JPH0722383A - 無機薄膜のエッチング方法 - Google Patents
無機薄膜のエッチング方法Info
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- JPH0722383A JPH0722383A JP16447993A JP16447993A JPH0722383A JP H0722383 A JPH0722383 A JP H0722383A JP 16447993 A JP16447993 A JP 16447993A JP 16447993 A JP16447993 A JP 16447993A JP H0722383 A JPH0722383 A JP H0722383A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】無機薄膜を該無機薄膜上に形成されたパターン
層をマスクとしてエッチングするに際して、初めにエッ
チング速度の大きいエッチング液を用いてエッチングを
行ない、ついで該エッチング液よりもエッチング速度の
小さいエッチング液を用いてエッチングすることを特徴
とする無機薄膜のエッチング方法。 【効果】無機薄膜のエッチングにおいて、無機薄膜の膜
厚が厚い場合にも、エッチング時間が短く、しかもサイ
ドエッチングの程度が少ない良好なエッチングパターン
を得ることができるという顕著な実用効果を奏するもの
である。
層をマスクとしてエッチングするに際して、初めにエッ
チング速度の大きいエッチング液を用いてエッチングを
行ない、ついで該エッチング液よりもエッチング速度の
小さいエッチング液を用いてエッチングすることを特徴
とする無機薄膜のエッチング方法。 【効果】無機薄膜のエッチングにおいて、無機薄膜の膜
厚が厚い場合にも、エッチング時間が短く、しかもサイ
ドエッチングの程度が少ない良好なエッチングパターン
を得ることができるという顕著な実用効果を奏するもの
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、層間配線、層間絶縁膜
などの形成に利用される無機薄膜のエッチング方法に関
するものである。
などの形成に利用される無機薄膜のエッチング方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】無機薄膜は半導体分野、実装基板分野な
どにおいて層間配線、層間絶縁膜などの形成に利用され
るものである。
どにおいて層間配線、層間絶縁膜などの形成に利用され
るものである。
【０００３】無機薄膜のパターン加工方法としては、無
機薄膜上に、まずフォトレジストやポリイミドなどのパ
ターンを形成した後、そのパターンをマスクとして、下
層の無機薄膜をエッチングする方法が一般的に用いられ
る。エッチング方法としては主に、プラズマを用いエッ
チングを行うドライエッチングと、エッチング液を用い
エッチングを行うウエットエッチングがあるが、スルー
プットおよび費用の点で、ウエットエッチングが好まし
く用いられる。
機薄膜上に、まずフォトレジストやポリイミドなどのパ
ターンを形成した後、そのパターンをマスクとして、下
層の無機薄膜をエッチングする方法が一般的に用いられ
る。エッチング方法としては主に、プラズマを用いエッ
チングを行うドライエッチングと、エッチング液を用い
エッチングを行うウエットエッチングがあるが、スルー
プットおよび費用の点で、ウエットエッチングが好まし
く用いられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ウエットエッチングを
行なう場合、エッチング時間はスループットの面から１
５分以内が望ましいと考えられており、一般に無機薄膜
の膜厚が薄い場合には、エッチング速度の小さいエッチ
ング液を用いてエッチングを行うことにより、良好なエ
ッチングが短時間でできる。
行なう場合、エッチング時間はスループットの面から１
５分以内が望ましいと考えられており、一般に無機薄膜
の膜厚が薄い場合には、エッチング速度の小さいエッチ
ング液を用いてエッチングを行うことにより、良好なエ
ッチングが短時間でできる。
【０００５】しかしながら、膜厚が厚くなると、エッチ
ング速度の小さいエッチング液を用いると、時間が長く
なるという問題を生じた。一方、エッチング速度の大き
い現像液を用いてエッチングを行なうと、短時間でエッ
チングが可能な反面、サイドエッチングが大きくなり、
理想の薄膜パターンが得られないという問題が生じる。
その解決のため、これらの中間のエッチング速度のエッ
チング液の調製を試みたが、エッチング時間が短く、し
かもエッチングパターンのサイドエッチングの程度が少
ないような理想的なエッチング液を得るのは困難であっ
た。
ング速度の小さいエッチング液を用いると、時間が長く
なるという問題を生じた。一方、エッチング速度の大き
い現像液を用いてエッチングを行なうと、短時間でエッ
チングが可能な反面、サイドエッチングが大きくなり、
理想の薄膜パターンが得られないという問題が生じる。
その解決のため、これらの中間のエッチング速度のエッ
チング液の調製を試みたが、エッチング時間が短く、し
かもエッチングパターンのサイドエッチングの程度が少
ないような理想的なエッチング液を得るのは困難であっ
た。
【０００６】本発明はかかる従来の諸欠点に鑑み創案さ
れたもので、その目的とするところは、無機薄膜を該無
機薄膜上に形成されたパターン層をマスクとしてエッチ
ングするに際、無機薄膜の膜厚が厚い場合にも、エッチ
ング時間が短く、しかもサイドエッチングの程度が少な
い良好なエッチングパターンを得ることができる無機薄
膜のエッチング方法を提供することにある。
れたもので、その目的とするところは、無機薄膜を該無
機薄膜上に形成されたパターン層をマスクとしてエッチ
ングするに際、無機薄膜の膜厚が厚い場合にも、エッチ
ング時間が短く、しかもサイドエッチングの程度が少な
い良好なエッチングパターンを得ることができる無機薄
膜のエッチング方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
無機薄膜を該無機薄膜上に形成されたパターン層をマス
クとしてエッチングするに際して、初めにエッチング速
度の大きいエッチング液を用いてエッチングを行ない、
ついで該エッチング液よりもエッチング速度の小さいエ
ッチング液を用いてエッチングすることを特徴とする無
機薄膜のエッチング方法により達成される。
無機薄膜を該無機薄膜上に形成されたパターン層をマス
クとしてエッチングするに際して、初めにエッチング速
度の大きいエッチング液を用いてエッチングを行ない、
ついで該エッチング液よりもエッチング速度の小さいエ
ッチング液を用いてエッチングすることを特徴とする無
機薄膜のエッチング方法により達成される。
【０００８】次に本発明における無機薄膜のエッチング
方法を具体的に説明する。
方法を具体的に説明する。
【０００９】本発明において無機薄膜とは、無機物から
なる板または被膜をいう。無機物としては、金属、半導
体、これらの酸化物などを挙げることができる。金属と
しては、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、クロ
ム、クロム合金、鉄、鉄合金、アルミニウムなどを挙げ
ることができるが、これらに限定されない。これらの金
属の板または被膜の製造方法としては、スパッタリング
法、蒸着法、電解メッキ法、無電解メッキ法、圧延法な
どを挙げることができるが、これらに限定されない。半
導体としてはケイ素、ゲルマニウムなどを挙げることが
できるが、これらに限定されない。金属や半導体の酸化
物としては、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素などを挙
げることができるが、これらに限定されない。これらの
半導体、金属や半導体の酸化物などの板または被膜の製
造方法としては、ＣＶＤ法、熱酸化法、スパッタリング
法、蒸着法などを挙げることができるが、これらに限定
されない。
なる板または被膜をいう。無機物としては、金属、半導
体、これらの酸化物などを挙げることができる。金属と
しては、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、クロ
ム、クロム合金、鉄、鉄合金、アルミニウムなどを挙げ
ることができるが、これらに限定されない。これらの金
属の板または被膜の製造方法としては、スパッタリング
法、蒸着法、電解メッキ法、無電解メッキ法、圧延法な
どを挙げることができるが、これらに限定されない。半
導体としてはケイ素、ゲルマニウムなどを挙げることが
できるが、これらに限定されない。金属や半導体の酸化
物としては、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素などを挙
げることができるが、これらに限定されない。これらの
半導体、金属や半導体の酸化物などの板または被膜の製
造方法としては、ＣＶＤ法、熱酸化法、スパッタリング
法、蒸着法などを挙げることができるが、これらに限定
されない。
【００１０】これらの無機薄膜は、シリコンウエハなど
の基板上に直接形成されたものであっても良いし、金属
層などが積層された上に形成されたものであっても良
い。
の基板上に直接形成されたものであっても良いし、金属
層などが積層された上に形成されたものであっても良
い。
【００１１】本発明における無機薄膜上に形成されたパ
ターン層としては、フォトレジストパターン、ポリイミ
ドパターン、金属パターン、半導体パターン、金属酸化
物パターン、半導体酸化物パターンなどを挙げることが
できるがこれらに限定されない。
ターン層としては、フォトレジストパターン、ポリイミ
ドパターン、金属パターン、半導体パターン、金属酸化
物パターン、半導体酸化物パターンなどを挙げることが
できるがこれらに限定されない。
【００１２】本発明におけるエッチングとは、エッチン
グ液を用いて行うウエットエッチングのことである。そ
のエッチング形式としては、特に限定されないが、ディ
ップエッチング、スプレーエッチングなどを挙げること
ができる。
グ液を用いて行うウエットエッチングのことである。そ
のエッチング形式としては、特に限定されないが、ディ
ップエッチング、スプレーエッチングなどを挙げること
ができる。
【００１３】本発明におけるエッチング液としては、フ
ッ化水素酸水溶液、塩化鉄(III) 水溶液、硫酸水溶液、
過硫酸アンモニウム水溶液、クロム酸水溶液、塩化銅(I
I)水溶液、塩素酸ナトリウム水溶液、およびこれらの水
溶液に他の化合物が添加されたものなどを挙げることが
できるが、これらに限定されない。また、市販のエッチ
ング液を使用することもでき、その具体的な例として
は、二酸化ケイ素のエッチング液である“ＬＡＬ１００
０”（橋本化成製）、“ＬＡＬ７００”（橋本化成
製）、“ＬＡＬ２００”（橋本化成製）などが挙げられ
る。
ッ化水素酸水溶液、塩化鉄(III) 水溶液、硫酸水溶液、
過硫酸アンモニウム水溶液、クロム酸水溶液、塩化銅(I
I)水溶液、塩素酸ナトリウム水溶液、およびこれらの水
溶液に他の化合物が添加されたものなどを挙げることが
できるが、これらに限定されない。また、市販のエッチ
ング液を使用することもでき、その具体的な例として
は、二酸化ケイ素のエッチング液である“ＬＡＬ１００
０”（橋本化成製）、“ＬＡＬ７００”（橋本化成
製）、“ＬＡＬ２００”（橋本化成製）などが挙げられ
る。
【００１４】本発明においては、初めにエッチング速度
の大きいエッチング液を用いてエッチングを行ない、つ
いで該エッチング液よりもエッチング速度の小さいエッ
チング液を用いてエッチングすることが重要である。
の大きいエッチング液を用いてエッチングを行ない、つ
いで該エッチング液よりもエッチング速度の小さいエッ
チング液を用いてエッチングすることが重要である。
【００１５】本発明におけるエッチング速度の大小は、
単位時間当たりにエッチング液により減少する無機薄膜
の厚みによって判断され、その厚みが大きいほどエッチ
ング速度の大きいエッチング液である。つまり、エッチ
ング速度の大小は絶対的なものではなく、２種以上のエ
ッチング液における相対的な大小を意味する。
単位時間当たりにエッチング液により減少する無機薄膜
の厚みによって判断され、その厚みが大きいほどエッチ
ング速度の大きいエッチング液である。つまり、エッチ
ング速度の大小は絶対的なものではなく、２種以上のエ
ッチング液における相対的な大小を意味する。
【００１６】エッチング速度の異なるエッチング液とし
ては、液組成の異なるもの、温度の異なるもの、あるい
はこれらのいずれもが異なるものなどがあげられる。こ
こで、液組成とは、溶質の種類や濃度などを表す。
ては、液組成の異なるもの、温度の異なるもの、あるい
はこれらのいずれもが異なるものなどがあげられる。こ
こで、液組成とは、溶質の種類や濃度などを表す。
【００１７】液組成の異なるエッチング液の例として
は、無機薄膜が二酸化ケイ素の場合、エッチング速度の
大きいエッチング液として“ＬＡＬ１０００”（橋本化
成製）（２５℃においておよそ０．１μｍ／ｍｉｎ）、
エッチング速度の小さいエッチング液として“ＬＡＬ３
００”（橋本化成製）（２５℃においておよそ０．０３
μｍ／ｍｉｎ）の組み合わせを挙げることができるが、
これに限定されない。
は、無機薄膜が二酸化ケイ素の場合、エッチング速度の
大きいエッチング液として“ＬＡＬ１０００”（橋本化
成製）（２５℃においておよそ０．１μｍ／ｍｉｎ）、
エッチング速度の小さいエッチング液として“ＬＡＬ３
００”（橋本化成製）（２５℃においておよそ０．０３
μｍ／ｍｉｎ）の組み合わせを挙げることができるが、
これに限定されない。
【００１８】温度の異なるエッチング液を用いる場合、
通常は、温度が高いエッチング液の方がエッチング速度
が大きいので、初めに高い温度のエッチング液を用いて
エッチングを行なった後、低い温度のエッチング液を用
いてエッチングすれば良い。その温度差としては、５〜
５０℃の範囲で選択することが好ましい。各エッチング
液は、公知の加熱手段、温度制御手段により所定の温度
に保持しておけば良い。
通常は、温度が高いエッチング液の方がエッチング速度
が大きいので、初めに高い温度のエッチング液を用いて
エッチングを行なった後、低い温度のエッチング液を用
いてエッチングすれば良い。その温度差としては、５〜
５０℃の範囲で選択することが好ましい。各エッチング
液は、公知の加熱手段、温度制御手段により所定の温度
に保持しておけば良い。
【００１９】エッチング速度の大きいエッチング液から
エッチング速度の小さいエッチング液へ切り替える方法
としては、ディップエッチングの場合、エッチング速度
の大きいエッチング液の槽からエッチング速度の小さい
エッチング液の槽へ基板を移せばよい、またスプレーエ
ッチングの場合、エッチング速度の大きいエッチング液
が供給されるノズルを、エッチング速度の小さいエッチ
ング液が供給されるノズルに切り替えればよいが、これ
らに限定されない。
エッチング速度の小さいエッチング液へ切り替える方法
としては、ディップエッチングの場合、エッチング速度
の大きいエッチング液の槽からエッチング速度の小さい
エッチング液の槽へ基板を移せばよい、またスプレーエ
ッチングの場合、エッチング速度の大きいエッチング液
が供給されるノズルを、エッチング速度の小さいエッチ
ング液が供給されるノズルに切り替えればよいが、これ
らに限定されない。
【００２０】エッチング速度の大きいエッチング液から
エッチング速度の小さいエッチング液へ切り替える時期
としては、特に限定されないが、好ましくは、無機薄膜
の膜厚が１μｍ以下になった時点であり、より好ましく
は０．５μｍ以下、さらに好ましくは０．２μｍ以下に
なった時点である。
エッチング速度の小さいエッチング液へ切り替える時期
としては、特に限定されないが、好ましくは、無機薄膜
の膜厚が１μｍ以下になった時点であり、より好ましく
は０．５μｍ以下、さらに好ましくは０．２μｍ以下に
なった時点である。
【００２１】エッチング時間としては、特に限定されな
いが、エッチング作業性、スループットの点から、エッ
チング時間の合計が、１〜２０分であることが好まし
く、より好ましくは３〜１５分であり、さらに好ましく
は４〜１０分である。
いが、エッチング作業性、スループットの点から、エッ
チング時間の合計が、１〜２０分であることが好まし
く、より好ましくは３〜１５分であり、さらに好ましく
は４〜１０分である。
【００２２】以上、２種のエッチング液を用いる場合に
ついて説明したが、３種以上のエッチング液を用いてエ
ッチング速度の大きいものから順にエッチングを行なっ
ても良い。
ついて説明したが、３種以上のエッチング液を用いてエ
ッチング速度の大きいものから順にエッチングを行なっ
ても良い。
【００２３】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらに限定されない。
るが、本発明はこれらに限定されない。
【００２４】実施例１ 熱酸化法により０．４μｍの二酸化ケイ素薄膜が形成さ
れた４インチシリコンウエハ上に、フォトレジスト“Ｏ
ＭＲ−８５”（東京応化製）を塗布し、１１５℃、２分
間ホットプレートを用いプリベークを行い、１０μｍの
フォトレジスト被膜を形成した。ついで、露光機“ＰＬ
Ａ５０１Ｆ”（キャノン製）に、パターンの切られたマ
スクをセットし、露光量２０mJ／cm2 で露光を行った。
得られた露光済みウエハを、専用現像液（東京応化製）
で現像し、フォトレジストパターンを形成した。続いて
ウエハを１４０℃で３０分間ポストベークした後、二酸
化ケイ素用エッチング液“ＬＡＬ１０００”（橋本化成
製）の入ったエッチング槽に約３分間浸漬し、続いて
“ＬＡＬ１０００”よりもエッチング速度の小さい二酸
化ケイ素用エッチング液“ＬＡＬ３００”（橋本化成
製）の入ったエッチング槽にウエハを移し替え、３０μ
ｍの抜きのパターンが開孔するまで、フォトレジストパ
ターンをマスクとして二酸化ケイ素薄膜をエッチングし
た。その後水洗および乾燥したのち、光学顕微鏡を用
い、パターンの観察を行った。その結果、エッチングに
要した時間は全体で約７分と短く、サイドエッチングの
無い良好な二酸化ケイ素パターンを得た。
れた４インチシリコンウエハ上に、フォトレジスト“Ｏ
ＭＲ−８５”（東京応化製）を塗布し、１１５℃、２分
間ホットプレートを用いプリベークを行い、１０μｍの
フォトレジスト被膜を形成した。ついで、露光機“ＰＬ
Ａ５０１Ｆ”（キャノン製）に、パターンの切られたマ
スクをセットし、露光量２０mJ／cm2 で露光を行った。
得られた露光済みウエハを、専用現像液（東京応化製）
で現像し、フォトレジストパターンを形成した。続いて
ウエハを１４０℃で３０分間ポストベークした後、二酸
化ケイ素用エッチング液“ＬＡＬ１０００”（橋本化成
製）の入ったエッチング槽に約３分間浸漬し、続いて
“ＬＡＬ１０００”よりもエッチング速度の小さい二酸
化ケイ素用エッチング液“ＬＡＬ３００”（橋本化成
製）の入ったエッチング槽にウエハを移し替え、３０μ
ｍの抜きのパターンが開孔するまで、フォトレジストパ
ターンをマスクとして二酸化ケイ素薄膜をエッチングし
た。その後水洗および乾燥したのち、光学顕微鏡を用
い、パターンの観察を行った。その結果、エッチングに
要した時間は全体で約７分と短く、サイドエッチングの
無い良好な二酸化ケイ素パターンを得た。
【００２５】比較例１ 実施例１において、ポストベークした後、二酸化ケイ素
用エッチング液“ＬＡＬ１０００”（橋本化成製）のみ
で二酸化ケイ素薄膜をエッチングしたこと以外は全く実
施例１と同様にして二酸化ケイ素パターンを得た。その
結果、エッチングに要した時間は全体で約４．５分と短
かったが、二酸化ケイ素パターンにおいてサイドエッチ
ングが観察された。
用エッチング液“ＬＡＬ１０００”（橋本化成製）のみ
で二酸化ケイ素薄膜をエッチングしたこと以外は全く実
施例１と同様にして二酸化ケイ素パターンを得た。その
結果、エッチングに要した時間は全体で約４．５分と短
かったが、二酸化ケイ素パターンにおいてサイドエッチ
ングが観察された。
【００２６】比較例２ 実施例１において、ポストベークした後、二酸化ケイ素
用エッチング液“ＬＡＬ３００”（橋本化成製）のみで
二酸化ケイ素薄膜をエッチングしたこと以外は全く実施
例１と同様にして二酸化ケイ素パターンを得た。その結
果、二酸化ケイ素パターンにおいてサイドエッチングは
観察されなかったが、エッチングに要した時間は約１７
分と、極めて長時間を要した。
用エッチング液“ＬＡＬ３００”（橋本化成製）のみで
二酸化ケイ素薄膜をエッチングしたこと以外は全く実施
例１と同様にして二酸化ケイ素パターンを得た。その結
果、二酸化ケイ素パターンにおいてサイドエッチングは
観察されなかったが、エッチングに要した時間は約１７
分と、極めて長時間を要した。
【００２７】実施例２ 熱酸化法により０．６μｍの二酸化ケイ素薄膜が形成さ
れた４インチシリコンウエハ上に、フォトレジスト“Ｏ
ＭＲ−８５”（東京応化製）を塗布し、１１５℃、２分
間ホットプレートを用いプリベークを行い、１０μｍの
フォトレジスト被膜を形成した。ついで、露光機“ＰＬ
Ａ５０１Ｆ”（キャノン製）に、パターンの切られたマ
スクをセットし、露光量２０mJ／cm2 で露光を行った。
得られた露光済みウエハを、専用現像液（東京応化製）
で現像し、フォトレジストパターンを形成した。続いて
ウエハを１４０℃で３０分間ポストベークした後、二酸
化ケイ素用エッチング液“ＬＡＬ１０００”（橋本化成
製）の入ったエッチング槽に約５．５分間浸漬し、続い
て“ＬＡＬ１０００”よりもエッチング速度の小さい二
酸化ケイ素用エッチング液“ＬＡＬ３００”（橋本化成
製）の入ったエッチング槽にウエハを移し替え、３０μ
ｍの抜きのパターンが開孔するまで、フォトレジストパ
ターンをマスクとして二酸化ケイ素薄膜をエッチングし
た。その後水洗および乾燥したのち、光学顕微鏡を用
い、パターンの観察を行った。その結果、エッチングに
要した時間は全体で約８分と短く、サイドエッチングの
無い良好な二酸化ケイ素パターンを得た。
れた４インチシリコンウエハ上に、フォトレジスト“Ｏ
ＭＲ−８５”（東京応化製）を塗布し、１１５℃、２分
間ホットプレートを用いプリベークを行い、１０μｍの
フォトレジスト被膜を形成した。ついで、露光機“ＰＬ
Ａ５０１Ｆ”（キャノン製）に、パターンの切られたマ
スクをセットし、露光量２０mJ／cm2 で露光を行った。
得られた露光済みウエハを、専用現像液（東京応化製）
で現像し、フォトレジストパターンを形成した。続いて
ウエハを１４０℃で３０分間ポストベークした後、二酸
化ケイ素用エッチング液“ＬＡＬ１０００”（橋本化成
製）の入ったエッチング槽に約５．５分間浸漬し、続い
て“ＬＡＬ１０００”よりもエッチング速度の小さい二
酸化ケイ素用エッチング液“ＬＡＬ３００”（橋本化成
製）の入ったエッチング槽にウエハを移し替え、３０μ
ｍの抜きのパターンが開孔するまで、フォトレジストパ
ターンをマスクとして二酸化ケイ素薄膜をエッチングし
た。その後水洗および乾燥したのち、光学顕微鏡を用
い、パターンの観察を行った。その結果、エッチングに
要した時間は全体で約８分と短く、サイドエッチングの
無い良好な二酸化ケイ素パターンを得た。
【００２８】比較例３ 実施例１において、ポストベークした後、二酸化ケイ素
用エッチング液“ＬＡＬ１０００”（橋本化成製）のみ
で二酸化ケイ素薄膜をエッチングしたこと以外は全く実
施例１と同様にして二酸化ケイ素パターンを得た。その
結果、エッチングに要した時間は全体で約７分と短かっ
たが、二酸化ケイ素パターンにおいてサイドエッチング
が観察された。
用エッチング液“ＬＡＬ１０００”（橋本化成製）のみ
で二酸化ケイ素薄膜をエッチングしたこと以外は全く実
施例１と同様にして二酸化ケイ素パターンを得た。その
結果、エッチングに要した時間は全体で約７分と短かっ
たが、二酸化ケイ素パターンにおいてサイドエッチング
が観察された。
【００２９】比較例４ 実施例１において、ポストベークした後、二酸化ケイ素
用エッチング液“ＬＡＬ３００”（橋本化成製）のみで
二酸化ケイ素薄膜をエッチングしたこと以外は全く実施
例１と同様にして二酸化ケイ素パターンを得た。その結
果、二酸化ケイ素パターンにおいてサイドエッチングは
観察されなかったが、エッチングに要した時間は約２５
分と、極めて長時間を要した。
用エッチング液“ＬＡＬ３００”（橋本化成製）のみで
二酸化ケイ素薄膜をエッチングしたこと以外は全く実施
例１と同様にして二酸化ケイ素パターンを得た。その結
果、二酸化ケイ素パターンにおいてサイドエッチングは
観察されなかったが、エッチングに要した時間は約２５
分と、極めて長時間を要した。
【００３０】実施例３ ４インチシリコンウエハ上にスパッタリングにより０．
５μｍのクロム薄膜を形成し、続いて４μｍの銅薄膜を
形成した。次に実施例１と同様に、フォトレジスト被膜
形成、露光、現像を行いフォトレジストパターンを形成
した。続いてウエハを実施例１と同様にポストベークし
た後、５％の過硫酸アンモニウム水溶液に約３分間浸漬
し、続いて１％の過硫酸アンモニウム水溶液の入ったエ
ッチング層にウエハを移し替え、３０μｍの抜きのパタ
ーンが開孔するまで、フォトレジストパターンをマスク
として銅薄膜をエッチングした。その後水洗および乾燥
したのち、光学顕微鏡を用い、パターンの観察を行っ
た。その結果、エッチングに要した時間は全体で約６分
と短く、サイドエッチの無い良好な銅パターンを得た。
５μｍのクロム薄膜を形成し、続いて４μｍの銅薄膜を
形成した。次に実施例１と同様に、フォトレジスト被膜
形成、露光、現像を行いフォトレジストパターンを形成
した。続いてウエハを実施例１と同様にポストベークし
た後、５％の過硫酸アンモニウム水溶液に約３分間浸漬
し、続いて１％の過硫酸アンモニウム水溶液の入ったエ
ッチング層にウエハを移し替え、３０μｍの抜きのパタ
ーンが開孔するまで、フォトレジストパターンをマスク
として銅薄膜をエッチングした。その後水洗および乾燥
したのち、光学顕微鏡を用い、パターンの観察を行っ
た。その結果、エッチングに要した時間は全体で約６分
と短く、サイドエッチの無い良好な銅パターンを得た。
【００３１】比較例５ 実施例３において、５％の過硫酸アンモニウム水溶液の
みでエッチングを行ったこと以外は全く実施例３と同様
にして銅パターンを得た。その結果、エッチングに要し
た時間は全体で約４分と短かったが、銅パターンにおい
てサイドエッチングが観察された。
みでエッチングを行ったこと以外は全く実施例３と同様
にして銅パターンを得た。その結果、エッチングに要し
た時間は全体で約４分と短かったが、銅パターンにおい
てサイドエッチングが観察された。
【００３２】実施例４ 熱酸化法により０．４μｍの二酸化ケイ素薄膜が形成さ
れた４インチシリコンウエハ上に、フォトレジスト“Ｏ
ＭＲ−８５”（東京応化製）を塗布し、１１５℃、２分
間ホットプレートを用いプリベークを行い、１０μｍの
フォトレジスト被膜を形成した。ついで、露光機“ＰＬ
Ａ５０１Ｆ”（キャノン製）に、パターンの切られたマ
スクをセットし、露光量２０mJ／cm2 で露光を行った。
得られた露光済みウエハを、専用現像液（東京応化製）
で現像し、フォトレジストパターンを形成した。続いて
ウエハを１４０℃で３０分間ポストベークした後、４０
℃の二酸化ケイ素用エッチング液“ＬＡＬ３００”（橋
本化成製）の入ったエッチング槽に約７分間浸漬し、続
いて２５℃の二酸化ケイ素用エッチング液“ＬＡＬ３０
０”の入ったエッチング槽にウエハを移し替え、３０μ
ｍの抜きのパターンが開孔するまで、フォトレジストパ
ターンをマスクとして二酸化ケイ素薄膜をエッチングし
た。その後水洗および乾燥したのち、光学顕微鏡を用
い、パターンの観察を行った。その結果、エッチングに
要した時間は全体で約１０分と短く、サイドエッチング
の無い良好な二酸化ケイ素パターンを得た。
れた４インチシリコンウエハ上に、フォトレジスト“Ｏ
ＭＲ−８５”（東京応化製）を塗布し、１１５℃、２分
間ホットプレートを用いプリベークを行い、１０μｍの
フォトレジスト被膜を形成した。ついで、露光機“ＰＬ
Ａ５０１Ｆ”（キャノン製）に、パターンの切られたマ
スクをセットし、露光量２０mJ／cm2 で露光を行った。
得られた露光済みウエハを、専用現像液（東京応化製）
で現像し、フォトレジストパターンを形成した。続いて
ウエハを１４０℃で３０分間ポストベークした後、４０
℃の二酸化ケイ素用エッチング液“ＬＡＬ３００”（橋
本化成製）の入ったエッチング槽に約７分間浸漬し、続
いて２５℃の二酸化ケイ素用エッチング液“ＬＡＬ３０
０”の入ったエッチング槽にウエハを移し替え、３０μ
ｍの抜きのパターンが開孔するまで、フォトレジストパ
ターンをマスクとして二酸化ケイ素薄膜をエッチングし
た。その後水洗および乾燥したのち、光学顕微鏡を用
い、パターンの観察を行った。その結果、エッチングに
要した時間は全体で約１０分と短く、サイドエッチング
の無い良好な二酸化ケイ素パターンを得た。
【００３３】比較例６ 実施例４において、ポストベークした後、２５℃の二酸
化ケイ素用エッチング液“ＬＡＬ１０００”（橋本化成
製）のみで二酸化ケイ素薄膜をエッチングしたこと以外
は全く実施例１と同様にして二酸化ケイ素パターンを得
た。その結果、エッチングに要した時間は全体で約７分
と短かったが、二酸化ケイ素パターンにおいてサイドエ
ッチングが観察された。
化ケイ素用エッチング液“ＬＡＬ１０００”（橋本化成
製）のみで二酸化ケイ素薄膜をエッチングしたこと以外
は全く実施例１と同様にして二酸化ケイ素パターンを得
た。その結果、エッチングに要した時間は全体で約７分
と短かったが、二酸化ケイ素パターンにおいてサイドエ
ッチングが観察された。
【００３４】比較例７ 実施例４において、ポストベークした後、２５℃の二酸
化ケイ素用エッチング液“ＬＡＬ３００”（橋本化成
製）のみで二酸化ケイ素薄膜をエッチングしたこと以外
は全く実施例１と同様にして二酸化ケイ素パターンを得
た。その結果、二酸化ケイ素パターンにおいてサイドエ
ッチングは観察されなかったが、エッチングに要した時
間は約１７分と、極めて長時間を要した。
化ケイ素用エッチング液“ＬＡＬ３００”（橋本化成
製）のみで二酸化ケイ素薄膜をエッチングしたこと以外
は全く実施例１と同様にして二酸化ケイ素パターンを得
た。その結果、二酸化ケイ素パターンにおいてサイドエ
ッチングは観察されなかったが、エッチングに要した時
間は約１７分と、極めて長時間を要した。
【００３５】比較例８ 実施例４において、ポストベークした後、４０℃の二酸
化ケイ素用エッチング液“ＬＡＬ３００”（橋本化成
製）のみで二酸化ケイ素薄膜をエッチングしたこと以外
は全く実施例１と同様にして二酸化ケイ素パターンを得
た。その結果、エッチングに要した時間は約８分と短か
かったが、二酸化ケイ素パターンにおいてサイドエッチ
ングが観察された。
化ケイ素用エッチング液“ＬＡＬ３００”（橋本化成
製）のみで二酸化ケイ素薄膜をエッチングしたこと以外
は全く実施例１と同様にして二酸化ケイ素パターンを得
た。その結果、エッチングに要した時間は約８分と短か
かったが、二酸化ケイ素パターンにおいてサイドエッチ
ングが観察された。
【００３６】実施例５ ４インチシリコンウエハ上にスパッタリングにより０．
５μｍのクロム薄膜を形成し、続いて４μｍの銅薄膜を
形成した。次に実施例１と同様に、フォトレジスト被膜
形成、露光、現像を行いフォトレジストパターンを形成
した。続いてウエハを実施例１と同様にポストベークし
た後、４０℃の１％過硫酸アンモニウム水溶液に約２分
間浸し、続いて２５℃の１％過硫酸アンモニウム水溶液
の入ったエッチング層にウエハーを移し替え、３０μｍ
の抜きのパターンが開孔するまで、フォトレジストパタ
ーンをマスクとして銅薄膜をエッチングした。その後水
洗および乾燥したのち、光学顕微鏡を用い、パターンの
観察を行った。その結果、エッチングに要した時間は全
体で約５分と短く、サイドエッチングの無い良好な銅パ
ターンを得た。
５μｍのクロム薄膜を形成し、続いて４μｍの銅薄膜を
形成した。次に実施例１と同様に、フォトレジスト被膜
形成、露光、現像を行いフォトレジストパターンを形成
した。続いてウエハを実施例１と同様にポストベークし
た後、４０℃の１％過硫酸アンモニウム水溶液に約２分
間浸し、続いて２５℃の１％過硫酸アンモニウム水溶液
の入ったエッチング層にウエハーを移し替え、３０μｍ
の抜きのパターンが開孔するまで、フォトレジストパタ
ーンをマスクとして銅薄膜をエッチングした。その後水
洗および乾燥したのち、光学顕微鏡を用い、パターンの
観察を行った。その結果、エッチングに要した時間は全
体で約５分と短く、サイドエッチングの無い良好な銅パ
ターンを得た。
【００３７】比較例９ 実施例５において、ポストベークした後、４０℃の１％
過硫酸アンモニウム水溶液のみで銅薄膜をエッチングし
たこと以外は全く実施例３と同様にして銅パターンを得
た。その結果、エッチングに要した時間は全体で約３分
と短かかったが、銅パターンにおいてサイドエッチング
が観察された。
過硫酸アンモニウム水溶液のみで銅薄膜をエッチングし
たこと以外は全く実施例３と同様にして銅パターンを得
た。その結果、エッチングに要した時間は全体で約３分
と短かかったが、銅パターンにおいてサイドエッチング
が観察された。
【００３８】
【発明の効果】無機薄膜のエッチングにおいて、無機薄
膜の膜厚が厚い場合にも、エッチング時間が短く、しか
もサイドエッチングの程度が少ない良好なエッチングパ
ターンを得ることができるという顕著な実用効果を奏す
るものである。
膜の膜厚が厚い場合にも、エッチング時間が短く、しか
もサイドエッチングの程度が少ない良好なエッチングパ
ターンを得ることができるという顕著な実用効果を奏す
るものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｋ 6921−4Ｅ 3/06 Ｄ 9443−4Ｅ Ａ 9443−4Ｅ Ｐ 9443−4Ｅ
Claims (6)
- 【請求項１】無機薄膜を該無機薄膜上に形成されたパタ
ーン層をマスクとしてエッチングするに際して、初めに
エッチング速度の大きいエッチング液を用いてエッチン
グを行ない、ついで該エッチング液よりもエッチング速
度の小さいエッチング液を用いてエッチングすることを
特徴とする無機薄膜のエッチング方法。 - 【請求項２】エッチング速度の小さいエッチング液とし
て、エッチング速度の大きいエッチング液と液組成の異
なるエッチング液を用いることを特徴とする請求項１記
載の無機薄膜のエッチング方法。 - 【請求項３】エッチング速度の小さいエッチング液とし
て、エッチング速度の大きいエッチング液と温度の異な
るエッチング液を用いることを特徴とする請求項１記載
の無機薄膜のエッチング方法。 - 【請求項４】無機薄膜の膜厚が１μｍ以下になるまでエ
ッチング速度の大きいエッチング液を用いてエッチング
を行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載
の無機薄膜のエッチング方法。 - 【請求項５】無機薄膜が二酸化ケイ素であることを特徴
とする請求項１〜４のいずれかに記載の無機薄膜のエッ
チング方法。 - 【請求項６】無機薄膜が銅であることを特徴とする請求
項１〜４のいずれかに記載の無機薄膜のエッチング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16447993A JPH0722383A (ja) | 1993-07-02 | 1993-07-02 | 無機薄膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16447993A JPH0722383A (ja) | 1993-07-02 | 1993-07-02 | 無機薄膜のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722383A true JPH0722383A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15793961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16447993A Pending JPH0722383A (ja) | 1993-07-02 | 1993-07-02 | 無機薄膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722383A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5858257A (en) * | 1995-11-28 | 1999-01-12 | International Business Machines Corporation | Method for wet etching and device used therein |
| JP2005120477A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-05-12 | Asml Holding Nv | フッ化カルシウム物上に堆積されたクロムのエッチング方法 |
| JP2016219449A (ja) * | 2015-05-14 | 2016-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
| WO2017169155A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
| CN111607794A (zh) * | 2020-06-17 | 2020-09-01 | 宁波福至新材料有限公司 | 一种提高金属产品蚀刻质量的方法 |
-
1993
- 1993-07-02 JP JP16447993A patent/JPH0722383A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5858257A (en) * | 1995-11-28 | 1999-01-12 | International Business Machines Corporation | Method for wet etching and device used therein |
| JP2005120477A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-05-12 | Asml Holding Nv | フッ化カルシウム物上に堆積されたクロムのエッチング方法 |
| JP2016219449A (ja) * | 2015-05-14 | 2016-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
| WO2017169155A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
| CN108885988A (zh) * | 2016-03-31 | 2018-11-23 | 东京毅力科创株式会社 | 基片液处理装置、基片液处理方法和存储有基片液处理程序的计算机可读存储介质 |
| JPWO2017169155A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2019-02-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
| US11024507B2 (en) | 2016-03-31 | 2021-06-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-redable storage medium having substrate liquid processing program stored therein |
| CN108885988B (zh) * | 2016-03-31 | 2023-09-01 | 东京毅力科创株式会社 | 基片液处理装置、基片液处理方法和存储有基片液处理程序的计算机可读存储介质 |
| CN111607794A (zh) * | 2020-06-17 | 2020-09-01 | 宁波福至新材料有限公司 | 一种提高金属产品蚀刻质量的方法 |
| CN111607794B (zh) * | 2020-06-17 | 2022-05-27 | 宁波福至新材料有限公司 | 一种提高金属产品蚀刻质量的方法 |
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