JPH07240570A - 薄膜構造体 - Google Patents
薄膜構造体Info
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- JPH07240570A JPH07240570A JP2953394A JP2953394A JPH07240570A JP H07240570 A JPH07240570 A JP H07240570A JP 2953394 A JP2953394 A JP 2953394A JP 2953394 A JP2953394 A JP 2953394A JP H07240570 A JPH07240570 A JP H07240570A
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- thermal expansion
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、安価で、熱伝導の良好な金属を基
板として用いることができるとともに、高温度でも使用
でき、耐環境性に優れた、高密着性を有する薄膜構造体
を提供することを目的とする。 【構成】 本発明に係る薄膜構造体は、金属基板Ｓとア
ルミナ膜Ｆからなる薄膜構造体において、金属基板Ｓと
アルミナ膜Ｆの間に少なくとも一層以上の中間層を設け
るとともに、前記中間層の熱膨張係数αi を、金属基板
Ｓの熱膨張係数αs よりも大きく、アルミナ膜の熱膨張
係数αf よりも小さくする（すなわちαf＜αi ＜αs
とする）ことを特徴とする。
板として用いることができるとともに、高温度でも使用
でき、耐環境性に優れた、高密着性を有する薄膜構造体
を提供することを目的とする。 【構成】 本発明に係る薄膜構造体は、金属基板Ｓとア
ルミナ膜Ｆからなる薄膜構造体において、金属基板Ｓと
アルミナ膜Ｆの間に少なくとも一層以上の中間層を設け
るとともに、前記中間層の熱膨張係数αi を、金属基板
Ｓの熱膨張係数αs よりも大きく、アルミナ膜の熱膨張
係数αf よりも小さくする（すなわちαf＜αi ＜αs
とする）ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は金属ベースの基板を用い
たハイブリッドＩＣの薄膜構造体に関する。本発明は半
導体関連の薄膜や、耐摩耗、耐酸化、耐食関連等の各種
薄膜に利用できる。
たハイブリッドＩＣの薄膜構造体に関する。本発明は半
導体関連の薄膜や、耐摩耗、耐酸化、耐食関連等の各種
薄膜に利用できる。
【０００２】
【従来の技術】従来、ハイブリッドＩＣ（以下ＨＩＣと
いう）の基板としては、アルミナ等のセラミックスが用
いられてきた。しかし最近、より耐環境性に優れたＨＩ
Ｃが要求されるようになり、放熱性に優れた金属基板を
用いるＨＩＣが製造されるようになってきた。ところ
が、金属は電気伝導体であるため、基板として用いるた
めには表面をアルミナ等の絶縁膜でコーティングし、そ
の上に薄膜配線を施す必要がある。
いう）の基板としては、アルミナ等のセラミックスが用
いられてきた。しかし最近、より耐環境性に優れたＨＩ
Ｃが要求されるようになり、放熱性に優れた金属基板を
用いるＨＩＣが製造されるようになってきた。ところ
が、金属は電気伝導体であるため、基板として用いるた
めには表面をアルミナ等の絶縁膜でコーティングし、そ
の上に薄膜配線を施す必要がある。
【０００３】しかし、アルミナの熱膨張係数αは５×１
０-6／deg 程度と小さく、金属の熱膨張係数は一般に１
０×１０-6／deg 程度以上と大きいため、金属上にアル
ミナ膜を形成すると熱膨張係数の違いによる応力が発生
し、図５に示すようにアルミナ膜が剥離するという問題
が発生していた。
０-6／deg 程度と小さく、金属の熱膨張係数は一般に１
０×１０-6／deg 程度以上と大きいため、金属上にアル
ミナ膜を形成すると熱膨張係数の違いによる応力が発生
し、図５に示すようにアルミナ膜が剥離するという問題
が発生していた。
【０００４】そこで、図４に示すように金属の中でも比
較的熱膨張係数が小さく（８×１０-6／deg 程度）、ま
た入手も比較的容易なＴｉを基板として用いることによ
り剥離の問題を解決し、金属ベース基板を用いたＨＩＣ
が製造されている。
較的熱膨張係数が小さく（８×１０-6／deg 程度）、ま
た入手も比較的容易なＴｉを基板として用いることによ
り剥離の問題を解決し、金属ベース基板を用いたＨＩＣ
が製造されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】Ｔｉを用いた金属ベー
ス基板は、従来のセラミックス基板に比べれば放熱性に
優れるため、最高使用温度の高いＨＩＣ用基板として用
いることができる。しかしＴｉは金属材料としては高価
であり、また、熱伝導が金属の中では良くないため
（０．０３５ cal／cm・ cec ・ deg ）、一般に安価で熱
伝導が良好であるという金属の特徴を活かしているとは
言い難い。
ス基板は、従来のセラミックス基板に比べれば放熱性に
優れるため、最高使用温度の高いＨＩＣ用基板として用
いることができる。しかしＴｉは金属材料としては高価
であり、また、熱伝導が金属の中では良くないため
（０．０３５ cal／cm・ cec ・ deg ）、一般に安価で熱
伝導が良好であるという金属の特徴を活かしているとは
言い難い。
【０００６】本発明はこれらの問題を解決することがで
きる薄膜構造体、すなわちより安価で熱伝導の良好な金
属を基板として用いることができるとともに、高温度で
も使用でき、耐環境性に優れた高密着性を有する薄膜構
造体を提供することを目的とする。
きる薄膜構造体、すなわちより安価で熱伝導の良好な金
属を基板として用いることができるとともに、高温度で
も使用でき、耐環境性に優れた高密着性を有する薄膜構
造体を提供することを目的とする。
【０００７】
（第１の手段）本発明に係る高密着性を有する薄膜構造
体は、金属基板Ｓとアルミナ膜Ｆからなる薄膜構造体に
おいて、金属基板Ｓとアルミナ膜Ｆの間に少なくとも一
層以上の中間層を設けるとともに、前記中間層の熱膨張
係数αi を、金属基板Ｓの熱膨張係数αs よりも大き
く、アルミナ膜の熱膨張係数αf よりも小さくする（す
なわちαf ＜αi ＜αs とする）ことを特徴とする。
体は、金属基板Ｓとアルミナ膜Ｆからなる薄膜構造体に
おいて、金属基板Ｓとアルミナ膜Ｆの間に少なくとも一
層以上の中間層を設けるとともに、前記中間層の熱膨張
係数αi を、金属基板Ｓの熱膨張係数αs よりも大き
く、アルミナ膜の熱膨張係数αf よりも小さくする（す
なわちαf ＜αi ＜αs とする）ことを特徴とする。
【０００８】（第２の手段）本発明に係る薄膜構造体は
第１の手段において、金属基板Ｓとして銅Ｃｕ又はアル
ミニウムＡｌを用い、中間層としてニッケルＮｉ又はク
ロムＣｒのいずれかを用いることを特徴とする。
第１の手段において、金属基板Ｓとして銅Ｃｕ又はアル
ミニウムＡｌを用い、中間層としてニッケルＮｉ又はク
ロムＣｒのいずれかを用いることを特徴とする。
【０００９】（第３の手段）本発明に係る薄膜構造体は
第１の手段において、金属基板Ｓとして銅Ｃｕ又はアル
ミニウムＡｌを用い、ニッケルＮｉを金属基板側中間層
とし、クロムＣｒをアルミナ膜側の中間層として用いる
ことを特徴とする。
第１の手段において、金属基板Ｓとして銅Ｃｕ又はアル
ミニウムＡｌを用い、ニッケルＮｉを金属基板側中間層
とし、クロムＣｒをアルミナ膜側の中間層として用いる
ことを特徴とする。
【００１０】前述のように本発明は、より耐環境性に優
れたＨＩＣを安価に製造するために、まず基板としては
金属を用い、その中でも安価で熱伝導の良好なものとし
てＣｕおよびＡｌを用いる。
れたＨＩＣを安価に製造するために、まず基板としては
金属を用い、その中でも安価で熱伝導の良好なものとし
てＣｕおよびＡｌを用いる。
【００１１】より耐環境性を重視する場合にはＣｕを用
い、より安価にするためにはＡｌを用いる。Ｃｕの熱伝
導度０．９４ cal／cm・ sec ・ deg 程度であり、Ａｌの
熱伝導度は０．５４ cal／cm・ sec ・ deg 程度であるか
らである。
い、より安価にするためにはＡｌを用いる。Ｃｕの熱伝
導度０．９４ cal／cm・ sec ・ deg 程度であり、Ａｌの
熱伝導度は０．５４ cal／cm・ sec ・ deg 程度であるか
らである。
【００１２】しかしながらＣｕの熱膨張係数は１７×１
０-6／deg 程度、Ａｌの熱膨張係数は２４×１０-6／de
g とアルミナ膜の熱膨張係数５×１０6 ／deg に比べ数
倍程度値が大きいため、ＣｕやＡｌに直接アルミナ膜を
形成すると剥離が発生し基板として用いることは不可能
である。
０-6／deg 程度、Ａｌの熱膨張係数は２４×１０-6／de
g とアルミナ膜の熱膨張係数５×１０6 ／deg に比べ数
倍程度値が大きいため、ＣｕやＡｌに直接アルミナ膜を
形成すると剥離が発生し基板として用いることは不可能
である。
【００１３】そこで基板とアルミナ膜の間に中間層とし
て両者の中間の熱膨張係数を有する層を設けることによ
り、アルミナ膜の剥離を防止する。なお、薄膜形成の容
易さ、材料の安定性および価格等の点からは、ＮｉとＣ
ｒのいずれか一層、あるいは中間層として金属基板側に
Ｎｉ、アルミナ膜側にＣｒを有する二層構造の中間層が
望ましい。
て両者の中間の熱膨張係数を有する層を設けることによ
り、アルミナ膜の剥離を防止する。なお、薄膜形成の容
易さ、材料の安定性および価格等の点からは、ＮｉとＣ
ｒのいずれか一層、あるいは中間層として金属基板側に
Ｎｉ、アルミナ膜側にＣｒを有する二層構造の中間層が
望ましい。
【００１４】
【作用】本発明の薄膜構造体では、金属基板とアルミナ
膜との間に両者の中間の熱膨張係数を有する物質を中間
層として設けているため、金属基板とアルミナ膜との熱
膨張係数の違いにより発生する応力を緩和し、その結果
応力により発生するアルミナ膜の剥離を防止することが
できる。
膜との間に両者の中間の熱膨張係数を有する物質を中間
層として設けているため、金属基板とアルミナ膜との熱
膨張係数の違いにより発生する応力を緩和し、その結果
応力により発生するアルミナ膜の剥離を防止することが
できる。
【００１５】また、段階的に熱膨張係数の異なる中間層
を複層設けることにより、熱膨張差による応力も段階的
に緩和されるため、よりアルミナ膜の密着性に優れた金
属ベース基板用の薄膜構造体を形成することができる。
を複層設けることにより、熱膨張差による応力も段階的
に緩和されるため、よりアルミナ膜の密着性に優れた金
属ベース基板用の薄膜構造体を形成することができる。
【００１６】
（第１実施例）本発明の第１実施例としてＣｕ基板の上
に、中間層と、うすいアルミナ膜を形成する場合につき
説明する。
に、中間層と、うすいアルミナ膜を形成する場合につき
説明する。
【００１７】図１の金属基板としてＣｕ基板を、中間層
としてＮｉ膜を用いた場合が、第１実施例に対応する。
電子ビーム蒸着法によりＣｕ基板の上にアルミナ絶縁膜
を直接形成せずに、アルミナ膜の蒸着に先立ち０．５μ
ｍのＮｉ膜を蒸着し、その後連続的に２μｍのアルミナ
膜を蒸着した。
としてＮｉ膜を用いた場合が、第１実施例に対応する。
電子ビーム蒸着法によりＣｕ基板の上にアルミナ絶縁膜
を直接形成せずに、アルミナ膜の蒸着に先立ち０．５μ
ｍのＮｉ膜を蒸着し、その後連続的に２μｍのアルミナ
膜を蒸着した。
【００１８】他方、第１実施例の比較例として、Ｎｉの
中間層を蒸着しない他は第１実施例と同様の方法でＣｕ
基板にアルミナ膜を２μｍ形成した。上記２種類のＣｕ
基板について蒸着後の外観を調べた結果、比較例の基板
ではほぼ全面にわたってアルミナ膜の剥離が発生してい
るのに対し、第１実施例の基板では膜の剥離は観察され
ず、中間層を形成することにより密着性が向上すること
が明らかとなった。
中間層を蒸着しない他は第１実施例と同様の方法でＣｕ
基板にアルミナ膜を２μｍ形成した。上記２種類のＣｕ
基板について蒸着後の外観を調べた結果、比較例の基板
ではほぼ全面にわたってアルミナ膜の剥離が発生してい
るのに対し、第１実施例の基板では膜の剥離は観察され
ず、中間層を形成することにより密着性が向上すること
が明らかとなった。
【００１９】Ｎｉの熱膨張係数αniは１３×１０-6／de
g 程度であり、アルミナ膜の熱膨張係数αf は、５×１
０-6／deg 、Ｎｉ膜の熱膨張係数αniは、 １×１０
-6／deg 、Ｃｕ基板の熱膨張係数αcuは、 １６×１０
-6／degであるから、 αf ＜αni＜αcu …（Ａ） の関係を有する。この場合、αcuは図１のαs にαniは
図１のαi に対応するから、第１実施例は αf ＜αi ＜αs …（Ａ）′ の関係を有する。
g 程度であり、アルミナ膜の熱膨張係数αf は、５×１
０-6／deg 、Ｎｉ膜の熱膨張係数αniは、 １×１０
-6／deg 、Ｃｕ基板の熱膨張係数αcuは、 １６×１０
-6／degであるから、 αf ＜αni＜αcu …（Ａ） の関係を有する。この場合、αcuは図１のαs にαniは
図１のαi に対応するから、第１実施例は αf ＜αi ＜αs …（Ａ）′ の関係を有する。
【００２０】（第２実施例）本発明の第２実施例として
Ａｌ基板に中間層とアルミナ絶縁膜を形成する場合につ
き説明する。
Ａｌ基板に中間層とアルミナ絶縁膜を形成する場合につ
き説明する。
【００２１】図１の金属基板としてＡｌ基板を、中間層
１としてＮｉ膜を用いた場合が第２実施例に対応する。
直流マグネトロン・スパッタリング法によりＡｌ基板の
上にアルミナ絶縁膜を直接形成せずに、あらかじめＮｉ
膜を１μｍ形成したのちアルミナ絶縁膜を形成した。他
方第２実施例の比較例として、Ｎｉ膜を形成していない
Ａｌ基板の上に、スパッタリング法によりアルミナ膜の
形成をした。アルミナ膜の形成状況をのぞき窓から観察
していると、当初は両基板とも同じように膜が形成され
ていったが、水晶膜厚計の指示が５μｍを越えるころか
ら、比較例すなわちＮｉ中間層を形成していないＡｌ基
板の表面が、ところどころ点状に光りだすようになり、
やがてアルミナ膜の厚さが約６μｍ厚さになると、Ａｌ
基板の表面全体が乱反射を示すようになり、アルミナ膜
が全面的に剥離する様子が観察された。しかし第２実施
例すなわちＮｉ中間層を形成したＡｌ基板は１０μｍま
でアルミナの成膜を継続してもＡｌ基板の表面の変化は
観察されなかった。従って、第２実施例によりＡｌ基板
を用いた場合も、中間層によりアルミナ膜の密着性が向
上することがわかった。なお、アルミナ膜の熱膨張係数
αf は、５×１０-6／deg 、Ｎｉ膜の熱膨張係数α
niは、 １３×１０-6／deg 、Ａｌ基板の熱膨張係数
αalは、 ２３×１０-6／degであるから、 αf ＜αni＜αal …（Ｃ） の関係を有する。この場合、αalは図１のαs にαniは
図１のαi に対応するから、第２実施例も αf ＜αi ＜αs …（Ｃ）′ の関係を有する。
１としてＮｉ膜を用いた場合が第２実施例に対応する。
直流マグネトロン・スパッタリング法によりＡｌ基板の
上にアルミナ絶縁膜を直接形成せずに、あらかじめＮｉ
膜を１μｍ形成したのちアルミナ絶縁膜を形成した。他
方第２実施例の比較例として、Ｎｉ膜を形成していない
Ａｌ基板の上に、スパッタリング法によりアルミナ膜の
形成をした。アルミナ膜の形成状況をのぞき窓から観察
していると、当初は両基板とも同じように膜が形成され
ていったが、水晶膜厚計の指示が５μｍを越えるころか
ら、比較例すなわちＮｉ中間層を形成していないＡｌ基
板の表面が、ところどころ点状に光りだすようになり、
やがてアルミナ膜の厚さが約６μｍ厚さになると、Ａｌ
基板の表面全体が乱反射を示すようになり、アルミナ膜
が全面的に剥離する様子が観察された。しかし第２実施
例すなわちＮｉ中間層を形成したＡｌ基板は１０μｍま
でアルミナの成膜を継続してもＡｌ基板の表面の変化は
観察されなかった。従って、第２実施例によりＡｌ基板
を用いた場合も、中間層によりアルミナ膜の密着性が向
上することがわかった。なお、アルミナ膜の熱膨張係数
αf は、５×１０-6／deg 、Ｎｉ膜の熱膨張係数α
niは、 １３×１０-6／deg 、Ａｌ基板の熱膨張係数
αalは、 ２３×１０-6／degであるから、 αf ＜αni＜αal …（Ｃ） の関係を有する。この場合、αalは図１のαs にαniは
図１のαi に対応するから、第２実施例も αf ＜αi ＜αs …（Ｃ）′ の関係を有する。
【００２２】（第３実施例）本発明の第３実施例として
Ｃｕ基板に中間層と厚いアルミナ膜を形成する場合につ
き説明する。
Ｃｕ基板に中間層と厚いアルミナ膜を形成する場合につ
き説明する。
【００２３】図２の金属基板としてＣｕ基板を、中間層
１としてＮｉ膜を、中間層２としてＣｒ膜を用いた場合
が第３実施例に対応する。第３実施例ではＣｕ基板の上
に中間層を介してアルミナ膜を形成したが、中間層とし
てまず０．５μｍのＮｉを蒸着した後に続けて０．５μ
ｍのＣｒを蒸着し、さらに連続的に８μｍのアルミナ膜
を蒸着した薄膜構造体を形成した。他方、第３実施例の
比較例としてアルミナ膜の厚さを８μｍとした以外は第
１実施例と同様の方法で０．５μｍのＮｉを中間層とし
て有する薄膜構造体を形成した。
１としてＮｉ膜を、中間層２としてＣｒ膜を用いた場合
が第３実施例に対応する。第３実施例ではＣｕ基板の上
に中間層を介してアルミナ膜を形成したが、中間層とし
てまず０．５μｍのＮｉを蒸着した後に続けて０．５μ
ｍのＣｒを蒸着し、さらに連続的に８μｍのアルミナ膜
を蒸着した薄膜構造体を形成した。他方、第３実施例の
比較例としてアルミナ膜の厚さを８μｍとした以外は第
１実施例と同様の方法で０．５μｍのＮｉを中間層とし
て有する薄膜構造体を形成した。
【００２４】上記２種類の８μｍ厚さのアルミナ膜の外
観を観察した結果、第３実施例ではアルミナ膜の剥離は
観察されず健全な状態であったが、比較例ではごくわず
かではあるもののアルミナ膜の剥離が観察された。すな
わち第１実施例に示したように、Ｃｕ基板とアルミナ膜
との中間の熱膨張係数を有する中間層を一層設けた薄膜
構造体で密着性向上の効果は発揮できるものの、第３実
施例のように厚いアルミナ絶縁膜を形成する場合には、
熱膨張係数が段階的に変化する二層以上の中間層を有す
る薄膜構造体がアルミナ膜の密着性向上により有効であ
ることが明らかになった。
観を観察した結果、第３実施例ではアルミナ膜の剥離は
観察されず健全な状態であったが、比較例ではごくわず
かではあるもののアルミナ膜の剥離が観察された。すな
わち第１実施例に示したように、Ｃｕ基板とアルミナ膜
との中間の熱膨張係数を有する中間層を一層設けた薄膜
構造体で密着性向上の効果は発揮できるものの、第３実
施例のように厚いアルミナ絶縁膜を形成する場合には、
熱膨張係数が段階的に変化する二層以上の中間層を有す
る薄膜構造体がアルミナ膜の密着性向上により有効であ
ることが明らかになった。
【００２５】Ｃｒの熱膨張係数は６×１０-6／deg 程度
であり、アルミナ膜の熱膨張係数αf は、５×１０-6／
deg 、Ｃｒ膜の熱膨張係数αcrは、 ６×１０-6／de
g 、Ｎｉ膜の熱膨張係数αniは、 １３×１０-6／de
g 、Ｃｕ基板の熱膨張係数αcuは、 １６×１０-6／de
gであるから、 αf ＜αcr＜αni＜αcu α（Ｂ） の関係を有する。この場合、αcuは図２のαs にαniは
図２のα1 にαcrは図２のα2 に対応するから、第３実
施例は、 αf ＜α2 ＜α1 ＜αs α（Ｂ）′ の関係を有する。
であり、アルミナ膜の熱膨張係数αf は、５×１０-6／
deg 、Ｃｒ膜の熱膨張係数αcrは、 ６×１０-6／de
g 、Ｎｉ膜の熱膨張係数αniは、 １３×１０-6／de
g 、Ｃｕ基板の熱膨張係数αcuは、 １６×１０-6／de
gであるから、 αf ＜αcr＜αni＜αcu α（Ｂ） の関係を有する。この場合、αcuは図２のαs にαniは
図２のα1 にαcrは図２のα2 に対応するから、第３実
施例は、 αf ＜α2 ＜α1 ＜αs α（Ｂ）′ の関係を有する。
【００２６】（第４実施例）本発明の第４実施例とし
て、熱膨張係数の非常に大きい金属基板の上に、中間層
とアルミナ膜を形成する場合につき説明する。
て、熱膨張係数の非常に大きい金属基板の上に、中間層
とアルミナ膜を形成する場合につき説明する。
【００２７】この場合には、図３に示すように多層（ｎ
層）の中間層を用いれるとともに αf ＜αn ＜…＜α2 ＜α1 ＜αs …（Ｄ） の関係を有するようにする。ただし、 αs ；金属基板の熱膨張係数 α1 ；中間層１の熱膨張係数 α2 ；中間層２の熱膨張係数 …… αn ；中間層ｎの熱膨張係数 αf ；アルミナ膜の熱膨張係数 とする。
層）の中間層を用いれるとともに αf ＜αn ＜…＜α2 ＜α1 ＜αs …（Ｄ） の関係を有するようにする。ただし、 αs ；金属基板の熱膨張係数 α1 ；中間層１の熱膨張係数 α2 ；中間層２の熱膨張係数 …… αn ；中間層ｎの熱膨張係数 αf ；アルミナ膜の熱膨張係数 とする。
【００２８】（中間層の厚さ）第１実施例〜第４実施例
において、中間層の厚さは全体で０．１〜１μｍの範囲
が望ましい。これは、中間層の厚さが０．１μｍ未満で
は熱膨張差による応力の緩和の効果が十分ではなく、ま
た１μｍを超えて厚くしても、厚さに見合った効果は期
待できない上、薄膜構造体全体としての厚さが厚くなり
すぎるからである。
において、中間層の厚さは全体で０．１〜１μｍの範囲
が望ましい。これは、中間層の厚さが０．１μｍ未満で
は熱膨張差による応力の緩和の効果が十分ではなく、ま
た１μｍを超えて厚くしても、厚さに見合った効果は期
待できない上、薄膜構造体全体としての厚さが厚くなり
すぎるからである。
【００２９】
【発明の効果】本発明は前述のように構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。 （１）金属基板とアルミナ膜の間に中間層を設けるとい
う本発明の薄膜構造体を構成することにより、金属基板
にアルミナ膜を密着性良く形成することができる。
で、以下に記載するような効果を奏する。 （１）金属基板とアルミナ膜の間に中間層を設けるとい
う本発明の薄膜構造体を構成することにより、金属基板
にアルミナ膜を密着性良く形成することができる。
【００３０】（２）本発明の構成は、各種の金属基板と
アルミナ膜との組合せに適用することができるが、特に
アルミナ膜との熱膨張係数の違いが大きい組合せにおい
て大きな効果を発揮することができる。 （３）本発明の構成は基本的に本発明の実施例に示した
基板と膜の組合せに限定されるものではなく他の種類の
基板と膜の組合せにおいても利用できる。
アルミナ膜との組合せに適用することができるが、特に
アルミナ膜との熱膨張係数の違いが大きい組合せにおい
て大きな効果を発揮することができる。 （３）本発明の構成は基本的に本発明の実施例に示した
基板と膜の組合せに限定されるものではなく他の種類の
基板と膜の組合せにおいても利用できる。
【図１】本発明の第１実施例及び第２実施例を示す図。
【図２】本発明の第３実施例を示す図。
【図３】本発明の第４実施例を示す図。
【図４】従来の技術を示す図（金属基板の熱膨張係数が
小さい場合）。
小さい場合）。
【図５】従来の技術を示す図（金属基板の熱膨張係数が
大きい場合）。
大きい場合）。
Ｓ…金属基板 Ｆ…アルミナ膜 αs …金属基板の熱膨張係数 αi …中間層の熱膨張係数 αf …アルミナ膜の熱膨張係数
Claims (3)
- 【請求項１】 金属基板（Ｓ）とアルミナ膜（Ｆ）から
なる薄膜構造体において、金属基板（Ｓ）とアルミナ膜
（Ｆ）の間に少なくとも一層以上の中間層を設けるとと
もに、 前記中間層の熱膨張係数αi を、金属基板（Ｓ）の熱膨
張係数αs よりも大きく、アルミナ膜の熱膨張係数αf
よりも小さくする（すなわちαf ＜αi ＜αsとする）
ことを特徴とする薄膜構造体。 - 【請求項２】 金属基板（Ｓ）として銅（Ｃｕ）又はア
ルミニウム（Ａｌ）を用い、中間層としてニッケル（Ｎ
ｉ）又はクロム（Ｃｒ）のいずれかを用いることを特徴
とする請求項１記載の薄膜構造体。 - 【請求項３】 金属基板（Ｓ）として銅（Ｃｕ）又はア
ルミニウム（Ａｌ）を用い、ニッケル（Ｎｉ）を金属基
板側中間層とし、 クロム（Ｃｒ）をアルミナ膜側の中間層として用いるこ
とを特徴とする請求項１記載の薄膜構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2953394A JPH07240570A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 薄膜構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2953394A JPH07240570A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 薄膜構造体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07240570A true JPH07240570A (ja) | 1995-09-12 |
Family
ID=12278757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2953394A Withdrawn JPH07240570A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 薄膜構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07240570A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012099782A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 放熱基板 |
| WO2024203737A1 (ja) | 2023-03-30 | 2024-10-03 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体素子搭載用基板 |
| WO2024203738A1 (ja) | 2023-03-30 | 2024-10-03 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体素子搭載用基板 |
-
1994
- 1994-02-28 JP JP2953394A patent/JPH07240570A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012099782A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 放熱基板 |
| WO2024203737A1 (ja) | 2023-03-30 | 2024-10-03 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体素子搭載用基板 |
| WO2024203738A1 (ja) | 2023-03-30 | 2024-10-03 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体素子搭載用基板 |
| EP4693393A1 (en) | 2023-03-30 | 2026-02-11 | Niterra Co., Ltd. | Substrate for mounting semiconductor element |
| EP4693392A1 (en) | 2023-03-30 | 2026-02-11 | Niterra Co., Ltd. | Substrate for mounting semiconductor element |
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