JPH07231049A - セラミックス多層基板の製造方法及びセラミックス多層基板 - Google Patents
セラミックス多層基板の製造方法及びセラミックス多層基板Info
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- JPH07231049A JPH07231049A JP2003894A JP2003894A JPH07231049A JP H07231049 A JPH07231049 A JP H07231049A JP 2003894 A JP2003894 A JP 2003894A JP 2003894 A JP2003894 A JP 2003894A JP H07231049 A JPH07231049 A JP H07231049A
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
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- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミックス多層基板の製造方法とセラミッ
クス多層基板とに関し、ビアホール上に形成されるビア
パッドが剥離するのを防止し、またビアパッドがセラミ
ックス多層基板表面上に突出しないように形成するセラ
ミックス多層基板の製造方法とセラミックス多層基板と
を提供することを目的とする。 【構成】 第１層となるグリーンシート１にビアパッド
に対応する大きさの開口１０を形成して溶剤が混入され
た高融点金属ペースト４を充填し、第２層以下となる複
数枚のグリーンシート２・２ａのそれぞれにビアホール
３を形成して溶剤が混入された高融点金属ペースト４を
充填し、次いで、第１層と第２層以下のグリーンシート
１・２・２ａを積層して焼成し、溶剤が混入された高融
点金属ペースト４を焼成し、溶剤を揮発させてペースト
中に空孔を生じさせた多孔質高融点金属導体７に銅１１
を含浸する。
クス多層基板とに関し、ビアホール上に形成されるビア
パッドが剥離するのを防止し、またビアパッドがセラミ
ックス多層基板表面上に突出しないように形成するセラ
ミックス多層基板の製造方法とセラミックス多層基板と
を提供することを目的とする。 【構成】 第１層となるグリーンシート１にビアパッド
に対応する大きさの開口１０を形成して溶剤が混入され
た高融点金属ペースト４を充填し、第２層以下となる複
数枚のグリーンシート２・２ａのそれぞれにビアホール
３を形成して溶剤が混入された高融点金属ペースト４を
充填し、次いで、第１層と第２層以下のグリーンシート
１・２・２ａを積層して焼成し、溶剤が混入された高融
点金属ペースト４を焼成し、溶剤を揮発させてペースト
中に空孔を生じさせた多孔質高融点金属導体７に銅１１
を含浸する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックス多層基板
の製造方法とセラミックス多層基板とに関する。
の製造方法とセラミックス多層基板とに関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化アルミニウムセラミックス多層基板
の導体材料としては、主に高融点金属のタングステン
（Ｗ）またはモリブデン（Ｍｏ）が使用される。その理
由は、タングステンペーストまたはモリブデンペースト
の焼成温度が窒化アルミニウムグリーンシートの焼成温
度と同じく、１８００℃の温度で同時に焼成することが
可能であり、また、窒化アルミニウムと熱膨張係数が調
和しているためである。しかしながら、タングステンや
モリブデンは低融点金属の銅や銀に比べて導電抵抗が高
いという欠点がある。
の導体材料としては、主に高融点金属のタングステン
（Ｗ）またはモリブデン（Ｍｏ）が使用される。その理
由は、タングステンペーストまたはモリブデンペースト
の焼成温度が窒化アルミニウムグリーンシートの焼成温
度と同じく、１８００℃の温度で同時に焼成することが
可能であり、また、窒化アルミニウムと熱膨張係数が調
和しているためである。しかしながら、タングステンや
モリブデンは低融点金属の銅や銀に比べて導電抵抗が高
いという欠点がある。
【０００３】この欠点を解消するために、タングステン
等の高融点金属ペーストが焼成後に多孔質高融点金属と
なるようにして、その空孔に低抵抗体である銅を含浸さ
せて低抵抗化を図るという方法が考えられた。
等の高融点金属ペーストが焼成後に多孔質高融点金属と
なるようにして、その空孔に低抵抗体である銅を含浸さ
せて低抵抗化を図るという方法が考えられた。
【０００４】通常、焼成前の窒化アルミニウムグリーン
シートに導体部を形成するには、タングステン粉末また
はモリブデン粉末とエチルセルローズとテレピネオール
とが混合されたペーストが使用されるが、焼成後に多孔
質となるようにするには、これにテレフタル酸を混入し
たペーストを使用する。テレフタル酸は溶剤であるテレ
ピネオールに溶けず、かつ、焼成の際に揮発するため、
焼成後に、テレフタル酸が存在していた部位に空孔が形
成されて多孔質高融点金属となる。この多孔質となった
高融点金属導体に溶融した銅を含浸させて低抵抗化を図
るのである。
シートに導体部を形成するには、タングステン粉末また
はモリブデン粉末とエチルセルローズとテレピネオール
とが混合されたペーストが使用されるが、焼成後に多孔
質となるようにするには、これにテレフタル酸を混入し
たペーストを使用する。テレフタル酸は溶剤であるテレ
ピネオールに溶けず、かつ、焼成の際に揮発するため、
焼成後に、テレフタル酸が存在していた部位に空孔が形
成されて多孔質高融点金属となる。この多孔質となった
高融点金属導体に溶融した銅を含浸させて低抵抗化を図
るのである。
【０００５】例えばスルーホール基板を製造する場合に
は、図２（ａ）に示すように、ビアホール３の形成され
た複数枚の窒化アルミニウムグリーンシート１・２のそ
れぞれのビアホール３にテレフタル酸が混入された高融
点金属ペースト４を充填し、最上層となる窒化アルミニ
ウムグリーンシート１についてはさらにビアホール３上
にテレフタル酸が混入された高融点金属ペースト４より
なるビアパッド５を形成する。次いで、これら複数枚の
窒化アルミニウムグリーンシート１・２を積層して焼成
すると、図２（ｂ）に示すように、窒化アルミニウムセ
ラミックス６のビアホール３内に多孔質高融点金属導体
７が形成され、その上端に多孔質高融点金属導体７より
なるビアパッド８が形成される。ビアパッド８上に銅ペ
レットを載置し、銅の融点以上の温度に加熱して多孔質
高融点金属導体７に形成されている空孔９に銅を含浸さ
せる。
は、図２（ａ）に示すように、ビアホール３の形成され
た複数枚の窒化アルミニウムグリーンシート１・２のそ
れぞれのビアホール３にテレフタル酸が混入された高融
点金属ペースト４を充填し、最上層となる窒化アルミニ
ウムグリーンシート１についてはさらにビアホール３上
にテレフタル酸が混入された高融点金属ペースト４より
なるビアパッド５を形成する。次いで、これら複数枚の
窒化アルミニウムグリーンシート１・２を積層して焼成
すると、図２（ｂ）に示すように、窒化アルミニウムセ
ラミックス６のビアホール３内に多孔質高融点金属導体
７が形成され、その上端に多孔質高融点金属導体７より
なるビアパッド８が形成される。ビアパッド８上に銅ペ
レットを載置し、銅の融点以上の温度に加熱して多孔質
高融点金属導体７に形成されている空孔９に銅を含浸さ
せる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】多孔質高融点金属導体
７の空孔９は窒化アルミニウムセラミックス６との界面
にも形成されるため、多孔質高融点金属導体７と窒化ア
ルミニウムセラミックス６との密着力が弱く、ビアパッ
ド８は剥離しやすい。また、ビアパッド８上に銅ペレッ
トを載置して多孔質高融点金属導体７に銅を含浸させた
ときに、余剰の銅がビアパッド８上に盛り上がった状態
で残留する。この残留した銅を研磨により除去して平坦
化しようとすると、ビアパッド８が剥離してパッドとし
ての用をなさなくなる。たとえ銅を研磨して平坦にした
としても、ビアパッド８が窒化アルミニウムセラミック
ス多層基板上に突出した状態に形成される。
７の空孔９は窒化アルミニウムセラミックス６との界面
にも形成されるため、多孔質高融点金属導体７と窒化ア
ルミニウムセラミックス６との密着力が弱く、ビアパッ
ド８は剥離しやすい。また、ビアパッド８上に銅ペレッ
トを載置して多孔質高融点金属導体７に銅を含浸させた
ときに、余剰の銅がビアパッド８上に盛り上がった状態
で残留する。この残留した銅を研磨により除去して平坦
化しようとすると、ビアパッド８が剥離してパッドとし
ての用をなさなくなる。たとえ銅を研磨して平坦にした
としても、ビアパッド８が窒化アルミニウムセラミック
ス多層基板上に突出した状態に形成される。
【０００７】本発明の目的は、これらの欠点を解消する
ことにあり、ビアホール上に形成されるビアパッドが剥
離するのを防止し、また、ビアパッドが窒化アルミニウ
ムセラミックス多層基板表面上に突出しないように形成
することができるセラミックス多層基板の製造方法とこ
の製造方法を実施して製造したセラミックス多層基板を
提供することにある。
ことにあり、ビアホール上に形成されるビアパッドが剥
離するのを防止し、また、ビアパッドが窒化アルミニウ
ムセラミックス多層基板表面上に突出しないように形成
することができるセラミックス多層基板の製造方法とこ
の製造方法を実施して製造したセラミックス多層基板を
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の第１の目的（セラ
ミックス多層基板の製造方法の提供）は、第１層となる
グリーンシート（１）にビアパッドに対応する大きさの
開口（１０）を形成し、この開口（１０）に溶剤が混入
された高融点金属ペースト（４）を充填して溶剤が混入
された高融点金属ペースト（４）よりなるビアパッド
（５）を形成し、次に、第２層以下となる複数枚のグリ
ーンシート（２・２ａ）のそれぞれにビアホール（３）
を形成し、このビアホール（３）に溶剤が混入された高
融点金属ペースト（４）を充填し、次いで、前記の第１
層となるグリーンシート（１）と前記の第２層以下とな
る複数枚のグリーンシート（２・２ａ）とを、前記のビ
アパッド（５）と前記のビアホール（３）とが重なるよ
うに積層して焼成し、前記の溶剤が混入された高融点金
属ペースト（４）を焼成し、前記の溶剤を揮発させて前
記のペースト中に空孔を生じさせた多孔質高融点金属導
体（７）に銅（１１）を含浸する工程を有するセラミッ
クス多層基板の製造方法によって達成される。
ミックス多層基板の製造方法の提供）は、第１層となる
グリーンシート（１）にビアパッドに対応する大きさの
開口（１０）を形成し、この開口（１０）に溶剤が混入
された高融点金属ペースト（４）を充填して溶剤が混入
された高融点金属ペースト（４）よりなるビアパッド
（５）を形成し、次に、第２層以下となる複数枚のグリ
ーンシート（２・２ａ）のそれぞれにビアホール（３）
を形成し、このビアホール（３）に溶剤が混入された高
融点金属ペースト（４）を充填し、次いで、前記の第１
層となるグリーンシート（１）と前記の第２層以下とな
る複数枚のグリーンシート（２・２ａ）とを、前記のビ
アパッド（５）と前記のビアホール（３）とが重なるよ
うに積層して焼成し、前記の溶剤が混入された高融点金
属ペースト（４）を焼成し、前記の溶剤を揮発させて前
記のペースト中に空孔を生じさせた多孔質高融点金属導
体（７）に銅（１１）を含浸する工程を有するセラミッ
クス多層基板の製造方法によって達成される。
【０００９】前記のグリーンシート（１・２・２ａ）は
窒化アルミニウムグリーンシートまたはアルミナグリー
ンシートが好適であり、また、前記の溶剤にはテレフタ
ル酸が好適である。
窒化アルミニウムグリーンシートまたはアルミナグリー
ンシートが好適であり、また、前記の溶剤にはテレフタ
ル酸が好適である。
【００１０】前記の多孔質高融点金属導体（７）に銅
（１１）を含浸した後、銅（１１）の含浸された前記の
多孔質高融点金属導体（７）の表面を研磨すると、含浸
に使用された銅の残部が取り除かれて、セラミックス多
層基板の表面が平坦になる。
（１１）を含浸した後、銅（１１）の含浸された前記の
多孔質高融点金属導体（７）の表面を研磨すると、含浸
に使用された銅の残部が取り除かれて、セラミックス多
層基板の表面が平坦になる。
【００１１】上記の第２の目的（セラミックス多層基板
の提供）は、表層には径の大きなビアホール（３）が形
成され、表層以外には径の小さなビアホール（３）が形
成され、これらのビアホール（３）中には銅（１１）が
含浸された多孔質高融点金属導体（７）よりなる低抵抗
導体柱が嵌入されており、この低抵抗導体柱の表面と前
記の表層の表面とは同一平面であるセラミックス多層基
板によって達成される。
の提供）は、表層には径の大きなビアホール（３）が形
成され、表層以外には径の小さなビアホール（３）が形
成され、これらのビアホール（３）中には銅（１１）が
含浸された多孔質高融点金属導体（７）よりなる低抵抗
導体柱が嵌入されており、この低抵抗導体柱の表面と前
記の表層の表面とは同一平面であるセラミックス多層基
板によって達成される。
【００１２】
【作用】多孔質高融点金属導体７は窒化アルミニウムセ
ラミックスとの密着性が悪いため剥離し易く、銅含浸工
程の前においても剥離することがある。ビアパッドが剥
離して窒化アルミニウムセラミックスが露出すると、銅
はセラミックスとの濡れ性が悪いので弾かれてしまい、
銅の含浸ができなくなる。本発明に係るセラミックス多
層基板の製造方法においては、ビアパッド８を窒化アル
ミニウムセラミックスに埋め込んで形成することにより
銅含浸前の剥離が防止されるのみでなく、銅含浸後にお
いてビアパッド上に盛り上がるように残留した銅を研磨
により平坦化するときにも簡単に剥離することがない。
また、ビアパッド８の表面は窒化アルミニウムセラミッ
クス多層基板の表面上に突出することなく、窒化アルミ
ニウムセラミックス多層基板の表面と同一の高さに形成
される。
ラミックスとの密着性が悪いため剥離し易く、銅含浸工
程の前においても剥離することがある。ビアパッドが剥
離して窒化アルミニウムセラミックスが露出すると、銅
はセラミックスとの濡れ性が悪いので弾かれてしまい、
銅の含浸ができなくなる。本発明に係るセラミックス多
層基板の製造方法においては、ビアパッド８を窒化アル
ミニウムセラミックスに埋め込んで形成することにより
銅含浸前の剥離が防止されるのみでなく、銅含浸後にお
いてビアパッド上に盛り上がるように残留した銅を研磨
により平坦化するときにも簡単に剥離することがない。
また、ビアパッド８の表面は窒化アルミニウムセラミッ
クス多層基板の表面上に突出することなく、窒化アルミ
ニウムセラミックス多層基板の表面と同一の高さに形成
される。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例に係
るセラミックス多層基板の製造方法について説明する。
るセラミックス多層基板の製造方法について説明する。
【００１４】図１（ａ）参照 最上層から２層目となる窒化アルミニウムグリーンシー
ト２ａにビアホール３を形成し、このビアホール３にテ
レフタル酸が混入されたタングステンペースト４を充填
する。１層目となる窒化アルミニウムグリーンシート１
のビアホール３に対応する領域にビアパッドに対応する
大きさの開口１０を形成し、これを２層目となる窒化ア
ルミニウムグリーンシート２ａ上に仮積層し、開口１０
にテレフタル酸が混入されたタングステンペースト４を
充填してビアパッド５を形成する。次いで、２層目の窒
化アルミニウムグリーンシート２ａの下層に、２層目の
窒化アルミニウムグリーンシート２ａと同様にビアホー
ル３が形成され、そのビアホール３にテレフタル酸が混
入されたタングステンペースト４が充填された複数枚の
窒化アルミニウムグリーンシート２を積層し、６００℃
の温度で約２４時間脱脂処理をなした後、窒素ガス中に
おいて１８００℃の温度で９時間焼成する。
ト２ａにビアホール３を形成し、このビアホール３にテ
レフタル酸が混入されたタングステンペースト４を充填
する。１層目となる窒化アルミニウムグリーンシート１
のビアホール３に対応する領域にビアパッドに対応する
大きさの開口１０を形成し、これを２層目となる窒化ア
ルミニウムグリーンシート２ａ上に仮積層し、開口１０
にテレフタル酸が混入されたタングステンペースト４を
充填してビアパッド５を形成する。次いで、２層目の窒
化アルミニウムグリーンシート２ａの下層に、２層目の
窒化アルミニウムグリーンシート２ａと同様にビアホー
ル３が形成され、そのビアホール３にテレフタル酸が混
入されたタングステンペースト４が充填された複数枚の
窒化アルミニウムグリーンシート２を積層し、６００℃
の温度で約２４時間脱脂処理をなした後、窒素ガス中に
おいて１８００℃の温度で９時間焼成する。
【００１５】図１（ｂ）参照 焼成の結果、窒化アルミニウムグリーンシートは窒化ア
ルミニウムセラミックス６となり、また、タングステン
ペースト４に混入されたテレフタル酸が揮発して、ビア
パッド形成用開口１０とビアホール３とに空孔９を有す
る多孔質タングステン導体７が形成される。
ルミニウムセラミックス６となり、また、タングステン
ペースト４に混入されたテレフタル酸が揮発して、ビア
パッド形成用開口１０とビアホール３とに空孔９を有す
る多孔質タングステン導体７が形成される。
【００１６】図１（ｃ）参照 開口１０に形成された多孔質タングステン導体７よりな
るビアパッド８上に銅ペレットを載置し、還元雰囲気中
で１１３０℃の温度に加熱して銅を溶融し、多孔質タン
グステン導体７の空孔９に銅１１を含浸する。次いで、
ビアパッド８上に盛り上がるように残留した銅を研磨し
て除去し、表面を平坦化する。
るビアパッド８上に銅ペレットを載置し、還元雰囲気中
で１１３０℃の温度に加熱して銅を溶融し、多孔質タン
グステン導体７の空孔９に銅１１を含浸する。次いで、
ビアパッド８上に盛り上がるように残留した銅を研磨し
て除去し、表面を平坦化する。
【００１７】上記の実施例においては、グリーンシート
として窒化アルミニウムグリーンシートのみが記載され
ているが、アルミナグリーンシートでも全くさしつかえ
ない。
として窒化アルミニウムグリーンシートのみが記載され
ているが、アルミナグリーンシートでも全くさしつかえ
ない。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係るセラ
ミックス多層基板の製造方法においては、多孔質高融点
金属よりなるビアパッドをセラミックス多層基板の第１
層に埋め込むように形成しているので、銅含浸前に基板
から剥離することが防止されることは勿論、銅含浸後に
おけるビアパッド表面の研磨工程においても簡単に剥離
することがなくなる。そして、ビアパッドの表面は窒化
アルミニウムセラミックス多層基板の表面上に突出する
ことがなく、同一の高さに形成される。
ミックス多層基板の製造方法においては、多孔質高融点
金属よりなるビアパッドをセラミックス多層基板の第１
層に埋め込むように形成しているので、銅含浸前に基板
から剥離することが防止されることは勿論、銅含浸後に
おけるビアパッド表面の研磨工程においても簡単に剥離
することがなくなる。そして、ビアパッドの表面は窒化
アルミニウムセラミックス多層基板の表面上に突出する
ことがなく、同一の高さに形成される。
【図１】本発明に係る窒化アルミニウムセラミックス多
層基板の製造工程図である。
層基板の製造工程図である。
【図２】従来技術に係る窒化アルミニウムセラミックス
多層基板の製造工程図である。
多層基板の製造工程図である。
１ 第１層の窒化アルミニウムグリーンシート ２ 第２層以下の窒化アルミニウムグリーンシート ３ ビアホール ４ テレフタル酸が混入された高融点金属ペースト ５ テレフタル酸が混入された高融点金属ペーストよ
りなるビアパッド ６ 窒化アルミニウムセラミックス ７ 多孔質高融点金属導体 ８ 多孔質高融点金属導体よりなるビアパッド ９ 空孔 １０ 開口 １１ 銅
りなるビアパッド ６ 窒化アルミニウムセラミックス ７ 多孔質高融点金属導体 ８ 多孔質高融点金属導体よりなるビアパッド ９ 空孔 １０ 開口 １１ 銅
Claims (4)
- 【請求項１】 第１層となるグリーンシート（１）にビ
アパッドに対応する大きさの開口（１０）を形成し、該
開口（１０）に溶剤が混入された高融点金属ペースト
（４）を充填して溶剤が混入された高融点金属ペースト
（４）よりなるビアパッド（５）を形成し、 第２層以下となる複数枚のグリーンシート（２・２ａ）
のそれぞれにビアホール（３）を形成し、該ビアホール
（３）に溶剤が混入された高融点金属ペースト（４）を
充填し、 前記第１層となるグリーンシート（１）と前記第２層以
下となる複数枚のグリーンシート（２・２ａ）とを、前
記ビアパッド（５）と前記ビアホール（３）とが重なる
ように積層して焼成し、 前記溶剤が混入された高融点金属ペースト（４）を焼成
し、前記溶剤を揮発させて前記ペースト中に空孔を生じ
させた多孔質高融点金属導体（７）に銅（１１）を含浸
する工程を有することを特徴とするセラミックス多層基
板の製造方法。 - 【請求項２】 前記グリーンシート（１・２・２ａ）は
窒化アルミニウムグリーンシートまたはアルミナグリー
ンシートであり、前記溶剤はテレフタル酸であることを
特徴とする請求項１記載のセラミックス多層基板の製造
方法。 - 【請求項３】 前記多孔質高融点金属導体（７）に銅
（１１）を含浸した後、銅（１１）の含浸された前記多
孔質高融点金属導体（７）の表面を研磨して平坦化する
工程を有することを特徴とする請求項１または請求項２
記載のセラミックス多層基板の製造方法。 - 【請求項４】 表層には径の大きなビアホール（３）が
形成され、表層以外には径の小さなビアホール（３）が
形成され、該ビアホール（３）中には銅（１１）が含浸
された多孔質高融点金属導体（７）よりなる低抵抗導体
柱が嵌入されてなり、該低抵抗導体柱の表面と前記表層
の表面とは同一平面であることを特徴とするセラミック
ス多層基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003894A JPH07231049A (ja) | 1994-02-17 | 1994-02-17 | セラミックス多層基板の製造方法及びセラミックス多層基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003894A JPH07231049A (ja) | 1994-02-17 | 1994-02-17 | セラミックス多層基板の製造方法及びセラミックス多層基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07231049A true JPH07231049A (ja) | 1995-08-29 |
Family
ID=12015898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003894A Withdrawn JPH07231049A (ja) | 1994-02-17 | 1994-02-17 | セラミックス多層基板の製造方法及びセラミックス多層基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07231049A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10355600A1 (de) * | 2003-11-28 | 2005-06-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Trägerschicht für eine Halbleiterschichtenfolge und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips |
| DE19802347B4 (de) * | 1997-09-12 | 2005-10-06 | LG Semicon Co., Ltd., Cheongju | Stapelbares Halbleitersubstrat und stapelbare Halbleiterbaugruppe sowie Herstellungsverfahren derselben und Herstellungsverfahren eines stapelbaren Halbleiterbaugruppenmoduls |
| CN102738069A (zh) * | 2011-03-30 | 2012-10-17 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| US10121731B2 (en) | 2015-10-19 | 2018-11-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1994
- 1994-02-17 JP JP2003894A patent/JPH07231049A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
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