JPH0722668A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents

磁気抵抗効果素子

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Publication number
JPH0722668A
JPH0722668A JP5150927A JP15092793A JPH0722668A JP H0722668 A JPH0722668 A JP H0722668A JP 5150927 A JP5150927 A JP 5150927A JP 15092793 A JP15092793 A JP 15092793A JP H0722668 A JPH0722668 A JP H0722668A
Authority
JP
Japan
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metal thin
ferromagnetic metal
thin film
magnetoresistive effect
effect element
Prior art date
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Pending
Application number
JP5150927A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Ishibashi
武 石橋
Izumi Fukui
泉 福井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Pending legal-status Critical Current

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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
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    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
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  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【目的】互いに向きが直交している強磁性体金属薄膜か
らなる磁気抵抗効果素子の小型化。 【構成】ガラス基板１上に第１の強磁性体金属薄膜２を
形成し、その裏面に第２の強磁性体金属薄膜２を９０度
向きを変えて形成する。第１の強磁性体金属薄膜２と第
２の強磁性体金属薄膜はスルーホール３によって接続し
ている。強磁性体金属薄膜２から外部への接続はワイヤ
ボンディング５にてリードフレーム４へ接続している。
１枚の基板の表裏にパターンを形成しているため、小型
化が図れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果素子に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の磁気抵抗効果素子は、図
３に示すように、Ｘ方向Ｙ方向の磁界に反応するよう
に、基板１の同一面上に強磁性体金属薄膜２が互いに向
きが直交するように形成されたあと、ワイヤボンディン
グ５にてリードフレーム４へ接続するよう構成されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の磁気抵抗効
果素子では同一面上に互いに直交する強磁性体金属薄膜
２が形成されているため、磁気抵抗効果素子が小型化で
きないという問題点があった。
【０００４】本発明の目的は、上述の問題を解決し、小
型化可能な磁気抵抗効果素子を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述した問題点を解決す
るため、本発明による磁気抵抗効果素子は、互いに直交
する２つの強磁性体金属薄膜を基板の表面および裏面に
形成したことを特徴としている。
【０００６】
【実施例】次に本発明を図面を参照して詳細に説明す
る。
【０００７】図１は、本発明の一実施例を示す斜視図で
ある。
【０００８】図１において、ガラス基板等の非磁性体絶
縁基板１上に第１の強磁性体金属薄膜２が形成され、そ
の裏面に第２の強磁性体金属薄膜２が９０度向きを変え
て形成されている。第１の強磁性体金属薄膜２と第２の
強磁性体金属薄膜２はスルーホール３によって電気的に
接続されている。強磁性体金属薄膜２から外部への接続
はワイヤボンディング５にてリードフレーム４に接続さ
れている。
【０００９】図２は図１をモールド６で封止した実施例
を示す断面図である。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明による磁気抵
抗効果素子は、基板の両面に強磁性体金属薄膜を形成し
スルーホールによって接続しているため、基板を２分の
１に小型化できるという効果がある。また、磁界がＸ方
向，Ｙ方向に発生した場合、それぞれの強磁性体金属薄
膜の中心が同じであるため、正確な磁界強度を得ること
ができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による磁気抵抗効果素子の実施例を示す
斜視図。
【図２】図１に示した素子をモールド封止した断面図。
【図３】従来の一実施例を示す斜視図。
【図４】図３に示した従来素子をモールド封止した断面
図。
【符号の説明】
１ ガラス基板 ２ 強磁性体金属薄膜 ３ スルーホール ４ リードフレーム ５ ワイヤボンディング ６ モールド

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気抵抗効果を有する強磁性体金属薄膜
    よりなる磁気抵抗素子を、非磁性体絶縁基板の上下面に
    形成したことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
  2. 【請求項２】 前記非磁性体絶縁基板の上下面に形成し
    た前記磁気抵抗素子は、互いに直交していることを特徴
    とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子。
  3. 【請求項３】 前記非磁性体絶縁基板の上下面に形成し
    た前記磁気抵抗素子は、スルーホールにて接続されてい
    ることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子。
JP5150927A 1993-06-23 1993-06-23 磁気抵抗効果素子 Pending JPH0722668A (ja)

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JP5150927A JPH0722668A (ja) 1993-06-23 1993-06-23 磁気抵抗効果素子

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JP5150927A JPH0722668A (ja) 1993-06-23 1993-06-23 磁気抵抗効果素子

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JPH0722668A true JPH0722668A (ja) 1995-01-24

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JP5150927A Pending JPH0722668A (ja) 1993-06-23 1993-06-23 磁気抵抗効果素子

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017514114A (ja) * 2014-03-25 2017-06-01 江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司Ｍｕｌｔｉｄｉｍｅｎｓｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 磁気抵抗式磁気イメージング・センサ

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63215086A (ja) * 1987-03-04 1988-09-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁電変換素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63215086A (ja) * 1987-03-04 1988-09-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁電変換素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017514114A (ja) * 2014-03-25 2017-06-01 江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司Ｍｕｌｔｉｄｉｍｅｎｓｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 磁気抵抗式磁気イメージング・センサ

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19980324