JP2613755B2 - 基板の処理方法 - Google Patents
基板の処理方法Info
- Publication number
- JP2613755B2 JP2613755B2 JP7292828A JP29282895A JP2613755B2 JP 2613755 B2 JP2613755 B2 JP 2613755B2 JP 7292828 A JP7292828 A JP 7292828A JP 29282895 A JP29282895 A JP 29282895A JP 2613755 B2 JP2613755 B2 JP 2613755B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- rinsing
- present
- resist pattern
- processing method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の処理方法に
関するものである。さらに詳しくいえば、本発明は、半
導体素子の製造工程において、エッチング処理後のレジ
ストパターンを剥離液により除去したのちの基板のリン
ス効果に優れ、かつ人体に対する毒性や廃水処理などの
環境面での問題が極めて少ない上に、火災上の安全性に
も優れた特定の溶剤で基板をリンス処理する方法に関す
るものである。
関するものである。さらに詳しくいえば、本発明は、半
導体素子の製造工程において、エッチング処理後のレジ
ストパターンを剥離液により除去したのちの基板のリン
ス効果に優れ、かつ人体に対する毒性や廃水処理などの
環境面での問題が極めて少ない上に、火災上の安全性に
も優れた特定の溶剤で基板をリンス処理する方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩなどの半導体素子の製造に
おいては、通常まずシリコンウエハーなどの基板上に酸
化膜などの薄膜を形成し、次いでその表面にホトレジス
トを均一に塗布して感光層を設けたのち、露光及び現像
処理を施してレジストパターンを形成し、続いてこのレ
ジストパターンをマスクとして、下層部の酸化膜を選択
的にエッチングしたのち、基板上のレジストパターンを
完全に除去するという工程がとられている。
おいては、通常まずシリコンウエハーなどの基板上に酸
化膜などの薄膜を形成し、次いでその表面にホトレジス
トを均一に塗布して感光層を設けたのち、露光及び現像
処理を施してレジストパターンを形成し、続いてこのレ
ジストパターンをマスクとして、下層部の酸化膜を選択
的にエッチングしたのち、基板上のレジストパターンを
完全に除去するという工程がとられている。
【０００３】従来、ホトレジストパターンの除去には、
無機酸又は無機塩基を使用して除去する方法及び有機溶
剤を使用して溶解剥離除去する方法が知られているが、
無機酸又は無機塩基を使用して除去する方法は作業上危
険性を伴うので、有機溶剤を使用する方法が一般的に用
いられている。
無機酸又は無機塩基を使用して除去する方法及び有機溶
剤を使用して溶解剥離除去する方法が知られているが、
無機酸又は無機塩基を使用して除去する方法は作業上危
険性を伴うので、有機溶剤を使用する方法が一般的に用
いられている。
【０００４】しかしながら、この方法においては、有機
溶剤によりホトレジストパターンを溶解剥離するため
に、剥離除去後すぐに基板を水洗すると、基板上に残存
している剥離液中に溶解しているホトレジストが析出し
て、基板上に再付着する。したがって、ホトレジストパ
ターンを剥離除去後、基板をすぐに水洗することができ
ず、基板のリンス処理が不可欠である。このリンス処理
は、基板上に残存している剥離液を完全に洗い流し、該
剥離液中に溶解しているホトレジストが基板上に再付着
するのを防止するために行われる。
溶剤によりホトレジストパターンを溶解剥離するため
に、剥離除去後すぐに基板を水洗すると、基板上に残存
している剥離液中に溶解しているホトレジストが析出し
て、基板上に再付着する。したがって、ホトレジストパ
ターンを剥離除去後、基板をすぐに水洗することができ
ず、基板のリンス処理が不可欠である。このリンス処理
は、基板上に残存している剥離液を完全に洗い流し、該
剥離液中に溶解しているホトレジストが基板上に再付着
するのを防止するために行われる。
【０００５】このようなリンス処理に用いられるリンス
液としては、従来トリクロロエチレン、メタノール、ア
セトン、キシレンなどが知られている。しかしながら、
これらのリンス液は、基板上の剥離液の洗浄には有効で
はあるが、トリクロロエチレンは、近年人体に対する有
害性や廃液による環境問題が大きくクローズアップされ
使用が制限されているし、またメタノールやアセトン、
キシレンなどは引火点が低く、防災上及び貯蔵上の問題
があり、さらに揮散速度が速く、作業環境に悪影響を及
ぼすなど、種々の問題を有している。
液としては、従来トリクロロエチレン、メタノール、ア
セトン、キシレンなどが知られている。しかしながら、
これらのリンス液は、基板上の剥離液の洗浄には有効で
はあるが、トリクロロエチレンは、近年人体に対する有
害性や廃液による環境問題が大きくクローズアップされ
使用が制限されているし、またメタノールやアセトン、
キシレンなどは引火点が低く、防災上及び貯蔵上の問題
があり、さらに揮散速度が速く、作業環境に悪影響を及
ぼすなど、種々の問題を有している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体素子の製造工程におけるこのようなリンス処理の問題
を解決し、剥離液によるレジストパターン除去後の基板
のリンス処理において、リンス効果に優れ、かつ人体に
対する毒性や廃水処理などの環境面での問題が極めて少
ない上に、火災上の安全性にも優れたリンス液を用いる
基板の処理法を提供することにある。
体素子の製造工程におけるこのようなリンス処理の問題
を解決し、剥離液によるレジストパターン除去後の基板
のリンス処理において、リンス効果に優れ、かつ人体に
対する毒性や廃水処理などの環境面での問題が極めて少
ない上に、火災上の安全性にも優れたリンス液を用いる
基板の処理法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、リンス液として、
トリメチルベンゼンとメチルエチルベンゼンとを主成分
とする混合溶剤を用いることにより、その目的を達成し
うることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成す
るに至った。
を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、リンス液として、
トリメチルベンゼンとメチルエチルベンゼンとを主成分
とする混合溶剤を用いることにより、その目的を達成し
うることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成す
るに至った。
【０００８】すなわち、本発明は、基板上に所望のホト
レジストパターンを設けてエッチング処理を行い、次い
で該レジストパターンを剥離液により除去したのち、該
基板をトリメチルベンゼンとメチルエチルベンゼンを主
成分とする混合溶剤を用いてリンス処理することを特徴
とする基板の処理方法を提供するものである。
レジストパターンを設けてエッチング処理を行い、次い
で該レジストパターンを剥離液により除去したのち、該
基板をトリメチルベンゼンとメチルエチルベンゼンを主
成分とする混合溶剤を用いてリンス処理することを特徴
とする基板の処理方法を提供するものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明方法において用いるリンス
液は、トリメチルベンゼンとメチルエチルベンゼンを主
成分とする混合溶剤であり、このような混合溶剤は、火
災安全性及び貯蔵性の点で特に優れている。
液は、トリメチルベンゼンとメチルエチルベンゼンを主
成分とする混合溶剤であり、このような混合溶剤は、火
災安全性及び貯蔵性の点で特に優れている。
【００１０】本発明におけるリンス液は、トリメチルベ
ンゼンとメチルエチルベンゼンを主成分とするものであ
れば、どのように調製したものでもよいが、実用上混合
溶剤として市販されているものを用いるのが有利であ
る。
ンゼンとメチルエチルベンゼンを主成分とするものであ
れば、どのように調製したものでもよいが、実用上混合
溶剤として市販されているものを用いるのが有利であ
る。
【００１１】このように市販されている混合溶剤として
は、例えばソルベッソ１００（エクソン化学社製）及び
ペガソールＲ−１００がある。これらの市販の混合溶剤
は、単独で用いてもよいし、また２種以上を混合して用
いてもよい。
は、例えばソルベッソ１００（エクソン化学社製）及び
ペガソールＲ−１００がある。これらの市販の混合溶剤
は、単独で用いてもよいし、また２種以上を混合して用
いてもよい。
【００１２】本発明において用いるリンス液は、剥離処
理するレジストパターンがネガ型又はポジ型のいずれの
ホトレジストから形成されたものであっても、剥離後の
リンス処理に有効であるが、ネガ型ホトレジストを用い
た場合のリンス液としては、アルキルベンゼン系化合物
が少なくとも３０重量％以上含有したものが好ましい。
理するレジストパターンがネガ型又はポジ型のいずれの
ホトレジストから形成されたものであっても、剥離後の
リンス処理に有効であるが、ネガ型ホトレジストを用い
た場合のリンス液としては、アルキルベンゼン系化合物
が少なくとも３０重量％以上含有したものが好ましい。
【００１３】次に、本発明の基板の処理方法の１例につ
いて説明すると、まず酸化膜などの薄膜を形成したシリ
コンウエハーなどから成る基板上に、ホトレジストを均
一に塗布し、乾燥して感光層を設け、次いでこの感光層
に所望パターンを露光したのち、現像処理を施し、さら
にポストベークしてレジストパターンを形成する。次
に、このレジストパターンをマスクとして、下層部の酸
化膜を選択的にエッチングしたのち、基板上の該レジス
トパターンを剥離液により完全に除去し、次いで前記混
合溶剤から成るリンス液を用いて基板にリンス処理を施
し、該剥離液を完全に洗い流す。
いて説明すると、まず酸化膜などの薄膜を形成したシリ
コンウエハーなどから成る基板上に、ホトレジストを均
一に塗布し、乾燥して感光層を設け、次いでこの感光層
に所望パターンを露光したのち、現像処理を施し、さら
にポストベークしてレジストパターンを形成する。次
に、このレジストパターンをマスクとして、下層部の酸
化膜を選択的にエッチングしたのち、基板上の該レジス
トパターンを剥離液により完全に除去し、次いで前記混
合溶剤から成るリンス液を用いて基板にリンス処理を施
し、該剥離液を完全に洗い流す。
【００１４】
【発明の効果】本発明の基板の処理方法は、リンス液と
して、リンス効果に優れ、かつ従来のものに比べて人体
に対する毒性や廃水処理などの環境面での問題が極めて
少ない上に、消防上の安全性にも優れたものを用いてい
るので、実用的価値が高い。
して、リンス効果に優れ、かつ従来のものに比べて人体
に対する毒性や廃水処理などの環境面での問題が極めて
少ない上に、消防上の安全性にも優れたものを用いてい
るので、実用的価値が高い。
【００１５】
【実施例】次に実施例により本発明をさらに詳細に説明
する。
する。
【００１６】参考例 １リットル容量のビーカー２個に、キシレンとソルベッ
ソ１００をそれぞれ１ｋｇずつ入れ、２３℃に保持し開
放した状態で放置した。この際の放置時間（ｈｒ）と、
蒸発により失われた量（ｇ）との関係をグラフとして図
１に示す。図中の実線はソルベッソ１００、破線はキシ
レンについてのものである。これより、本発明方法で用
いる混合溶剤は、キシレンに比べ揮発性が著しく低く、
火災安全性及び貯蔵性に優れていることが分る。
ソ１００をそれぞれ１ｋｇずつ入れ、２３℃に保持し開
放した状態で放置した。この際の放置時間（ｈｒ）と、
蒸発により失われた量（ｇ）との関係をグラフとして図
１に示す。図中の実線はソルベッソ１００、破線はキシ
レンについてのものである。これより、本発明方法で用
いる混合溶剤は、キシレンに比べ揮発性が著しく低く、
火災安全性及び貯蔵性に優れていることが分る。
【００１７】実施例１ ２枚のシリコンウエハー上に、それぞれネガ型ホトレジ
ストとしてＯＭＲ−８３（東京応化工業社製）及びポジ
型ホトレジストとしてＯＦＰＲ−８００（東京応化工業
社製）を乾燥膜厚１μｍになるように、スピンナーによ
り塗布したのち、露光、現像処理を施し、次いで１６０
℃で３０分間ポストベークしてシリコンウエハー上にレ
ジストパターン膜を形成した。次に、液温１２０℃に保
持した剥離液５０２（東京応化工業社製）中に、該シリ
コンウエハーを浸漬し、５分後に取り出し、さらにソル
ベッソ１００溶剤中に浸漬して３分間リンス処理を行っ
た。
ストとしてＯＭＲ−８３（東京応化工業社製）及びポジ
型ホトレジストとしてＯＦＰＲ−８００（東京応化工業
社製）を乾燥膜厚１μｍになるように、スピンナーによ
り塗布したのち、露光、現像処理を施し、次いで１６０
℃で３０分間ポストベークしてシリコンウエハー上にレ
ジストパターン膜を形成した。次に、液温１２０℃に保
持した剥離液５０２（東京応化工業社製）中に、該シリ
コンウエハーを浸漬し、５分後に取り出し、さらにソル
ベッソ１００溶剤中に浸漬して３分間リンス処理を行っ
た。
【００１８】このようにして処理されたシリコンウエハ
ーの表面を観察し、リンス効果の可否を判定したとこ
ろ、２枚のシリコンウエハー表面は、いずれもレジスト
の再付着及び剥離液の残存が認められない鏡面状態にな
っており、リンス効果が認められた。
ーの表面を観察し、リンス効果の可否を判定したとこ
ろ、２枚のシリコンウエハー表面は、いずれもレジスト
の再付着及び剥離液の残存が認められない鏡面状態にな
っており、リンス効果が認められた。
【００１９】実施例２ ソルベッソ１００の代りにトリメチルベンゼンとメチル
エチルベンゼンの等量混合物を用いた以外は、実施例１
と同様にして基板の処理を行い、それぞれのリンス液の
リンス効果の可否を観察した。その結果実施例１と全く
同様のリンス効果が認められた。
エチルベンゼンの等量混合物を用いた以外は、実施例１
と同様にして基板の処理を行い、それぞれのリンス液の
リンス効果の可否を観察した。その結果実施例１と全く
同様のリンス効果が認められた。
【図１】 本発明方法で用いる混合溶剤とキシレンとの
経時的蒸発量を示すグラフ。
経時的蒸発量を示すグラフ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/308 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｅ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に所望のホトレジストパターンを
設けてエッチング処理を行い、次いで該レジストパター
ンを剥離液により除去したのち、該基板をトリメチルベ
ンゼンとメチルエチルベンゼンを主成分とする混合溶剤
を用いてリンス処理することを特徴とする基板の処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7292828A JP2613755B2 (ja) | 1985-12-17 | 1995-11-10 | 基板の処理方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28202085 | 1985-12-17 | ||
| JP60-282020 | 1985-12-17 | ||
| JP7292828A JP2613755B2 (ja) | 1985-12-17 | 1995-11-10 | 基板の処理方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61298402A Division JPH0691060B2 (ja) | 1985-12-17 | 1986-12-15 | 基板の処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227868A JPH08227868A (ja) | 1996-09-03 |
| JP2613755B2 true JP2613755B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=26554434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7292828A Expired - Lifetime JP2613755B2 (ja) | 1985-12-17 | 1995-11-10 | 基板の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2613755B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7387740B2 (en) * | 2003-01-17 | 2008-06-17 | Sutech Trading Limited | Method of manufacturing metal cover with blind holes therein |
-
1995
- 1995-11-10 JP JP7292828A patent/JP2613755B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08227868A (ja) | 1996-09-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |