JPH07226627A - マイクロ波発振器 - Google Patents
マイクロ波発振器Info
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- JPH07226627A JPH07226627A JP3765194A JP3765194A JPH07226627A JP H07226627 A JPH07226627 A JP H07226627A JP 3765194 A JP3765194 A JP 3765194A JP 3765194 A JP3765194 A JP 3765194A JP H07226627 A JPH07226627 A JP H07226627A
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- semiconductor chip
- dielectric substrate
- layer
- recess
- microwave oscillator
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- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 10
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 表面層10aと内層10b及び接地導体層
10cを形成する多層誘電体基板10と、この多層誘電
体基板10に形成された凹部11と、この凹部11内に
収納される半導体チップ20と、前記凹部を塞ぐキャッ
プ25と、このキャップ25と前記凹部11の接合部分
を密封する封止樹脂70と、前記半導体チップ20と電
磁界的に接続される誘電体共振器30と、前記多層誘電
体基板10の表面層を覆う金属製カバー40と、前記誘
電体共振器30の上方に位置するように金属製カバー4
0に取り付けてあり、半導体チップ20の発振周波数の
調整を行なう周波数調整ねじ50とを備えた構成として
ある。 【効果】 装置を容易に製作することができるととも
に、簡単な構成により半導体チップの気密封止が可能と
なり、また、周波数調整ねじによる発振周波数の調整が
容易に行なえる。
10cを形成する多層誘電体基板10と、この多層誘電
体基板10に形成された凹部11と、この凹部11内に
収納される半導体チップ20と、前記凹部を塞ぐキャッ
プ25と、このキャップ25と前記凹部11の接合部分
を密封する封止樹脂70と、前記半導体チップ20と電
磁界的に接続される誘電体共振器30と、前記多層誘電
体基板10の表面層を覆う金属製カバー40と、前記誘
電体共振器30の上方に位置するように金属製カバー4
0に取り付けてあり、半導体チップ20の発振周波数の
調整を行なう周波数調整ねじ50とを備えた構成として
ある。 【効果】 装置を容易に製作することができるととも
に、簡単な構成により半導体チップの気密封止が可能と
なり、また、周波数調整ねじによる発振周波数の調整が
容易に行なえる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、発振用素子にバイポー
ラトランジスタ又は電界効果トランジスタ等の半導体チ
ップを用いたマイクロ波、ミリ波発振器に関し、特に、
装置を容易に製作することができるとともに、簡単な構
成により半導体チップの気密封止を可能とし、また、周
波数調整ねじによる発振周波数の調整を容易に行なえる
ようにしたマイクロ波発振器に関する。
ラトランジスタ又は電界効果トランジスタ等の半導体チ
ップを用いたマイクロ波、ミリ波発振器に関し、特に、
装置を容易に製作することができるとともに、簡単な構
成により半導体チップの気密封止を可能とし、また、周
波数調整ねじによる発振周波数の調整を容易に行なえる
ようにしたマイクロ波発振器に関する。
【0002】
【従来の技術】以下、従来のマイクロ波発振器につい
て、図面を参照しつつ説明する。図3は第一従来例に係
るマイクロ波発振器を示すものであり、同図(a)は内
部平面図,同図(b)は(a)のB−B断面図である。
て、図面を参照しつつ説明する。図3は第一従来例に係
るマイクロ波発振器を示すものであり、同図(a)は内
部平面図,同図(b)は(a)のB−B断面図である。
【0003】これら図面において、本従来例のマイクロ
波発振器は、発振用の半導体チップ120と、この半導
体チップ120の発振周波数を安定化させる誘電体共振
器130とを実装した単層の誘電体基板110を、金属
製のシャーシ141とカバー142からなるパッケージ
内に収納した構成となっていた。前記半導体チップ12
0は、誘電体基板110に形成した導体パターン111
上に取り付けられており、この導体パターン111は、
半導体チップ120を直流的に接地するため、金属製シ
ャーシ141とボンディング線により接続されていた。
波発振器は、発振用の半導体チップ120と、この半導
体チップ120の発振周波数を安定化させる誘電体共振
器130とを実装した単層の誘電体基板110を、金属
製のシャーシ141とカバー142からなるパッケージ
内に収納した構成となっていた。前記半導体チップ12
0は、誘電体基板110に形成した導体パターン111
上に取り付けられており、この導体パターン111は、
半導体チップ120を直流的に接地するため、金属製シ
ャーシ141とボンディング線により接続されていた。
【0004】そして、前記半導体チップ120と誘電体
共振器130は、誘電体基板110上に形成した導体パ
ターン112により電磁界的に接続されていた。また、
前記誘電体共振器130の上方には、カバー142と螺
合する金属製の周波数調整ねじ150が設けてあり、こ
の周波数調整ねじ150により、誘電体共振器130の
寸法誤差及び比誘電率のばらつき、半導体チップ120
及び回路パターン等の回路部品のばらつきによる発振周
波数のずれを調整する構成となっていた。
共振器130は、誘電体基板110上に形成した導体パ
ターン112により電磁界的に接続されていた。また、
前記誘電体共振器130の上方には、カバー142と螺
合する金属製の周波数調整ねじ150が設けてあり、こ
の周波数調整ねじ150により、誘電体共振器130の
寸法誤差及び比誘電率のばらつき、半導体チップ120
及び回路パターン等の回路部品のばらつきによる発振周
波数のずれを調整する構成となっていた。
【0005】さらに、誘電体基板110上には、誘電体
共振器130と電磁界的に接続されている出力取り出し
用の導体パターン113が形成してあった。またさら
に、半導体チップ120には、発振出力を取り出すため
の出力端子116が接続してあり、また、導体パターン
112,113には、半導体チップ120に直流バイア
スを加えるためのバイアス供給端子114,115がそ
れぞれ接続してあった。
共振器130と電磁界的に接続されている出力取り出し
用の導体パターン113が形成してあった。またさら
に、半導体チップ120には、発振出力を取り出すため
の出力端子116が接続してあり、また、導体パターン
112,113には、半導体チップ120に直流バイア
スを加えるためのバイアス供給端子114,115がそ
れぞれ接続してあった。
【0006】ところが、上記構成からなる第一従来例の
マイクロ波発振器では、半導体チップ120を外気(特
に湿気)から保護するため、シャーシ141とカバー1
42の接合部分を気密構造とするほかに、周波数調整ね
じ150の周りに封止樹脂を塗布して気密封止を行なう
必要があり、このように周波数調整ねじ150を固定し
てしまうと、マイクロ波発振器が経年変化、または、温
度変動等により周波数変動を起こした場合、周波数調整
が外部から行なえないという問題があった。
マイクロ波発振器では、半導体チップ120を外気(特
に湿気)から保護するため、シャーシ141とカバー1
42の接合部分を気密構造とするほかに、周波数調整ね
じ150の周りに封止樹脂を塗布して気密封止を行なう
必要があり、このように周波数調整ねじ150を固定し
てしまうと、マイクロ波発振器が経年変化、または、温
度変動等により周波数変動を起こした場合、周波数調整
が外部から行なえないという問題があった。
【0007】このような問題点を解決するため、図4に
示すようなマイクロ波発振器が提案されている。図4は
第二従来例に係るマイクロ波発振器を示すものであり、
同図(a)は内部平面図,同図(b)は(a)のC−C
断面図である。
示すようなマイクロ波発振器が提案されている。図4は
第二従来例に係るマイクロ波発振器を示すものであり、
同図(a)は内部平面図,同図(b)は(a)のC−C
断面図である。
【0008】本従来例のマイクロ波発振器は、半導体チ
ップ120を単層の誘電体基板110の表面110aに
取り付け、また、誘電体共振器130を誘電体基板11
0の裏面110bに取り付けてあり、このような誘電体
基板110を、金属製シャーシ141の内周面に連続的
に形成した突出部141aに密着接合させることによ
り、パッケージ内の空間を、半導体チップ120の実装
されている側の空間161と、誘電体共振器130の実
装されている側の空間162に分割し、さらに周波数調
整ねじ150を空間162側のカバー142に設けた構
成となっていた。
ップ120を単層の誘電体基板110の表面110aに
取り付け、また、誘電体共振器130を誘電体基板11
0の裏面110bに取り付けてあり、このような誘電体
基板110を、金属製シャーシ141の内周面に連続的
に形成した突出部141aに密着接合させることによ
り、パッケージ内の空間を、半導体チップ120の実装
されている側の空間161と、誘電体共振器130の実
装されている側の空間162に分割し、さらに周波数調
整ねじ150を空間162側のカバー142に設けた構
成となっていた。
【0009】このような構成からなる本従来例のマイク
ロ波発振器によれば、半導体チップ120の搭載されて
いる側の空間161から周波数調整ねじ150を除去す
ることができ、また、周波数調整ねじ150を空間16
2側に設けたことにより、周波数調整ねじ150を気密
封止する必要がなくなり、半導体チップ120の気密性
を保持しつつ、周波数調整が可能となる。
ロ波発振器によれば、半導体チップ120の搭載されて
いる側の空間161から周波数調整ねじ150を除去す
ることができ、また、周波数調整ねじ150を空間16
2側に設けたことにより、周波数調整ねじ150を気密
封止する必要がなくなり、半導体チップ120の気密性
を保持しつつ、周波数調整が可能となる。
【0010】なお、誘電体基板110の両面にそれぞれ
半導体チップ120と誘電体共振器130を分けて設け
た構成のマイクロ波発振器としては、特開昭61−23
0409号で提案されているものがある。
半導体チップ120と誘電体共振器130を分けて設け
た構成のマイクロ波発振器としては、特開昭61−23
0409号で提案されているものがある。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】上記第二従来例及び特
開昭61−230409号のマイクロ波発振器では、誘
電体基板110の両面に部品を実装する構成となってお
り、基板両面の部品を両方ともろう付けすることが困難
なため、もっぱら誘電体共振器130を接着剤により固
定していた。ところが、誘電体共振器130とともに、
他の部品を基板裏面に実装する場合は、この他の部品を
ろう付けする必要があり、このような場合、基板両面の
部品を同時にろう付けすることができず、片側面の部品
を先にろう付けした後、基板を反転し、もう一方の面に
部品をろう付けしなければならなかった。この場合、両
面とも同じ溶融温度のろうを用いると、先にろう付けさ
れた部品のろうが、後の部品のろう付け時に再溶融して
しまうので、部品落下防止のため、先にろう付けされる
部品のろうの溶融温度を高くし、また、先にろう付けさ
れる部品を接着剤で仮止めする必要があり、部品をろう
付けするのに手間がかかるという問題があった。また、
誘電体基板110の両面に部品を実装することとする
と、基板両面にエッチングをしなければならず、この点
においても手間とコストがかかるという問題があった。
開昭61−230409号のマイクロ波発振器では、誘
電体基板110の両面に部品を実装する構成となってお
り、基板両面の部品を両方ともろう付けすることが困難
なため、もっぱら誘電体共振器130を接着剤により固
定していた。ところが、誘電体共振器130とともに、
他の部品を基板裏面に実装する場合は、この他の部品を
ろう付けする必要があり、このような場合、基板両面の
部品を同時にろう付けすることができず、片側面の部品
を先にろう付けした後、基板を反転し、もう一方の面に
部品をろう付けしなければならなかった。この場合、両
面とも同じ溶融温度のろうを用いると、先にろう付けさ
れた部品のろうが、後の部品のろう付け時に再溶融して
しまうので、部品落下防止のため、先にろう付けされる
部品のろうの溶融温度を高くし、また、先にろう付けさ
れる部品を接着剤で仮止めする必要があり、部品をろう
付けするのに手間がかかるという問題があった。また、
誘電体基板110の両面に部品を実装することとする
と、基板両面にエッチングをしなければならず、この点
においても手間とコストがかかるという問題があった。
【0012】また、第二従来例のマイクロ波発振器で
は、金属製のシャーシ141が誘電体基板110の支持
及び空間161,162の気密性の保持を兼ねているた
め、突出部141aをシャーシ141と一体的に形成す
る必要があり、シャーシ141の切削加工が複雑で多大
の手数を要するという問題があった。
は、金属製のシャーシ141が誘電体基板110の支持
及び空間161,162の気密性の保持を兼ねているた
め、突出部141aをシャーシ141と一体的に形成す
る必要があり、シャーシ141の切削加工が複雑で多大
の手数を要するという問題があった。
【0013】本発明は、上記問題点にかんがみてなされ
たものであり、装置を容易に製作することができるとと
もに、簡単な構成により半導体チップの気密封止を可能
とし、また、周波数調整ねじによる発振周波数の調整を
容易に行なえるようにしたマイクロ波発振器の提供を目
的とする。
たものであり、装置を容易に製作することができるとと
もに、簡単な構成により半導体チップの気密封止を可能
とし、また、周波数調整ねじによる発振周波数の調整を
容易に行なえるようにしたマイクロ波発振器の提供を目
的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のマイクロ波発振器は、単層又は多層の誘電
体基板に、半導体チップ及びこの半導体チップと電磁界
的に接続される誘電体共振器と実装し、パッケージによ
り気密封止したマイクロ波発振器であって、前記誘電体
基板の表面側に前記半導体チップの収納部を形成すると
ともに、この収納部内に前記半導体チップを収納し、前
記収納部をキャップで塞ぎ、気密封止した構成としてあ
り、好ましくは、前記半導体チップの収納部を、誘電体
基板の表面側に形成した凹部とした構成としてある。
め、本発明のマイクロ波発振器は、単層又は多層の誘電
体基板に、半導体チップ及びこの半導体チップと電磁界
的に接続される誘電体共振器と実装し、パッケージによ
り気密封止したマイクロ波発振器であって、前記誘電体
基板の表面側に前記半導体チップの収納部を形成すると
ともに、この収納部内に前記半導体チップを収納し、前
記収納部をキャップで塞ぎ、気密封止した構成としてあ
り、好ましくは、前記半導体チップの収納部を、誘電体
基板の表面側に形成した凹部とした構成としてある。
【0015】
【作用】上記構成からなる本発明のマイクロ波発振器に
よれば、誘電体基板に形成した凹部に半導体チップを収
納し、キャップで気密封止することにより、前記半導体
チップを他の部材と同一基板面上で、かつ、別個独立に
気密封止することができる。
よれば、誘電体基板に形成した凹部に半導体チップを収
納し、キャップで気密封止することにより、前記半導体
チップを他の部材と同一基板面上で、かつ、別個独立に
気密封止することができる。
【0016】
【実施例】以下、本発明のマイクロ波発振器の実施例に
ついて、図面を参照しつつ説明する。まず、本発明の第
一実施例に係るマイクロ波発振器について説明する。図
1は本実施例に係るマイクロ波発振器を示すものであ
り、同図(a)は平面図,同図(b)は(a)のA−A
断面図である。なお、同図(a)では、本マイクロ波発
振器の構成を分かりやすく示すため、各部を覆う金属製
カバーと、半導体チップのキャップを図示していない。
また、以下に説明する本実施例のマイクロ波発振器で
は、多層誘電体基板の表面側に半導体チップの収納部と
しての凹部を形成した構成としてある。
ついて、図面を参照しつつ説明する。まず、本発明の第
一実施例に係るマイクロ波発振器について説明する。図
1は本実施例に係るマイクロ波発振器を示すものであ
り、同図(a)は平面図,同図(b)は(a)のA−A
断面図である。なお、同図(a)では、本マイクロ波発
振器の構成を分かりやすく示すため、各部を覆う金属製
カバーと、半導体チップのキャップを図示していない。
また、以下に説明する本実施例のマイクロ波発振器で
は、多層誘電体基板の表面側に半導体チップの収納部と
しての凹部を形成した構成としてある。
【0017】同図において、10は多層誘電体基板であ
り、表面層10aを形成する誘電体基板と、段差部11
aを形成する誘電体基板と、内層10b及び接地導体層
10cを形成する誘電体基板の計三枚の誘電体基板を上
下方向に重ね合せた構成としてある。表面層10aに
は、内層10bに通じる凹部11が設けてあり、この凹
部11の内部には、発振用の半導体チップ20が収納さ
れている。また、凹部11の入口には、キャップ25取
付用の前記段差部11aが形成してある。この段差部1
1aに取り付けられたキャップ25と凹部の接合部分に
は、封止樹脂70塗布されており、これによって半導体
チップ20を凹部11内に樹脂封止している。このよう
にキャップ25を樹脂封止することにより半導体チップ
20の気密性を高めることができる。また、段差部11
aには、接地導体層10cに通じる複数の直流接地導通
孔12が形成してあり、キャップ25を直流的に接地し
てある。このように複数の直流接地導通孔12で半導体
チップ20を包囲することにより、基板高さ方向に高周
波の壁が形成され、電磁気的遮蔽効果が生ずる。なお、
キャップ25としては、金属製のものが好ましいが、金
属以外の材質のキャップを用いることも可能である。ま
た、本発明は半導体チップ20の気密封止を目的とする
ものであり、上記直流接地導通孔12を設けなくとも、
気密性を保持することが可能であり、マイクロ波発振器
としても従来と同様、十分に動作する。
り、表面層10aを形成する誘電体基板と、段差部11
aを形成する誘電体基板と、内層10b及び接地導体層
10cを形成する誘電体基板の計三枚の誘電体基板を上
下方向に重ね合せた構成としてある。表面層10aに
は、内層10bに通じる凹部11が設けてあり、この凹
部11の内部には、発振用の半導体チップ20が収納さ
れている。また、凹部11の入口には、キャップ25取
付用の前記段差部11aが形成してある。この段差部1
1aに取り付けられたキャップ25と凹部の接合部分に
は、封止樹脂70塗布されており、これによって半導体
チップ20を凹部11内に樹脂封止している。このよう
にキャップ25を樹脂封止することにより半導体チップ
20の気密性を高めることができる。また、段差部11
aには、接地導体層10cに通じる複数の直流接地導通
孔12が形成してあり、キャップ25を直流的に接地し
てある。このように複数の直流接地導通孔12で半導体
チップ20を包囲することにより、基板高さ方向に高周
波の壁が形成され、電磁気的遮蔽効果が生ずる。なお、
キャップ25としては、金属製のものが好ましいが、金
属以外の材質のキャップを用いることも可能である。ま
た、本発明は半導体チップ20の気密封止を目的とする
ものであり、上記直流接地導通孔12を設けなくとも、
気密性を保持することが可能であり、マイクロ波発振器
としても従来と同様、十分に動作する。
【0018】表面層10aの中央付近には、半導体チッ
プ20の発振周波数を安定化させる誘電体共振器30が
実装してある。そして、表面層10aの誘電体共振器3
0近傍には、一端が凹部11近傍に位置する表面層導体
パターン13が形成してある。また、内層10bには、
凹部11内に連続する内層導体パターン14が形成して
ある。これら表面層導体パターン13と内層導体パター
ン14は、表面層10a及び段差部11aを形成する二
枚の誘電体基板に垂直に設けた導通孔15により電気的
に接続されている。そして、前記半導体チップ20を内
層導体パターン14にボンディング線で接続することに
より、半導体チップ20と誘電体共振器30は、表面層
導体パターン13,導通孔15及び内層パターン14を
介して電磁界的に接続される。
プ20の発振周波数を安定化させる誘電体共振器30が
実装してある。そして、表面層10aの誘電体共振器3
0近傍には、一端が凹部11近傍に位置する表面層導体
パターン13が形成してある。また、内層10bには、
凹部11内に連続する内層導体パターン14が形成して
ある。これら表面層導体パターン13と内層導体パター
ン14は、表面層10a及び段差部11aを形成する二
枚の誘電体基板に垂直に設けた導通孔15により電気的
に接続されている。そして、前記半導体チップ20を内
層導体パターン14にボンディング線で接続することに
より、半導体チップ20と誘電体共振器30は、表面層
導体パターン13,導通孔15及び内層パターン14を
介して電磁界的に接続される。
【0019】16は内層10bに形成された発振出力取
出パターンであり、一端が半導体チップ20と接続され
ており、他端が外部に露出している。そして、前記内層
導体パターン14及びこの発振出力取出パターン16の
半導体チップ20側の端部からは、半導体チップ20に
直流バイアスを加えるための直流バイアス供給パターン
14a,16aが延設されている(図1(a))。ま
た、17は半導体チップ20を接地する直流接地パター
ンである(図1(a))。さらに、18は後述する金属
製カバー40を直流的に接地するための複数の直流接地
導通孔であり、金属製カバー40の開口部壁端部と接触
するように多層誘電体基板10の周縁部近傍に配置され
ており、表面層10aから直流接地導体層10cに通じ
ている。このような直流接地導通孔18で多層誘電体基
板10内周を包囲することにより、基板高さ方向に高周
波の壁が形成され、電磁気的遮蔽効果が生じる。このよ
うな効果により、多層誘電体基板10全体を金属製カバ
ー40で覆う必要がなくなり、金属製カバーの簡素化、
及び、基板面積を大きくしてアンプ等の部品をまとめて
実装することが可能となる。
出パターンであり、一端が半導体チップ20と接続され
ており、他端が外部に露出している。そして、前記内層
導体パターン14及びこの発振出力取出パターン16の
半導体チップ20側の端部からは、半導体チップ20に
直流バイアスを加えるための直流バイアス供給パターン
14a,16aが延設されている(図1(a))。ま
た、17は半導体チップ20を接地する直流接地パター
ンである(図1(a))。さらに、18は後述する金属
製カバー40を直流的に接地するための複数の直流接地
導通孔であり、金属製カバー40の開口部壁端部と接触
するように多層誘電体基板10の周縁部近傍に配置され
ており、表面層10aから直流接地導体層10cに通じ
ている。このような直流接地導通孔18で多層誘電体基
板10内周を包囲することにより、基板高さ方向に高周
波の壁が形成され、電磁気的遮蔽効果が生じる。このよ
うな効果により、多層誘電体基板10全体を金属製カバ
ー40で覆う必要がなくなり、金属製カバーの簡素化、
及び、基板面積を大きくしてアンプ等の部品をまとめて
実装することが可能となる。
【0020】前記金属製カバー40は多層誘電体基板1
0の表面層10aをほぼ覆い、電磁界的エネルギーをカ
バー内部に閉じ込める。そして、この金属製カバー40
と多層誘電体基板10の接合部分には、封止樹脂70が
塗布してある。また、金属製カバー40の誘電体共振器
30上方と対応する位置には、半導体チップ20の発振
周波数を調整するための金属製の周波数調整ねじ50が
設けてある。なお、金属製カバー40と多層誘電体基板
10の封止は、封止樹脂70の代わりにろう付けによっ
て行なうこともできる。
0の表面層10aをほぼ覆い、電磁界的エネルギーをカ
バー内部に閉じ込める。そして、この金属製カバー40
と多層誘電体基板10の接合部分には、封止樹脂70が
塗布してある。また、金属製カバー40の誘電体共振器
30上方と対応する位置には、半導体チップ20の発振
周波数を調整するための金属製の周波数調整ねじ50が
設けてある。なお、金属製カバー40と多層誘電体基板
10の封止は、封止樹脂70の代わりにろう付けによっ
て行なうこともできる。
【0021】このような構成によれば、多層誘電体基板
10に凹部11を形成し、この凹部11内に収納した半
導体チップ20をキャップ25で気密封止するといった
簡単な構成により、半導体チップ20を他の部材と別個
独立に気密封止することができ、周波数調整ねじ50に
よる発振周波数の調整も常時容易に行なえる。また、半
導体チップ20を他の部品と同一基板面上に実装する構
成としたことにより、各部品のろう付けが一工程で行な
えるようになり、さらに、半導体チップ20がキャップ
25によって封止されているので、金属製カバー40の
構成が簡単となり、容易に切削加工することができる。
したがって、これら効果により、装置の製作が容易に行
なえるようになる。
10に凹部11を形成し、この凹部11内に収納した半
導体チップ20をキャップ25で気密封止するといった
簡単な構成により、半導体チップ20を他の部材と別個
独立に気密封止することができ、周波数調整ねじ50に
よる発振周波数の調整も常時容易に行なえる。また、半
導体チップ20を他の部品と同一基板面上に実装する構
成としたことにより、各部品のろう付けが一工程で行な
えるようになり、さらに、半導体チップ20がキャップ
25によって封止されているので、金属製カバー40の
構成が簡単となり、容易に切削加工することができる。
したがって、これら効果により、装置の製作が容易に行
なえるようになる。
【0022】次に、本発明の第二実施例に係るマイクロ
波発振器について、図面を参照しつつ説明する。図2
は、本実施例に係るマイクロ波発振器を示す側面断面図
である。本実施例のマイクロ波発振器は、誘電体基板1
0を薄型に形成するとともに、凹部60を突出させ、こ
の凹部60内に半導体チップ20を収納してキャップ2
5で塞ぎ、封止樹脂を塗布して樹脂封止した構成として
ある。このような構成によれば、上記第一実施例と同様
の効果を奏するとともに、装置の軽量化が図れる。
波発振器について、図面を参照しつつ説明する。図2
は、本実施例に係るマイクロ波発振器を示す側面断面図
である。本実施例のマイクロ波発振器は、誘電体基板1
0を薄型に形成するとともに、凹部60を突出させ、こ
の凹部60内に半導体チップ20を収納してキャップ2
5で塞ぎ、封止樹脂を塗布して樹脂封止した構成として
ある。このような構成によれば、上記第一実施例と同様
の効果を奏するとともに、装置の軽量化が図れる。
【0023】なお、本発明のマイクロ波発振器は、上記
第一及び第二実施例に限定されるものではない。例え
ば、上記実施例では、キャップ25を封止樹脂70によ
って樹脂封止する構成としたが、これは特に限定される
ものではなく、キャップ25及び凹部11(60)の形
状を円形とし、キャップ25にねじを設けるとともに、
凹部11(60)の内周にねじ溝を設け、Oリングを介
して、これらキャップ25と凹部11(60)を螺合さ
せることにより、半導体チップ20を凹部11(60)
内に嵌合封止する構成としてもよい。このような構成と
することにより開蓋が容易に行なえ、保守に効果的であ
る。また、封止樹脂の代わりに、キャップ25周縁をろ
う付けしてもよい。このような構成とすると、キャップ
25の封止作業を半導体チップ20等のろう付けと同時
に行なえるので、組み立て工程の減縮化が図れる。さら
に、嵌合封止と樹脂封止(又はろう封止)の両方を併用
する構成としてもよい。この場合、嵌合封止と樹脂封止
(又はろう封止)の両方の効果が得られる。またさら
に、本実施例では、三層からなる多層誘電体基板10を
用いる構成としたが、一層又は三層以上からなる誘電体
基板に凹部等の半導体チップ20を形成して、本発明を
実施することも可能である。また、上記実施例では、多
層誘電体基板10の表面層10aのみを金属製カバー4
0からなるパッケージで覆うようにしたが、多層誘電体
基板10全体を金属製のカバー及びシャーシからなるパ
ッケージで覆う構成としてもよい。この場合、直流接地
導通孔18を設けなくてもよい。
第一及び第二実施例に限定されるものではない。例え
ば、上記実施例では、キャップ25を封止樹脂70によ
って樹脂封止する構成としたが、これは特に限定される
ものではなく、キャップ25及び凹部11(60)の形
状を円形とし、キャップ25にねじを設けるとともに、
凹部11(60)の内周にねじ溝を設け、Oリングを介
して、これらキャップ25と凹部11(60)を螺合さ
せることにより、半導体チップ20を凹部11(60)
内に嵌合封止する構成としてもよい。このような構成と
することにより開蓋が容易に行なえ、保守に効果的であ
る。また、封止樹脂の代わりに、キャップ25周縁をろ
う付けしてもよい。このような構成とすると、キャップ
25の封止作業を半導体チップ20等のろう付けと同時
に行なえるので、組み立て工程の減縮化が図れる。さら
に、嵌合封止と樹脂封止(又はろう封止)の両方を併用
する構成としてもよい。この場合、嵌合封止と樹脂封止
(又はろう封止)の両方の効果が得られる。またさら
に、本実施例では、三層からなる多層誘電体基板10を
用いる構成としたが、一層又は三層以上からなる誘電体
基板に凹部等の半導体チップ20を形成して、本発明を
実施することも可能である。また、上記実施例では、多
層誘電体基板10の表面層10aのみを金属製カバー4
0からなるパッケージで覆うようにしたが、多層誘電体
基板10全体を金属製のカバー及びシャーシからなるパ
ッケージで覆う構成としてもよい。この場合、直流接地
導通孔18を設けなくてもよい。
【0024】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明のマイク
ロ波発振器によれば、装置を容易に製作することができ
るとともに、簡単な構成により半導体チップの気密封止
が可能となり、また、周波数調整ねじによる発振周波数
の調整が容易に行なえる。
ロ波発振器によれば、装置を容易に製作することができ
るとともに、簡単な構成により半導体チップの気密封止
が可能となり、また、周波数調整ねじによる発振周波数
の調整が容易に行なえる。
【図1】本発明の第一実施例にかかわるマイクロ波発振
器を示すものであり、同図(a)は平面図、同図(b)
は(a)のA−A断面図である。
器を示すものであり、同図(a)は平面図、同図(b)
は(a)のA−A断面図である。
【図2】本発明の第二実施例に係るマイクロ波発振器を
示す側面断面図である。
示す側面断面図である。
【図3】第一従来例に係るマイクロ波発振器を示すもの
であり、同図(a)は内部平面図、同図(b)は(a)
のB−B断面図である。
であり、同図(a)は内部平面図、同図(b)は(a)
のB−B断面図である。
【図4】第二従来例に係るマイクロ波発振器を示すもの
であり、同図(a)は内部平面図、同図(b)は(a)
のC−C断面図である。
であり、同図(a)は内部平面図、同図(b)は(a)
のC−C断面図である。
10 多層誘電体基板 10a 表面層 10b 内層 10c 接地導体層 11 凹部 11a 段差部 12 直流接地導通孔 13 表面層導体パターン 14 内層導体パターン 15 導通孔 14a,16a 直流バイアス供給パターン 16 発振出力取出パターン 17 直流接地パターン 18 直流接地導通孔 20 半導体チップ 25 キャップ 30 誘電体共振器 40 金属製カバー 50 周波数調整ねじ 60 凹部 61 段差部 70 封止樹脂
Claims (9)
- 【請求項1】 単層又は多層の誘電体基板に、半導体チ
ップ及びこの半導体チップと電磁界的に接続される誘電
体共振器を実装し、金属製のパッケージにより気密封止
したマイクロ波発振器であって、 前記誘電体基板の表面側に前記半導体チップの収納部を
形成するとともに、この収納部内に前記半導体チップを
収納し、前記収納部をキャップで塞ぎ、気密封止したこ
とを特徴とするマイクロ波発振器。 - 【請求項2】 前記半導体チップの収納部が、誘電体基
板の表面側に形成した凹部である請求項1記載のマイク
ロ波発振器。 - 【請求項3】 前記凹部が、入口にキャップ取付用の段
差部を有する請求項2記載のマイクロ波発振器。 - 【請求項4】 一面に開口部を形成し、前記誘電体基板
の表面を覆う金属製カバーと、 前記誘電体基板の前記金属製カバーの開口部壁端部と接
触する位置に形成され、前記誘電体基板の表面から裏面
に通じる複数の直流接地導通孔とを備えた請求項1,2
又は3記載のマイクロ波発振器。 - 【請求項5】 前記誘電体基板の前記キャップと対応す
る位置に形成されるとともに、前記誘電体基板の表面か
ら裏面に通じる複数の直流接地導通孔を備えた請求項
1,2,3,又は4記載のマイクロ波発振器。 - 【請求項6】 表面層と内層及び接地導体層を形成する
複数枚の誘電体基板からなり、前記表面層から内層に通
じる凹部と、前記表面層に形成してあり、一端が前記凹
部に近傍に位置する表面層導体パターンと、前記凹部の
入口に形成した段差部と、この段差部から前記接地導体
層に通じる複数の直流接地導通孔と、前記内層に形成し
てあり、前記凹部内に連続する内層導体パターンと、前
記表面層導体パターンと内層導体パターンを接続する導
通孔と、前記誘電体基板の周縁部に形成してあり、表面
層から接地導体層に通じる複数の直流接地導通孔とを有
する多層誘電体基板と、 この多層誘電体基板の凹部内に収納され、前記内層導体
パターンに接続された半導体チップと、 前記段差部上に載置され、前記凹部を塞ぐキャップと、 このキャップと前記凹部の接合部分を密封する封止部材
と、 前記多層誘電体基板の前記表面層導体パターン近傍に実
装された誘電体共振器と、 一面に開口部を形成し、この開口部の壁端部が、前記表
面層から接地導体層に通じる複数の直流接地導通孔と接
触する状態で前記多層誘電体基板の表面層を覆う金属製
カバーと、 前記誘電体共振器の上方に位置するように前記金属製カ
バーに取り付けてあり、前記半導体チップの発振周波数
の調整を行なう金属製の周波数調整ねじとを備えた請求
項1,2,3,4又は5記載のマイクロ波発振器。 - 【請求項7】 前記キャップと凹部の接合部分に封止樹
脂を塗布して前記半導体チップを凹部内に密封した請求
項1,2,3,4,5又は6記載のマイクロ波発振器。 - 【請求項8】 前記キャップと凹部の接合部分をろう付
けして前記半導体チップを凹部内に密封した請求項1,
2,3,4,5又は6記載のマイクロ波発振器。 - 【請求項9】 前記キャップにねじを設けるとともに、
前記凹部の内周にねじ溝を設け、これらキャップと凹部
を螺合させることにより前記半導体チップを凹部内に密
封した請求項1,2,3,4,5,6,7又は8記載の
マイクロ波発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6037651A JP2856669B2 (ja) | 1994-02-10 | 1994-02-10 | マイクロ波発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6037651A JP2856669B2 (ja) | 1994-02-10 | 1994-02-10 | マイクロ波発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07226627A true JPH07226627A (ja) | 1995-08-22 |
| JP2856669B2 JP2856669B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=12503555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6037651A Expired - Fee Related JP2856669B2 (ja) | 1994-02-10 | 1994-02-10 | マイクロ波発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2856669B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6077446A (ja) * | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止半導体装置 |
| JPS62141804A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波発振器 |
-
1994
- 1994-02-10 JP JP6037651A patent/JP2856669B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6077446A (ja) * | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止半導体装置 |
| JPS62141804A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波発振器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2856669B2 (ja) | 1999-02-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971021 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |