JPH0722462A - 半導体パッケージ - Google Patents
半導体パッケージInfo
- Publication number
- JPH0722462A JPH0722462A JP3280727A JP28072791A JPH0722462A JP H0722462 A JPH0722462 A JP H0722462A JP 3280727 A JP3280727 A JP 3280727A JP 28072791 A JP28072791 A JP 28072791A JP H0722462 A JPH0722462 A JP H0722462A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- leads
- resin
- lead
- gap
- semiconductor package
- Prior art date
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フィルム基材及び多数のリードを樹脂モール
ドした際に、モールド金型により挟み込まれる各リード
間の間隙における樹脂漏れを、型締め圧力の微妙かつ厳
密な調整等を行うことなく防止できるようにする。 【構成】 多数のリード３の一端に接続される半導体チ
ップを含めてフィルム基材２（サポートリング７）及び
各リード３が境界Ｐまで樹脂モールドされる。境界Ｐを
含みかつモールド金型により挟み込まれるフィルム基材
２（サポートリング７）及び各リード３の領域ＰＱにお
いて、各リード３間の間隙３８に狭窄部分１５を設け
る。この狭窄部分１５によって各リード３間の間隙３８
における樹脂漏れ３９が防止される。
ドした際に、モールド金型により挟み込まれる各リード
間の間隙における樹脂漏れを、型締め圧力の微妙かつ厳
密な調整等を行うことなく防止できるようにする。 【構成】 多数のリード３の一端に接続される半導体チ
ップを含めてフィルム基材２（サポートリング７）及び
各リード３が境界Ｐまで樹脂モールドされる。境界Ｐを
含みかつモールド金型により挟み込まれるフィルム基材
２（サポートリング７）及び各リード３の領域ＰＱにお
いて、各リード３間の間隙３８に狭窄部分１５を設け
る。この狭窄部分１５によって各リード３間の間隙３８
における樹脂漏れ３９が防止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばＴＡＢ方式パッ
ケージとして最適な半導体パッケージに係り、絶縁性フ
ィルム基材とこのフィルム基材上に形成された多数の導
電性リードとからなるフィルムキャリヤを用いた半導体
パッケージに関する。
ケージとして最適な半導体パッケージに係り、絶縁性フ
ィルム基材とこのフィルム基材上に形成された多数の導
電性リードとからなるフィルムキャリヤを用いた半導体
パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ化実装技術のなかで、特に多リード
化・小形高密度化の顕著なものとして、ＴＡＢ（Tape A
utomated Bonding）がある。
化・小形高密度化の顕著なものとして、ＴＡＢ（Tape A
utomated Bonding）がある。
【０００３】このＴＡＢは、例えば、図４に示すよう
に、フィルムキャリヤ１にＩＣチップ１０を実装するも
のである。フィルムキャリヤ１は、長尺テープ状のフィ
ルム基材２と、このフィルム基材２上に形成された多数
（例えば２００本程度）のリード３とによって構成され
ている。フィルム基材２にはデバイス孔４とアウターリ
ード孔５とスプロケット孔６とが形成され、デバイス孔
４とアウターリード孔５との間にはサポートリング７が
残存されている。各リード３は、デバイス孔４内に突出
されたインナーリード部８と、アウターリード孔５に架
橋されたアウターリード部９とに分別されている。
に、フィルムキャリヤ１にＩＣチップ１０を実装するも
のである。フィルムキャリヤ１は、長尺テープ状のフィ
ルム基材２と、このフィルム基材２上に形成された多数
（例えば２００本程度）のリード３とによって構成され
ている。フィルム基材２にはデバイス孔４とアウターリ
ード孔５とスプロケット孔６とが形成され、デバイス孔
４とアウターリード孔５との間にはサポートリング７が
残存されている。各リード３は、デバイス孔４内に突出
されたインナーリード部８と、アウターリード孔５に架
橋されたアウターリード部９とに分別されている。
【０００４】なお、フィルム基材２にはポリイミド樹脂
等の可撓性かつ絶縁性を有するフィルム材が用いられ、
そのフィルム基材２に上記各孔４、５、６等をパンチン
グした後、導電性金属材料例えばＣｕ箔をラミネートし
て所定パターンとなるようにフォトエッチングすること
によって、各リード３が一括して形成される。
等の可撓性かつ絶縁性を有するフィルム材が用いられ、
そのフィルム基材２に上記各孔４、５、６等をパンチン
グした後、導電性金属材料例えばＣｕ箔をラミネートし
て所定パターンとなるようにフォトエッチングすること
によって、各リード３が一括して形成される。
【０００５】そして、ＩＣチップ１０の上面に形成され
た多数の電極が各インナーリード部８に一括ボンディン
グされることによって、そのＩＣチップ１０が各インナ
ーリード部８に電気的に接続されかつ機械的に保持され
る。
た多数の電極が各インナーリード部８に一括ボンディン
グされることによって、そのＩＣチップ１０が各インナ
ーリード部８に電気的に接続されかつ機械的に保持され
る。
【０００６】次に、図５に示すように、モールド金型２
０を用いるトランスファ・モールド法によって、ＩＣチ
ップ１０を含めて各リード３及びサポートリング７が所
定位置である境界Ｐまで樹脂モールドされる。
０を用いるトランスファ・モールド法によって、ＩＣチ
ップ１０を含めて各リード３及びサポートリング７が所
定位置である境界Ｐまで樹脂モールドされる。
【０００７】モールド金型２０は上型２１と下型２２と
によって構成されている。上型２１の下面及び下型２２
の上面はそれぞれ平坦な挟持面２３、２４となってお
り、この挟持面２３、２４の内方にはほぼ正方形状の凹
部からなるキャビティ２５、２６が形成されている。な
お挟持面２４の内周部分には、サポートリング７に対応
する段差挟持面２７が形成されている。
によって構成されている。上型２１の下面及び下型２２
の上面はそれぞれ平坦な挟持面２３、２４となってお
り、この挟持面２３、２４の内方にはほぼ正方形状の凹
部からなるキャビティ２５、２６が形成されている。な
お挟持面２４の内周部分には、サポートリング７に対応
する段差挟持面２７が形成されている。
【０００８】そして、境界Ｐとサポートリング７の外縁
（アウターリード孔５側）である境界Ｑとの間の領域Ｐ
Ｑにおいて、各リード３及びサポートリング７が挟持面
２３及び段差挟持面２７によって挟み込まれ、境界Ｑの
外側の領域において、各アウターリード部９が挟持面２
３及び挟持面２４によって挟み込まれる。そして、エポ
キシ、シリコーン等の溶融樹脂がキャビティ２５、２６
内に注入されて、樹脂モールド３７が成形される。
（アウターリード孔５側）である境界Ｑとの間の領域Ｐ
Ｑにおいて、各リード３及びサポートリング７が挟持面
２３及び段差挟持面２７によって挟み込まれ、境界Ｑの
外側の領域において、各アウターリード部９が挟持面２
３及び挟持面２４によって挟み込まれる。そして、エポ
キシ、シリコーン等の溶融樹脂がキャビティ２５、２６
内に注入されて、樹脂モールド３７が成形される。
【０００９】これによって、ＩＣチップ１０が樹脂モー
ルド３７により樹脂封止され、かつ各リード３（各アウ
ターリード部９）が樹脂モールド３７から突出された半
導体パッケージ４０が完成する。そして、各アウターリ
ード部９が先端部でフィルム基材２から切断され、各ア
ウターリード部９がガルウイング化用金型によりガルウ
イング状に成形されて、或いはそのままの状態で、それ
ら各アウターリード部９がプリント基板等の配線パター
ンにボンディングされる。
ルド３７により樹脂封止され、かつ各リード３（各アウ
ターリード部９）が樹脂モールド３７から突出された半
導体パッケージ４０が完成する。そして、各アウターリ
ード部９が先端部でフィルム基材２から切断され、各ア
ウターリード部９がガルウイング化用金型によりガルウ
イング状に成形されて、或いはそのままの状態で、それ
ら各アウターリード部９がプリント基板等の配線パター
ンにボンディングされる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たようなＴＡＢ方式の半導体パッケージ４０において
は、各リード３の狭ピッチ化が図られているので、モー
ルド金型２０によって樹脂モールド３７を成形する際、
図６に示すように、挟持面２３及び段差挟持面２７によ
って挟み込まれたサポートリング７上の各リード３間に
は微細な間隙３８が生じる。そしてキャビティ２５、２
６内に注入される溶融樹脂の注入圧力は非常に高いの
で、上記微細な間隙３８に溶融樹脂が漏れ出て、図４及
び図６に示すように、樹脂漏れ３９が発生するという問
題があった。さらに、図５に示すように、各アウターリ
ード部９も挟持面２３及び挟持面２４によって挟み込ま
れているので、図４に示すように、各リード３間の樹脂
漏れ３９が各アウターリード部９間の先端まで滲（し）
み出てくるという問題があった。
たようなＴＡＢ方式の半導体パッケージ４０において
は、各リード３の狭ピッチ化が図られているので、モー
ルド金型２０によって樹脂モールド３７を成形する際、
図６に示すように、挟持面２３及び段差挟持面２７によ
って挟み込まれたサポートリング７上の各リード３間に
は微細な間隙３８が生じる。そしてキャビティ２５、２
６内に注入される溶融樹脂の注入圧力は非常に高いの
で、上記微細な間隙３８に溶融樹脂が漏れ出て、図４及
び図６に示すように、樹脂漏れ３９が発生するという問
題があった。さらに、図５に示すように、各アウターリ
ード部９も挟持面２３及び挟持面２４によって挟み込ま
れているので、図４に示すように、各リード３間の樹脂
漏れ３９が各アウターリード部９間の先端まで滲（し）
み出てくるという問題があった。
【００１１】そして、このような各リード３間の樹脂漏
れ３９及び各アウターリード部９間の樹脂の滲み出し
は、後のアウターリードボンディング時の高熱によって
容易に炭化し、各リード３間及び各アウターリード部９
間に導通を生じさせて不良品の発生原因となる。また特
に各アウターリード部９間に樹脂の滲み出しが黒く見え
るものは非常に体裁が悪く、製品価値の著しい低下にも
なる。さらに樹脂の滲み出しは固化して樹脂バリになる
ので、各アウターリード部９をガルウイング状に成形す
る際に、その成形用金型が樹脂バリを噛むことによって
摩耗し易い。
れ３９及び各アウターリード部９間の樹脂の滲み出し
は、後のアウターリードボンディング時の高熱によって
容易に炭化し、各リード３間及び各アウターリード部９
間に導通を生じさせて不良品の発生原因となる。また特
に各アウターリード部９間に樹脂の滲み出しが黒く見え
るものは非常に体裁が悪く、製品価値の著しい低下にも
なる。さらに樹脂の滲み出しは固化して樹脂バリになる
ので、各アウターリード部９をガルウイング状に成形す
る際に、その成形用金型が樹脂バリを噛むことによって
摩耗し易い。
【００１２】なお、樹脂の漏出は、トランスファ・モー
ルドやインジェクション・モールドにおいて溶融樹脂の
粘度が低くまた注入圧力が高い場合に発生し易いが、各
リード３間の樹脂漏れ３９が各アウターリード部９間の
先端まで滲み出るのは、微細な間隙における毛細管現象
が影響するとも考えられるので、溶融樹脂の粘度や注入
圧力の調整だけでは滲み出しを防止することが困難であ
る。
ルドやインジェクション・モールドにおいて溶融樹脂の
粘度が低くまた注入圧力が高い場合に発生し易いが、各
リード３間の樹脂漏れ３９が各アウターリード部９間の
先端まで滲み出るのは、微細な間隙における毛細管現象
が影響するとも考えられるので、溶融樹脂の粘度や注入
圧力の調整だけでは滲み出しを防止することが困難であ
る。
【００１３】なお、前記従来例のように、挟持面２３及
び段差挟持面２７によってサポートリング７上の各リー
ド３を挟み込む構成は、樹脂漏れ３９を防止するため
に、サポートリング７による緩衝作用とパッキン作用と
を考慮したものである。即ち、モールド金型２０を型締
めする際、各リード３に加わる圧力をサポートリング７
により緩衝させると共に、各リード３をサポートリング
７にくい込ませて、各リード３間の間隙３８がサポート
リング７によって埋められるようにしている。
び段差挟持面２７によってサポートリング７上の各リー
ド３を挟み込む構成は、樹脂漏れ３９を防止するため
に、サポートリング７による緩衝作用とパッキン作用と
を考慮したものである。即ち、モールド金型２０を型締
めする際、各リード３に加わる圧力をサポートリング７
により緩衝させると共に、各リード３をサポートリング
７にくい込ませて、各リード３間の間隙３８がサポート
リング７によって埋められるようにしている。
【００１４】しかしながら、上記構成では、型締め圧力
が大き過ぎると、各リード３が塑性変形を起こして各リ
ード３の強度が著しく低下する。逆に、各リード３の強
度を維持させるために、型締め圧力をあまり加えないよ
うにすると、各リード３間の間隙３８が充分に小さくな
らず、樹脂漏れ３９を殆ど防止することができない。従
って、型締め圧力の調整は、極めて微妙かつ厳密なもの
が要求されるという問題があった。
が大き過ぎると、各リード３が塑性変形を起こして各リ
ード３の強度が著しく低下する。逆に、各リード３の強
度を維持させるために、型締め圧力をあまり加えないよ
うにすると、各リード３間の間隙３８が充分に小さくな
らず、樹脂漏れ３９を殆ど防止することができない。従
って、型締め圧力の調整は、極めて微妙かつ厳密なもの
が要求されるという問題があった。
【００１５】そこで本発明は、上述したような問題点を
解消するためになされたものであり、フィルム基材及び
多数のリードを樹脂モールドした際に、モールド金型に
より挟み込まれる各リード間の間隙における樹脂漏れ
を、型締め圧力の微妙かつ厳密な調整等を行うことなく
防止できるようにした半導体パッケージを提供すること
を目的とする。
解消するためになされたものであり、フィルム基材及び
多数のリードを樹脂モールドした際に、モールド金型に
より挟み込まれる各リード間の間隙における樹脂漏れ
を、型締め圧力の微妙かつ厳密な調整等を行うことなく
防止できるようにした半導体パッケージを提供すること
を目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、絶縁性フィルム基材とこのフィルム基材
上に形成された多数の導電性リードとからなるフィルム
キャリヤを用い、前記各リードの一端に接続された半導
体チップを含めて前記フィルム基材及び前記各リードを
所定位置まで樹脂モールドしてなる半導体パッケージに
おいて、前記所定位置を含みかつモールド金型により挟
み込まれる前記フィルム基材及び前記各リードの領域に
おける前記各リード間の間隙に狭窄部分を設けたもので
ある。
に、本発明は、絶縁性フィルム基材とこのフィルム基材
上に形成された多数の導電性リードとからなるフィルム
キャリヤを用い、前記各リードの一端に接続された半導
体チップを含めて前記フィルム基材及び前記各リードを
所定位置まで樹脂モールドしてなる半導体パッケージに
おいて、前記所定位置を含みかつモールド金型により挟
み込まれる前記フィルム基材及び前記各リードの領域に
おける前記各リード間の間隙に狭窄部分を設けたもので
ある。
【００１７】
【作用】上記のように構成された半導体パッケージによ
れば、各リード間の間隙における狭窄部分は、その間隙
を漏出しようとする樹脂に対して大きな抵抗となり、こ
れらの狭窄部分において樹脂漏れは漏出力を消失して固
化する。これにより、各リード間の間隙における樹脂漏
れは、樹脂モールドされる所定位置の外側に極く僅かに
現れるだけで防止される。
れば、各リード間の間隙における狭窄部分は、その間隙
を漏出しようとする樹脂に対して大きな抵抗となり、こ
れらの狭窄部分において樹脂漏れは漏出力を消失して固
化する。これにより、各リード間の間隙における樹脂漏
れは、樹脂モールドされる所定位置の外側に極く僅かに
現れるだけで防止される。
【００１８】
【実施例】以下、本発明をＴＡＢ方式の半導体パッケー
ジに適用した実施例を図１〜図３を参照して説明する。
なお前記従来例と実質的に同一の部分には同一の符号を
付してその説明を省略する。
ジに適用した実施例を図１〜図３を参照して説明する。
なお前記従来例と実質的に同一の部分には同一の符号を
付してその説明を省略する。
【００１９】図２に示すように、ＩＣチップ１０を含め
て各リード３及びサポートリング７が樹脂モールドされ
る境界Ｐを含み、かつ挟持面２３及び段差挟持面２７に
よって挟み込まれる各リード３及びサポートリング７の
領域ＰＱにおいて、図１に示すように、各リード３間の
間隙３８に狭窄部分１５が設けられている。
て各リード３及びサポートリング７が樹脂モールドされ
る境界Ｐを含み、かつ挟持面２３及び段差挟持面２７に
よって挟み込まれる各リード３及びサポートリング７の
領域ＰＱにおいて、図１に示すように、各リード３間の
間隙３８に狭窄部分１５が設けられている。
【００２０】即ち、互いに隣接する各リード３に、それ
ら両リード３間の間隙３８に入り込む長方形状の突出部
１６が形成されている。この例では、各リード３の一側
方に１つの突出部１６が形成されることにより、狭窄部
分１５が構成されている。
ら両リード３間の間隙３８に入り込む長方形状の突出部
１６が形成されている。この例では、各リード３の一側
方に１つの突出部１６が形成されることにより、狭窄部
分１５が構成されている。
【００２１】なお、突出部１６は、各リード３が一括し
て形成される際に、同時に一体に形成される。そして各
リード３の突出部１６が同一形状に形成されることによ
り、狭窄部分１５は各リード３間の間隙３８の全てに設
けられる。
て形成される際に、同時に一体に形成される。そして各
リード３の突出部１６が同一形状に形成されることによ
り、狭窄部分１５は各リード３間の間隙３８の全てに設
けられる。
【００２２】また、本実施例においては、各リード３の
幅ａは約１００μｍ、各間隙３８の幅ｂは約１８０μｍ
である。そして突出部１６の幅ｃは１１０μｍ程度、長
さｄは３００μｍ程度に設定されている。またサポート
リング７の外縁（アウターリード孔５側）と突出部１６
との間の距離ｅは２００μｍ程度となっている。なお各
リード３の厚さは約３５μｍ、サポートリング７（即ち
フィルム基材２）の厚さは７５μｍである。
幅ａは約１００μｍ、各間隙３８の幅ｂは約１８０μｍ
である。そして突出部１６の幅ｃは１１０μｍ程度、長
さｄは３００μｍ程度に設定されている。またサポート
リング７の外縁（アウターリード孔５側）と突出部１６
との間の距離ｅは２００μｍ程度となっている。なお各
リード３の厚さは約３５μｍ、サポートリング７（即ち
フィルム基材２）の厚さは７５μｍである。
【００２３】本実施例のテープキャリヤ１は上記のよう
に構成され、図２に示すように、境界Ｐと境界Ｑとの間
の領域ＰＱにおいて各リード３及びサポートリング７が
挟持面２３及び段差挟持面２７によって挟み込まれると
共に、境界Ｑの外側の領域において各アウターリード部
９が挟持面２３及び挟持面２４によって挟み込まれ、溶
融樹脂がキャビティ２５、２６内に注入されて、樹脂モ
ールド３７が成形される。これによって、ＩＣチップ１
０が樹脂モールド３７により樹脂封止され、かつ各リー
ド３（各アウターリード部９）が樹脂モールド３７から
突出された半導体パッケージ４０が完成する。
に構成され、図２に示すように、境界Ｐと境界Ｑとの間
の領域ＰＱにおいて各リード３及びサポートリング７が
挟持面２３及び段差挟持面２７によって挟み込まれると
共に、境界Ｑの外側の領域において各アウターリード部
９が挟持面２３及び挟持面２４によって挟み込まれ、溶
融樹脂がキャビティ２５、２６内に注入されて、樹脂モ
ールド３７が成形される。これによって、ＩＣチップ１
０が樹脂モールド３７により樹脂封止され、かつ各リー
ド３（各アウターリード部９）が樹脂モールド３７から
突出された半導体パッケージ４０が完成する。
【００２４】ところでこの成形の際、キャビティ２５、
２６内に注入された高圧（例えば７０kg／cm2 〜８０kg
／cm2 ）の溶融樹脂が、図１に示すように、各リード３
間の微細な間隙３８に樹脂漏れ３９として漏れ出ようと
する。しかし、これらの間隙３８は突出部１６によって
狭窄部分１５となっているので、樹脂漏れ３９に対して
大きな抵抗となり、これらの狭窄部分１５において樹脂
漏れ３９は漏出力を消失して固化する。従って、各リー
ド３間の間隙３８における樹脂漏れ３９は、境界Ｐの外
側に極く僅かに現れるだけで防止される。
２６内に注入された高圧（例えば７０kg／cm2 〜８０kg
／cm2 ）の溶融樹脂が、図１に示すように、各リード３
間の微細な間隙３８に樹脂漏れ３９として漏れ出ようと
する。しかし、これらの間隙３８は突出部１６によって
狭窄部分１５となっているので、樹脂漏れ３９に対して
大きな抵抗となり、これらの狭窄部分１５において樹脂
漏れ３９は漏出力を消失して固化する。従って、各リー
ド３間の間隙３８における樹脂漏れ３９は、境界Ｐの外
側に極く僅かに現れるだけで防止される。
【００２５】なお、粘度や注入圧力により漏出し易い樹
脂の場合は、図３に示す別の実施例のように、各リード
３間の間隙３８の狭窄部分１５を境界Ｐよりもさらに外
側に設けるとよい。即ち、境界Ｐを含むように各リード
３の一側方に１つの突出部１６が形成され、境界Ｐより
も外側で各リード３の他側方に１つの突出部１７が形成
されている。これによって、各リード３間の間隙３８に
クランク状の狭窄部分１５が設けられている。この例に
おいては、狭窄部分１５が充分に長いので、漏出し易い
樹脂であっても、その狭窄部分１５において樹脂漏れ３
９は次第に漏出力を消失する。
脂の場合は、図３に示す別の実施例のように、各リード
３間の間隙３８の狭窄部分１５を境界Ｐよりもさらに外
側に設けるとよい。即ち、境界Ｐを含むように各リード
３の一側方に１つの突出部１６が形成され、境界Ｐより
も外側で各リード３の他側方に１つの突出部１７が形成
されている。これによって、各リード３間の間隙３８に
クランク状の狭窄部分１５が設けられている。この例に
おいては、狭窄部分１５が充分に長いので、漏出し易い
樹脂であっても、その狭窄部分１５において樹脂漏れ３
９は次第に漏出力を消失する。
【００２６】以上、本発明の実施例に付き説明したが、
本発明は実施例に限定されることなく、本発明の技術的
思想に基づいて各種の有効な変更が可能である。例え
ば、各リード間の間隙の狭窄部分及びこの狭窄部分を構
成するリードの突出部は、実施例以外にも各種の有効な
形状を適用することができる。
本発明は実施例に限定されることなく、本発明の技術的
思想に基づいて各種の有効な変更が可能である。例え
ば、各リード間の間隙の狭窄部分及びこの狭窄部分を構
成するリードの突出部は、実施例以外にも各種の有効な
形状を適用することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上述べたように本発明の半導体パッケ
ージによれば、フィルム基材及び多数のリードを樹脂モ
ールドした際に、モールド金型により挟み込まれる各リ
ード間の間隙における樹脂漏れを、従来のような型締め
圧力の微妙かつ厳密な調整等を行うことなく防止するこ
とができる。従って、漏れ出た樹脂の炭化による各リー
ド間の導通や樹脂漏れによる体裁の悪化をなくすことが
でき、製品の品質を著しく向上させることができる。ま
た各リードを外部接続に適した所定の形状に成形する際
に、従来あった樹脂バリによる成形用金型の摩耗を防止
することができる。なお、互いに隣接する各リードの少
なくとも一方のリードにそれら両リード間の間隙に入り
込む突出部を一体に形成して狭窄部分を構成するように
した場合には、各リードを形成する際に突出部も同時に
形成することができ、特別な工程を必要としない。
ージによれば、フィルム基材及び多数のリードを樹脂モ
ールドした際に、モールド金型により挟み込まれる各リ
ード間の間隙における樹脂漏れを、従来のような型締め
圧力の微妙かつ厳密な調整等を行うことなく防止するこ
とができる。従って、漏れ出た樹脂の炭化による各リー
ド間の導通や樹脂漏れによる体裁の悪化をなくすことが
でき、製品の品質を著しく向上させることができる。ま
た各リードを外部接続に適した所定の形状に成形する際
に、従来あった樹脂バリによる成形用金型の摩耗を防止
することができる。なお、互いに隣接する各リードの少
なくとも一方のリードにそれら両リード間の間隙に入り
込む突出部を一体に形成して狭窄部分を構成するように
した場合には、各リードを形成する際に突出部も同時に
形成することができ、特別な工程を必要としない。
【図１】本発明をＴＡＢ方式の半導体パッケージに適用
した実施例における要部の拡大平面図である。
した実施例における要部の拡大平面図である。
【図２】上記実施例におけるモールド成形時の要部の断
面図である。
面図である。
【図３】別の実施例における要部の拡大平面図である。
【図４】従来のＴＡＢ方式の半導体パッケージにおける
モールド成形された状態の一部切欠き平面図である。
モールド成形された状態の一部切欠き平面図である。
【図５】上記従来例におけるモールド成形時の要部の断
面図である。
面図である。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ線での拡大断面図である。
１ フィルムキャリヤ ２ フィルム基材 ３ リード ７ サポートリング ８ インナーリード部 ９ アウターリード部 １０ ＩＣチップ １５ 狭窄部分 １６、１７ 突出部 ２０ モールド金型 ３７ 樹脂モールド ３８ 間隙 ３９ 樹脂漏れ ４０ 半導体パッケージ
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁性フィルム基材とこのフィルム基材
上に形成された多数の導電性リードとからなるフィルム
キャリヤを用い、前記各リードの一端に接続された半導
体チップを含めて前記フィルム基材及び前記各リードを
所定位置まで樹脂モールドしてなる半導体パッケージに
おいて、 前記所定位置を含みかつモールド金型により挟み込まれ
る前記フィルム基材及び前記各リードの領域における前
記各リード間の間隙に狭窄部分を設けたことを特徴とす
る半導体パッケージ。 - 【請求項２】 互いに隣接する各リードの少なくとも一
方のリードに、それら両リード間の間隙に入り込む突出
部を一体に形成することによって、前記狭窄部分を構成
したことを特徴とする請求項１記載の半導体パッケー
ジ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3280727A JPH0722462A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3280727A JPH0722462A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 半導体パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722462A true JPH0722462A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=17629105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3280727A Withdrawn JPH0722462A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 半導体パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722462A (ja) |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP3280727A patent/JPH0722462A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |