JPH0721533A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 望ましい特性を有する磁気抵抗効果素子層を
安定して形成できるようにし、歩留りの向上、再生出力
の増大及び焼損断線事故の発生防止を図る。 【構成】 基台となる下部絶縁層４上に磁気抵抗効果膜
10を成膜し、この磁気抵抗効果膜10の上部に、得るべき
磁気抵抗効果素子層の外側を縁取るフレームレジスト11
を形成する。フレームレジスト11の上部を除く磁気抵抗
効果膜10の表面に金属めっき膜12を成膜し、フレームレ
ジスト11の上部とフレームレジスト11内側の金属めっき
膜12の上部とをカバーレジスト13により覆う。この状態
でウェットエッチングを実施し、カバーレジスト13及び
フレームレジスト11外側の金属めっき膜12を除去する。
次いでカバーレジスト13及びフレームレジスト11を除去
し、カバーレジスト13の下部に残る金属めっき膜12をマ
スクとするドライエッチングにより磁気抵抗効果膜10の
不要部分を除去し、最後に、残っている金属めっき膜12
を除去して、この除去後に残る磁気抵抗効果膜10を磁気
抵抗効果素子層とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク、磁気テ
ープ等の磁気記録媒体の記録情報を磁気抵抗効果を利用
して再生する磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドの製造方
法に関し、更に詳述すれば、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドの主要部分である磁気抵抗効果層の形成方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】コンピュータの外部記録装置として広く
普及している磁気ディスク装置等の磁気記録装置におい
ては、近年、小型化及び高密度記録化が進行しており、
記録媒体となる磁気記録媒体側では、記録トラック幅及
び線記録幅が益々狭小化する傾向にある。これに伴い、
記録再生手段として用いられる薄膜磁気ヘッドにおいて
も、電磁誘導現象を利用する従来の誘導型の薄膜磁気ヘ
ッドでは記録情報の確実な再生が困難となりつつあり、
誘導型に替わる新たな再生手段として、磁気抵抗効果
（ Magnetoresistive effect ）、即ち、強磁性体の電
気抵抗値が周辺磁場の強弱に応じて増減する性質を利用
する磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドの使用が進みつつ
ある。

【０００３】図６は、磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッド
の正面図、図７は、同じく使用状態を示す縦断面図であ
る。磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果
を有する強磁性材料により形成された磁気抵抗効果素子
層１の上部に所定の間隔を隔てて一対の電極層２，２を
接触させ、これらの上下両側を、上部絶縁層３及び下部
絶縁層４を介して夫々積層された上部磁気シールド層５
及び下部磁気シールド層６により覆ってなる。

【０００４】以上の如き薄膜磁気ヘッドは、基板７の一
面上に、より具体的には、前記一面に成膜されたアンダ
ーコート膜８上に、下部磁気シールド層６、下部絶縁層
４、磁気抵抗効果素子層１、電極層２，２、上部絶縁層
３、及び上部磁気シールド層５をこの順に積層し、全体
を保護膜９により被覆して構成される。基板７は、図７
に示す如く、磁気記録媒体の記録面Ａ上にわずかに浮上
し、該記録面Ａに沿って相対移動するスライダを構成し
ており、該基板７上の前記各層の積層は、白抜矢符にて
示す記録面Ａの相対移動方向の後端面において行われて
いる。

【０００５】記録面Ａに磁気記録された記録情報は、前
述の如く移動する記録面Ａ各部の磁場の作用により変化
する磁気抵抗効果素子層１の電気抵抗値を、前記電極層
２，２間の電圧出力値を媒介として取り出すことにより
再生される。なお、磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドは
再生専用のヘッドであることから、一般的には、再生専
用の磁気抵抗効果型ヘッド部を構成する前記各層の上部
に、記録専用の誘導型ヘッド部を積層形成してなる複合
型薄膜磁気ヘッドとして用いられている。

【０００６】上部磁気シールド層５及び下部磁気シール
ド層６は、パーマロイ（ＮｉＦｅ）系合金、コバルト系
合金等の軟磁性材料からなり、磁気抵抗効果素子層１に
伝播する外部の磁気的ノイズ、特に、隣接記録トラック
及び隣接記録ビットからの漏洩磁界を遮断する作用をな
し、これらは、記録面Ａの移動方向に対応させて、先導
磁気シールド層（下部磁気シールド層６）及び後続磁気
シールド層（上部磁気シールド層５）と呼称されること
もある。また、上部絶縁層３及び下部絶縁層４は、アル
ミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）、二酸化珪素（ＳｉＯ₂ ）等の絶縁
材料からなり、導電体である上下の磁気シールド層５，
６と磁気抵抗効果素子層１との間の電気的な短絡を防ぐ
作用をなす。

【０００７】さて、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの主
要部分である磁気抵抗効果素子層１は、下部絶縁層４の
上面に、図６に示す側を長辺とし、図７に示す側を短辺
とする矩形の平面形状を有して積層形成されている。図
８及び図９は、磁気抵抗効果素子層１の従来の形成手順
を示す説明図であり、図８は正面断面図、図９は上方か
らの平面図である。

【０００８】まず、図８（ａ）及び図９（ａ）に示す如
く、均一磁界中でのスパッタ法又は真空蒸着法により、
下部絶縁層４の表面全域に、50nm程度の厚みを有する磁
気抵抗効果膜20を成膜する。なお、該磁気抵抗効果膜20
は、一般的には、パーマロイ（ＮｉＦｅ）系の軟磁性合
金を単層に成膜することにより得られるが、前記パーマ
ロイ膜と、該パーマロイ膜にバイアス磁場を印加するた
めのコバルト系軟磁性合金からなるバイアス膜と、前記
パーマロイ膜の磁区制御を行うためのＦｅＭｎ等の反強
磁性材料からなる磁区制御膜との３層構造とする場合も
ある。また前記成膜を磁界中で行うのは、得られる磁気
抵抗効果膜20の磁化方向を前記磁界の方向に揃え、磁気
異方性を誘起させるためである。

【０００９】次いで、スピンコータを用い、磁気抵抗効
果膜20の表面にポジ型のフォトレジストを均等に塗布し
てベーキングし、所定の露光パターンを有するフォトマ
スクを位置合わせして、該フォトマスクを介しての露光
の後、現像及び密着強度を増すため再度のベーキングを
行う。これにより下部絶縁層４上には、図８（ｂ）及び
図９（ｂ）に示す如く、得るべき磁気抵抗効果素子層１
の平面形状に対応するレジスト21が残る。

【００１０】次いで、磁気抵抗効果膜20及びレジスト21
の上部からイオンミリング等のドライエッチングを実施
し、図８（ｃ）及び図９（ｃ）に示す如く、レジスト21
により覆われている部分を除いて磁気抵抗効果膜20を除
去する。最後に、アセトン等のレジスト剥離液を用いて
前記レジスト21を除去する。これにより下部絶縁層４上
には、図８（ｄ）及び図９（ｄ）に示す如く、レジスト
21により覆われていた磁気抵抗効果膜20が磁気抵抗効果
素子層１として残る。

【００１１】更に以上の如く形成された磁気抵抗効果素
子層１上には、図10及び図11に示す手順により電極層
２，２が形成される。なお、図10は正面断面図、図11は
上方からの平面図である。

【００１２】まず、スパッタ法又は真空蒸着法により、
磁気抵抗効果素子層１の形成部分を含む下部絶縁層４の
表面全域に、Ｃｕ，Ｗ，Ａｕ等の導電性材料からなる電
極膜22を、 200〜 500nmの厚みを有して成膜し、次い
で、電極膜22の表面にポジ型のフォトレジストを均等に
塗布し、磁気抵抗効果素子層１の形成の場合と同様に、
プリベーク、フォトマスクを介しての露光、現像、及び
ポストベークを行い、図10（ａ）及び図11（ａ）に示す
如く、得るべき電極層２，２の形状に対応し、磁気抵抗
効果素子層１の両側にその一部を接触させたレジスト2
3，23を残す。

【００１３】次いで、残存するレジスト23，23をマスク
とするウェットエッチングにより、レジスト23，23によ
り覆われている部分を除いて電極膜22を除去し、最後
に、アセトン等のレジスト剥離液を用いて前記レジスト
23，23を除去する。これにより下部絶縁層４上には、図
10（ｂ）及び図11（ｂ）に示す如く、レジスト23，23に
より覆われていた電極膜22が、磁気抵抗効果素子層１の
長手方向両側に夫々の一部を接触させた形状をなす電極
層２，２として残る。なお、前記ウェットエッチングに
際しては、磁気抵抗効果素子層１を構成するパーマロイ
を侵さないエッチング液を選択する必要がある。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、以上の手順
により形成される磁気抵抗効果素子層１を備えた従来の
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいては、定常時にお
ける磁気抵抗効果素子層１の電気抵抗値が大きく、また
この抵抗値に固体差が存在する難点があった。

【００１５】例えば、厚みが35nm、短辺が５μｍ、長辺
における電極層２，２間に挾まれた部分（作用領域）の
幅が10μｍである磁気抵抗効果素子層１においては、材
料となるパーマロイの比抵抗が20μΩcm前後であること
から、理論上の電気抵抗値が11Ω前後となるのに対し、
実際の電気抵抗値は20〜70Ωの範囲に分布しており、理
論値よりも高い範囲にて大きなバラツキを有している。

【００１６】また磁気抵抗効果素子層１においては、図
12に示す如く、外部磁場の変化に応じて一様な抵抗変化
を示すことが要求されるのに対し、従来の手順により得
られた磁気抵抗効果素子層１においては、図13（ａ）に
示す如く、抵抗変化率の急激な飛び、また図13（ｂ）に
示す如く、外部磁場の変化方向に応じて抵抗変化率が異
なる現象、所謂、ヒステリシス、更には、図13（ｃ）に
示す如く、大なる変動成分を含んだ抵抗変化等、容認し
得ない特性上の欠陥を発現するものがあり、製品歩留り
の向上を阻害する要因となっている。

【００１７】更に従来の磁気抵抗効果素子層１は、図14
に示す如く、電極層２，２を介して流される再生電流Ｉ
_S の増加に応じて抵抗値が急増する傾向があり、大なる
再生出力を得るべく再生電流Ｉ_s を増した場合、電極層
２，２と磁気抵抗効果素子層１との重なり部分が磁気抵
抗効果素子層１の発熱により焼損し、断線が発生する虞
れがあって、再生出力の向上に限界があるという難点が
あった。一方では、磁気抵抗効果特性の安定化と単磁区
を図るべく、磁気抵抗効果素子層１の厚みを薄くし、作
用領域の幅を狭くすることが要求されているが、従来の
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいては、前記焼損及
び断線事故の発生が懸念されることから前記要求に応え
得ないのが実情である。

【００１８】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、望ましい特性を有する磁気抵抗効果素子層を安
定して形成でき、歩留りの向上、再生出力の増大及び焼
損断線事故の発生防止に寄与し得る磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法は、基板上に下部磁気シールド層を介し
て積層された下部絶縁層上に、平面視にて矩形をなす磁
気抵抗効果素子層を形成し、該磁気抵抗効果素子層の長
手方向両側に一対の電極層を接触させ、これらの上部
を、上部絶縁層を介して積層された上部磁気シールド層
により覆ってなり、前記磁気抵抗効果素子層に生じる電
気抵抗値の変化を前記電極層を介して取り出すことによ
り磁気記録情報を再生する磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法において、前記下部絶縁層上に磁気抵抗
効果膜を成膜する第１工程と、該磁気抵抗効果膜上に前
記磁気抵抗効果素子層の平面形状に対応するフレームレ
ジストを形成する第２工程と、該フレームレジストの上
部を除く前記下部絶縁層上に金属めっき膜を成膜する第
３工程と、前記フレームレジストの上部及び該フレーム
レジスト内側の前記金属めっき膜の上部を覆うカバーレ
ジストを形成する第４工程と、該カバーレジストの周囲
に露出する前記金属めっき膜をウェットエッチングによ
り除去する第５工程と、前記カバーレジスト及び前記フ
レームレジストを除去する第６工程と、両レジストの除
去後に残存する金属めっき膜の周囲に露出する前記磁気
抵抗効果膜をドライエッチングにより除去する第７工程
と、残存する金属めっき膜を除去し、該金属めっき膜の
下部に覆われた磁気抵抗効果膜を前記磁気抵抗効果素子
層として残す第８工程とを含むことを特徴とする。

【００２０】

【作用】本発明においては、絶縁層上に成膜した磁気抵
抗効果膜の不要部分を除去する際に、除去後に磁気抵抗
効果素子層として残す磁気抵抗効果膜の上部を直接的に
レジストにより覆うのではなく、前記磁気抵抗効果素子
層膜の上部に金属めっき膜を成膜し、この金属めっき膜
の磁気抵抗効果素子層に対応する部分の上部をカバーレ
ジストにより、また側部をフレームレジストにより夫々
覆い、この状態でのウェットエッチングにより、まず金
属めっき膜の不要部分を除去し、次いで、カバーレジス
ト及びフレームレジストを除去し、残存する金属めっき
膜をマスクとして下部の磁気抵抗効果膜の不要部分をド
ライエッチングにより除去し、最後に上部を覆う金属め
っき膜を除去して磁気抵抗効果素子層を得る。

【００２１】本発明者は、磁気抵抗効果素子層に生じる
不安定特性の要因を探るべく、従来の方法により形成さ
れた磁気抵抗効果素子層を詳細に観察した結果、磁気抵
抗効果素子層の表面及び周囲に、高い電気抵抗値を有す
るレジストの残滓が局所的に付着しており、この残滓を
綿棒等を用いて丁寧に拭き取ることにより特性の安定化
を図り得ることを知見した。

【００２２】一方、磁気抵抗効果素子層にレジストの残
滓が付着している原因について検討した結果、従来の方
法における図８（ｃ）及び図９（ｃ）の過程、即ち、レ
ジストにより覆われていない不要な磁気抵抗効果膜を除
去すべく行われるドライエッチングに際し、プラズマ中
に曝されるレジストが輻射熱により磁気抵抗効果膜に焼
き付き、この後のレジスト除去液による除去に際し、焼
き付いたレジストの一部が磁気抵抗効果膜に付着したま
ま残るためであることがわかった。

【００２３】つまり、磁気抵抗効果素子層の不安定特性
の要因は、磁気抵抗効果素子層の形成の過程で用いたレ
ジストの残滓であり、この残滓を確実に除去することに
より特性の安定化を図り得る。ところが、前述した綿棒
による拭き取りを実際の生産現場にて行うことは現実的
ではなく、従来から知られているレジスト剥離液を強化
する方法と酸素プラズマにより除去する方法とを採用し
た場合、前者においては、磁気抵抗効果素子層を構成す
る磁気抵抗効果膜が損傷を受ける問題があり、後者にお
いては、磁気抵抗効果膜の表面が酸化され、特性悪化の
新たな要因となる。

【００２４】また、レジストの焼き付きの原因が磁気抵
抗効果膜の不要部分の除去のためのドライエッチングに
あることから、ウェットエッチングにより磁気抵抗効果
膜の除去を行うことも考えられるが、除去後に残す磁気
抵抗効果素子層は極めて微細なものであり、側面のアン
ダーカットの問題があるウェットエッチングにより磁気
抵抗効果素子層を正確に形成するには、温度、時間等の
エッチング条件の厳密な管理を必要とする。本発明は以
上の知見に基づいてなされている。

【００２５】

【実施例】以下本発明をその実施例を示す図面に基づい
て詳述する。本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
（以下本発明方法という）は、前記図６及び図７に示す
如く構成された磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの主要部
分である磁気抵抗効果素子層１の形成手順に特徴を有す
る。図１〜図４は、本発明方法による磁気抵抗効果素子
層１の形成手順を示す説明図であり、図１及び図２は、
記録面Ａ（図７参照）に対向する側からの正面断面図、
図３及び図４は、夫々図１及び図２の上方からの平面図
である。

【００２６】まず、従来の磁気抵抗効果素子層１の形成
の場合と同様に、図１（ａ）及び図３（ａ）に示す如
く、基台となる下部絶縁層４の表面全域に、均一磁界中
でのスパッタ法又は真空蒸着法により、20〜50nmの厚み
を有する磁気抵抗効果膜10を成膜する。この磁気抵抗効
果膜10は、図８及び図９に示す従来の手順における磁気
抵抗効果膜20と同様に、パーマロイ（ＮｉＦｅ）系の軟
磁性合金による単層の成膜、又は、パーマロイ膜、コバ
ルト系軟磁性合金からなるバイアス膜、及び反強磁性材
料からなる磁区制御膜による３層の成膜のいずれかによ
って形成してもよく、また、前記成膜を磁界中で行うの
は、得られる磁気抵抗効果膜10の磁化方向を磁界の作用
により揃え、一軸磁気異方性を誘起させるためである。

【００２７】次いで、スピンコータを用い、前記磁気抵
抗効果膜10の表面にポジ型のフォトレジストを均等に塗
布してベーキング（プリベーク）し、所定の露光パター
ンを有するフォトマスクを位置合わせして、該フォトマ
スクを介しての露光、現像の後、密着強度を増すためベ
ーキング（ポストベーク）を行う公知のフォトリソグラ
フィ法を実施する。但し、本発明方法において用いる前
記フォトマスクの露光パターンは、従来の形成手順の場
合とは異なり、得るべき磁気抵抗効果素子層１の外周に
沿った内のりを有する枠形をなすものであり、このフォ
トマスクにより露光が行われる結果、前記フォトリソグ
ラフィ法の実施後における下部絶縁層４上には、図１
（ｂ）及び図３（ｂ）に示す如く、得るべき磁気抵抗効
果素子層１の外側を縁取る所定幅のフレームレジスト11
が残る。

【００２８】次いで図１（ｃ）及び図３（ｃ）に示す如
く、フレームレジスト11の内側及び外側に露出する磁気
抵抗効果膜10の表面に、 100nm前後の厚みを有して金属
膜を成膜する。このような選択的な成膜は、フレームレ
ジスト11が導電性を有さないことから電気メッキにより
達成し得る。金属めっき膜12の材料は、メッキ法による
成膜が可能であると共に、後述するウェットエッチング
により、磁気抵抗効果膜10を侵すことなく除去できるこ
とを条件として選択すればよく、Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ又は
Ａｕ等を用い得る。

【００２９】次に、金属めっき膜12及び該金属めっき膜
12上に露出するフレームレジスト11の表面に、ポジ型の
フォトレジストを均等に塗布し、フレームレジスト11の
形成の場合と同様にフォトリソグラフィ法を実施する。
この際に用いるフォトマスクは、フレームレジスト11の
外縁に沿う矩形の露光パターンを有するものであり、こ
のフォトマスクによる露光を伴うフォトリソグラフィ法
の実施により、図１（ｄ）及び図３（ｄ）に示す如く、
フレームレジスト11の上部、及び該フレームレジスト11
内側の金属めっき膜12の上部を覆うカバーレジスト13が
形成される。

【００３０】以上の如き状態において、次いでウェット
エッチングを実施し、カバーレジスト13の周囲に露出す
る金属めっき膜12を除去し、その後、アセトン等のレジ
スト剥離液を用いてフレームレジスト11及びカバーレジ
スト13を除去する。前記ウェットエッチングの実施に用
いるエッチング液は、磁気抵抗効果膜10を侵すことなく
金属めっき膜12を除去し得ることを条件として選定する
必要があり、前述の如く金属めっき膜12の材料として、
Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ又はＡｕを用いた場合、前記エッチン
グ液としては、例えば、ペルオキソ２硫酸アンモニウム
水溶液等の過硫酸アンモニウム水溶液、亜硫酸ナトリウ
ムを含むアンモニア水溶液、又はフェリシアン化カリウ
ムを含むアルカリ性水溶液等を用い得る。

【００３１】フレームレジスト11及びカバーレジスト13
を除去した後の状態を図２（ａ）及び図４（ａ）に示
す。前述の如くウェットエッチングが実施される結果、
磁気抵抗効果膜10は絶縁層４の全面に亘って残り、この
磁気抵抗効果10の上部にはカバーレジスト13によりその
上部を覆われていた金属めっき膜12が残る。また、前記
ウェットエッチングは、カバーレジスト13下部の金属め
っき膜12の側面がフレームレジスト11により被覆された
状態で行われるから、前記側面にアンダーカットを生じ
る虞れがなく、図２（ａ）及び図４（ａ）に示す如く磁
気抵抗効果膜10上に残る金属めっき膜12は、フレームレ
ジスト11の内のり形状、即ち、得るべき磁気抵抗効果素
子層１の平面形状に正確に対応するものとなる。更に、
金属めっき膜12の除去がウェットエッチングにより行わ
れるから、この間にフレームレジスト11及びカバーレジ
スト13が変質する虞れがなく、両レジスト11，13は、レ
ジスト剥離液による後続する除去工程において、金属め
っき膜12及び磁気抵抗効果膜10の表面に残滓を残すこと
なく、略完全に除去される。

【００３２】次いで、残存する金属めっき膜12をマスク
として利用し、該金属めっき膜12の周囲に露出する磁気
抵抗効果膜10をドライエッチングにより除去する。この
除去は、例えば、加速電圧 500Ｖ、加速電流 200ｍＡな
る条件下にて、磁気抵抗効果膜10と垂直な方向から実施
されるイオンミリングにより行えばよい。この工程終了
後の状態は図２（ｂ）及び図４（ｂ）に示す如くなり、
基台となる絶縁層４上には、前記金属めっき膜12の下部
の磁気抵抗効果膜10が残り、この磁気抵抗効果膜10の平
面形状は、これの外側での除去がドライエッチングによ
り行われることから、マスクとなった前記金属めっき膜
12の平面形状、即ち、得るべき磁気抵抗効果素子層１の
平面形状に正確に対応するものとなる。

【００３３】最後に前述したエッチング液を用いたウェ
ットエッチングにより、残存する金属めっき膜12を除去
する。これにより下部絶縁層４上には、図２（ｃ）及び
図４（ｃ）に示す如く、金属めっき膜12により覆われて
いた磁気抵抗効果膜10のみが残り、この磁気抵抗効果膜
10が、所望の平面形状を有する磁気抵抗効果素子層１と
なる。この磁気抵抗効果素子層１上には、図10及び図11
に示す従来の手順により電極層２，２が形成され、更
に、上部絶縁層３、上部磁気シールド層５が形成され、
最後に全体を保護膜９により覆って、図６及び図７に示
す如き薄膜磁気ヘッドが構成される。

【００３４】以上の如き本発明方法により得られた薄膜
磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子層１の電気抵抗
値を調べた結果、従来の場合と同じく、厚みが35nm、短
辺が５μｍ、長辺の電極層２，２間に挾まれた部分（作
用領域）の幅が10μｍである磁気抵抗効果素子層１にお
いて、10〜12Ωなる狭い範囲に分布しており、これらの
抵抗値は、理論上の電気抵抗値である11Ωに略等しい。

【００３５】また磁気抵抗効果素子層１においては、外
部磁場の変化に応じた電気抵抗変化率を調べた結果、図
12に示す如き変化特性が得られ、図13（ａ）に示す抵抗
変化率の飛び、図13（ｂ）に示すヒステリシス、及び図
13（ｃ）に示す変動成分を含む抵抗変化等の特性上の欠
陥の発生を解消し得ることがわかった。また以上の如き
特性は、外部磁場の増減を多数回繰返した後においても
安定して得られた。

【００３６】更に、本発明方法により得られた磁気抵抗
効果素子層１においては、図５に示す如く、電極層２，
２を介して流される再生電流Ｉ_S を増加させた場合にお
いての抵抗値の変化はわずかであり、従来の磁気抵抗効
果素子層１における同様の結果（図14参照）との比較に
より明らかな優位性が認められる。このことから本発明
方法により得られる薄膜磁気ヘッドにおいては、電極層
２，２と磁気抵抗効果素子層１との重なり部分の焼損及
び断線を引き起こすことなく、電極層２，２に流す再生
電流Ｉ_s を増すことができ、再生出力の大幅な向上を果
たし得る。

【００３７】本発明方法により得られた薄膜磁気ヘッド
において、焼損，断線の発生数を実際に調べた結果、 1
00個の製品中２〜３個であったのに対し、従来の薄膜磁
気ヘッドにおいては、 100個の製品中40個の製品におい
て焼損，断線が生じており、本発明方法の採用により、
歩留りの大幅な向上が図れることが明らかとなった。

【００３８】

【発明の効果】以上詳述した如く本発明方法において
は、絶縁層上に成膜された磁気抵抗効果膜の不要部分を
除去して磁気抵抗効果素子層を形成するに際し、除去後
に磁気抵抗効果素子層として残す磁気抵抗効果膜の上部
を直接的にレジストにより覆うのではなく、前記磁気抵
抗効果素子層膜の上部に成膜した金属めっき膜をレジス
トにより覆い、この金属めっき膜の不要部分をウェット
エッチングにより除去し、更に前記レジストの除去後に
残る金属めっき膜をマスクとして下部の磁気抵抗効果膜
の不要部分をドライエッチングにより除去し、最後に上
部を覆う金属めっき膜を除去する手順を採用するから、
得られた磁気抵抗効果素子層にレジストの残滓が付着す
る虞れがなく、この残滓に起因する特性不良の発生を有
効に防止できる。

【００３９】また、前記金属めっき膜のウェットエッチ
ングを、必要な部分の上部をカバーレジストにより、ま
た側部をフレームレジストにより夫々覆った状態で行う
から、エッチング温度及び時間等の厳密な管理を要する
ことなく所望の残存形状が得られ、この残存部をマスク
として利用したドライエッチングにより、微細な磁気抵
抗効果素子層を安定して形成でき、歩留りの向上、再生
出力の増大及び焼損断線事故の発生防止に寄与し得る
等、本発明は優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明方法による磁気抵抗効果素子層の形成手
順の説明図である。

【図２】本発明方法による磁気抵抗効果素子層の形成手
順の説明図である。

【図３】本発明方法による磁気抵抗効果素子層の形成手
順の説明図である。

【図４】本発明方法による磁気抵抗効果素子層の形成手
順の説明図である。

【図５】本発明方法により得られる磁気抵抗効果素子層
における再生電流の増加に対する抵抗値の変化を示す図
である。

【図６】磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドの正面図であ
る。

【図７】磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドの使用状態を
示す縦断面図である。

【図８】従来の磁気抵抗効果素子層の形成手順の説明図
である。

【図９】従来の磁気抵抗効果素子層の形成手順の説明図
である。

【図１０】電極層の形成手順の説明図である。

【図１１】電極層の形成手順の説明図である。

【図１２】磁気抵抗効果素子層の望ましい抵抗変化特性
を示す図である。

【図１３】従来の磁気抵抗効果素子層に発生する抵抗変
化特性不良の例示図である。

【図１４】従来の磁気抵抗効果素子層における再生電流
の増加に対する抵抗値の変化を示す図である。

【符号の説明】

１ 磁気抵抗効果素子層 ２ 電極層 ４ 下部絶縁層 10 磁気抵抗効果膜 11 フレームレジスト 12 金属めっき膜 13 カバーレジスト

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に下部磁気シールド層を介して積
   層された下部絶縁層上に、平面視にて矩形をなす磁気抵
   抗効果素子層を形成し、該磁気抵抗効果素子層の長手方
   向両側に一対の電極層を接触させ、これらの上部を、上
   部絶縁層を介して積層された上部磁気シールド層により
   覆ってなり、前記磁気抵抗効果素子層に生じる電気抵抗
   値の変化を前記電極層を介して取り出すことにより磁気
   記録情報を再生する磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドの
   製造方法において、前記下部絶縁層上に磁気抵抗効果膜
   を成膜する第１工程と、該磁気抵抗効果膜上に前記磁気
   抵抗効果素子層の平面形状に対応するフレームレジスト
   を形成する第２工程と、該フレームレジストの上部を除
   く前記下部絶縁層上に金属めっき膜を成膜する第３工程
   と、前記フレームレジストの上部及び該フレームレジス
   ト内側の前記金属めっき膜の上部を覆うカバーレジスト
   を形成する第４工程と、該カバーレジストの周囲に露出
   する前記金属めっき膜をウェットエッチングにより除去
   する第５工程と、前記カバーレジスト及び前記フレーム
   レジストを除去する第６工程と、両レジストの除去後に
   残存する金属めっき膜の周囲に露出する前記磁気抵抗効
   果膜をドライエッチングにより除去する第７工程と、残
   存する金属めっき膜を除去し、該金属めっき膜の下部に
   覆われた磁気抵抗効果膜を前記磁気抵抗効果素子層とし
   て残す第８工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
   ドの製造方法。