
後に、先端を10−10位置まで研摩して、上下の磁極３、
８を露出させることで、記録／再生用のギャップＧを有
する薄膜磁気ヘッドが完了する。
らなる上部磁極８が形成され、その上に工程でAl2O3
等をスパッタすることで素子保護膜９が形成される。最
後に、先端を10−10位置まで研摩して、上下の磁極３、
８を露出させることで、記録／再生用のギャップＧを有
する薄膜磁気ヘッドが完了する。
【０００６】これらの工程のうち、上下の磁極３、８お
よびコイル６の形成は、電気メッキ法で行なうのが一般
的である。図６は下部磁極３の形成工程を例示する平面
図と断面図である。工程(1) において、基板保護膜１上
に、NiFeなどのような導電体を蒸着することで、電気メ
ッキの際のメッキ電極となるメッキベース11を形成し、
その上に、フォトレジストを塗布した後パターニングす
ることによって、下部磁極３を囲むような枠状のレジス
トパターン12を形成する。
よびコイル６の形成は、電気メッキ法で行なうのが一般
的である。図６は下部磁極３の形成工程を例示する平面
図と断面図である。工程(1) において、基板保護膜１上
に、NiFeなどのような導電体を蒸着することで、電気メ
ッキの際のメッキ電極となるメッキベース11を形成し、
その上に、フォトレジストを塗布した後パターニングす
ることによって、下部磁極３を囲むような枠状のレジス
トパターン12を形成する。
【０００７】次に工程(2) で、メッキベース11を電極に
して電気メッキを行ない、メッキ層3aを成膜した後、レ
ジストパターン12を有機溶剤で除去すると、工程(3) の
ように、下部磁極となるメッキ層3aと他の領域3a' との
間に溝13ができる。
して電気メッキを行ない、メッキ層3aを成膜した後、レ
ジストパターン12を有機溶剤で除去すると、工程(3) の
ように、下部磁極となるメッキ層3aと他の領域3a' との
間に溝13ができる。
【０００８】次の工程(4) でフォトレジストを塗布し、
下部磁極の領域3aのみレジストパターン14が残るように
パターニングして、下部磁極の領域のメッキ層3aを覆っ
た状態で、下部磁極の領域以外のメッキ層3a' をエッチ
ングして除去する。次いで、工程(5) において、イオン
ミーリングやスパッタエッチング等の手法で、メッキベ
ース11の不要部分を除去する。
下部磁極の領域3aのみレジストパターン14が残るように
パターニングして、下部磁極の領域のメッキ層3aを覆っ
た状態で、下部磁極の領域以外のメッキ層3a' をエッチ
ングして除去する。次いで、工程(5) において、イオン
ミーリングやスパッタエッチング等の手法で、メッキベ
ース11の不要部分を除去する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このようにメッキベー
ス11の不要部分をエッチングする際に、完全に除去され
ないで、わずかでも残っていると、短絡などを引き起こ
す恐れがあるので、完全に除去しなければならない。と
ころが、イオンミーリングやスパッタエッチングなどに
よる除去処理では、その処理速度が各層の材質の違いや
膜厚の不均一性のために一定せず、総てのメッキベース
11を均一に除去することは不可能である。
ス11の不要部分をエッチングする際に、完全に除去され
ないで、わずかでも残っていると、短絡などを引き起こ
す恐れがあるので、完全に除去しなければならない。と
ころが、イオンミーリングやスパッタエッチングなどに
よる除去処理では、その処理速度が各層の材質の違いや
膜厚の不均一性のために一定せず、総てのメッキベース
11を均一に除去することは不可能である。
【００１０】したがって、図７に示すように、メッキベ
ース11の下地層である保護膜１まで削られるように、破
線で示す位置まで深めにエッチングすることで、メッキ
ベース11がわずかでも残らないように対処している。こ
のとき、メッキ層3aも破線で示す位置まで削られるた
め、余分に削られることを見込んで、メッキベース11の
下地層１やメッキ層3aを厚めに成膜しなければならず、
成膜に長時間を要し、量産に適しない。
ース11の下地層である保護膜１まで削られるように、破
線で示す位置まで深めにエッチングすることで、メッキ
ベース11がわずかでも残らないように対処している。こ
のとき、メッキ層3aも破線で示す位置まで削られるた
め、余分に削られることを見込んで、メッキベース11の
下地層１やメッキ層3aを厚めに成膜しなければならず、
成膜に長時間を要し、量産に適しない。
【００１１】しかも、下地層１の削られ方は均一ではな
く、製品ごとにバラツキが発生している。すなわち、前
記のように各部におけるエッチング速度が必ずしも一定
とは限らず、またメッキベース11の膜厚も不均一なた
め、下地層１のエッチング量にバラツキが発生し、その
結果下地層１の膜厚も不均一となり、高精度を要する薄
膜ヘッドの製造は不可能である。
く、製品ごとにバラツキが発生している。すなわち、前
記のように各部におけるエッチング速度が必ずしも一定
とは限らず、またメッキベース11の膜厚も不均一なた
め、下地層１のエッチング量にバラツキが発生し、その
結果下地層１の膜厚も不均一となり、高精度を要する薄
膜ヘッドの製造は不可能である。
【００１２】あるいは、メッキベース11のみの領域とメ
ッキ層3aの有る領域との間の隅部では、エッチング速度
が速いために、破線1aで示すように下地層１がエッチン
グ過剰となることも確認されている。
ッキ層3aの有る領域との間の隅部では、エッチング速度
が速いために、破線1aで示すように下地層１がエッチン
グ過剰となることも確認されている。
【００１３】なお、オートアライメントマーカーｍは、
各パターンの相対位置を決定するための位置合わせ用、
あるいはエッチング加工深さを決定するための素子加工
用であり、Tiを成膜して反射しやすくしたものである。
各パターンの相対位置を決定するための位置合わせ用、
あるいはエッチング加工深さを決定するための素子加工
用であり、Tiを成膜して反射しやすくしたものである。
【００１４】薄膜磁気ヘッドにおいては、下部磁極３の
みでなく、コイル６も上部磁極８もこのようにメッキ層
をパターニングすることで形成されるため、同様の問題
が発生する。また、磁気テープ装置や光ディスク装置に
用いられる薄膜ヘッドにおいて、メッキ層をパターニン
グする場合も同様である。
みでなく、コイル６も上部磁極８もこのようにメッキ層
をパターニングすることで形成されるため、同様の問題
が発生する。また、磁気テープ装置や光ディスク装置に
用いられる薄膜ヘッドにおいて、メッキ層をパターニン
グする場合も同様である。
【００１５】本発明の技術的課題は、このような問題に
着目し、電気メッキで形成されたメッキ層のメッキベー
スを除去する際に、下地層まで余分に削ることなく、し
かもメッキベースのみを確実に除去可能とすることにあ
る。
着目し、電気メッキで形成されたメッキ層のメッキベー
スを除去する際に、下地層まで余分に削ることなく、し
かもメッキベースのみを確実に除去可能とすることにあ
る。
【００１６】
【課題を解決するための手段】図１は本発明による薄膜
ヘッドおよびその製造方法の基本原理を説明する断面図
である。本発明は、例えば磁極やコイルなどのようなパ
ターンが、電気メッキ法で成膜した後パターニングする
ことによって形成される薄膜ヘッドを対象とするもので
ある。
ヘッドおよびその製造方法の基本原理を説明する断面図
である。本発明は、例えば磁極やコイルなどのようなパ
ターンが、電気メッキ法で成膜した後パターニングする
ことによって形成される薄膜ヘッドを対象とするもので
ある。
【００１７】請求項１の発明は、メッキ層15を電気メッ
キする際のメッキ電極となるメッキベース16に関するも
のである。このメッキベース16は、単一の層であっても
よく、２以上の層になっていてもよい。そして、メッキ
ベース16の少なくとも最下層、すなわち下地層19と接す
る層17を、その下地層19を構成する材料およびメッキ層
15と比べてケミカルエッチングレートの高い材料もしく
は選択エッチングできる材料で構成するものである。
キする際のメッキ電極となるメッキベース16に関するも
のである。このメッキベース16は、単一の層であっても
よく、２以上の層になっていてもよい。そして、メッキ
ベース16の少なくとも最下層、すなわち下地層19と接す
る層17を、その下地層19を構成する材料およびメッキ層
15と比べてケミカルエッチングレートの高い材料もしく
は選択エッチングできる材料で構成するものである。
【００１８】請求項２の発明は、電気メッキより後の工
程において、メッキベースの不要部を除去するためのエ
ッチングを、ドライケミカルエッチング法の単独または
複数種類の組み合わせで行なう。あるいは、イオンミー
リングもしくはスパッタエッチングの後、ドライケミカ
ルエッチングで行なうものである。
程において、メッキベースの不要部を除去するためのエ
ッチングを、ドライケミカルエッチング法の単独または
複数種類の組み合わせで行なう。あるいは、イオンミー
リングもしくはスパッタエッチングの後、ドライケミカ
ルエッチングで行なうものである。
【００１９】請求項３の発明は、メッキベース16を、各
パターンの相対位置を決定するための位置合わせ用また
はエッチング加工深さを決定するための素子加工用のマ
ーカー２に比べてエッチングレートの高い材料もしくは
選択エッチング性のある材料で構成してなるものであ
る。
パターンの相対位置を決定するための位置合わせ用また
はエッチング加工深さを決定するための素子加工用のマ
ーカー２に比べてエッチングレートの高い材料もしくは
選択エッチング性のある材料で構成してなるものであ
る。
【００２０】
【作用】請求項１のように、メッキベース16の少なくと
も最下層17を、その下地層19を構成する材料およびメッ
キ層15と選択エッチングできる材料で構成するため、メ
ッキベース16がエッチング完了した時点でエッチングが
停止する。したがって、下地層19をエッチングすること
なしに、メッキベース16のみをエッチングして除去でき
る。また、下地層19の材料に比べてケミカルエッチング
レートの高い材料で構成した場合は、下地層19がエッチ
ングされたとしても、わずかで済む。
も最下層17を、その下地層19を構成する材料およびメッ
キ層15と選択エッチングできる材料で構成するため、メ
ッキベース16がエッチング完了した時点でエッチングが
停止する。したがって、下地層19をエッチングすること
なしに、メッキベース16のみをエッチングして除去でき
る。また、下地層19の材料に比べてケミカルエッチング
レートの高い材料で構成した場合は、下地層19がエッチ
ングされたとしても、わずかで済む。
【００２１】メッキベース16は、その全体を、下地層19
やメッキ層15を構成する材料と比べてケミカルエッチン
グレートの高い材料もしくは選択エッチングできる材料
で構成してもよいが、メッキベース11を２〜３層構成に
するとともに、少なくとも最下層17を、このような材料
で構成すれば足りる。
やメッキ層15を構成する材料と比べてケミカルエッチン
グレートの高い材料もしくは選択エッチングできる材料
で構成してもよいが、メッキベース11を２〜３層構成に
するとともに、少なくとも最下層17を、このような材料
で構成すれば足りる。
【００２２】すなわち、メッキベース16が２層以上で構
成されている場合は、その最下層17を、下地層19を構成
する材料と比べてケミカルエッチングレートの高い材料
もしくは選択エッチングできる材料で構成した場合、上
側の層18は、イオンミーリングやスパッタエッチングな
どによって除去し、最下層17の全面が露出した時点でイ
オンミーリングやスパッタエッチングを停止し、以降は
本発明によってドライケミカルエッチングすれば、上層
18の材料選択の自由度が増える。
成されている場合は、その最下層17を、下地層19を構成
する材料と比べてケミカルエッチングレートの高い材料
もしくは選択エッチングできる材料で構成した場合、上
側の層18は、イオンミーリングやスパッタエッチングな
どによって除去し、最下層17の全面が露出した時点でイ
オンミーリングやスパッタエッチングを停止し、以降は
本発明によってドライケミカルエッチングすれば、上層
18の材料選択の自由度が増える。
【００２３】請求項２のように、メッキベースの不要部
を除去するためのエッチングを、ドライケミカルエッチ
ング法の単独または複数種類の組み合わせで行なえば、
下地層19やメッキ層15を損傷することなしに、メッキベ
ース16のみを選択的にエッチングできる。
を除去するためのエッチングを、ドライケミカルエッチ
ング法の単独または複数種類の組み合わせで行なえば、
下地層19やメッキ層15を損傷することなしに、メッキベ
ース16のみを選択的にエッチングできる。
【００２４】また、イオンミーリングもしくはスパッタ
エッチングの後、ドライケミカルエッチングする場合
も、同様にメッキベース16のみを選択エッチングでき、
しかもメッキベース16のほとんどを、エッチング速度の
速いイオンミーリングもしくはスパッタエッチングで除
去できるので、メッキベース16の除去を短時間に効率的
に行なうことができ、量産に適している。また、下地層
19と接している下層17のみをドライケミカルエッチング
すればよく、上層18はイオンミーリングまたはスパッタ
エッチングで除去するため、上層18として任意の材料を
使用できる。
エッチングの後、ドライケミカルエッチングする場合
も、同様にメッキベース16のみを選択エッチングでき、
しかもメッキベース16のほとんどを、エッチング速度の
速いイオンミーリングもしくはスパッタエッチングで除
去できるので、メッキベース16の除去を短時間に効率的
に行なうことができ、量産に適している。また、下地層
19と接している下層17のみをドライケミカルエッチング
すればよく、上層18はイオンミーリングまたはスパッタ
エッチングで除去するため、上層18として任意の材料を
使用できる。
【００２５】請求項３のように、メッキベース16を、素
子加工用または位置合わせ用のマーカー２に比べてエッ
チングレートの高い材料もしくは選択エッチング性のあ
る材料で構成した場合は、メッキベース16を除去する際
に、マーカー２が消失することはなく、あるいはエッチ
ングを最小限に止めることができる。
子加工用または位置合わせ用のマーカー２に比べてエッ
チングレートの高い材料もしくは選択エッチング性のあ
る材料で構成した場合は、メッキベース16を除去する際
に、マーカー２が消失することはなく、あるいはエッチ
ングを最小限に止めることができる。
【００２６】
【実施例】次に本発明による薄膜ヘッドおよびその製造
方法が実際上どのように具体化されるかを実施例で説明
する。図２は本発明の方法で薄膜磁気ヘッドにおけるコ
イル６を作製する例である。５はAl2O3 からなる下地層
であり、その上に２層からなるメッキベース16が成膜さ
れている。このように下地層５がAl2O3 の場合は、Al2O
3 がエッチングされないフレオンガスを用い、真空容器
中でドライケミカルエッチングを行なう。
方法が実際上どのように具体化されるかを実施例で説明
する。図２は本発明の方法で薄膜磁気ヘッドにおけるコ
イル６を作製する例である。５はAl2O3 からなる下地層
であり、その上に２層からなるメッキベース16が成膜さ
れている。このように下地層５がAl2O3 の場合は、Al2O
3 がエッチングされないフレオンガスを用い、真空容器
中でドライケミカルエッチングを行なう。
【００２７】したがって、まずフレオンで選択エッチン
グされ、しかも下地層５との密着性のよいTiを蒸着ある
いはスパッタなどによって成膜して下層17を形成し、そ
の上にメッキ層６と同じ材料の銅を蒸着あるいはスパッ
タなどによって成膜して上層18を形成する。その後、２
層からなるメッキベース16を電極にして、銅を電気メッ
キし、銅からなるメッキ層６を形成する。
グされ、しかも下地層５との密着性のよいTiを蒸着ある
いはスパッタなどによって成膜して下層17を形成し、そ
の上にメッキ層６と同じ材料の銅を蒸着あるいはスパッ
タなどによって成膜して上層18を形成する。その後、２
層からなるメッキベース16を電極にして、銅を電気メッ
キし、銅からなるメッキ層６を形成する。
【００２８】２層からなるメッキベース16の場合は、上
層18も下層17も全部、下地層５を構成するAl2O3 と比べ
てケミカルエッチングレートの高い材料もしくは選択エ
ッチングできる材料で構成してもよいが、メッキ層６と
同じ材料を上層18に用いる場合は、上層18はイオンミー
リングまたはスパッタエッチングで除去し、Tiからなる
下層17が総て露出した状態で、ドライケミカルエッチン
グを行なう。
層18も下層17も全部、下地層５を構成するAl2O3 と比べ
てケミカルエッチングレートの高い材料もしくは選択エ
ッチングできる材料で構成してもよいが、メッキ層６と
同じ材料を上層18に用いる場合は、上層18はイオンミー
リングまたはスパッタエッチングで除去し、Tiからなる
下層17が総て露出した状態で、ドライケミカルエッチン
グを行なう。
【００２９】ドライケミカルエッチング用のガスには種
々あるが、フレオン(CF4）を使用した場合、メッキ層６
であるCuや下地層５であるAl2O3 に比べてTiのエッチン
グレートが高いため、メッキ層６や下地層５を損傷する
ことなしに、あるいは最小限のエッチング量で、メッキ
ベース16のみを除去できる。
々あるが、フレオン(CF4）を使用した場合、メッキ層６
であるCuや下地層５であるAl2O3 に比べてTiのエッチン
グレートが高いため、メッキ層６や下地層５を損傷する
ことなしに、あるいは最小限のエッチング量で、メッキ
ベース16のみを除去できる。
【００３０】次に、下部磁極３の構成材料であるNiFe
も、Ｃｕと同様にフレオンでエッチングされにくく、か
つ下地層である基板保護膜１がAl2O3 系なため、下部磁
極３のメッキベースをエッチングする場合も、フレオン
を使用することができる。
も、Ｃｕと同様にフレオンでエッチングされにくく、か
つ下地層である基板保護膜１がAl2O3 系なため、下部磁
極３のメッキベースをエッチングする場合も、フレオン
を使用することができる。
【００３１】図３は、本発明の方法で、SiO2からなる下
地層の上に上部磁極８を作製する例である。SiO2は、フ
レオンではエッチングされやすいので、ドライケミカル
エッチングにＣCl4(四塩化炭素) を用いる。また、Alは
ＣCl4 でエッチングされるので、メッキベース16の下層
17としてAlを蒸着あるいはスパッタなどによって成膜
し、その上にメッキ層８と同じ材料のNiFeを蒸着あるい
はスパッタなどによって成膜して上層18を形成する。そ
の後、２層からなるメッキベース16を電極にして、NiFe
を電気メッキし、NiFeからなるメッキ層８を形成する。
地層の上に上部磁極８を作製する例である。SiO2は、フ
レオンではエッチングされやすいので、ドライケミカル
エッチングにＣCl4(四塩化炭素) を用いる。また、Alは
ＣCl4 でエッチングされるので、メッキベース16の下層
17としてAlを蒸着あるいはスパッタなどによって成膜
し、その上にメッキ層８と同じ材料のNiFeを蒸着あるい
はスパッタなどによって成膜して上層18を形成する。そ
の後、２層からなるメッキベース16を電極にして、NiFe
を電気メッキし、NiFeからなるメッキ層８を形成する。
【００３２】この場合も、図示例のように２層からなる
メッキベース16の場合は、上層18も下層17も全部、下地
層７を構成するSiO2と比べてケミカルエッチングレート
の高い材料もしくは選択エッチングできる材料で構成し
てもよい。
メッキベース16の場合は、上層18も下層17も全部、下地
層７を構成するSiO2と比べてケミカルエッチングレート
の高い材料もしくは選択エッチングできる材料で構成し
てもよい。
【００３３】しかしながら、下層17のみを、ＣCl4 で選
択エッチングでき、あるいはケミカルエッチングレート
の高いAlにすれば、上層18は、メッキ層８と同じNiFeで
あっても、上層18はイオンミーリングやスパッタエッチ
ングなどの手法で除去でき、下層17の最後の部分のみを
ケミカルエッチングやドライケミカルエッチングなどの
手法でエッチングすれば足りる。
択エッチングでき、あるいはケミカルエッチングレート
の高いAlにすれば、上層18は、メッキ層８と同じNiFeで
あっても、上層18はイオンミーリングやスパッタエッチ
ングなどの手法で除去でき、下層17の最後の部分のみを
ケミカルエッチングやドライケミカルエッチングなどの
手法でエッチングすれば足りる。
【００３４】次に、請求項３のように、メッキベース16
は、位置合わせ用または素子加工用のマーカー２に比べ
てエッチングレートの高い材料もしくは選択エッチング
性のある材料で構成することが有効である。
は、位置合わせ用または素子加工用のマーカー２に比べ
てエッチングレートの高い材料もしくは選択エッチング
性のある材料で構成することが有効である。
【００３５】したがって、図２のように、メッキベース
の下層17としてTiを使用する場合は、位置合わせマーカ
ー２としては、フレオンでエッチングされにくい金(Au)
が有効である。また、図３のように、メッキベースの下
層17としてAlを用いる場合は、ＣCl4 でエッチングされ
にくいTiが適している。
の下層17としてTiを使用する場合は、位置合わせマーカ
ー２としては、フレオンでエッチングされにくい金(Au)
が有効である。また、図３のように、メッキベースの下
層17としてAlを用いる場合は、ＣCl4 でエッチングされ
にくいTiが適している。
【００３６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、メッキ層
および下地層の材料に応じて、メッキベース11とくにそ
の下層17の材料を選択するとともに、ドライケミカルエ
ッチング用のガスを選択することで、メッキ層および下
地層をエッチングすることなしに、あるいは最小限のエ
ッチング量で、メッキベースを効率的に除去できる。
および下地層の材料に応じて、メッキベース11とくにそ
の下層17の材料を選択するとともに、ドライケミカルエ
ッチング用のガスを選択することで、メッキ層および下
地層をエッチングすることなしに、あるいは最小限のエ
ッチング量で、メッキベースを効率的に除去できる。
【００３７】その結果、従来のように下地層のエッチン
グ量を見込んで、下地層およびメッキ層を余分に厚く成
膜する必要はなく、成膜時間を短縮でき、また選択エッ
チングにより、下地層の膜厚が均一となるため、高精度
を要する薄膜ヘッドのメッキパターン形成に極めて有効
である。
グ量を見込んで、下地層およびメッキ層を余分に厚く成
膜する必要はなく、成膜時間を短縮でき、また選択エッ
チングにより、下地層の膜厚が均一となるため、高精度
を要する薄膜ヘッドのメッキパターン形成に極めて有効
である。
【００３８】また、請求項３のように、メッキベース
を、加工用や位置合わせ用のマーカーに比べてエッチン
グレートの高い材料もしくは選択エッチング性のある材
料で構成することにより、マーカー２が消失したりして
以後の作業に支障を来すような問題が解消される。
を、加工用や位置合わせ用のマーカーに比べてエッチン
グレートの高い材料もしくは選択エッチング性のある材
料で構成することにより、マーカー２が消失したりして
以後の作業に支障を来すような問題が解消される。
【図１】本発明による薄膜ヘッドおよびその製造方法の
基本原理を説明する断面図である。
基本原理を説明する断面図である。
【図２】メッキベースの下地層がAl2O3 の場合の実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】メッキベースの下地層がSiO2の場合の実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】薄膜磁気ヘッドの全容を示す斜視図である。
【図５】薄膜磁気ヘッドの従来の製造方法を工程順に示
す図である。
す図である。
【図６】薄膜磁気ヘッドにおける下部磁極の形成工程を
例示する平面図と縦断面図である。
例示する平面図と縦断面図である。
【図７】従来のメッキベースの除去方法を示す断面図で
ある。
ある。
ｓ 基板（スライダ） ｈ ヘッド素子部 Ｇ 記録／再生用のギャップ １ 保護膜( メッキベースの下地層 ) ２ 基準位置マーカー ３ 下部磁極 3a 下部磁極を形成するためのメッキ層 ４ ギャップ層 ５ 下部絶縁層( メッキベースの下地層 ) ６ コイル層 ７ 上部絶縁層( メッキベースの下地層 ) ８ 上部磁極 ９ 素子保護膜 10 研摩位置 11 メッキベース 12 レジストパターン 13 溝 14 レジストパターン 15 メッキ層 16 メッキベース 17 メッキベースの下層 18 メッキベースの上層
Claims (3)
- 【請求項１】 磁極やコイルなどのパターンが、電気メ
ッキ法で成膜した後パターニングすることによって形成
される薄膜ヘッドにおいて、 電気メッキの際のメッキ電極となるメッキベース(16)の
少なくとも下地層(19)と接する層(17)を、その下地層(1
9)を構成する材料およびメッキ層(15)と比べてケミカル
エッチングレートの高い材料もしくは選択エッチングで
きる材料で構成してなることを特徴とする薄膜ヘッド。 - 【請求項２】 磁極やコイルなどのパターンが、電気メ
ッキ法で成膜した後パターニングすることによって形成
される薄膜ヘッドを製造する際に、 電気メッキより後の工程において、電気メッキの際のメ
ッキ電極となるメッキベース(16)の不要部を除去するた
めのエッチングを、 ドライケミカルエッチング法の単独または複数種類の組
み合わせで、 またはイオンミーリングもしくはスパッタエッチングの
後、ドライケミカルエッチングで行なうことを特徴とす
る薄膜ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 磁極やコイルなどのパターンが、電気メ
ッキ法で成膜した後パターニングすることによって形成
される薄膜ヘッドにおいて、 電気メッキの際のメッキ電極となるメッキベース(16)
を、各パターンの相対位置を決定するための位置合わせ
用またはエッチング加工深さを決定するための素子加工
用のマーカー(2) に比べてエッチングレートの高い材料
もしくは選択エッチング性のある材料で構成してなるこ
とを特徴とする薄膜ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3317267A JPH05159221A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | 薄膜ヘッドおよびその製造方法 |
| US07/984,373 US5281300A (en) | 1991-12-02 | 1992-12-02 | Thin film head for a magnetic storage device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3317267A JPH05159221A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | 薄膜ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05159221A true JPH05159221A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18086334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3317267A Pending JPH05159221A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | 薄膜ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5281300A (ja) |
| JP (1) | JPH05159221A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5659450A (en) * | 1993-12-27 | 1997-08-19 | Nec Corporation | Thin film recording head having enhanced electrical insulative properties |
| KR0170949B1 (ko) * | 1995-09-30 | 1999-03-30 | 배순훈 | 메탈층 형성 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0283811A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-23 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPH02230505A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-12 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4632724A (en) * | 1985-08-19 | 1986-12-30 | International Business Machines Corporation | Visibility enhancement of first order alignment marks |
| JPH01251411A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Toshiba Corp | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US5141623A (en) * | 1990-02-15 | 1992-08-25 | Seagate Technology, Inc. | Method for aligning pole tips in a thin film head |
| US5059278A (en) * | 1990-09-28 | 1991-10-22 | Seagate Technology | Selective chemical removal of coil seed-layer in thin film head magnetic transducer |
-
1991
- 1991-12-02 JP JP3317267A patent/JPH05159221A/ja active Pending
-
1992
- 1992-12-02 US US07/984,373 patent/US5281300A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0283811A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-23 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPH02230505A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-12 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5281300A (en) | 1994-01-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19961119 |