JPH0724234B2 - マイクロギャップ式サージ吸収素子 - Google Patents
マイクロギャップ式サージ吸収素子Info
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- JPH0724234B2 JPH0724234B2 JP2004572A JP457290A JPH0724234B2 JP H0724234 B2 JPH0724234 B2 JP H0724234B2 JP 2004572 A JP2004572 A JP 2004572A JP 457290 A JP457290 A JP 457290A JP H0724234 B2 JPH0724234 B2 JP H0724234B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、マイクロギャップ式サージ吸収素子の製造方
法に関し、特に、従来品に比べて、ガスシールの方法を
変えて特性向上をもたらすものである。
法に関し、特に、従来品に比べて、ガスシールの方法を
変えて特性向上をもたらすものである。
［従来の技術］ 従来のマイクロギャップ式サージ吸収素子は、特公昭63
−57918号に示されているように、絶縁体の表面に、導
電性セラミックス薄膜を付着させ、該導電性薄膜を複数
個に分割し、その両端に電気電導度の高い金属又は合金
を固定し、電極を形成させた後、該電極にリード線を溶
接で取り付けている。
−57918号に示されているように、絶縁体の表面に、導
電性セラミックス薄膜を付着させ、該導電性薄膜を複数
個に分割し、その両端に電気電導度の高い金属又は合金
を固定し、電極を形成させた後、該電極にリード線を溶
接で取り付けている。
リード線としては、ジュメット線を用いている。これは
電極間にガスを封入するための気密性から絶縁性被覆材
としてガラスを用いるため、ガラス封入線としてジュメ
ット線を用いている。
電極間にガスを封入するための気密性から絶縁性被覆材
としてガラスを用いるため、ガラス封入線としてジュメ
ット線を用いている。
つまり、従来技術では、第２図に示すように、両端電極
部にリード線を溶接させ、該リード線にガラスを封着さ
せ、気密性を保持させているものである。
部にリード線を溶接させ、該リード線にガラスを封着さ
せ、気密性を保持させているものである。
以上述べたように、従来技術は、リード線とガラスとを
封着させて気密性を保持しているものである。然し乍
ら、サージ保護特性の一つに、サージ耐量の増加であ
る。このサージ耐量特性は、どれだけのサージエネルギ
ーにサージ吸収素子が耐えられるかを示すものである。
このサージ耐量を増加させるための一つの手法として、
ガラス内部の空間を大きくすれば良い。このときに、従
来技術では、ガラスの径を大きくすればする程、ガラス
の加工が困難になり、また同時に、ガラスへの歪み等の
熱の影響も大きくなる欠点を有している。
封着させて気密性を保持しているものである。然し乍
ら、サージ保護特性の一つに、サージ耐量の増加であ
る。このサージ耐量特性は、どれだけのサージエネルギ
ーにサージ吸収素子が耐えられるかを示すものである。
このサージ耐量を増加させるための一つの手法として、
ガラス内部の空間を大きくすれば良い。このときに、従
来技術では、ガラスの径を大きくすればする程、ガラス
の加工が困難になり、また同時に、ガラスへの歪み等の
熱の影響も大きくなる欠点を有している。
［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は、従来技術のように、ガラスへの熱影響を大き
く与えることなく、サージ耐量を増加させることを目的
としたマイクロギャップ式サージ吸収素子を提供するこ
とを目的とする。
く与えることなく、サージ耐量を増加させることを目的
としたマイクロギャップ式サージ吸収素子を提供するこ
とを目的とする。
［発明の構成］ ［問題点を解決するための手段］ 本発明の要旨とするものは、２つのキャップ電極と絶縁
性外装体とにより放電空間をつくるサージ吸収素子にお
いて、前記２つのキャップ電極の間に、その表面に、放
電制御のためのマイクロギャップを有する導電性薄膜を
形成した円柱状セラミックス絶縁体素子を備え、前記キ
ャップ電極は、該円柱状セラミックス素子の外形とほぼ
同じ内径の凹部を、そのほぼ中心に備え、更にその周囲
には、ツバ状部分を有し、更に、該ツバ状部分の外周が
適当な幅で折り曲げられた構造を有し、そして、前記外
装体は、前記キャップ電極が、各々機械的に圧入若しく
は圧接され、該キャップ電極の折り曲げ構造の外周部分
の径よりやや大きく、該絶縁性外装体と、該折り曲げ構
造の外周部分とが封着されており、該マイクロギャップ
を有する円柱状セラミックス絶縁体の周囲に一定ガスを
封じ込めた構造を有する前記サージ吸収素子である。そ
して、キャップ電極には、適当な径のリード線を取り付
けた構造が好適である。また、キャップ電極の一部から
適当な幅、長さのリード部を有するものが好適である。
性外装体とにより放電空間をつくるサージ吸収素子にお
いて、前記２つのキャップ電極の間に、その表面に、放
電制御のためのマイクロギャップを有する導電性薄膜を
形成した円柱状セラミックス絶縁体素子を備え、前記キ
ャップ電極は、該円柱状セラミックス素子の外形とほぼ
同じ内径の凹部を、そのほぼ中心に備え、更にその周囲
には、ツバ状部分を有し、更に、該ツバ状部分の外周が
適当な幅で折り曲げられた構造を有し、そして、前記外
装体は、前記キャップ電極が、各々機械的に圧入若しく
は圧接され、該キャップ電極の折り曲げ構造の外周部分
の径よりやや大きく、該絶縁性外装体と、該折り曲げ構
造の外周部分とが封着されており、該マイクロギャップ
を有する円柱状セラミックス絶縁体の周囲に一定ガスを
封じ込めた構造を有する前記サージ吸収素子である。そ
して、キャップ電極には、適当な径のリード線を取り付
けた構造が好適である。また、キャップ電極の一部から
適当な幅、長さのリード部を有するものが好適である。
［作用］ 本発明によると、マイクロギャップ導電性薄膜の両端の
電極の形状が、セラミック円筒形絶縁体の径よりやや小
さく、該絶縁体に圧入した場合、該絶縁体との固定強度
が十分に保たれるようにされた凹部部分と、更に、その
径より大きく、ツバ状構造になっており、そのツバ構造
の外周部分は、適当な幅を折り曲げられた部分を有した
キャップ電極を用いることを特長とする。
電極の形状が、セラミック円筒形絶縁体の径よりやや小
さく、該絶縁体に圧入した場合、該絶縁体との固定強度
が十分に保たれるようにされた凹部部分と、更に、その
径より大きく、ツバ状構造になっており、そのツバ構造
の外周部分は、適当な幅を折り曲げられた部分を有した
キャップ電極を用いることを特長とする。
従って、このツバ状構造のキャップ電極の径は、ガスシ
ールのために用いられる絶縁性外装体の径より、やや小
さく、ツバ状構造のキャップ電極の外周部の折り曲げら
れた部分と、該絶縁性外装体とを熱的に封着させ、ガス
の気密性を保つように、考慮されている。
ールのために用いられる絶縁性外装体の径より、やや小
さく、ツバ状構造のキャップ電極の外周部の折り曲げら
れた部分と、該絶縁性外装体とを熱的に封着させ、ガス
の気密性を保つように、考慮されている。
マイクロギャップ式サージ吸収素子は、初期の放電を微
少なマイクロギャップ部で生じさせ、更に、サージのエ
ネルギーが大きな場合には、マイクロギャップ部の放電
は、電極間のアーク放電に移行する二重放電機構を有し
ていることを特徴としている。このため、マイクロギャ
ップによる速い応答特性を有したまま大きなサージに対
しては、電極間放電に移行するため、マイクロギャップ
素子への損傷が少ないという特長を有していた。然し乍
ら、電極の面積が小さいため、アーク放電が、導電性薄
膜表面で生じ、このために、アーク放電による導電性薄
膜への損傷は相当なものがあった。
少なマイクロギャップ部で生じさせ、更に、サージのエ
ネルギーが大きな場合には、マイクロギャップ部の放電
は、電極間のアーク放電に移行する二重放電機構を有し
ていることを特徴としている。このため、マイクロギャ
ップによる速い応答特性を有したまま大きなサージに対
しては、電極間放電に移行するため、マイクロギャップ
素子への損傷が少ないという特長を有していた。然し乍
ら、電極の面積が小さいため、アーク放電が、導電性薄
膜表面で生じ、このために、アーク放電による導電性薄
膜への損傷は相当なものがあった。
本発明はマイクロギャップ式サージ吸収素子では、キャ
ップ電極としてツバ状構造のものを使用しているため
に、電極の面積は、従来技術のものに比べ、格段に大き
くなっている。このことからアーク放電の電流密度を分
散させ、且つ導電性薄膜表面から遠ざけることを可能に
したものである。つまり、本発明は、ツバ状構造のキャ
ップ電極を用いることにより、アーク放電のときの導電
性被膜への損傷を減少させ、サージ耐量を増加させるこ
とを可能にした。
ップ電極としてツバ状構造のものを使用しているため
に、電極の面積は、従来技術のものに比べ、格段に大き
くなっている。このことからアーク放電の電流密度を分
散させ、且つ導電性薄膜表面から遠ざけることを可能に
したものである。つまり、本発明は、ツバ状構造のキャ
ップ電極を用いることにより、アーク放電のときの導電
性被膜への損傷を減少させ、サージ耐量を増加させるこ
とを可能にした。
次に、本発明のマイクロギャップ式サージ吸収素子を具
体的な実施例により、説明するが、本発明は、その説明
により限定されるものではない。
体的な実施例により、説明するが、本発明は、その説明
により限定されるものではない。
［実施例１］ 本実施例を第１図Ａ、Ｂに示す。
第１図Ａに示されるように、径1.7mmΦ、長さ5.5mmの円
筒形ムライト素子21の全表面に、スパッタリングで、Ti
N薄膜22を蒸着形成し、次に、該ムライト素子21の両端
に内周径1.68mmでツバ状外周径10.0mmΦのコバール金属
で作製されたキャップ電極24a、24bを各々機械的に圧入
した後、YAGレーザを用いて、該ムライト素子21の表面
上に形成された該TiN薄膜22を円周方向に幅約30μｍで
カットし、マイクロギャップ１本（23）を形成させたも
のを、内径10.5mmΦ、外径12.5mmΦ、長さ6.0mmの円筒
形鉛ガラス25を用いて、アルゴンガス雰囲気中で、高周
波加熱により、該コバール金属製のツバ状構造のキャッ
プ電極24a、24bの外周と、該円筒形鉛ガラス25の両端部
とを、26で封着させ、マイクロギャップ23の周囲にアル
ゴンガス27を密封させたものである。このツバ状構造の
キャップ電極24aの折り曲げ外周部分と円筒形鉛ガラス2
5との間の封入の状態は、第１図Ｂに示すように、繰り
込まれている。
筒形ムライト素子21の全表面に、スパッタリングで、Ti
N薄膜22を蒸着形成し、次に、該ムライト素子21の両端
に内周径1.68mmでツバ状外周径10.0mmΦのコバール金属
で作製されたキャップ電極24a、24bを各々機械的に圧入
した後、YAGレーザを用いて、該ムライト素子21の表面
上に形成された該TiN薄膜22を円周方向に幅約30μｍで
カットし、マイクロギャップ１本（23）を形成させたも
のを、内径10.5mmΦ、外径12.5mmΦ、長さ6.0mmの円筒
形鉛ガラス25を用いて、アルゴンガス雰囲気中で、高周
波加熱により、該コバール金属製のツバ状構造のキャッ
プ電極24a、24bの外周と、該円筒形鉛ガラス25の両端部
とを、26で封着させ、マイクロギャップ23の周囲にアル
ゴンガス27を密封させたものである。このツバ状構造の
キャップ電極24aの折り曲げ外周部分と円筒形鉛ガラス2
5との間の封入の状態は、第１図Ｂに示すように、繰り
込まれている。
本実施例によって、作製されたものと、従来技術によっ
て作製されたものとの、サージ耐量を測定し、比較した
結果を、第１表に示す。尚、サージ耐量の測定は、JEC
−212（電気学会、電気規格調査会標準規格）に示され
ている（８×20）μ秒の電流サージを用いて測定した。
て作製されたものとの、サージ耐量を測定し、比較した
結果を、第１表に示す。尚、サージ耐量の測定は、JEC
−212（電気学会、電気規格調査会標準規格）に示され
ている（８×20）μ秒の電流サージを用いて測定した。
第１表に示されているように、従来技術では、サージ耐
量は、3000A程度が限界であったが、本発明のサージ吸
収素子では、容易に4000Aまで耐えることが可能であ
る。
量は、3000A程度が限界であったが、本発明のサージ吸
収素子では、容易に4000Aまで耐えることが可能であ
る。
［実施例２］ 第３図Ａ、Ｂに、本実施例を示す。
第３図Ａに示すように、先ず、径1.7mm×長さ5.5mmのム
ライト素子31の全表面に、吹き付け法を用いて、SnO2薄
膜32を蒸着し、該ムライト素子31の両端に、内周径1.68
mm、外周部分の径12.0mmのツバ状構造の42合金で作製さ
れたキャップ電極34a、34bを各々機械的に圧入固定した
後、YAGレーザを用いて、該SnO2薄膜32を円周方向に幅
約50μｍでカットし、マイクロギャップ33を１本形成さ
せたものを、内径12.5mm、外径14.5mm、長さ6.0mmの円
筒形鉛ガラス35を用いて、Arガス37の雰囲気中で高周波
加熱により、該ツバ状構造キャップ電極34a、34bの外周
部に、該円筒形鉛ガラス35を封着させ、マイクロギャッ
プ33の周囲に、Arガス37を密封させたものである。
ライト素子31の全表面に、吹き付け法を用いて、SnO2薄
膜32を蒸着し、該ムライト素子31の両端に、内周径1.68
mm、外周部分の径12.0mmのツバ状構造の42合金で作製さ
れたキャップ電極34a、34bを各々機械的に圧入固定した
後、YAGレーザを用いて、該SnO2薄膜32を円周方向に幅
約50μｍでカットし、マイクロギャップ33を１本形成さ
せたものを、内径12.5mm、外径14.5mm、長さ6.0mmの円
筒形鉛ガラス35を用いて、Arガス37の雰囲気中で高周波
加熱により、該ツバ状構造キャップ電極34a、34bの外周
部に、該円筒形鉛ガラス35を封着させ、マイクロギャッ
プ33の周囲に、Arガス37を密封させたものである。
このツバ状構造のキャップ電極34aの折り曲げ外周部分
と円筒形鉛ガラス35との間の封入の状態は、第３図Ｂに
示すように、繰り込まれている。
と円筒形鉛ガラス35との間の封入の状態は、第３図Ｂに
示すように、繰り込まれている。
更に、ガス封止された該本体の電極部34a中心に、径0.5
mmのハンダメッキ軟銅線38を電気溶接させ、リード線38
として、取り付けたものである。
mmのハンダメッキ軟銅線38を電気溶接させ、リード線38
として、取り付けたものである。
本実施例によって作製されたものと、従来技術によって
作製されたもののサージ耐量の比較結果を第２表に示
す。尚、サージ耐量の測定は、実施例１と同様に、行な
った。
作製されたもののサージ耐量の比較結果を第２表に示
す。尚、サージ耐量の測定は、実施例１と同様に、行な
った。
本実施例に示すように、ツバ状構造キャップ電極の径を
大きくすることによって、実施例１のサージ耐量4000A
より更に大きなサージ耐量5000Aのものを得ることが可
能である。
大きくすることによって、実施例１のサージ耐量4000A
より更に大きなサージ耐量5000Aのものを得ることが可
能である。
［実施例３］ 第４図に、本実施例を示す。
第４図に示すように、径1.7mm×長さ5.5mmのムライト素
子41の全表面に吹き付け法を用いて、SnO2薄膜42を蒸着
し、該ムライト素子の両端にSUSキャップ43a、ｂを機械
的に圧入固定した後、YAGレーザーを用いて、該SnO2薄
膜42を円周方向に幅約50μｍでカットし、マイクロギャ
ップ44を１本形成させた後、該SUSキャップ43a、ｂの両
端に該SUSキャップの外径より、やや大きな内径を有し
た42合金で作製されたツバ状構造キャップ電極45a、ｂ
を密接させたものの外側に、該ツバ状キャップ電極の外
径よりやや大きな内径を有する円筒状鉛ガラス46を設置
させ、Arガス47雰囲気で高周波加熱を用いて、該円筒状
鉛ガラス46を該ツバ状構造キャップ電極45a、ｂの折り
曲げ外周部分48a、48bで封着させ、マイクロギャップ44
の周囲にArガスを密封させたものである。
子41の全表面に吹き付け法を用いて、SnO2薄膜42を蒸着
し、該ムライト素子の両端にSUSキャップ43a、ｂを機械
的に圧入固定した後、YAGレーザーを用いて、該SnO2薄
膜42を円周方向に幅約50μｍでカットし、マイクロギャ
ップ44を１本形成させた後、該SUSキャップ43a、ｂの両
端に該SUSキャップの外径より、やや大きな内径を有し
た42合金で作製されたツバ状構造キャップ電極45a、ｂ
を密接させたものの外側に、該ツバ状キャップ電極の外
径よりやや大きな内径を有する円筒状鉛ガラス46を設置
させ、Arガス47雰囲気で高周波加熱を用いて、該円筒状
鉛ガラス46を該ツバ状構造キャップ電極45a、ｂの折り
曲げ外周部分48a、48bで封着させ、マイクロギャップ44
の周囲にArガスを密封させたものである。
本実施例によって作製されたものと、従来技術によって
作製されたもののサージ耐量の比較結果を第３表に示
す。
作製されたもののサージ耐量の比較結果を第３表に示
す。
尚、サージ耐量の測定は、実施例１と同様に行なった。
本実施例に示すように、従来技術では、サージ耐量は、
3000A程度が限界であったが、本発明のサージ吸収素子
では、実施例１と同様に、容易に4000Aまで耐えること
が可能である。
本実施例に示すように、従来技術では、サージ耐量は、
3000A程度が限界であったが、本発明のサージ吸収素子
では、実施例１と同様に、容易に4000Aまで耐えること
が可能である。
［実施例４］ 第５図に、本実施例を示す。
第５図に示すように、径1.7mm×長さ5.5mmのムライト素
子51の全表面に吹き付け法を用いて、SnO2薄膜52を蒸着
し、該ムライト素子の両端に、SUSキャップ53a、ｂを機
械的に圧入固定した後、YAGレーザーを用いて、該SnO2
薄膜52を円周方向に幅約50μｍでカットし、マイクロギ
ャップ54を１本形成させた後、該SUSキャップ53a、ｂ及
びマイクロギャップ54を有したムライト素子51と、内径
10.5mmΦ、外径12.5mmΦ、長さ6.0mmの円筒状鉛ガラス5
6を機械的に圧着させるよう設計された42合金で作製さ
れたツバ状構造キャップ電極55a、ｂを、該ムライト素
子51及び該円筒状鉛ガラス56の両端より圧接させ、Arガ
ス雰囲気中で高周波加熱を用いて、該円筒状鉛ガラス56
の端面58a、ｂと該ツバ状構造キャップ電極の外周部と
を封着させ、マイクロギャップ54の周囲にArガス57を密
封させたものである。
子51の全表面に吹き付け法を用いて、SnO2薄膜52を蒸着
し、該ムライト素子の両端に、SUSキャップ53a、ｂを機
械的に圧入固定した後、YAGレーザーを用いて、該SnO2
薄膜52を円周方向に幅約50μｍでカットし、マイクロギ
ャップ54を１本形成させた後、該SUSキャップ53a、ｂ及
びマイクロギャップ54を有したムライト素子51と、内径
10.5mmΦ、外径12.5mmΦ、長さ6.0mmの円筒状鉛ガラス5
6を機械的に圧着させるよう設計された42合金で作製さ
れたツバ状構造キャップ電極55a、ｂを、該ムライト素
子51及び該円筒状鉛ガラス56の両端より圧接させ、Arガ
ス雰囲気中で高周波加熱を用いて、該円筒状鉛ガラス56
の端面58a、ｂと該ツバ状構造キャップ電極の外周部と
を封着させ、マイクロギャップ54の周囲にArガス57を密
封させたものである。
尚、本実施例では、円筒状鉛ガラス56の端面が、ツバ状
構造キャップ電極55a、ｂで覆われているため、円筒状
鉛ガラス56への機械的損傷を防止しているものである。
構造キャップ電極55a、ｂで覆われているため、円筒状
鉛ガラス56への機械的損傷を防止しているものである。
本実施例によって作製されたものと、従来技術によって
作製されたもののサージ耐量の比較結果を第４表に示
す。
作製されたもののサージ耐量の比較結果を第４表に示
す。
尚、サージ端量の測定は、実施例１と同様に行なった。
本実施例に示すように、従来技術では、サージ耐量は、
3000A程度が限界であったが、本発明のサージ吸収素子
では、実施例１と同様に、容易に4000Aまで耐えること
が可能である。
本実施例に示すように、従来技術では、サージ耐量は、
3000A程度が限界であったが、本発明のサージ吸収素子
では、実施例１と同様に、容易に4000Aまで耐えること
が可能である。
［発明の効果］ 本発明のマイクロギャップ式サージ吸収素子は、絶縁性
セラミックス素体の径より大きなツバ状のアーク放電部
を有し、更に、そのツバ状構造の外周部分は、適当な幅
で折り曲げられた構造を有するキャップ電極を用いたマ
イクロギャップ式サージ吸収素子であり、そのために、 第１に、アーク放電部が従来技術のものに比べて、その
面積を大きくすることが可能であり、従って、アーク放
電時の電流密度を分散させ、且つ、導電性被膜表面から
遠ざけることを可能にすることによって、サージ耐量を
増加させたマイクロギャップ式サージ吸収素子を提供で
きた。
セラミックス素体の径より大きなツバ状のアーク放電部
を有し、更に、そのツバ状構造の外周部分は、適当な幅
で折り曲げられた構造を有するキャップ電極を用いたマ
イクロギャップ式サージ吸収素子であり、そのために、 第１に、アーク放電部が従来技術のものに比べて、その
面積を大きくすることが可能であり、従って、アーク放
電時の電流密度を分散させ、且つ、導電性被膜表面から
遠ざけることを可能にすることによって、サージ耐量を
増加させたマイクロギャップ式サージ吸収素子を提供で
きた。
第２に、更に、ツバ状構造の電極の外周部分を適当な幅
で折り曲げ、この部分を用いて、ガラス等の絶縁性被覆
材とシールさせ、内部に一定のガスを封じ込めることを
可能にし、従来技術のものに比べて、絶縁性被覆材に歪
み等の熱影響を与えることなく、該サージ吸収素子の内
部空間を容易に大きくすることを可能にしたマイクロギ
ャップ式サージ吸収素子を提供する。
で折り曲げ、この部分を用いて、ガラス等の絶縁性被覆
材とシールさせ、内部に一定のガスを封じ込めることを
可能にし、従来技術のものに比べて、絶縁性被覆材に歪
み等の熱影響を与えることなく、該サージ吸収素子の内
部空間を容易に大きくすることを可能にしたマイクロギ
ャップ式サージ吸収素子を提供する。
従って、本発明は、従来のマイクロギャップ式サージ吸
収素子の有している二重放電機構を損なうことなく、サ
ージ耐量を増加させることが可能であり、その特性を著
しく向上させたことなどのごとき顕著な技術的な効果が
得られた。
収素子の有している二重放電機構を損なうことなく、サ
ージ耐量を増加させることが可能であり、その特性を著
しく向上させたことなどのごとき顕著な技術的な効果が
得られた。
第１図Ａ、Ｂは、本発明のマイクロギャップ式サージ吸
収素子の構造を示す断面図と、そのツバ状構造電極の構
造を示す斜視図である。 第２図は、従来のマイクロギャップ式サージ吸収素子を
示す断面図である。 第３図Ａ、Ｂは、本発明のマイクロギャップ式サージ吸
収素子の他の例の構造を示す断面図と、そのためのツバ
状構造電極の構造を示す斜視図である。 第４図及び第５図は、本発明のマイクロギャップ式サー
ジ吸収素子の他の例の構造を示す断面図である。 ［主要部分の符号の説明］ 21、31、41……ムライト素子 22、32……TiN薄膜又はSnO2薄膜 23、33、43……マイクロギャップ 24a、ｂ、34a、ｂ、45a、ｂ、55a、ｂ……ツバ状キャッ
プ電極 25、35、46、56……鉛ガラス 36a、ｂ、38……ハンダメッキ軟銅線
収素子の構造を示す断面図と、そのツバ状構造電極の構
造を示す斜視図である。 第２図は、従来のマイクロギャップ式サージ吸収素子を
示す断面図である。 第３図Ａ、Ｂは、本発明のマイクロギャップ式サージ吸
収素子の他の例の構造を示す断面図と、そのためのツバ
状構造電極の構造を示す斜視図である。 第４図及び第５図は、本発明のマイクロギャップ式サー
ジ吸収素子の他の例の構造を示す断面図である。 ［主要部分の符号の説明］ 21、31、41……ムライト素子 22、32……TiN薄膜又はSnO2薄膜 23、33、43……マイクロギャップ 24a、ｂ、34a、ｂ、45a、ｂ、55a、ｂ……ツバ状キャッ
プ電極 25、35、46、56……鉛ガラス 36a、ｂ、38……ハンダメッキ軟銅線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉岡 成夫 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱鉱業セメント株式会社セラミックス研究 所内 (72)発明者 猿渡 暢也 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱鉱業セメント株式会社セラミックス工場 内 (56)参考文献 特開 昭51−82566（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−74984（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−123851（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】２つのキャップ電極と絶縁性外装体とによ
り放電空間をつくるサージ吸収素子において、 前記２つのキャップ電極の間に、その表面に、放電制御
のためのマイクロギャップを有する導電性薄膜を形成し
た円柱状セラミックス絶縁体素子を備え、 前記キャップ電極は、該円柱状セラミックス素子の外形
とほぼ同じ内径の凹部を、そのほぼ中心に備え、更にそ
の周囲には、ツバ状部分を有し、更に、該ツバ状部分の
外周が適当な幅で折り曲げられた構造を有し、そして、 前記外装体は、前記キャップ電極が、各々機械的に圧入
若しくは圧接され、該キャップ電極の折り曲げ構造の外
周部分の径よりやや大きく、該絶縁性外装体と該折り曲
げ構造の外周部分とが封着されており、 該マイクロギャップを有する円柱状セラミックス絶縁体
の周囲に一定ガスを封じ込めた構造を有する前記サージ
吸収素子。 - 【請求項２】前記キャップ電極には、適当な径のリード
線を取り付けた構造を有する請求項１に記載のサージ吸
収素子。 - 【請求項３】該キャップ電極の一部から適当な幅、長さ
のリード部を有することを特徴とする請求項１に記載の
サージ吸収素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004572A JPH0724234B2 (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | マイクロギャップ式サージ吸収素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004572A JPH0724234B2 (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | マイクロギャップ式サージ吸収素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03214580A JPH03214580A (ja) | 1991-09-19 |
| JPH0724234B2 true JPH0724234B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=11587751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004572A Expired - Lifetime JPH0724234B2 (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | マイクロギャップ式サージ吸収素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0724234B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2541069B2 (ja) * | 1992-02-27 | 1996-10-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 封止電極及びこれを用いたサ―ジアブソ―バ |
| JP2541068B2 (ja) * | 1992-02-27 | 1996-10-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 封止電極及びこれを用いたサ―ジアブソ―バ |
| JP2513105B2 (ja) * | 1992-03-31 | 1996-07-03 | 三菱マテリアル株式会社 | サ―ジアブソ―バ |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5182566A (ja) * | 1975-01-17 | 1976-07-20 | Meguro Denki Seizo Kk | |
| JPS53123851A (en) * | 1977-04-05 | 1978-10-28 | Shiroyama Seisakusho Kk | Protector circuit having time lag fuse and equivalent effect |
| JPS5774984A (en) * | 1980-10-28 | 1982-05-11 | Meguro Denki Seizou Kk | Hermetic arrester |
-
1990
- 1990-01-16 JP JP2004572A patent/JPH0724234B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03214580A (ja) | 1991-09-19 |
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