JPH0722386A - 枚葉式ドライエッチング装置及びそれを用いた半導体装 置の製造方法 - Google Patents
枚葉式ドライエッチング装置及びそれを用いた半導体装 置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0722386A JPH0722386A JP14414393A JP14414393A JPH0722386A JP H0722386 A JPH0722386 A JP H0722386A JP 14414393 A JP14414393 A JP 14414393A JP 14414393 A JP14414393 A JP 14414393A JP H0722386 A JPH0722386 A JP H0722386A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- wafer
- condition
- dry etching
- same
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- Withdrawn
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- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 40
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】枚葉式ドライエッチング装置においてウェハー
処理枚数初期に見られるエッチング特性の変動を抑え
る。 【構成】ウェハー処理枚数に応じたエッチング条件を設
定できる装置を用い、ウェハー処理枚数初期でエッチン
グ特性が変動する場合にエッチング特性が同一となる様
な条件でエッチングを行う事によりその変動を抑え、エ
ッチング特性の安定性を向上する。
処理枚数初期に見られるエッチング特性の変動を抑え
る。 【構成】ウェハー処理枚数に応じたエッチング条件を設
定できる装置を用い、ウェハー処理枚数初期でエッチン
グ特性が変動する場合にエッチング特性が同一となる様
な条件でエッチングを行う事によりその変動を抑え、エ
ッチング特性の安定性を向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はドライエッチング装置に
関し、特に枚葉式ドライエッチング装置及びそれを用い
た半導体装置の製造方法に関する。
関し、特に枚葉式ドライエッチング装置及びそれを用い
た半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の枚葉式ドライエッチング装置は図
３に示す様にチャンバー内に冷却水１で温調された上部
電極２及び下部電極３を有している。下部電極３にウェ
ハー４をのせ真空排気５を行い、ガス６を流し、ある圧
力にコントロールして高周波電源７より電圧を印加しプ
ラズマ８を発生させエッチングを行っている。
３に示す様にチャンバー内に冷却水１で温調された上部
電極２及び下部電極３を有している。下部電極３にウェ
ハー４をのせ真空排気５を行い、ガス６を流し、ある圧
力にコントロールして高周波電源７より電圧を印加しプ
ラズマ８を発生させエッチングを行っている。
【０００３】又、エッチング条件としては図４に示す様
に１枚目から２５枚目迄１つのエッチング条件でエッチ
ングを行っている。
に１枚目から２５枚目迄１つのエッチング条件でエッチ
ングを行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の枚葉式エッ
チング装置では図４に示す様に１枚目から２５枚目迄１
つのエッチング条件でエッチングを行っている為にウェ
ハー処理枚数が１枚目から２枚目で上部及び下部電極温
度の影響により図５に示す様にエッチングレートが変動
し、ウェハー間均一性が悪くなるといった問題点があっ
た。
チング装置では図４に示す様に１枚目から２５枚目迄１
つのエッチング条件でエッチングを行っている為にウェ
ハー処理枚数が１枚目から２枚目で上部及び下部電極温
度の影響により図５に示す様にエッチングレートが変動
し、ウェハー間均一性が悪くなるといった問題点があっ
た。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の枚葉式ドライエ
ッチング装置は処理枚数初期でエッチングレートの変動
を抑える為に、ウェハー処理枚数に応じたエッチング条
件を設定できる機能を備えている。
ッチング装置は処理枚数初期でエッチングレートの変動
を抑える為に、ウェハー処理枚数に応じたエッチング条
件を設定できる機能を備えている。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００７】図１（ａ）は本発明の一実施例のブロック
図である。図１（ａ）においてエッイング条件Ａは、ウ
ェハー処理枚数初期に条件Ｂと同じエッチングレートが
得られる条件である。エッチング装置は図１（ｂ）に示
す装置を用いる。ウェハー処理枚数初期でエッチングレ
ートが高い１枚目ではパワーを下げた条件Ａにてエッチ
ングを行い、エッチングレートが安定する２枚目以降で
は条件Ｂでエッチングを行う。
図である。図１（ａ）においてエッイング条件Ａは、ウ
ェハー処理枚数初期に条件Ｂと同じエッチングレートが
得られる条件である。エッチング装置は図１（ｂ）に示
す装置を用いる。ウェハー処理枚数初期でエッチングレ
ートが高い１枚目ではパワーを下げた条件Ａにてエッチ
ングを行い、エッチングレートが安定する２枚目以降で
は条件Ｂでエッチングを行う。
【０００８】次に本発明の第２の実施例について説明す
る。エッチングは上記と同じ装置にて行う。処理枚数１
枚目及び２枚目，３枚目の寸法の変動を抑える為に処理
枚数１枚目，２枚目，３枚目のエッチング条件の圧力を
下げた条件Ａ，条件Ｂ，条件Ｃでエッチングを行う。
る。エッチングは上記と同じ装置にて行う。処理枚数１
枚目及び２枚目，３枚目の寸法の変動を抑える為に処理
枚数１枚目，２枚目，３枚目のエッチング条件の圧力を
下げた条件Ａ，条件Ｂ，条件Ｃでエッチングを行う。
【０００９】
【発明の効果】以上説明した様に本発明はエッチング特
性の変動が発生する処理枚数初期はエッチング特性が同
一となる様な条件でエッチングを行う様にしたので図２
に示す様にエッチングレート均一性が１６％から７％へ
又、寸法均一性が９％から４％へ改善されるという効果
を有する。
性の変動が発生する処理枚数初期はエッチング特性が同
一となる様な条件でエッチングを行う様にしたので図２
に示す様にエッチングレート均一性が１６％から７％へ
又、寸法均一性が９％から４％へ改善されるという効果
を有する。
【図１】（ａ）本発明のエッチング方法のブロック図。
（ｂ）本発明に用いる枚葉式ドライエッチング装置断面
図。
（ｂ）本発明に用いる枚葉式ドライエッチング装置断面
図。
【図２】本発明による効果の特性図。
【図３】従来の枚葉式ドラエッチング装置断面図。
【図４】従来のエッチング方法のブロック図。
【図５】従来のエッチング方法によるエッチレート特性
図。
図。
１ 冷却水 ２ 上部電極 ３ 下部電極 ４ ウェハー ５ 真空排気 ６ ガス ７ 高周波電源 ８ プラズマ
Claims (2)
- 【請求項１】 枚葉式ドライエッチング装置において、
ウェハー処理枚数に応じたエッチング条件を設定できる
機能を備える事を特徴とする枚葉式ドライエッチング装
置。 - 【請求項２】 上記請求項１の機能を用いてエッチング
処理順の初期に見られるエッチング特性の変動を抑える
事を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14414393A JPH0722386A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 枚葉式ドライエッチング装置及びそれを用いた半導体装 置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14414393A JPH0722386A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 枚葉式ドライエッチング装置及びそれを用いた半導体装 置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722386A true JPH0722386A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15355229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14414393A Withdrawn JPH0722386A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 枚葉式ドライエッチング装置及びそれを用いた半導体装 置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722386A (ja) |
-
1993
- 1993-06-16 JP JP14414393A patent/JPH0722386A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |