JPH08314113A - マスク及びこれを使用して形成されるプリント基板 - Google Patents

マスク及びこれを使用して形成されるプリント基板

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JPH08314113A
JPH08314113A JP11879295A JP11879295A JPH08314113A JP H08314113 A JPH08314113 A JP H08314113A JP 11879295 A JP11879295 A JP 11879295A JP 11879295 A JP11879295 A JP 11879295A JP H08314113 A JPH08314113 A JP H08314113A
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shielding
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mask
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JP11879295A
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Shuji Takeshita
修二 竹下
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明はプリント基板のパターン形成に使用
されるマスクに関し、低コストなマスクでエッジ部分の
なだらかな層形成を高密度配線で実現することを目的と
する。 【構成】 マスク３１を、遮光領域３３と光透過領域３
２との境界部分に、光をほぼ全面的に遮断する所定数の
遮光部３５が所定間隔で形成された第２の遮光領域３４
が設けられ、遮光領域３３から光透過領域３２にかけて
光透過量を徐々に大とする構成とする。また、プリント
基板４１の形成時に上記マスク３１を使用して、基板４
２上に形成された絶縁層４３のエッジ部分をなだらかな
傾斜部４３ａで形成して構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント基板のパター
ン形成に使用されるマスクに関する。近年、プリント基
板が小型化すると共にパターンが細密化してきており、
パターン形成が薄膜法によりマスクを使用して行われる
ようになってきている。このようなプリント基板は少な
くとも１層の絶縁層を有するもので、その形成がパター
ン形成に影響を及ぼす。そのため、低コストなマスクで
確実な絶縁層の形成が要求されている。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリント基板の細密なパターン形
成で薄膜法が用いられ、基板上に絶縁層が形成されてパ
ターン形成が行われる。絶縁層の形成にあたっては感光
性樹脂材料が使用され、これをマスクを用いて露光、現
像を行うことによって絶縁層が形成され、その絶縁層上
にパターンが形成される。
【０００３】ここで、図１４に、従来のマスクの構成図
を示す。図１４はマスクの境界部分を示したもので、図
１４（Ａ）は平面図、図１４（Ｂ）は断面図である。図
１４（Ａ），（Ｂ）に示すマスク１１は、露光する際の
光透過領域１２と、遮光領域１３とにより構成される。
例えばガラス基板１４上にクロム（Ｃｒ）等の金属膜１
５を形成した部分が光透過率約０％の遮光領域１３とな
り、該金属膜１５が形成されない部分が光透過率約１０
０％の光透過領域１２となる。
【０００４】そこで、図１５に、従来のマスクによる絶
縁層形成の説明図を示す。図１５（Ａ）において、基板
１６上に感光性樹脂材料１７ａが形成され、その上方に
マスク１１が配置される。そして、露光装置（図示せ
ず）より光を放射し、マスク１１を介して基板１６上に
照射する。マスク１１は、その遮光領域１３で光を遮断
し、光透過領域１２を通過した光のみが感光性樹脂材料
１７ａを感光させる。その後、感光性樹脂材料１７ａの
感光しない部分が除去されて、図１５（Ｂ）に示すよう
に基板１６上に絶縁層１７が形成されるものである。
【０００５】特に、図１５（Ｂ）に示すように、絶縁層
１７の周辺で基板１６の下地が露出するように形成され
る。これは、後工程において基板１６を必要な部分で切
断したときに、切断に伴うダメージによって基板１６と
絶縁層１７に剥がれを生じるのを防止するためである。
この場合、上述のようなマスク１１を用いたものとし
て、絶縁層１７のエッジが鋭角に形成される。
【０００６】また、図１６に、従来の理想的なパターン
形成の説明図を示す。図１６（Ａ）において、図１５
（Ｂ）に示したように絶縁層１７が形成された基板１６
上に金属材料により導体層１８が形成される。導体層１
８上にはフォトレジスト１９が形成され、図１６（Ｂ）
に示すように、露光、現像により開口部２０が形成され
る。そして、図１６（Ｃ）に示すように、開口部２０に
金属材料２１ａがめっきにより形成され、図１６（Ｄ）
に示すように不要なフォトレジスト１９が除去されて絶
縁層１７上に金属材料２１ａによるパターン部２１のみ
が形成されるものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ここで、図１７及び図
１８に、従来の問題点を説明するための図を示す。とこ
ろで、パターン形成において、現像後の溶剤を除去する
ためにハードベーキングが行われるのが一般的であり、
該ハードベーキングにより絶縁層１７には図１７（Ａ）
に示すように、矢印方向に引張り応力が生じ、この応力
が絶縁層１７の形成応力を上廻る場合には基板１６にク
ラック２２を生じて破壊される。また、絶縁層１７の基
板１６に対する接着力が充分でない場合には図１７
（Ｂ）に示すように絶縁層１７の周辺部分で剥離が生じ
る。
【０００８】そのため、絶縁層１７の形成時に解像度を
低くしてエッジ部分をある程度なだらかにしてハードベ
ーキングにおける引張り応力を低下させることが考えら
れるが、解像度の低下により、例えば絶縁層１６に形成
される層間接続されるバイアホールサイズの増加に伴っ
て高密度配線が困難になるという問題がある。
【０００９】一方、図１５（Ｂ）のように形成された絶
縁層１７のエッジが鋭角であることから、図１８（Ａ）
に示すようにフォトレジスト１９の形成時に当該エッジ
部分の導体層１８が露出することとなり、図１８（Ｂ）
に示すように金属材料２１ａのめっきにより開口部２０
内のめっきの他に露出した導体層１８にも金属材料２１
ａが付着し、図１８（Ｃ）に示すようにフォトレジスト
１９の除去後においてもエッジ部分に金属材料２１ａが
残留することになる。
【００１０】そのため、フォトレジスト１９の厚さを厚
くすることが考えられるが、パターン配線部２１の解像
度が低下し、高密度配線が困難になるという問題があ
る。そこで、本発明は上記課題に鑑みなされたもので、
低コストなマスクでエッジ部分のなだらかな層形成を高
密度配線で実現するマスクを提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】図１に、本発明の原理図
を示す。図１（Ａ）に示すように、上記課題を解決する
ために、請求項１では、光をほぼ全面的に透過させる光
透過領域３２と、光をほぼ全面的に遮断する遮光領域３
３とが形成されるマスク３１であって、前記遮光領域３
３と前記光透過領域３２との境界部分に、該遮光領域３
３から光透過領域３２にかけて、光透過量を徐々に大と
する第２の遮光領域３４が設けられるマスク３１が構成
される。
【００１２】請求項２では、請求項１記載の遮光領域３
３から光透過領域３２にかけて設けられる前記第２の遮
光領域３４は、光をほぼ全面的に遮断する所定数の遮光
部３５が所定間隔で形成されてなる。請求項３では、請
求項２記載の遮光領域から光透過領域にかけて形成され
る前記所定数の遮光部のそれぞれが、ストライプ状に形
成されてなる。
【００１３】請求項４では、請求項３記載の遮光部は、
前記遮光領域から光透過領域にかけて、幅を徐々に小と
して等間隔で形成されてなる。請求項５では、請求項３
記載の遮光部は、同一幅で、前記遮光領域から光透過領
域にかけて、間隔を徐々に大に形成されてなる。
【００１４】請求項６では、請求項２記載の遮光領域か
ら光透過領域にかけて形成される前記所定数の遮光部の
それぞれが、網目状に連結されて形成されてなる。請求
項７では、請求項６記載の網目状の遮光部は、前記遮光
領域から光透過領域にかけて、線状部分の幅を徐々に小
として、該線状部分の間隔が等間隔で形成されてなる。
【００１５】請求項８では、請求項６記載の網目状の遮
光部は、線状部分を同一幅として、前記遮光領域から光
透過領域にかけて該線状部分の間隔を徐々に大に形成さ
れてなる。請求項９では、請求項２記載の遮光領域から
光透過領域にかけて形成される前記所定数の遮光部のそ
れぞれが、網点状に形成されてなる。
【００１６】請求項１０では、請求項９記載の網点状の
遮光部は、前記遮光領域から光透過領域にかけて面積を
徐々に小として等間隔で所定数形成されてなる。請求項
１１では、請求項９記載の網点状の遮光部は、同一面積
で、前記遮光領域から光透過領域にかけて間隔を徐々に
大として所定数形成されてなる。
【００１７】請求項１２では、請求項１〜１１の何れか
一項において、前記光透過領域が円形状に形成されて、
該光透過領域の周囲に前記遮光領域が形成されるもの
で、該遮光領域から光透過領域にかけて設けられる前記
第２の遮光領域は、前記所定数の遮光部のそれぞれが所
定間隔で同心円状に形成されてなる。
【００１８】請求項１３では、請求項４，５，７，８，
１０，１１又は１２において、前記所定数の遮光部の幅
又は面積、及び該遮光部の間隔に、透過又は遮光される
露光光の解像度より小のものが少なくとも含まれる。請
求項１４では、図１（Ｂ）に示すように、基板４２上に
少なくとも一つの層として例え絶縁層４３が形成される
プリント基板４１であって、前記層４３の端部分が請求
項１〜１３の何れか一項のマスク３１を使用して該層の
下層として例えば基板４２の露出部分にかけて薄くなる
傾斜部４３ａが形成されてなるプリント基板４１が構成
される。
【００１９】請求項１５では、基板上に所定数の絶縁層
を介在させて所定数の導体層が形成され、該導体層間を
該絶縁層に形成したビアホールに導通部材を充填して導
通を行うプリント基板において、前記ビアホールが形成
される前記絶縁層の端部分が請求項１〜１３の何れか一
項のマスクを使用して下層にかけて薄く傾斜させて形成
されてなるプリント基板が構成される。
【００２０】
【作用】上述のように請求項１又は２の発明では、遮光
領域と光透過領域との境界部分に光をほぼ全面的に遮断
する所定数の遮光部が形成された第２の遮光領域が設け
られ、遮光領域から光透過領域にかけて光透過量を徐々
に大とする。これにより、総てが遮光と光透過の領域で
形成可能となって低コストでマスク形成が可能になると
共に、プリント基板の第２の遮光領域に対応するエッジ
部分がなだらかな層を高密度配線で形成することが可能
となる。
【００２１】請求項３乃至５の発明では、所定数の遮光
部のそれぞれを、遮光領域から光透過領域にかけて、等
間隔で幅を徐々に小とし、又は同一幅で間隔を徐々に大
としてストライプ状に形成する。これにより、遮光領域
から光透過領域にかけて光透過量を徐々に大とすること
が可能となる。
【００２２】請求項６乃至８の発明では、所定数の遮光
部のそれぞれを、遮光領域から光透過領域にかけて、線
状部分を等間隔で線状部分の幅を徐々に小とし、又は線
状部分を同一幅で線状部分の間隔を徐々に大として網目
状に形成する。これにより、遮光領域から光透過領域に
かけて光透過量を徐々に大とすることができる。
【００２３】請求項９乃至１１の発明では、所定数の遮
光部のそれぞれを、遮光領域から光透過領域にかけて、
等間隔で面積を小とし、又は同一面積で間隔を徐々に大
として網点状に形成する。これにより、遮光領域から光
透過領域にかけて光透過量を徐々に大とすることが可能
とする。
【００２４】請求項１２の発明では、円形状の光透過領
域の周囲に遮光領域が形成され、遮光領域から光透過領
域にかけて所定間隔で同心円状に所定数の遮光部を形成
する。これにより、遮光領域から光透過領域にかけて同
心円状に光透過量を徐々に大とすることが可能となる。
【００２５】請求項１３の発明では、所定数の遮光部の
幅又は面積及び間隔が、露光光の解像度により小のもの
を少なくとも含んで形成される。これにより、よりなだ
らかに光透過量を変化させることが可能となる。請求項
１４又は１５の発明では、プリント基板形成において基
板上に形成される層の端部分又はビアホールが形成され
る絶縁層の端部分を上述のマスクで形成させる。これに
より、エッジ部分のなだらかな層形成を高密度配線で実
現することが可能となる。
【００２６】
【実施例】図２に、本発明の第１実施例の構成図を示
す。図２（Ａ）は本発明のマスク３１A の主要部分の拡
大平面図、図２（Ｂ）はその断面図である。図２
（Ａ），（Ｂ）に示すマスク３１A は、光をほぼ全面的
に透過（光透過率ほぼ１００％）する例えばガラス基板
５１上に、光をほぼ全面的に遮断（光透過率ほぼ０％）
する遮光膜５２が形成された遮光領域３３A と、遮光膜
が形成されない光透過領域３２A と、該光透過領域３２
A 及び遮光領域３３A の境界部分に所定数（図上では例
えば４本）の遮光部３５A が形成された第２の遮光領域
３４ A とで構成される。
【００２７】遮光部３５A は、遮光領域３３A から光透
過領域３２A にかけて第２の遮光領域３４A 上で、順次
幅（ａ1 〜ａ4 ）の異なる遮光膜５３1 〜５３4 が間隔
ｄ1の等間隔で配置されて形成される。このようなマス
ク３１A を使用して後述するプリント基板上の絶縁層
（厚さ例えば８μm ）を形成する際に用いられる電子ビ
ーム露光装置の解像度を例えば４μm としたときに、間
隔ｄ1 は例えば２μm で設定され、遮光膜５３1 〜５３
4の幅ａ1 〜ａ4 が例えば、ａ1 ＝８μm ，ａ2 ＝６μm
，ａ3 ＝４μm ，ａ4 ＝２μm で設定される。
【００２８】すなわち、上記マスク３１A に電子ビーム
露光光（解像度４μm ）が照射されたときに、遮光領域
３３A ではほぼ全面的に遮光し、光透過領域３２A では
ほぼ全面的に透過させると共に、第２の遮光領域３４A
では幅ａ1 〜ａ4 の異なる遮光膜５３1 〜５３4 間の間
隔ｄ1 ＝２μm の光透過部分で拡散的に透過し、しかも
遮光領域３３A から光透過領域３２A にかけて光透過量
が徐々に大となって透過するものである。
【００２９】ここで、図３に、マスク製造の工程図を示
す。図３（Ａ）において、ガラス基板５１上に遮光膜と
なる例えばクロム（Ｃｒ）又は銀塩（ＡｇＮＯ3 など）
等の感光性金属膜５４がスパッタ等により形成される。
この金属膜５４上にフォトレジスト５５が形成され（図
３（Ｂ））、境界部分が図２に示す第２の遮光領域３４
A を形成するようなパターンで電子ビーム５６を照射し
て露光する（図３（Ｃ））。そして、フォトレジスト５
５及び不要部分の金属膜５４を除去することにより、図
２に示すマスク３１A が形成されるものである（図３
（Ｄ））。
【００３０】このように、第２の遮光領域３４A は、遮
光領域３３（遮光膜５２）と同じ光をほぼ全面的に遮断
する遮光膜５３1 〜５３4 でパターンを変えて、形成す
ることから、製造が容易であり、低コストで光透過量を
変化させることのできるマスク３１A を製造することが
できるものである。
【００３１】続いて、図４に、プリント基板のパターン
形成の説明図を示す。図４（Ａ）において、基板４２上
には絶縁層４３となる感光性樹脂材料としての例えば感
光性ポリイミド等の絶縁膜５７が例えば厚さ８μm で形
成され、その上方に上記マスク３１A が配置される。そ
して、電子ビーム露光装置（図示せず）より放射される
解像度が例えば４μm の電子ビーム５８の露光光が当該
マスク３１A を介して絶縁膜５７に照射され、現像され
る。
【００３２】これにより、図４（Ｂ）に示すように、基
板４２上には、マスク３１A の遮光領域３３A に対応す
る部分で基板４２面が露出し、光透過領域３２A に対応
する部分で例えば厚さ８μm の絶縁層４３が形成され
る。そして、マスク３１A の第２の遮光領域３４A に対
応する部分で絶縁層４３の上面より露出された基板４２
の面上にかけて傾斜部４３ａが形成される。
【００３３】また、図４（Ｃ）に示すように、基板４２
（絶縁層４３）上に導体層５９が形成され、導体層５９
上にフォトレジスト６０が形成されて電子ビーム露光装
置からの電子ビーム６１により所定パターンで露光さ
れ、現像される。露光、現像により、図４（Ｄ）に示す
ようにフォトレジスト６０に開口部６０ａが形成され、
この開口部６０ａ内にめっきにより導電金属部材６２ａ
が形成される。そして、図４（Ｅ）に示すように、フォ
トレジスト６０を剥離除去し、導体層５９をエッチング
することによりパターン部６２が形成されてプリント基
板４１が製造されるものである。
【００３４】このように、本発明のマスク３１A を使用
することで、絶縁層４３のエッジ部分に形成される傾斜
部４３ａを鋭角的段差の少ないなだらかな形状で形成す
ることができるものである。そして、図５に、本発明の
マスクで形成されたプリント基板の概念図を示す。図５
において、基板４２上に図４に示すように上記マスク３
１A を使用して絶縁層４３が形成され所定の工程で該絶
縁層４３上にパターン部６２が形成された薄膜回路６３
が所定数形成され、基板４２の周囲の露出面との各薄膜
回路６３におけるエッジ部分がなだらかな傾斜部４３ａ
が形成されたものである。
【００３５】従って、この絶縁層４３の傾斜部４３ａに
より、後工程で必要な部分を残して切断する際のダメー
ジによる絶縁層４３の剥がれを防止することができると
共に、ハードベーキングによる引張り応力が減少して基
板４２のクラックや絶縁層４３の剥離を防止することが
できるものである。
【００３６】ここで、図６に、第１実施例のマスクの他
の適用例の構成図を示す。図６（Ａ）は本発明のマスク
３１B の主要部分の拡大平面図、図６（Ｂ）はその断面
図である。図６（Ａ），（Ｂ）に示すマスク３１B にお
いて、ガラス基板５１上に円形状の光透過領域３２
B と、その周辺に遮光膜５２で形成された遮光領域３３
B とを有し、遮光領域３３B から光透過領域３２B にか
けて第２の遮光領域３４B が形成される。第２の遮光領
域３４B は、遮光領域３３B から光透過領域３２B にか
けて、同一間隔（例えばｄ1 ＝２μm ）で幅の異なる遮
光部３５B として遮光膜５３1B〜５３4B（幅ａ1 ＝８μ
m ，ａ2 ＝６μm ，ａ3 ＝４μm ，ａ4 ＝２μm）が同
心円状に形成される。
【００３７】この第２の遮光領域３４B の遮光膜５３1B
〜５３4Bにより、遮光領域３３B から光透過領域３２B
にかけて光透過量を徐々に大とするものである。このよ
うな主要部分を有するマスク３１B は、多層のプリント
基板を形成する際の絶縁層に形成されるバイアホールを
形成する場合に使用されるものである。
【００３８】そこで、図７に、図６のマスクで形成した
バイアホールを有するプリント基板の断面図を示す。図
７に示すプリント基板４１は、基板４２上に絶縁層（例
えば厚さ８μm ，以下同じ）４３1 を介してパターン部
となる導体層（例えば厚さ３μm ，以下同じ）５９1 が
形成され、導体層５９1 上に絶縁層４３2 が形成され
る。この絶縁層４３2 には上記マスク３１B で所定解像
度（例えば４μm ）の露光により形成されたバイアホー
ル６３1 が形成される。このバイアホール６３1及び絶
縁層４３2 上に導体層５９2 が形成されることで、導体
層５９1 と導体層５９2 との所定部分での導通が図られ
る。
【００３９】また、導体層５９2 上には絶縁層４３3 が
形成され、上記マスク３１B によりバイアホール６３2
が形成される。そして、導体層５９2 を形成することに
より、導体層５９2 と導体層５９3 との所定部分での導
通が図られる。すなわち、プリント基板４１は多層構造
のもので、上記マスク３１B で形成したバイアホール６
３1 ，６３2 により層間接続を行うものである。この場
合、バイアホール６３1 ，６３2 は、マスク３１B の第
２の遮光領域３４B に対応して絶縁層４３2 ，４３3 の
エッジ部分が鋭角的段差の少ないなだらかな傾斜形状で
形成されるもので、これにより導体層５９2 ，５９3 の
形成時における当該エッジ部分での分断を防止すること
ができるものである。
【００４０】なお、上記マスク３１B の製造及びプリン
ト基板４１の製造は図３〜図５と同様である。このこと
は、後述の第２〜第４実施例においても同様である。と
ころで、露光用マスクとして、遮光領域を形成する金属
膜の厚さを段階的に形成して感光材料のエッジ部分に所
定数の段差を形成することが、特開昭５９−１３５４６
８号公報により知られている。すなわち、公報記載のも
のは、露光用マスクの金属膜の厚さを段階的にして、厚
さに応じた露光光の透過量を変化させることで感光材料
のエッジ部分に段差を形成させようとするものである。
【００４１】しかし、露光用マスクにおいて金属膜はス
パッタ又は蒸着により形成されるもので厚さを制御する
ことが困難であり、厚さ制御をしようとする場合は段階
的なスパッタや蒸着を高精度に行う必要があって長時間
を要し、マスク製造が高コストとなる。また、形成され
る感光材料のエッジ部分は段差であり、各段差のエッジ
部分が鋭角的となり、該感光材料上に形成される層の厚
さによっては当該層が各段差のエッジ部分で分断される
場合があるものである。
【００４２】これに対して本発明のマスク３１A ，３１
B （第２実施例以下のマスクも同様）は、光透過量を変
化させる部分を遮光領域の遮光膜５２の同一厚さの遮光
膜５３1 〜５３4 で形成することから、製造が容易であ
って低コストであり、また光透過量を徐々に変化させる
ことから絶縁層（感光材料）のエッジ部分の傾斜が制御
容易であってなだらかに形成することができるもので、
これによって不要なめっき部材の付着や絶縁層上に形成
される層の分断を防止することができるものである。
【００４３】次に、図８に、本発明の第２実施例のマス
クの構成図を示す。図８（Ａ）は本発明のマスク３１C
の主要部分の拡大平面図、図８（Ｂ）は断面図である。
図８（Ａ），（Ｂ）に示すマスク３１C は、図２に示す
マスク３１A に対応するもので、ガラス基板５１上に光
透過領域３２C と、遮光膜５２が形成された遮光領域３
３C とを備え、該光透過領域３２C 及び遮光領域３３C
の境界部分に所定数（図上では例えば４本）の遮光部３
５C が形成された第２の遮光領域３４Cとで構成され
る。
【００４４】遮光部３５C は、遮光領域３３C から光透
過領域３２C にかけて第２の遮光領域３４C 上で、同一
幅ａ1 の遮光膜５３1C〜５３4Cが間隔を異ならせて（ｄ
1 〜ｄ4 ）配置されてストライプ状に形成される。例え
ば、第１実施例に対応させて、ａ1 ＝２μm ，ｄ1 ＝２
μm ，ｄ2 ＝４μm ，ｄ3 ＝６μm ，ｄ4 ＝８μm （電
子ビーム露光の解像度４μm ，絶縁層の厚さ８μm ）で
設定される。
【００４５】すなわち、マスク３１C における第２の遮
光領域３５C において、同一幅の遮光膜５３1C〜５３4C
を間隔を異ならせて配置させることにより、低コストで
製造可能であり、光透過量を遮光領域３３C から光透過
領域３２C にかけて徐々に大にすることができるもので
ある。
【００４６】続いて、図９に、第２実施例の他の適用例
の断面図を示す。図９は本発明のマスク３１D の主要部
分の断面図であり、図６のマスク３１B に対応するもの
である。図９に示すマスク３１D は、ガラス基板５１上
に円形状の光透過領域３２Dと、その周辺に遮光膜５２
で形成された遮光領域３３D とを有し、遮光領域３３ D
から光透過領域３２D にかけて第２の遮光領域３４D が
形成される。第２の遮光領域３４D は、遮光領域３３D
から光透過領域３２D にかけて、同一幅（例えばａ1 ＝
２μm ）で間隔の異なる遮光部３５D として遮光膜５３
1D〜５３4Dが間隔ｄ1 ＝２μm ，ｄ2 ＝４μm ，ｄ3 ＝
６μm ，ｄ4 ＝８μm で同心円状に形成される。
【００４７】この第２の遮光領域３４D の遮光膜５３1D
〜５３4Dの配置間隔により遮光領域３３D から光透過領
域３２D にかけて光透過量を徐々に大とするもので、プ
リント基板に形成される絶縁層にバイアホールのエッジ
部分をなだらかに形成することができるものである。
【００４８】次に、図１０に、本発明の第３実施例のマ
スクの構成図を示す。図１０（Ａ）は本発明のマスク３
１E の主要部分の拡大平面図、図１０（Ｂ）は断面図で
ある。図１０（Ａ），（Ｂ）に示すマスク３１E は、ガ
ラス基板５１上に光透過領域３２E と、遮光膜５２が形
成された遮光領域３３E とを備え、該光透過領域３２ E
及び遮光領域３３E の境界部分に遮光部３５E が形成さ
れた第２の遮光領域３４E とで構成される。
【００４９】遮光部３５E は、遮光領域３３E から光透
過領域３２E にかけて、第２の遮光領域３４E 上で、順
次同一幅ａ1 （例えば２μm ）の線状の遮光膜５３が網
目状に連結され、遮光膜５３E の間隔（ｄ1 〜ｄ4 ）を
異ならせて配置されて形成される。
【００５０】例えば、第１実施例に対応させて、ａ1 ＝
２μm ，ｄ1 ＝２μm ，ｄ2 ＝４μm ，ｄ3 ＝６μm ，
ｄ4 ＝８μm （電子ビーム露光の解像度４μm ，絶縁層
の厚さ８μm ）で設定される。すなわち、マスク３１E
における第２の遮光領域３５E において、同一幅の網目
状の遮光膜５３E を間隔を異ならせて配置させることに
より、低コストで製造可能であり、光透過量を遮光領域
３３E から光透過領域３２E にかけて徐々に大にするこ
とができるものである。
【００５１】続いて、図１１に、第３実施例の他の適用
例の断面図を示す。図１１（Ａ）は、図１０のマスク３
１E に対応するマスク３１F であり、第２の遮光領域３
４Fに形成される遮光部３５F が、網目状の遮光膜５３
F （５３1F〜５３4F）を遮光膜５２が形成された遮光領
域３３F から光透過領域３２F にかけて、線状部分の遮
光膜５３F を同一間隔（例えばｄ1 ＝２μm ）で幅を徐
々に小として異ならせて形成したものである。
【００５２】例えば、第１実施例に対応させて、ａ1 ＝
８μm ，ａ2 ＝６μm ，ａ3 ＝４μm ，ａ4 ＝２μm
（電子ビーム露光の解像度４μm ，絶縁層の厚さ８μm
）で設定される。これにより、マスク３１F における
第２の遮光領域３５F において、同一間隔で網目状の遮
光膜５３F （５３1F〜５３4F）の幅を異ならせて配置さ
せることにより、低コストで製造可能であり、光透過量
を遮光領域３３F から光透過領域３２F にかけて徐々に
大にすることができるものである。
【００５３】また、図１１（Ｂ）に示すマスク３２
G は、図６のマスク３１B に対応するもので、ガラス基
板５１上に円形状の光透過領域３２G と、その周辺に遮
光膜５２で形成された遮光領域３３G とを有し、遮光領
域３３G から光透過領域３２G にかけて第２の遮光領域
３４G が形成される。第２の遮光領域３４G は、遮光領
域３３G から光透過領域３２G にかけて、同一間隔（例
えばｄ1 ＝２μm ）で幅の異なる遮光部３５G として遮
光膜５３1G〜５３4G（幅ａ1 ＝８μm ，ａ2 ＝６μm ，
ａ3 ＝４μm ，ａ4 ＝２μm ）で同心円かつ網目状に形
成される。
【００５４】この第２の遮光領域３４G の遮光膜５３1G
〜５３4Gにより、遮光領域３３G から光透過領域３２G
にかけて光透過量を徐々に大とするものである。さら
に、図１１（Ｃ）に示すマスク３２H は、図１１（Ｂ）
の変形例として、第２の遮光領域３４H において、同心
円かつ網目状の遮光膜５３1H〜５３4Hを同一幅ａ1 で間
隔ｄ1 〜ｄ4 を異ならせたものである。
【００５５】図１２に、本発明の第４実施例の構成図を
示す。図１２（Ａ）は本発明のマスク３１I の主要部分
の拡大平面図、図１２（Ｂ）はその断面図である。図１
２（Ａ），（Ｂ）に示すマスク３１I は、ガラス基板５
１上に、遮光膜５２が形成された遮光領域３３I と、遮
光膜が形成されない光透過領域３２I と、該光透過領域
３２I 及び遮光領域３３I の境界部分に所定列で所定数
の遮光部３５I が形成された第２の遮光領域３４1 とで
構成される。
【００５６】遮光部３５I は、遮光領域３３I から光透
過領域３２I にかけて第２の遮光領域３４I 上で、順次
面積（直径ａ1 〜ａ4 ）の異なる円形状の遮光膜５３1I
〜５３4Iが列間隔ｄ1 （例えば２μｍ）の等間隔で網点
状に配置されて形成される。例えば、第１実施例に対応
させて、直径ａ1 ＝８μm ，ａ2 ＝６μm ，ａ3 ＝４μ
m ，ａ4 ＝２μm （電子ビーム露光の解像度４μm ，絶
縁層の厚さ８μm ）で設定される。これにより、マスク
３１I における第２の遮光領域３５I において、列が同
一間隔で網点状の遮光膜（５３1I〜５３4I）の面積（直
径）を異ならせて配置させることにより、低コストで製
造可能であり、光透過量を遮光領域３３F から光透過領
域３２I にかけて徐々に大にすることができるものであ
る。
【００５７】続いて、図１３に、第４実施例の他の適用
例の断面図を示す。図１３（Ａ）に示すマスク３１
J は、図１２のマスク３１I に対応するものであり、ガ
ラス基板５１上に光透過領域３２J と、遮光膜５２が形
成された遮光領域３３J とを備え、該光透過領域３２J
及び遮光領域３３J の境界部分に所定列で所定数の遮光
部３５J が形成された第２の遮光領域３４J とで構成さ
れる。
【００５８】遮光部３５J は、遮光領域３３J から光透
過領域３２J にかけて、第２の遮光領域３４C 上で、同
一面積（直径ａ1 ）の円形状の遮光膜５３1C〜５３4Cが
列間隔を異ならせて（ｄ1 〜ｄ4 ）配置されて形成され
る。例えば、第１実施例に対応させて、ａ1 ＝２μm ，
ｄ1 ＝２μm ，ｄ2 ＝４μm ，ｄ3 ＝６μm ，ｄ4 ＝８
μm （電子ビーム露光の解像度４μm ，絶縁層の厚さ８
μm ）で設定される。
【００５９】すなわち、マスク３１J における第２の遮
光領域３５J において、同一面積（直径）の遮光膜５３
1J〜５３4Jを列間隔を異ならせて配置させることによ
り、低コストで製造可能であり、光透過量を遮光領域３
３J から光透過領域３２J にかけて徐々に大にすること
ができるものである。
【００６０】また、図１３（Ｂ）に示すマスク３１
K は、図６のマスク３１B に対応するもので、ガラス基
板５１上に円形状の光透過領域３２K と、その周辺に遮
光膜５２で形成された遮光領域３３K とを有し、遮光領
域３３K から光透過領域３２K にかけて第２の遮光領域
３４K が形成される。第２の遮光領域３４K は、遮光領
域３３K から光透過領域３２K にかけて、同一の列間隔
（例えばｄ1 ＝２μm ）で面積（直径）の異なる遮光部
３５K として遮光膜５３1K〜５３4K（直径ａ1 ＝８μm
，ａ2 ＝６μm ，ａ3 ＝４μm ，ａ4 ＝２μm ）が同
心円かつ網点状に形成される。
【００６１】この第２の遮光領域３４K の遮光膜５３1K
〜５３4Kにより、遮光領域３３K から光透過領域３２K
にかけて光透過量を徐々に大とするものである。さら
に、図１３（Ｃ）に示すマスク３２L は、図１３（Ｂ）
の変形例として、第２の遮光領域３４L において、同心
円かつ網点状の遮光膜５３1L〜５３4Lを同一幅面積（直
径ａ1 ）で列間隔ｄ1 〜ｄ4 を異ならせたものである。
【００６２】
【発明の効果】以上のように請求項１又は２の発明によ
れば、遮光領域と光透過領域との境界部分に、光をほぼ
全面的に遮断する所定数の遮光部が形成された第２の遮
光領域が設けられ、遮光領域から光透過領域にかけて光
透過量を徐々に大とすることにより、総てが遮光と光透
過の領域で形成可能となって低コストでマスク形成が可
能になると共に、プリント基板の第２の遮光領域に対応
するエッジ部分がなだらかな層を高密度配線で形成する
ことができる。
【００６３】請求項３乃至５の発明によれば、所定数の
遮光部のそれぞれを、遮光領域から光透過領域にかけ
て、等間隔で幅を徐々に小とし、又は同一幅で間隔を徐
々に大としてストライプ状に形成することにより、遮光
領域から光透過領域にかけて光透過量を徐々に大とする
ことができる。
【００６４】請求項６乃至８の発明によれば、所定数の
遮光部のそれぞれを、遮光領域から光透過領域にかけ
て、線状部分を等間隔で線状部分の幅を徐々に小とし、
又は線状部分を同一幅で線状部分の間隔を徐々に大とし
て網目状に形成することにより、遮光領域から光透過領
域にかけて所定間隔で光透過量を徐々に大とすることが
できる。
【００６５】請求項９乃至１１の発明によれば、所定数
の遮光部のそれぞれを、遮光領域から光透過領域にかけ
て、等間隔で面積を小とし、又は同一面積で間隔を徐々
に大として網点状に形成することにより、遮光領域から
光透過領域にかけて光透過量を徐々に大とすることがで
きる。
【００６６】請求項１２の発明によれば、円形状の光透
過領域の周囲に遮光領域が形成され、遮光領域から光透
過領域にかけて所定間隔で同心円状に所定数の遮光部を
形成することにより、遮光領域から光透過領域にかけて
同心円状に光透過量を徐々に大とすることができる。
【００６７】請求項１３の発明によれば、所定数の遮光
部の幅又は面積及び間隔が、露光光の解像度により小の
ものを少なくとも含んで形成されることにより、よりな
だらかに光透過量を変化させることができる。請求項１
４又は１５の発明によれば、プリント基板形成において
基板上に形成される層の端部分又はビアホールが形成さ
れる絶縁層の端部分を上述のマスクで形成させることに
より、エッジ部分のなだらかな層形成を高密度配線で実
現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理図である。
【図２】本発明の第１実施例の構成図である。
【図３】マスク製造の工程図である。
【図４】プリント基板のパターン形成の説明図である。
【図５】本発明のマスクで形成されたプリント基板の概
念図である。
【図６】第１実施例のマスクの他の適用例の構成図であ
る。
【図７】図６のマスクで形成したバイアホールを有する
プリント基板の断面図である。
【図８】本発明の第２実施例のマスクの構成図である。
【図９】第２実施例の他の適用例の断面図である。
【図１０】本発明の第３実施例のマスクの構成図であ
る。
【図１１】第３実施例の他の適用例の断面図である。
【図１２】本発明の第４実施例のマスクの構成図であ
る。
【図１３】第４実施例の他の適用例の断面図である。
【図１４】従来のマスクの構成図である。
【図１５】従来のマスクによる絶縁層形成の説明図であ
る。
【図１６】従来の理想的なパターン形成の説明図であ
る。
【図１７】従来の問題点を説明するための図（１）であ
る。
【図１８】従来の問題点を説明するための図（２）であ
る。
【符号の説明】
３１，３１A 〜３１L マスク ３２，３２A 〜３１L 光透過領域 ３３，３３A 〜３３L 遮光領域 ３４，３４A 〜３４L 第２の遮光領域 ３５，３５A 〜３５L 遮光部 ４１ プリント基板 ４２ 基板 ４３ 絶縁層 ４３ａ 傾斜部 ５１ ガラス基板 ５２，５３1 〜５３4 遮光膜 ６２ パターン部 ６３1 ，６３2 バイアホール

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光をほぼ全面的に透過させる光透過領域
    と、光をほぼ全面的に遮断する遮光領域とが形成される
    マスクにおいて、 前記遮光領域と前記光透過領域との境界部分に、該遮光
    領域から光透過領域にかけて、光透過量を徐々に大とす
    る第２の遮光領域が設けられることを特徴とするマス
    ク。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の遮光領域から光透過領域
    にかけて設けられる前記第２の遮光領域は、光をほぼ全
    面的に遮断する所定数の遮光部が所定間隔で形成されて
    なることを特徴とするマスク。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の遮光領域から光透過領域
    にかけて形成される前記所定数の遮光部のそれぞれが、
    ストライプ状に形成されてなることを特徴とするマス
    ク。
  4. 【請求項４】 請求項３記載の遮光部は、前記遮光領域
    から光透過領域にかけて、幅を徐々に小として等間隔で
    形成されてなることを特徴とするマスク。
  5. 【請求項５】 請求項３記載の遮光部は、同一幅で、前
    記遮光領域から光透過領域にかけて、間隔を徐々に大に
    形成されてなることを特徴とするマスク。
  6. 【請求項６】 請求項２記載の遮光領域から光透過領域
    にかけて形成される前記所定数の遮光部のそれぞれが、
    網目状に連結されて形成されてなることを特徴とするマ
    スク。
  7. 【請求項７】 請求項６記載の網目状の遮光部は、前記
    遮光領域から光透過領域にかけて、線状部分の幅を徐々
    に小として、該線状部分の間隔が等間隔で形成されてな
    ることを特徴とするマスク。
  8. 【請求項８】 請求項６記載の網目状の遮光部は、線状
    部分を同一幅として、前記遮光領域から光透過領域にか
    けて該線状部分の間隔を徐々に大に形成されてなること
    を特徴とするマスク。
  9. 【請求項９】 請求項２記載の遮光領域から光透過領域
    にかけて形成される前記所定数の遮光部のそれぞれが、
    網点状に形成されてなることを特徴とするマスク。
  10. 【請求項１０】 請求項９記載の網点状の遮光部は、前
    記遮光領域から光透過領域にかけて面積を徐々に小とし
    て等間隔で所定数形成されてなることを特徴とするマス
    ク。
  11. 【請求項１１】 請求項９記載の網点状の遮光部は、同
    一面積で、前記遮光領域から光透過領域にかけて間隔を
    徐々に大として所定数形成されてなることを特徴とする
    マスク。
  12. 【請求項１２】 請求項１〜１１の何れか一項におい
    て、前記光透過領域が円形状に形成されて、該光透過領
    域の周囲に前記遮光領域が形成されるもので、該遮光領
    域から光透過領域にかけて設けられる前記第２の遮光領
    域は、前記所定数の遮光部のそれぞれが所定間隔で同心
    円状に形成されてなることを特徴とするマスク。
  13. 【請求項１３】 請求項４，５，７，８，１０，１１又
    は１２において、前記所定数の遮光部の幅又は面積、及
    び該遮光部の間隔に、透過又は遮光される露光光の解像
    度より小のものが少なくとも含まれることを特徴とする
    マスク。
  14. 【請求項１４】 基板上に少なくとも一つの層が形成さ
    れるプリント基板において、 前記層の端部分が請求項１〜１３の何れか一項のマスク
    を使用して該層の下層の露出部分にかけて薄くなる傾斜
    部が形成されてなることを特徴とするプリント基板。
  15. 【請求項１５】 基板上に所定数の絶縁層を介在させて
    所定数の導体層が形成され、該導体層間を該絶縁層に形
    成したビアホールに導通部材を充填して導通を行うプリ
    ント基板において、 前記ビアホールが形成される前記絶縁層の端部分が請求
    項１〜１３の何れか一項のマスクを使用して下層にかけ
    て薄く傾斜させて形成されてなることを特徴とするプリ
    ント基板。
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