JPH07219206A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
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- JPH07219206A JPH07219206A JP28064494A JP28064494A JPH07219206A JP H07219206 A JPH07219206 A JP H07219206A JP 28064494 A JP28064494 A JP 28064494A JP 28064494 A JP28064494 A JP 28064494A JP H07219206 A JPH07219206 A JP H07219206A
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- pattern
- photomask
- photosensitive film
- layer
- film pattern
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
- H10W20/01—Manufacture or treatment
- H10W20/071—Manufacture or treatment of dielectric parts thereof
- H10W20/081—Manufacture or treatment of dielectric parts thereof by forming openings in the dielectric parts
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
- H10P76/20—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials
- H10P76/204—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials of organic photoresist masks
- H10P76/2041—Photolithographic processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 パターンを形成しようとする層の凹部に隣接
する位置に感光膜パターンを形成する際、露光工程時
に、凹部の傾斜面で乱反射が発生して感光膜パターンに
ノッチング現象が発生するのを防止するようにしたフォ
トマスクを提供する。 【構成】 パターンを形成しようとする層の凹部３と重
なるフォトマスク３０のクロームパターン４地域に隣接
し、前記凹部３と重なる位置にフォトマスク３０の石英
基板６に入射する光の強さを減少させることができる多
数のドットパターン５を設けたフォトマスク３０であ
り、傾斜面で発生する反射光により感光膜の予定されな
い部分が露光して感光膜パターンが損傷することを防止
し、従来の三層レジスト法や、低反射物質を用いる方法
に比べ工程が簡単で工程収率が増加し、信頼性が向上し
たフォトマスク３０を提供する。
する位置に感光膜パターンを形成する際、露光工程時
に、凹部の傾斜面で乱反射が発生して感光膜パターンに
ノッチング現象が発生するのを防止するようにしたフォ
トマスクを提供する。 【構成】 パターンを形成しようとする層の凹部３と重
なるフォトマスク３０のクロームパターン４地域に隣接
し、前記凹部３と重なる位置にフォトマスク３０の石英
基板６に入射する光の強さを減少させることができる多
数のドットパターン５を設けたフォトマスク３０であ
り、傾斜面で発生する反射光により感光膜の予定されな
い部分が露光して感光膜パターンが損傷することを防止
し、従来の三層レジスト法や、低反射物質を用いる方法
に比べ工程が簡単で工程収率が増加し、信頼性が向上し
たフォトマスク３０を提供する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造の際に
用いられるフォトマスクに関し、特に露光工程の際、パ
ターンを形成しようとする層の凹部傾斜面で発生する乱
反射光により感光膜パターンにノッチング現象の発生を
防止するフォトマスクに関するものである。
用いられるフォトマスクに関し、特に露光工程の際、パ
ターンを形成しようとする層の凹部傾斜面で発生する乱
反射光により感光膜パターンにノッチング現象の発生を
防止するフォトマスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の高集積化により、上下の導
電線の連結に用いられるコンタクトホールと周辺配線と
の間隔が減少し、コンタクトホールの深さと直径の比の
アスペクト比が増大する。
電線の連結に用いられるコンタクトホールと周辺配線と
の間隔が減少し、コンタクトホールの深さと直径の比の
アスペクト比が増大する。
【０００３】このようにアスペクト比が増大したコンタ
クトホール上部に導電層を塗布すると、コンタクトホー
ルにオーバラップする導電層の表面に甚だした凹部が発
生する。また、後続工程で感光膜を塗布し、露光工程を
進めることになると、感光膜を透過した光が屈曲のある
導電層の凹部表面で乱反射して望まない地域まで感光膜
が露光される。また、露光した感光膜を現像することに
なると感光膜パターンの側面部が取り除かれたノッチン
グ現象が発生する。
クトホール上部に導電層を塗布すると、コンタクトホー
ルにオーバラップする導電層の表面に甚だした凹部が発
生する。また、後続工程で感光膜を塗布し、露光工程を
進めることになると、感光膜を透過した光が屈曲のある
導電層の凹部表面で乱反射して望まない地域まで感光膜
が露光される。また、露光した感光膜を現像することに
なると感光膜パターンの側面部が取り除かれたノッチン
グ現象が発生する。
【０００４】図１は、従来の技術により基板１上部に凹
部３が発生した地域に隣接する位置に感光膜パターン２
を形成する際、感光膜パターン２にノッチングが発生す
ることを示した平面図であり、半導体基板１上に下部構
造により凹部３が発生する層を蒸着し、この層によりパ
ターンを形成するために感光膜パターン２を形成する場
合、凹部３に隣接する位置に形成する感光膜パターン２
にノッチング現像が生じることを示し、甚だした場合
は、感光膜パターン２が切断される現像が発生する。前
記ノッチング現象は、前記パターンを形成しようとする
層の凹部部分で感光膜を透過した光が乱反射し、感光膜
パターンが残らなければならない地域まで感光膜が露光
して現像工程で前記のように、感光膜パターンにノッチ
ング現象が発生する。このことを図２（Ａ）及び図２
（Ｂ）を参照して説明する。図２（Ａ）、（Ｂ）は図１
のＩＩ−ＩＩ断面に沿って示されたものである。
部３が発生した地域に隣接する位置に感光膜パターン２
を形成する際、感光膜パターン２にノッチングが発生す
ることを示した平面図であり、半導体基板１上に下部構
造により凹部３が発生する層を蒸着し、この層によりパ
ターンを形成するために感光膜パターン２を形成する場
合、凹部３に隣接する位置に形成する感光膜パターン２
にノッチング現像が生じることを示し、甚だした場合
は、感光膜パターン２が切断される現像が発生する。前
記ノッチング現象は、前記パターンを形成しようとする
層の凹部部分で感光膜を透過した光が乱反射し、感光膜
パターンが残らなければならない地域まで感光膜が露光
して現像工程で前記のように、感光膜パターンにノッチ
ング現象が発生する。このことを図２（Ａ）及び図２
（Ｂ）を参照して説明する。図２（Ａ）、（Ｂ）は図１
のＩＩ−ＩＩ断面に沿って示されたものである。
【０００５】まず、半導体基板11上に一定部分の半導体
基板11が露出されるよう、下部層パターン15を形成し、
その上部に一定部分オーバラップする中間層パターン16
を形成して一定部分の半導体基板11が露出されるよう形
成する。また、全体構造上部に上部層17例えば金属層を
一定厚さ蒸着した後、その上部にポジティブ感光膜18を
塗布し、クロームパターンを石英基板上に形成したフォ
トマスク20を用いて前記感光膜18を露光する工程を示し
た断面図であり、前記上部層17は、下部にある下部層パ
ターン15と中間層パターン16を形成していない地域で凹
部13が形成される。このために、露光工程で感光膜を透
過した光が上部層17の表面で矢印の如く反射するが、こ
の際、前記凹部13の近傍にある上部層の傾斜面で乱反射
が発生して非露光地域まで感光膜18が露光されることを
示す（図２（Ａ）参照）。
基板11が露出されるよう、下部層パターン15を形成し、
その上部に一定部分オーバラップする中間層パターン16
を形成して一定部分の半導体基板11が露出されるよう形
成する。また、全体構造上部に上部層17例えば金属層を
一定厚さ蒸着した後、その上部にポジティブ感光膜18を
塗布し、クロームパターンを石英基板上に形成したフォ
トマスク20を用いて前記感光膜18を露光する工程を示し
た断面図であり、前記上部層17は、下部にある下部層パ
ターン15と中間層パターン16を形成していない地域で凹
部13が形成される。このために、露光工程で感光膜を透
過した光が上部層17の表面で矢印の如く反射するが、こ
の際、前記凹部13の近傍にある上部層の傾斜面で乱反射
が発生して非露光地域まで感光膜18が露光されることを
示す（図２（Ａ）参照）。
【０００６】図２（Ｂ）はその後、露光した感光膜18を
現像工程で取り除き感光膜パターン18Ａを形成した断面
図であり、感光膜パターン18Ａの内側にある感光膜が多
数取り除かれノッチング現像が発生することを示す。
現像工程で取り除き感光膜パターン18Ａを形成した断面
図であり、感光膜パターン18Ａの内側にある感光膜が多
数取り除かれノッチング現像が発生することを示す。
【０００７】したがって、後続工程で露出する上部層17
をエッチングして上部層パターンを形成することになる
と、上部層パターンは感光膜パターン18Ａと同様な現象
で製造されるので上部層パターンが狭くなり電気的抵抗
が増大したり、甚だしい場合、断線の発生もあり得る。
をエッチングして上部層パターンを形成することになる
と、上部層パターンは感光膜パターン18Ａと同様な現象
で製造されるので上部層パターンが狭くなり電気的抵抗
が増大したり、甚だしい場合、断線の発生もあり得る。
【０００８】前記のように、下部層により段差が発生す
る地域上部に蒸着される上部層の表面は甚だしい傾斜面
を有することになり、この上部層のパターンを形成する
ため感光膜を塗布し露光する際、上部層の傾斜面で反射
した光により感光膜の非露光領域が露光されることにな
る。また、このような現象は反射面が光反射率が高い金
属物質の場合、一層甚だしく生じる。
る地域上部に蒸着される上部層の表面は甚だしい傾斜面
を有することになり、この上部層のパターンを形成する
ため感光膜を塗布し露光する際、上部層の傾斜面で反射
した光により感光膜の非露光領域が露光されることにな
る。また、このような現象は反射面が光反射率が高い金
属物質の場合、一層甚だしく生じる。
【０００９】また従来技術の他の実施例として、図３に
示しているように、半導体基板１上に下部の段差により
凹部３を有する層を蒸着し、この層によりパターンを形
成するため凹部３と一定部分オーバラップする位置に感
光膜パターン２を形成する場合、ノッチング現象が生じ
ることを示し、甚だしい場合は感光膜パターン２が切断
される現象が発生する。前記ノッチング現象は、図１の
説明で言及した通りパターンを通る層の凹部部分で感光
膜を透過した光が乱反射し、感光膜パターンが残らなけ
ればならない地域まで感光膜が露光して現像工程で取り
除かれたことを示すものである。
示しているように、半導体基板１上に下部の段差により
凹部３を有する層を蒸着し、この層によりパターンを形
成するため凹部３と一定部分オーバラップする位置に感
光膜パターン２を形成する場合、ノッチング現象が生じ
ることを示し、甚だしい場合は感光膜パターン２が切断
される現象が発生する。前記ノッチング現象は、図１の
説明で言及した通りパターンを通る層の凹部部分で感光
膜を透過した光が乱反射し、感光膜パターンが残らなけ
ればならない地域まで感光膜が露光して現像工程で取り
除かれたことを示すものである。
【００１０】上述のように、感光膜パターンにノッチン
グ現象の発生することを図４（Ａ）及び図４（Ｂ）を参
照して説明する。図４（Ａ）、（Ｂ）は、図３のＩＩＩ
−ＩＩＩ断面に沿って示したたもので図２のＩＩ−ＩＩ
の断面と殆ど類似しており、ただフォトマスクの配列位
置が異なって感光膜パターンが形成される位置が異なる
ようになる。
グ現象の発生することを図４（Ａ）及び図４（Ｂ）を参
照して説明する。図４（Ａ）、（Ｂ）は、図３のＩＩＩ
−ＩＩＩ断面に沿って示したたもので図２のＩＩ−ＩＩ
の断面と殆ど類似しており、ただフォトマスクの配列位
置が異なって感光膜パターンが形成される位置が異なる
ようになる。
【００１１】図４において、まず、半導体基板11上に下
部層パターン15を形成し、その上部に一定部分オーバラ
ップする中間層パターン16を形成して一定部分の半導体
基板11が露出するようにする。また、全体構造上部に上
部層17例えば金属層を一定厚さで蒸着した後、その上部
にポジティブ感光膜18を塗布し、クロームパターンを石
英基板上に形成したフォトマスク20を用いて前記感光膜
18を露光する工程を示した断面図であり、前記上部層17
は下部にある下部層パターン15と中間層パターン16がな
い地域でその表面に凹部13が形成される。このために、
露光工程で感光膜を透過した光が矢印の如く上部層17の
表面で反射するが、この際、前記凹部13の傾斜面から反
射する光により非露光地域まで感光膜18が露光すること
を示す。ここでは、凹部とオーバラップする非露光地域
に甚だしく露光することを示す。（図４（Ａ）参照）。
部層パターン15を形成し、その上部に一定部分オーバラ
ップする中間層パターン16を形成して一定部分の半導体
基板11が露出するようにする。また、全体構造上部に上
部層17例えば金属層を一定厚さで蒸着した後、その上部
にポジティブ感光膜18を塗布し、クロームパターンを石
英基板上に形成したフォトマスク20を用いて前記感光膜
18を露光する工程を示した断面図であり、前記上部層17
は下部にある下部層パターン15と中間層パターン16がな
い地域でその表面に凹部13が形成される。このために、
露光工程で感光膜を透過した光が矢印の如く上部層17の
表面で反射するが、この際、前記凹部13の傾斜面から反
射する光により非露光地域まで感光膜18が露光すること
を示す。ここでは、凹部とオーバラップする非露光地域
に甚だしく露光することを示す。（図４（Ａ）参照）。
【００１２】図４（Ｂ）は、その後、露光した感光膜18
を現像工程で取り除き感光膜パターン18Ｂを形成した断
面図を示し、凹部とオーバラップした地域の感光膜パタ
ーン18Ｂに甚だしくノッチング現象が発生することを示
す。（図４（Ｂ）参照）。
を現像工程で取り除き感光膜パターン18Ｂを形成した断
面図を示し、凹部とオーバラップした地域の感光膜パタ
ーン18Ｂに甚だしくノッチング現象が発生することを示
す。（図４（Ｂ）参照）。
【００１３】また、後続工程で露出する上部層17をエッ
チングして上部層パターンを形成することになると、上
部層パターンは感光膜パターン18Ｂと同様な現象で製造
されるので、上部層パターンが狭くなり電気的抵抗が増
大したり甚だしい場合、断線が発生することもある。
チングして上部層パターンを形成することになると、上
部層パターンは感光膜パターン18Ｂと同様な現象で製造
されるので、上部層パターンが狭くなり電気的抵抗が増
大したり甚だしい場合、断線が発生することもある。
【００１４】従来の半導体基板で、下部層パターンの段
差により上部層の凹部13の傾斜面から反射する光が感光
膜の非露光地域に一定部分が露光することにより、感光
膜パターンの一定部分が取り除かれるノッチング現象が
発生する問題点がある。特に前記傾斜面が、光反射率が
高い物質であればこのような問題点が一層増加する。
差により上部層の凹部13の傾斜面から反射する光が感光
膜の非露光地域に一定部分が露光することにより、感光
膜パターンの一定部分が取り除かれるノッチング現象が
発生する問題点がある。特に前記傾斜面が、光反射率が
高い物質であればこのような問題点が一層増加する。
【００１５】このような問題点を解決するため下部層パ
ターンの上部にボロ・フォスフオ・シリケート・グラス
(boro phospho silicate glass；ＢＰＳＧ）等のような
流動性が強い物質を塗布して基板上部を平坦にしたり、
上部層上部に光反射率が低い物質即ち、反射防止膜を塗
布した後感光膜パターンを形成したり、感光膜上に低反
射性物質を塗布した後、パターンを形成する等の方法に
より乱反射現象を減らしている。
ターンの上部にボロ・フォスフオ・シリケート・グラス
(boro phospho silicate glass；ＢＰＳＧ）等のような
流動性が強い物質を塗布して基板上部を平坦にしたり、
上部層上部に光反射率が低い物質即ち、反射防止膜を塗
布した後感光膜パターンを形成したり、感光膜上に低反
射性物質を塗布した後、パターンを形成する等の方法に
より乱反射現象を減らしている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような方
法等は通常の感光膜パターンの形成工程に比べ別途の工
程等が追加されるので、半導体装置の生産性が落ちて製
造単価を上昇させ、また工程が複雑になる等の問題点が
有る。
法等は通常の感光膜パターンの形成工程に比べ別途の工
程等が追加されるので、半導体装置の生産性が落ちて製
造単価を上昇させ、また工程が複雑になる等の問題点が
有る。
【００１７】本発明は、パターンを形成しようとする層
の凹部を有する地域で光が乱反射し感光膜パターンにノ
ッチング現象の発生することを防止できるフォトマスク
を提供することを目的とする。
の凹部を有する地域で光が乱反射し感光膜パターンにノ
ッチング現象の発生することを防止できるフォトマスク
を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するためになされたもので、パターンを形成しようとす
る層の凹部に塗布した感光膜に、マスク上部から入射す
る光の強さを減少させるために凹部を有する位置でオー
バラップするフォトマスクの位置にドットパターンを設
けたことを特徴とするフォトマスクにある。
するためになされたもので、パターンを形成しようとす
る層の凹部に塗布した感光膜に、マスク上部から入射す
る光の強さを減少させるために凹部を有する位置でオー
バラップするフォトマスクの位置にドットパターンを設
けたことを特徴とするフォトマスクにある。
【００１９】本発明は、パターンを形成しようとする層
の凹部と重なるフォトマスクの位置に、前記凹部と重な
るフォトマスクの位置で隣接したクロームパターン間の
石英基板上部に入射する光の強さを遮断したり、減少さ
せるために非透過性膜パターン又はドットパターンを設
けたフォトマスクにある。
の凹部と重なるフォトマスクの位置に、前記凹部と重な
るフォトマスクの位置で隣接したクロームパターン間の
石英基板上部に入射する光の強さを遮断したり、減少さ
せるために非透過性膜パターン又はドットパターンを設
けたフォトマスクにある。
【００２０】
【作用】本発明は、マスク上部から入射する光の強さが
ドットパターンを通過しながら減少し、パターンを形成
しようとする層の凹部で発生する乱反射により露光する
エネルギーが減少し、非露光地域の感光膜が露光される
ことを防止することができるようにするにある。
ドットパターンを通過しながら減少し、パターンを形成
しようとする層の凹部で発生する乱反射により露光する
エネルギーが減少し、非露光地域の感光膜が露光される
ことを防止することができるようにするにある。
【００２１】
【実施例】以下、本発明による半導体装置の製造方法に
関し添付図面を参照して詳細に説明する。図５及び図６
は、本発明の第１実質例による半導体装置の製造工程に
用いるフォトマスクと、このマスクを用いて感光膜パタ
ーンを形成することを示す図面である。
関し添付図面を参照して詳細に説明する。図５及び図６
は、本発明の第１実質例による半導体装置の製造工程に
用いるフォトマスクと、このマスクを用いて感光膜パタ
ーンを形成することを示す図面である。
【００２２】図５は、石英基板６の上部にラインパター
ンを形成するため、クロームパターン４を従来のように
形成し、パターンを形成しようとする層に発生する凹部
３が位置する部分に多数のドットパターン５を形成した
フォトマスクの平面図である。ここで、前記ドットパタ
ーン５はマスクを透過した光により感光膜が露光しても
感光膜パターンが形成されない程度の大きさに形成す
る。即ち、ドットパターンは一辺が0.1 〜0.3 μｍ程度
の大きさに方形で形成し、クロームや位相反転物質、例
えば石英又はＳＯＧ膜で形成することができる。
ンを形成するため、クロームパターン４を従来のように
形成し、パターンを形成しようとする層に発生する凹部
３が位置する部分に多数のドットパターン５を形成した
フォトマスクの平面図である。ここで、前記ドットパタ
ーン５はマスクを透過した光により感光膜が露光しても
感光膜パターンが形成されない程度の大きさに形成す
る。即ち、ドットパターンは一辺が0.1 〜0.3 μｍ程度
の大きさに方形で形成し、クロームや位相反転物質、例
えば石英又はＳＯＧ膜で形成することができる。
【００２３】光がフォトマスク30のドットパターン31を
介して感光膜に露光する際、光の回折によりドットパタ
ーンの下部にある感光膜にも露光して現像工程で全て取
り除かれる。しかし、ドットパターン下部にある感光膜
を透過し、パターンを形成しようとする膜の凹部に乱反
射する光の強さは減少され非露光地域の感光膜は露光す
ることができない。
介して感光膜に露光する際、光の回折によりドットパタ
ーンの下部にある感光膜にも露光して現像工程で全て取
り除かれる。しかし、ドットパターン下部にある感光膜
を透過し、パターンを形成しようとする膜の凹部に乱反
射する光の強さは減少され非露光地域の感光膜は露光す
ることができない。
【００２４】図６は、本発明の第１実施例により製造さ
れたフォトマスク30を用いてパターン18を形成しようと
する層の上部面にポジティブ感光膜パターンを形成した
断面図であり、ここでは、図５のＩＩ−ＩＩ断面に沿っ
て示したものである。
れたフォトマスク30を用いてパターン18を形成しようと
する層の上部面にポジティブ感光膜パターンを形成した
断面図であり、ここでは、図５のＩＩ−ＩＩ断面に沿っ
て示したものである。
【００２５】先ず、半導体基板11上に下部層パターン15
と中間層パターン16を形成し、その上部に上部層17例え
ば金属層を蒸着した後、その上部に感光膜18を塗布し、
フォトマスク30を用いて前記感光膜18を露光し、現像工
程で露光した感光膜18を取り除き、感光膜パターン18Ｃ
を形成する。ここで、上部層17は下部にある下部層パタ
ーン15と中間層パターン16によりその表面に凹部13が形
成されている。しかし、前記フォトマスク30に形成した
ドットパターン31により露光工程から感光膜下部まで透
過した光が、屈曲のある上部層17の表面で乱反射する現
象が減少して、非露光地域の感光膜18は全然影響を受け
ず正常な感光膜パターン18Ｃが形成されることを示す。
と中間層パターン16を形成し、その上部に上部層17例え
ば金属層を蒸着した後、その上部に感光膜18を塗布し、
フォトマスク30を用いて前記感光膜18を露光し、現像工
程で露光した感光膜18を取り除き、感光膜パターン18Ｃ
を形成する。ここで、上部層17は下部にある下部層パタ
ーン15と中間層パターン16によりその表面に凹部13が形
成されている。しかし、前記フォトマスク30に形成した
ドットパターン31により露光工程から感光膜下部まで透
過した光が、屈曲のある上部層17の表面で乱反射する現
象が減少して、非露光地域の感光膜18は全然影響を受け
ず正常な感光膜パターン18Ｃが形成されることを示す。
【００２６】本発明の第２実施例により製造されたフォ
トマスクを用い、パターンを形成しようとする層の上部
に感光膜パターンを形成する工程を図７及び図８を参照
して説明する。
トマスクを用い、パターンを形成しようとする層の上部
に感光膜パターンを形成する工程を図７及び図８を参照
して説明する。
【００２７】図７は、石英基板６の上部にラインパター
ンを形成するためクロームパターン４を設けたフォトマ
スク40を従来のように形成しても、パターンを形成しよ
うとする層の凹部３の位置と、形成しようとする感光膜
パターンがオーバラップする場合に、前記凹部３の位置
とフォトマスク40のクロームパターン４がオーバラップ
する位置に非透過性膜パターン７がフォトマスク40に形
成されることを示す平面図である。前記非透過性膜パタ
ーン７はクロームでクロームパターン４を形成する際、
同時に形成することができる。
ンを形成するためクロームパターン４を設けたフォトマ
スク40を従来のように形成しても、パターンを形成しよ
うとする層の凹部３の位置と、形成しようとする感光膜
パターンがオーバラップする場合に、前記凹部３の位置
とフォトマスク40のクロームパターン４がオーバラップ
する位置に非透過性膜パターン７がフォトマスク40に形
成されることを示す平面図である。前記非透過性膜パタ
ーン７はクロームでクロームパターン４を形成する際、
同時に形成することができる。
【００２８】参考に、前記クロームパターン４と非透過
性膜パターン７との間隔（ａ）は、露光装置の波長によ
り充分に分解可能な間隔の範囲内で形成される。即ち、
フォトマスク40により得られる上部層パターン間の間隔
が１μｍである場合、ｉラインにより得られる線幅解像
度は0.5 μｍ程度なので補助パターンを形成すること
は、全然工程上に問題が発生しない。
性膜パターン７との間隔（ａ）は、露光装置の波長によ
り充分に分解可能な間隔の範囲内で形成される。即ち、
フォトマスク40により得られる上部層パターン間の間隔
が１μｍである場合、ｉラインにより得られる線幅解像
度は0.5 μｍ程度なので補助パターンを形成すること
は、全然工程上に問題が発生しない。
【００２９】図８は、本発明に第２実施例により製造さ
れたフォトマスク40を用いて半導体素子の露光工程を経
て感光膜パターンを形成した断面図であり、図７のＩＩ
Ｉ−ＩＩＩの断面に沿って示したものである。
れたフォトマスク40を用いて半導体素子の露光工程を経
て感光膜パターンを形成した断面図であり、図７のＩＩ
Ｉ−ＩＩＩの断面に沿って示したものである。
【００３０】先ず、半導体基板11上に下部層パターン15
と中間層パターン16とを積層し、その上部に上部層17例
えば金属層を蒸着した後その上部に感光膜18を塗布し、
フォトマスク40の非透過性膜パターン41が前記上部層17
に発生する凹部位置にオーバラップして配列された状態
で前記感光膜18を露光し、現像工程で露光した感光膜18
を取り除いて感光膜パターン18Ｄを形成したものであ
る。
と中間層パターン16とを積層し、その上部に上部層17例
えば金属層を蒸着した後その上部に感光膜18を塗布し、
フォトマスク40の非透過性膜パターン41が前記上部層17
に発生する凹部位置にオーバラップして配列された状態
で前記感光膜18を露光し、現像工程で露光した感光膜18
を取り除いて感光膜パターン18Ｄを形成したものであ
る。
【００３１】前記非透過性膜パターン41によりフォトマ
スク40の上部面から入射する光は遮断されるが、露光地
域の光が感光膜18を透過して上部層17の凹部傾斜面で乱
反射が発生し、この光により非透過性膜パターン41の下
部に位置する感光膜18Ｅが露光する。また、現像工程を
進めると非透過性膜パターン41の下部にある感光膜18Ｅ
まで取り除かれ、フローパイルが良好な感光膜パターン
18Ｄを得ることができる。
スク40の上部面から入射する光は遮断されるが、露光地
域の光が感光膜18を透過して上部層17の凹部傾斜面で乱
反射が発生し、この光により非透過性膜パターン41の下
部に位置する感光膜18Ｅが露光する。また、現像工程を
進めると非透過性膜パターン41の下部にある感光膜18Ｅ
まで取り除かれ、フローパイルが良好な感光膜パターン
18Ｄを得ることができる。
【００３２】図９は、本発明の第２実施例により製造さ
れたフォトマスク40の断面構造であり、非透過性膜パタ
ーン41をクロームパターン42を形成する工程で形成せ
ず、別途の工程で形成したものである。
れたフォトマスク40の断面構造であり、非透過性膜パタ
ーン41をクロームパターン42を形成する工程で形成せ
ず、別途の工程で形成したものである。
【００３３】図10は、本発明の第３実施例により製造さ
れたフォトマスク50を示す平面図であり、図１に示した
ようにパターンを形成しようとする層の凹部で乱反射が
発生して感光膜パターンにノッチングが発生するのを防
止するため、前記パターンを形成しようとする層の凹部
からフォトマスクのクロームパターン４に隣接する露光
領域の一定部分に非透過性膜パターン７Ａを形成したも
のである。したがって、マスク上部から入射する光が非
透過性膜パターン７Ａにより遮断されるが、凹部の傾斜
面で乱反射する光により非透過性膜パターン７Ａの下部
にある感光膜は露光されて、現像工程を実施するとノッ
チング現象が発生されない感光膜パターンを得ることが
できる。
れたフォトマスク50を示す平面図であり、図１に示した
ようにパターンを形成しようとする層の凹部で乱反射が
発生して感光膜パターンにノッチングが発生するのを防
止するため、前記パターンを形成しようとする層の凹部
からフォトマスクのクロームパターン４に隣接する露光
領域の一定部分に非透過性膜パターン７Ａを形成したも
のである。したがって、マスク上部から入射する光が非
透過性膜パターン７Ａにより遮断されるが、凹部の傾斜
面で乱反射する光により非透過性膜パターン７Ａの下部
にある感光膜は露光されて、現像工程を実施するとノッ
チング現象が発生されない感光膜パターンを得ることが
できる。
【００３４】図11は、本発明の第４実施例により製造さ
れたフォトマスク60を示した平面図であり、図２に示し
たようにパターンを形成しようとする層の凹部で乱反射
が発生して感光膜パターンにノッチングが発生するのを
防止するため、前記パターンを形成しようとする層の凹
部の位置でフォトマスクのクロームパターン４に隣接す
る露光領域の一定部分にドットパターン５Ａを形成した
ものである。したがって、マスク上部から入射する光の
強さを前記ドットパターン７Ａで減少させて、下部の感
光膜を露光させ、凹部の傾斜面で乱反射する光によりド
ットパターン７Ａの下部にある感光膜が２次露光するよ
うにして非露光地域の感光膜が露光されるのを防止する
よう構成したものである。
れたフォトマスク60を示した平面図であり、図２に示し
たようにパターンを形成しようとする層の凹部で乱反射
が発生して感光膜パターンにノッチングが発生するのを
防止するため、前記パターンを形成しようとする層の凹
部の位置でフォトマスクのクロームパターン４に隣接す
る露光領域の一定部分にドットパターン５Ａを形成した
ものである。したがって、マスク上部から入射する光の
強さを前記ドットパターン７Ａで減少させて、下部の感
光膜を露光させ、凹部の傾斜面で乱反射する光によりド
ットパターン７Ａの下部にある感光膜が２次露光するよ
うにして非露光地域の感光膜が露光されるのを防止する
よう構成したものである。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明により製造
したフォトマスクを用いてパターンを形成しようとする
層の凹部に、隣接する感光膜パターンを形成すると凹部
の傾斜面で発生する光の乱反射により感光膜パターンに
ノッチング現象が発生するのを防止することができる。
したフォトマスクを用いてパターンを形成しようとする
層の凹部に、隣接する感光膜パターンを形成すると凹部
の傾斜面で発生する光の乱反射により感光膜パターンに
ノッチング現象が発生するのを防止することができる。
【００３６】また、従来のノッチング現象が発生するの
を防止するため使用される三層レジスト法や、低反射物
質を用いる方法に比べ本発明によるフォトマスクを用い
る場合、工程が簡単で工程収率を増加させ、信頼性を向
上させることができる工業上大なる効果がある。
を防止するため使用される三層レジスト法や、低反射物
質を用いる方法に比べ本発明によるフォトマスクを用い
る場合、工程が簡単で工程収率を増加させ、信頼性を向
上させることができる工業上大なる効果がある。
【図１】図１は、従来の傾斜面を有する上部層の上部に
形成される感光膜パターンの平面図である。
形成される感光膜パターンの平面図である。
【図２】図２（Ａ）及び（Ｂ）は、従来技術で感光膜パ
ターンを形成する場合、図１のＩＩ−ＩＩの断面に沿っ
て示した製造工程の断面図である。
ターンを形成する場合、図１のＩＩ−ＩＩの断面に沿っ
て示した製造工程の断面図である。
【図３】図３は、従来技術におけるで凹部の上部に重な
る感光膜パターンの平面図である。
る感光膜パターンの平面図である。
【図４】図４（Ａ）及び（Ｂ）は、従来技術により感光
膜パターンを形成する場合、図３のＩＩＩ−ＩＩＩの断
面に沿って示した製造工程の断面図である。
膜パターンを形成する場合、図３のＩＩＩ−ＩＩＩの断
面に沿って示した製造工程の断面図である。
【図５】図５は、本発明の第１実施例により製造したフ
ォトマスクを示す平面図である。
ォトマスクを示す平面図である。
【図６】図６は、図５に示したフォトマスクを用いて感
光膜パターンを形成する工程を示す断面図である。
光膜パターンを形成する工程を示す断面図である。
【図７】図７は、本発明の第２実施例により製造したフ
ォトマスクを示した平面図である。
ォトマスクを示した平面図である。
【図８】図８は、図７に示したフォトマスクを用いて感
光膜パターンを形成する工程を示した断面図である。
光膜パターンを形成する工程を示した断面図である。
【図９】図９は、図７に示したフォトマスクに非透過性
膜パターンをクロームパターンにオーバラップさせて形
成した断面図である。
膜パターンをクロームパターンにオーバラップさせて形
成した断面図である。
【図１０】図10は、本発明の第３実施例により製造した
フォトマスクを示した平面図である。
フォトマスクを示した平面図である。
【図１１】図11は、本発明の第４実施例により製造した
フォトマスクを示した平面図である。
フォトマスクを示した平面図である。
１ 基板 ２ 感光膜パターン ３ 凹部 ４ クロームパターン ５，５Ａ ドットパターン ６ 石英基板 ７，７Ａ 非透過性膜パターン １３ 凹部 １５ 下部層パターン １６ 中間層パターン １７ 上部層 １８ 感光膜 １８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ，１８Ｄ 感光膜パターン
Claims (7)
- 【請求項１】 パターンを形成しようとする層に発生し
た凹部に隣接する位置にポジティブ感光膜パターンを形
成することに用いられるフォトマスクにおいて、 前記パターンを形成しようとする層の凹部の位置に、重
なるフォトマスクを介して入射する光の強さを減少させ
るよう、フォトマスクの石英基板に多数のドットパター
ンを設けたことを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項２】 パターンを形成しようとする層に発生し
た凹部に隣接する位置にポジティブ感光膜パターンを形
成することに用いられるフォトマスクにおいて、 前記パターンを形成しようとする層の凹部と重なるフォ
トマスクの位置に、前記凹部と重なるフォトマスクの位
置で前記隣接する位置に形成されるクロームパターン間
の石英基板上部に入射する光の強さを減少させることが
できる多数のドットパターンを設けたことを特徴とする
フォトマスク。 - 【請求項３】 前記ドットパターンは、一辺が0.1 〜0.
3 μｍ程度の大きさで方形構造に形成されることを特徴
とする請求項１又は請求項２記載のフォトマスク。 - 【請求項４】 前記ドットパターンは、クロームパター
ン又は位相反転物質のパターンで形成されることを特徴
とする請求項１又は請求項２記載のフォトマスク。 - 【請求項５】 パターンを形成しようとする層に発生し
た凹部に隣接する位置にポジティブ感光膜パターンを形
成することに用いられるフォトマスクにおいて、 パターンを形成しようとする層の凹部と重なるフォトマ
スクの位置から近い地域に設けたクロームパターン間の
石英基板上部に入射した光を遮断することができる非透
過性膜パターンを設けたことを特徴とするフォトマス
ク。 - 【請求項６】 前記非透過性膜パターンは、クロームパ
ターンであることを特徴とする請求項５記載のフォトマ
スク。 - 【請求項７】 前記非透過性膜パターンは、前記クロー
ムパターンと密着して設けることを特徴とする請求項５
記載のフォトマスク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR93-24234 | 1993-11-15 | ||
| KR1019930024234A KR970007822B1 (ko) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07219206A true JPH07219206A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=19368080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28064494A Pending JPH07219206A (ja) | 1993-11-15 | 1994-11-15 | フォトマスク |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5508133A (ja) |
| JP (1) | JPH07219206A (ja) |
| KR (1) | KR970007822B1 (ja) |
| CN (1) | CN1118456A (ja) |
| DE (1) | DE4440821C2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08314113A (ja) * | 1995-05-17 | 1996-11-29 | Fujitsu Ltd | マスク及びこれを使用して形成されるプリント基板 |
| US5866913A (en) * | 1995-12-19 | 1999-02-02 | International Business Machines Corporation | Proximity correction dose modulation for E-beam projection lithography |
| US6228279B1 (en) * | 1998-09-17 | 2001-05-08 | International Business Machines Corporation | High-density plasma, organic anti-reflective coating etch system compatible with sensitive photoresist materials |
| KR100476366B1 (ko) * | 2002-04-17 | 2005-03-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
| US6835504B2 (en) * | 2002-05-13 | 2004-12-28 | Macronix International Co., Ltd. | Photomask with illumination control over patterns having varying structural densities |
| US6811933B2 (en) * | 2002-07-01 | 2004-11-02 | Marc David Levenson | Vortex phase shift mask for optical lithography |
| CN100442475C (zh) * | 2003-12-30 | 2008-12-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于制造半导体晶片的半色调掩模的制造方法和结构 |
| JP6617067B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2019-12-04 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板およびその製造方法 |
| JP6795323B2 (ja) | 2016-04-07 | 2020-12-02 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板およびその製造方法 |
| JP6787693B2 (ja) | 2016-06-07 | 2020-11-18 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板の製造方法 |
Citations (9)
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|---|---|---|---|---|
| JPS6227383A (ja) * | 1985-02-08 | 1987-02-05 | 川村 秀之 | 人造鉱物質繊維成形体 |
| JPS6220844U (ja) * | 1985-07-22 | 1987-02-07 | ||
| JPS62135837A (ja) * | 1985-12-10 | 1987-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ホトマスクおよびそれを用いた写真蝕刻法 |
| JPS62276552A (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-01 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | パタ−ン形成用マスク及びそれを用いた電子装置の製造方法 |
| JPH02151862A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-11 | Omron Tateisi Electron Co | フォトリソグラフィ用マスクおよびその作製方法 |
| JPH03142466A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-06-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法及びそれに用いられるマスク |
| JPH03186845A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路用フオトマスク |
| JPH04268556A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジストパターン形成方法 |
| JPH05142748A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-11 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4902899A (en) * | 1987-06-01 | 1990-02-20 | International Business Machines Corporation | Lithographic process having improved image quality |
| JP2771907B2 (ja) * | 1991-05-24 | 1998-07-02 | 三菱電機株式会社 | フォトマスクおよびその製造方法 |
| US5411824A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-02 | Sematech, Inc. | Phase shifting mask structure with absorbing/attenuating sidewalls for improved imaging |
-
1993
- 1993-11-15 KR KR1019930024234A patent/KR970007822B1/ko not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-11-15 JP JP28064494A patent/JPH07219206A/ja active Pending
- 1994-11-15 CN CN94118243A patent/CN1118456A/zh active Pending
- 1994-11-15 DE DE4440821A patent/DE4440821C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-11-15 US US08/339,826 patent/US5508133A/en not_active Expired - Lifetime
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| JPS62276552A (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-01 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | パタ−ン形成用マスク及びそれを用いた電子装置の製造方法 |
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| JPH05142748A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-11 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5508133A (en) | 1996-04-16 |
| KR970007822B1 (ko) | 1997-05-17 |
| KR950015591A (ko) | 1995-06-17 |
| DE4440821A1 (de) | 1995-05-18 |
| CN1118456A (zh) | 1996-03-13 |
| DE4440821C2 (de) | 1997-05-28 |
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