JPS5826308A - 薄膜素子部品 - Google Patents

薄膜素子部品

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JPS5826308A
JPS5826308A JP56123120A JP12312081A JPS5826308A JP S5826308 A JPS5826308 A JP S5826308A JP 56123120 A JP56123120 A JP 56123120A JP 12312081 A JP12312081 A JP 12312081A JP S5826308 A JPS5826308 A JP S5826308A
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JP
Japan
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thin film
protective film
layers
film element
layer
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JP56123120A
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English (en)
Inventor
Nobumasa Kaminaka
紙中　伸征
Kenji Kanai
金井　謙二
Noboru Nomura
登 野村
Yuji Komata
雄二 小俣
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
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    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 部品の保護膜にかかわるもので、保護膜で保獲される薄
膜層の特性を劣化させずしかも保護膜としての機能を充
分果す新規な構成の保護膜を提供することを目的とする
。
薄膜磁気ヘッドのような薄膜素子部品においては多層の
薄膜層が積層され構成される。例えば第１図、第２図に
示すように基板１上に非磁性絶縁層２、下部磁性層３、
ギヤツプ材となる非磁性絶縁層４、層間絶縁層５，６、
導体層７、上部磁性層８が形成される。ついでこれらの
薄膜層を保護する役目として、保護膜９が形成される。
薄膜磁気ヘッドの場合はとくに、これらの基板をチノゾ
化したのち、所定の形状に切断、研磨等の加工が施され
るだめこの保護膜９は重要であり、１０〜３０μｍと比
較的厚くつけられる。一方層間絶縁層５，６としては最
近、耐熱性のホトレノスト等の有機材料が使われるよう
になっている。ホトレジストを使う理由としては比較的
部厚い層が通常のエノチング工程を経る事なくして光露
光、現像という通常のホトリソグラフィ技術を用いて容
易に形成されること、及びその粘性のため、高段差部の
被覆特性に優れていることのためである。このような構
成において、最も問題となるのが、保護膜として用いら
れるＡｔ２０５ｒ　５ｉｎ２ｒ　ＳｉＣ等の高硬度の非
磁性絶縁層の内部応力およびその被着性、高段差部エッ
ヂの被覆性である。これらに問題があると保護膜９は形
成直後高段差部の端部から剥離したり、形成直後は問題
はなくてもチップ化したり、加工を施しだりすると、下
層の薄膜層から一緒に剥離したり、部分的に浮きが生じ
たりすることが発生する。これまでは保護膜として前述
したような物質のうちどれか一つの種類の非磁性絶縁層
を用いる例しか存在しなかった。又、有機材料を層間絶
縁層として使用する場合は保護膜の形保護膜形成が難し
かった。
本発明は前述したような多層膜が積層されてなる薄膜磁
気ヘッド等の薄膜素子部品の保護膜の構成に係わるもの
で、被着性がよく、剥離などを生じない保護膜を実現し
、良好な薄膜素子部品を実現する構成を提供するもので
、第３図に基づいて説明する。
Ａｔ２０３−ＴＩＣのような非磁性基板１ｏ上に必要に
応じてＳ　ｉｏ　２等の非磁性絶縁層１１が形成された
後、下部磁性層１２が電着層の方法で形成される。
ついでギヤラフ０材と々るＳ　ｉＯ２等の非磁性絶縁層
１３が形成され、ホトレジストのような有機材料の層間
絶縁層１４，１６、巻線部となる導体層１５としてＣｕ
が電着、あるいはＡｔが蒸着等の方法で形成され、上部
磁性層１７が形成される。その後、保護膜１８として５
１０２層１８　ａ　＋　１８　ｃ　−。
Ａｔ２０３層１．８　ｂ　、　１８　ｄが交互に層状に
形成される。この例では４層の例を示したが、１層が１
μｍ〜５μｍでくり返えされ、全体として所定の厚みに
なるようにする。このような非磁性絶縁物はスパッタ法
で形成される。異なる物質を層状に効率よく形成するに
は双頭型のスパッタ装置を用い、予備室を介して交互に
試料を移動させて形成すればそれ程ロス時間もなく処理
できる。
このようにする事により、単に単独の非磁性絶縁物をス
パッタして得られた保護膜よりも良好な保護膜が実現出
来だ。即ち、単独の非磁性絶縁物をス・Ｑツタして得ら
れた保護膜では内部応力が比較的大きく、且つ物質の違
いによって引張応力あるいは圧縮応力と内部応力の符号
まで変わることがあるが、異なる非磁性物質を交互に層
状に形成すると全体としては内部応力が低減することが
確認された。内部応力を出来るだけ小さくするには、各
層の厚みを適切に調節することによって可能である。こ
こでは５１０２とＡｔ２０３の例をあげだが、Ｓ　１０
２とＳｉＣ，ＳｉＣとＡｔ２０３でも同じ傾向が得られ
た。又、３種類の層を層状に形成しても同様の効果があ
った。従って、非磁性絶縁物の選択は当然必要であるが
、交互に少くとも２種類以上の異物（５） 質層を形成することは内部応力低減の点で効果があるも
のと理解される。
又、上述したように層状では々く、同一スミ９ツタ室内
にて、各種混合したターケゝット材を用いて形成すると
、第４図に示すような保護膜１９も比較的内部応力が小
さくなることがわかった。
なお第４図は保護膜１９以外、第３図に示す構成例と全
く同じ例として示しである。
高段差部の端部の被覆性、および保護膜の被着性につい
ては基板温度をそれほど上げず、即ちホトレノストであ
る層間絶縁層１４．１６の耐熱温度以下の範囲で、ス・
ぐツタ条件（ガス圧、入力・ぐワー、基板のポテンシャ
ル）を調整することにより良好な状態をつくりうろこと
がわかった。
上記構成例は薄膜磁気ヘッドの例について説明したが、
多層構造をもち、しかも比較的低温処理が要求される有
機材料を層間絶縁層として用いた他の薄膜素子部品にも
適用されうろことは明らかである。
以上のように本発明によれば内部応力が少なく、（６） 又高段差部の端部の被覆性、被着性に優れた保護膜が実
現出来、信頼性の高い薄膜素子部品が実現出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来例を示す薄膜素子部品の断面図、第２図は
第１図の平面図、第３図は本発明の構成の１つの具体例
を示す断面図、第４図は本発明の構成の別の具体例を示
す断面図である。 １０・・非磁性基板、１１．　、　ｌ　３・・・非磁性
絶縁層、１２．１７・・・磁性層、１４　、１６・・・
層間絶縁層、１５・・・導体層、１８　、１９・・・保
護膜。 第１図 第２図 （７） ０ ＩＩＲ４図 手続補正書（自発） 円 昭和５７年７月１５日 特許庁長官　若　杉　和　夫　殿 １・事件０表示　　　特願昭５６−１２３１２０号２、
発　明　の名称 薄膜素子部品 ３、補正をする者 事件との関係　　出願人 住ＦｉＦ　　　　大阪府門真市太字門真１００６番地名
　称　　　（５８２）　　松下電器産業株式会社代表者
　　　　　　　　　　山　　下　　俊　　彦４、代理人
〒１０５ 電話０３　（４３１）　８１１１番（代表）５、補正（
こより増加する発明の数　　０６、補正の対象　　　明
細書の特許請求の範囲の欄７　補正の内容　　　特許請
求の範囲を別紙の通り訂正する。 ７１き上 特許請求の範囲を記載した書面 特許請求の範囲 （１）　　基板」−に少くとも２種類以」二の薄膜層−
ｋ　１８層してなり、１つ該薄膜層のうちの最上層が保
護膜としての機能を果す薄膜素子部品において、前記保
護膜が少くとも２種類以上の非磁性絶縁物の主成分から
形成されている事を特徴とする薄膜素子部品。 （２）　　前記保護膜の少くとも２種類以上の主成分が
混合していることを特徴とする特許請求の範囲第（］）
項記載の薄膜素子部品。 （３）　　前記保護膜の少くとも２種類以」二の主成分
が層状をなして形成されていることを特徴とする特♂１
請求の範囲第（１）項記載の薄膜素子部品。 （４）　　前記保護膜の少くとも２種類以」二の主成分
が、Ａｌ２Ｏ３・５ｉｎ２．　ＳｉＣのいずれかである
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の簿膜
素子部品。 （５）　　前記有機旧材がホトレジストであることを特
徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜素子部品
。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　　基板上に少くとも２種類以上の薄膜層を積層
    して々す、該薄膜層のうち少くとも一層が有機材料であ
    り、且つ該薄膜層のうちの最−り層が保護膜としての機
    能を果す薄膜素子部品において、前記保護膜が少くとも
    ２種類以上の非磁性絶縁物の主成分から形成されている
    事を特徴とする薄膜素子部品。
  2. （２）　　前記保護膜の少くとも２種類以上の主成分が
    混合していることを特徴とする特許請求の範囲第（１）
    項記載の薄膜素子部品。
  3. （３）　　前記保護膜の少くとも２種類以」二の主成分
    が層状をなして形成されていることを特徴とする特許請
    求の範囲第（１）項記載の薄膜素子部品。
  4. （４）　　前記保護膜の少くとも２種類以上の主成分が
    、Ａｔ２０３．５ｉｎ２．　ＳｉＣのいずれかであるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜素
    子部品。
  5. （５）　　前記有機材料がホトレノストであることを特
    徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜素子部品
    。
JP56123120A 1981-08-07 1981-08-07 薄膜素子部品 Pending JPS5826308A (ja)

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US06/582,866 US4504540A (en) 1981-08-07 1984-02-27 Thin film element

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5894336A (ja) * 1981-11-27 1983-06-04 不二製油株式会社 フラワ−ペ−スト及びその製造法
JPS6043214A (ja) * 1983-08-19 1985-03-07 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘツド
JPS63309131A (ja) * 1987-06-10 1988-12-16 オリエンタル酵母工業株式会社 ロ−ルイン用フィリング
US5032944A (en) * 1989-01-12 1991-07-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Membrane type magnetic head

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2597247B1 (fr) * 1986-04-11 1995-01-27 Thomson Csf Procede de realisation d'une couche de protection mecanique pour tete magnetique d'enregistrement/lecture et tete magnetique d'enregistrement/lecture mettant en oeuvre ce procede
JPS6318697A (ja) * 1986-07-11 1988-01-26 日本電気株式会社 多層配線基板
JP2533860B2 (ja) * 1986-09-24 1996-09-11 株式会社日立製作所 磁性超格子膜およびそれを用いた磁気ヘツド
JPH04365377A (ja) * 1991-06-13 1992-12-17 Agency Of Ind Science & Technol 半導体装置
CN102683582A (zh) * 2011-03-11 2012-09-19 曲炳郡 一种高灵敏度磁传感芯片的制造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3728176A (en) * 1971-04-30 1973-04-17 Motorola Inc Method of causing adherence of glass to gold
FR2350697A1 (fr) * 1976-05-06 1977-12-02 Cii Structure perfectionnee de circuits multicouches
FR2402379A1 (fr) * 1977-08-31 1979-03-30 Cayrol Pierre Henri Perfectionnements apportes aux circuits imprimes
US4336295A (en) * 1980-12-22 1982-06-22 Eastman Kodak Company Method of fabricating a transparent metal oxide electrode structure on a solid-state electrooptical device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5894336A (ja) * 1981-11-27 1983-06-04 不二製油株式会社 フラワ−ペ−スト及びその製造法
JPS6043214A (ja) * 1983-08-19 1985-03-07 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘツド
JPS63309131A (ja) * 1987-06-10 1988-12-16 オリエンタル酵母工業株式会社 ロ−ルイン用フィリング
US5032944A (en) * 1989-01-12 1991-07-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Membrane type magnetic head

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