JPH0722348A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0722348A JPH0722348A JP15849093A JP15849093A JPH0722348A JP H0722348 A JPH0722348 A JP H0722348A JP 15849093 A JP15849093 A JP 15849093A JP 15849093 A JP15849093 A JP 15849093A JP H0722348 A JPH0722348 A JP H0722348A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- substrate holder
- metal thin
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 18
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体基板上に金属薄膜を形成する為の枚葉式
スパッタリング装置における金属薄膜の面内膜厚均一性
向上。 【構成】本発明のスパッタリング装置は基板９を保持す
る基板ホルダー３を中心点から外周方向に偏心させ、そ
の基板ホルダー３を成膜時に回転させることによりスパ
ッタ粒子の至達量の均一化を図り、基板３上に付着する
金属薄膜の面内膜厚分布向上が可能となる。又回転と同
時に基板ホルダー３の傾きも変化させ半導体基板９の段
差部及び孔内側壁部に至達するスパッタ粒子数を増大さ
せることで金属膜の良好なステップカバレッジが得られ
る。
スパッタリング装置における金属薄膜の面内膜厚均一性
向上。 【構成】本発明のスパッタリング装置は基板９を保持す
る基板ホルダー３を中心点から外周方向に偏心させ、そ
の基板ホルダー３を成膜時に回転させることによりスパ
ッタ粒子の至達量の均一化を図り、基板３上に付着する
金属薄膜の面内膜厚分布向上が可能となる。又回転と同
時に基板ホルダー３の傾きも変化させ半導体基板９の段
差部及び孔内側壁部に至達するスパッタ粒子数を増大さ
せることで金属膜の良好なステップカバレッジが得られ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に関し、
特に金属薄膜形成を行う枚葉式スパッタリング装置に関
する。
特に金属薄膜形成を行う枚葉式スパッタリング装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来のスパッタリング装置を図４を用い
て説明する。真空チャンバー１には平板状のカソード２
とアース電位の基板ホルダー３が対向して配置されてい
る。カソード２はターゲット４が取付けられ処理ガス５
はバリアブルリークバルブ６を経由して真空チャンバー
１内に導入し、他方高真空ポンプ７にて排気する。導入
ガス量と排気速度のバランスをとって真空チャンバー１
内を適切な圧力に維持してやる。こうしてスパッタ電源
８によりカソード２とアース電位である真空チャンバー
１及び基板ホルダー３の間にある一定の電圧を印加する
と放電が発生する。処理ガス５の陽イオンがターゲット
４を叩くことにより飛出したスパッタ粒子が基板９に到
達し、所定の厚みの薄膜を形成することが出来る。
て説明する。真空チャンバー１には平板状のカソード２
とアース電位の基板ホルダー３が対向して配置されてい
る。カソード２はターゲット４が取付けられ処理ガス５
はバリアブルリークバルブ６を経由して真空チャンバー
１内に導入し、他方高真空ポンプ７にて排気する。導入
ガス量と排気速度のバランスをとって真空チャンバー１
内を適切な圧力に維持してやる。こうしてスパッタ電源
８によりカソード２とアース電位である真空チャンバー
１及び基板ホルダー３の間にある一定の電圧を印加する
と放電が発生する。処理ガス５の陽イオンがターゲット
４を叩くことにより飛出したスパッタ粒子が基板９に到
達し、所定の厚みの薄膜を形成することが出来る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のスパッタリング
装置ではターゲットと対向している基板は基板ホルダー
に保持されており、その基板ホルダーは一定位置にて完
全に固定される。一方ターゲットから叩き出されるスパ
ッタ粒子はターゲットの中心部分から放射状に飛び出
し、ターゲットの周辺ほど飛び出すスパッタ粒子は少量
になる。このため基板上に到達する金属薄膜は中央部が
厚く、周辺部が薄いこととなり、膜厚均一性の悪い金属
薄膜が形成されるという問題点があった。又、段差部、
及いは孔部においては、スパッタ粒子の指向性の為に側
壁部で形成される膜厚が他に比べ薄くなる欠点も有して
いた。
装置ではターゲットと対向している基板は基板ホルダー
に保持されており、その基板ホルダーは一定位置にて完
全に固定される。一方ターゲットから叩き出されるスパ
ッタ粒子はターゲットの中心部分から放射状に飛び出
し、ターゲットの周辺ほど飛び出すスパッタ粒子は少量
になる。このため基板上に到達する金属薄膜は中央部が
厚く、周辺部が薄いこととなり、膜厚均一性の悪い金属
薄膜が形成されるという問題点があった。又、段差部、
及いは孔部においては、スパッタ粒子の指向性の為に側
壁部で形成される膜厚が他に比べ薄くなる欠点も有して
いた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
装置は半導体基板を保持する基板ホルダーを中心位置よ
り外周方向に偏心させ、その基板ホルダーを成膜時に駆
動部品にて任意の速度で回転させることによりスパッタ
粒子の到達量の均一化を図り基板上に付着するスパッタ
膜の面内膜厚分布向上が可能となる。
装置は半導体基板を保持する基板ホルダーを中心位置よ
り外周方向に偏心させ、その基板ホルダーを成膜時に駆
動部品にて任意の速度で回転させることによりスパッタ
粒子の到達量の均一化を図り基板上に付着するスパッタ
膜の面内膜厚分布向上が可能となる。
【０００５】また、回転と同時に基板ホルダーの傾きも
駆動部品にて任意に変化させ、半導体基板の段差部及び
孔内側壁部に到達するスパッタ粒子数を増大させること
で薄膜の膜厚均一性を向上することが可能となる。
駆動部品にて任意に変化させ、半導体基板の段差部及び
孔内側壁部に到達するスパッタ粒子数を増大させること
で薄膜の膜厚均一性を向上することが可能となる。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例を説明するための構成図で
ある。本実施例は従来のスパッタリング装置に対し基板
ホルダー３を中心位置から基板９の周辺方向に偏心させ
取付けられており、基板ホルダー３と上部カバー１０は
接続されている。又、上部カバー１０の下方には下部カ
バー１１が存在し、上部カバー１０と下部カバー１１は
分離構成となっており、それぞれのカバーの内部には回
転駆動部分が組み込まれている。
る。図１は本発明の一実施例を説明するための構成図で
ある。本実施例は従来のスパッタリング装置に対し基板
ホルダー３を中心位置から基板９の周辺方向に偏心させ
取付けられており、基板ホルダー３と上部カバー１０は
接続されている。又、上部カバー１０の下方には下部カ
バー１１が存在し、上部カバー１０と下部カバー１１は
分離構成となっており、それぞれのカバーの内部には回
転駆動部分が組み込まれている。
【０００７】次に本発明の動作について説明するとまず
真空チャンバー１内に基板９が搬送されて来て基板ホル
ダー３上に基板９が置かれる。基板９をチャック１２に
て保持したのち、上部カバー１０、下部カバー１１の内
部回転駆動部分が始動し、上部カバー１０が回転運動を
開始する。上部カバー１０の回転運動に連動して基板ホ
ルダー３、基板９も同様に回転運動を始める。基板ホル
ダー３の動作から数秒後にシーケンサー部からの信号で
スパッタ電源８より電圧をカソード２と真空チャンバー
１及び基板ホルダー３の間に印加させ放電発生すること
により基板９上に成膜処理が開始される。成膜処理終了
後基板ホルダー３の回転運動も終了する。又、基板ホル
ダー３の回転速度は設定で任意に変化させることが可能
である。
真空チャンバー１内に基板９が搬送されて来て基板ホル
ダー３上に基板９が置かれる。基板９をチャック１２に
て保持したのち、上部カバー１０、下部カバー１１の内
部回転駆動部分が始動し、上部カバー１０が回転運動を
開始する。上部カバー１０の回転運動に連動して基板ホ
ルダー３、基板９も同様に回転運動を始める。基板ホル
ダー３の動作から数秒後にシーケンサー部からの信号で
スパッタ電源８より電圧をカソード２と真空チャンバー
１及び基板ホルダー３の間に印加させ放電発生すること
により基板９上に成膜処理が開始される。成膜処理終了
後基板ホルダー３の回転運動も終了する。又、基板ホル
ダー３の回転速度は設定で任意に変化させることが可能
である。
【０００８】このようにしてスパッタ粒子の至達量の均
一化により基板９上に付着する金属薄膜の面内膜厚分布
向上が可能となる。
一化により基板９上に付着する金属薄膜の面内膜厚分布
向上が可能となる。
【０００９】図２は本発明の実施例２の構成図である。
本実施例は基板ホルダー３、上部カバー１０を上下機構
を有する駆動部品にて任意に傾斜させ、前述実施例の回
連運動を組み合わせることにより、段差部及び構内側壁
部に到達するスパッタ粒子数を増大させることで薄膜の
膜厚均一性を向上することが可能となる。
本実施例は基板ホルダー３、上部カバー１０を上下機構
を有する駆動部品にて任意に傾斜させ、前述実施例の回
連運動を組み合わせることにより、段差部及び構内側壁
部に到達するスパッタ粒子数を増大させることで薄膜の
膜厚均一性を向上することが可能となる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明はスパッタリ
ング装置の半導体基板を保持する基板ホルダーを中心位
置から外周方向に偏心させ、その基板ホルダーを成膜時
に駆動部品にて回転させることにより図３のように金属
薄膜の面内膜厚均一性向上が可能である。又、回転と同
時に基板ホルダーの傾きを駆動部分にて変化させること
により半導体デバイスの段差部及び孔内側壁部の薄膜の
膜厚を確保することが可能となる。
ング装置の半導体基板を保持する基板ホルダーを中心位
置から外周方向に偏心させ、その基板ホルダーを成膜時
に駆動部品にて回転させることにより図３のように金属
薄膜の面内膜厚均一性向上が可能である。又、回転と同
時に基板ホルダーの傾きを駆動部分にて変化させること
により半導体デバイスの段差部及び孔内側壁部の薄膜の
膜厚を確保することが可能となる。
【図１】本発明の一実施例の構成図。
【図２】本発明の実施例２の構成図。
【図３】従来と本発明実施時の面内膜厚測定結果図。
【図４】従来例の構成図。
１ 真空チャンバー ２ カソード ３ 基板ホルダー ４ ターゲット ５ 処理ガス ６ バリアブルリークバルブ ７ 真空ポンプ ８ スパッタ電源 ９ 基板 １０ 上部カバー １１ 下部カバー １２ チャック
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上に金属薄膜を形成する半導
体製造装置において金属薄膜形成機構がターゲット，半
導体基板ホルダー，電源の３機構を主として構成され、
その中で半導体基板ホルダーが偏心しておりかつ回転機
構を有することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 上記請求項１にて示した半導体製造装置
においてその基板ホルダーの回転機構が平面的な回転と
立体的な回転が任意の割合で組み合わせられることを特
徴とする半導体製造装置。 - 【請求項３】 上記請求項１、２に示した半導体装置に
おいて回転の速度が任意に変更でき又、任意の組み合わ
せが可能であることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15849093A JPH0722348A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15849093A JPH0722348A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722348A true JPH0722348A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15672884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15849093A Withdrawn JPH0722348A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722348A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997001185A1 (fr) * | 1995-06-21 | 1997-01-09 | Nippon Steel Corporation | Procede et appareil de formation d'un film |
| JP2006111927A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Cyg Gijutsu Kenkyusho Kk | スパッタ装置 |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP15849093A patent/JPH0722348A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997001185A1 (fr) * | 1995-06-21 | 1997-01-09 | Nippon Steel Corporation | Procede et appareil de formation d'un film |
| JP2006111927A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Cyg Gijutsu Kenkyusho Kk | スパッタ装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4547279A (en) | Sputtering apparatus | |
| US20070102284A1 (en) | Small Scanned Magentron | |
| JPH07335553A (ja) | 処理装置および処理方法 | |
| KR19980042562A (ko) | 막을 증착하는 방법 및 스퍼터링 장치 | |
| JP2003510464A (ja) | 回転磁石アレイおよびスパッタ・ソース | |
| US5126029A (en) | Apparatus and method for achieving via step coverage symmetry | |
| JPH07166346A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| US20030216035A1 (en) | Method and apparatus for sputter deposition | |
| US20030044529A1 (en) | Method of depositing thin film | |
| JPH0722348A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3852967B2 (ja) | 低圧スパッタリング装置 | |
| JP6456010B1 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPS63162862A (ja) | スパツタ装置 | |
| JPH10298752A (ja) | 低圧遠隔スパッタ装置及び低圧遠隔スパッタ方法 | |
| JP3573218B2 (ja) | 薄膜製造方法 | |
| JP4855360B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
| JPH07316808A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH05320892A (ja) | 真空薄膜形成装置 | |
| JP2002097570A (ja) | 成膜装置 | |
| JP2003073823A (ja) | スパッタ方法及びスパッタ装置 | |
| JP2000129439A (ja) | スパッタリング装置および方法 | |
| JPH06116721A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH01319671A (ja) | 多元スパッタリング装置 | |
| US6896774B2 (en) | Acoustic streaming of condensate during sputtered metal vapor deposition | |
| JPH08134642A (ja) | スパッタリング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |