JP2910006B2 - サージアブソーバ - Google Patents

サージアブソーバ

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JP2910006B2
JP2910006B2 JP4245705A JP24570592A JP2910006B2 JP 2910006 B2 JP2910006 B2 JP 2910006B2 JP 4245705 A JP4245705 A JP 4245705A JP 24570592 A JP24570592 A JP 24570592A JP 2910006 B2 JP2910006 B2 JP 2910006B2
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copper thin
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  • Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はガラス管に封着される封
止電極及びこれを用いたサージアブソーバに関する。更
に詳しくはマイクロギャップ式サージ吸収素子をガラス
管内にハーメチックシール(hermetic seal)したサー
ジアブソーバに関するものである。
【0002】
【従来の技術】この種のサージアブソーバは、電話機、
ファクシミリ、電話交換機、モデム等の通信機器の電子
部品を雷サージから保護するために使用される。このサ
ージアブソーバは、マイクロギャップ式サージ吸収素子
を収容したガラス管の両端に封止電極を取付け、ガラス
管内に希ガス、窒素ガス等の不活性ガスを封入した後、
カーボンヒータのような加熱装置で高温度で加熱して封
止電極をガラス管に封着して作られる。一般に封止電極
は、封着時のガラス管の熱収縮によるクラックの発生を
防止するためにその素体にガラスと熱膨張係数のほぼ等
しい金属を用い、しかも封着時のガラスに対する濡れ性
を良くするためにガラス管と接触する部分の素体表面に
酸化膜を設けている。封止電極を高温で加熱すると電極
素体である金属が酸化膜を介してガラスになじみ、封止
電極が封着されてガラス管内を気密にする。従来、軟質
ガラスに対する封止電極の素体には鉄−ニッケル−クロ
ム合金、ジュメット線(Dumet wire)等が多用されてい
る。特開昭55−128283号公報では、絶縁性被覆
材として気密性の面から軟質ガラスを用いているため、
ガラス封入線としてジュメット線を用いている。また、
硬質ガラスやセラミックスに対してはコバールや鉄−ニ
ッケル合金が使用されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】鉄−ニッケル合金は比
較的容易に酸化されるため、予め酸化膜を形成してから
封着した場合には封着時の酸化作用も加わって膜厚が大
きくなり、酸化膜の鉄−ニッケル合金に対する付着強度
が低下し易く、酸化膜が地金から剥れ易い。これを回避
するため鉄−ニッケル合金を封止電極の素体にする場合
には、素体のままガラス管に取付け、ガスバーナの炎等
により酸化膜を形成しながら封止電極を封着している。
この結果、鉄−ニッケル合金は不活性ガス雰囲気中のカ
ーボンヒータの加熱により封着されるサージアブソーバ
の封止電極には適しない。コバールも鉄−ニッケル合金
の場合と同様の不具合がある。鉄−ニッケル−クロム合
金は鉄−ニッケル合金と異なり、予め酸化膜を形成して
から封着しても適度の膜厚になるため、合金に対するそ
の付着強度は低下しない。しかしこの酸化膜中のCr2
3はガラスに対する濡れ性に劣るため、封着温度を非
常に高くしないと良好な封着効果が得られず、この高温
処理に起因してガラス管が軟化して変形を生じる問題点
がある。ジュメット線は鉄−ニッケル合金の表面を銅で
被覆した線であるため、サージアブソーバの封止電極、
特に内径が2mm以上になるガラスの封止電極に適した
形状に加工することが困難である上、低仕事関数の電子
放射促進物質をガラス管内部に向けて設けることが極め
て難しい。またガラス管に封着した後で、これらの材料
で作られた封止電極の外面にリード線を接続する場合、
酸化膜を塩酸で除去してからはんだ付けを行っている
が、従来の酸化膜は塩酸で容易に除去することができな
い。更に、封止電極を成形する際に素体の片面にクラッ
ド法により酸化膜を形成した場合、ガラス管の内部に面
する側を酸化膜被覆側にする必要があることから、素体
の表裏を間違えないようにしなければならず、封止電極
成形時に表裏のチェック工程を要する。
【0004】一方、従来のマイクロギャップ式サージ吸
収素子をガラス管内に気密に収容したサージアブソーバ
では、封止電極に電子放射促進作用がないため、動作時
のアーク放電がセラミックス素体表面の導電性皮膜及び
マイクロギャップ上を通過した後、封止電極まで達しに
くい。このためマイクロギャップの近傍でアーク放電が
形成される時間が長くなり、アーク放電により導電性皮
膜及びマイクロギャップが劣化して、サージアブソーバ
の寿命特性やサージ耐量等の特性に悪影響を与えてい
る。
【0005】本発明の目的は、封着時のガラス管のクラ
ック発生を防止でき、電極素体の両面を銅薄膜で被覆し
ているので、封止電極を所定の形状にするときに電極素
体の表面と裏面の区別をする必要がなく、電極成形を効
率よく行うことができる封止電極を提供することにあ
る。 本発明の別の目的は、不活性雰囲気中比較的低い
温度で封着でき、ガラス管への封着性が良く、しかも電
子放射促進作用のある封止電極を提供することにある。
本発明の別の目的は、封止電極外面にリード線を容易に
はんだ付けできる封止電極を提供することにあるまた
本発明の更に別の目的は、封止電極外面にリード線を容
易にはんだ付けでき、封着時及びアーク放電時の導電性
皮膜及びマイクロギャップが劣化しにくく、サージ耐量
が高く、寿命の長いサージアブソーバを提供することに
ある。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
軟質ガラスからなるガラス管10に封着され、電極素体
11aが鉄及びニッケルを含む合金からなり、この電極
素体11aのガラス管10に封着される側の表面が所定
の厚さの銅薄膜11bにより被覆され、かつこの銅薄膜
11bの表面にCu 2 O膜11cが形成された封止電極
11,12において、電極素体11aのガラス管10の
外部に面する別の表面が上記銅薄膜と同一の銅薄膜11
bにより被覆され、両面が銅薄膜11bで被覆された電
極素体11aがガラス管10の開口端を塞ぐ円板の絞り
加工体であって、電極素体11aの厚さと銅薄膜11b
の厚さの合計値に対する銅薄膜の厚さの比率が50〜7
0%であることを特徴とする封止電極である。 また請求
項2に係る発明は、軟質ガラスからなるガラス管10
と、このガラス管10内に収容され、導電性皮膜13a
で被包した円柱状のセラミックス素体13bの周面にマ
イクロギャップ13cが形成され、このセラミックス素
体13bの両端に一対のキャップ電極13dを有するサ
ージ吸収素子13と、ガラス管10の両端に封着した状
態でサージ吸収素子13を固定し、かつ一対のキャップ
電極13dに電気的に接続された請求項1記載の封止電
極11,12と、封止電極11,12とガラス管10と
により形成される空間に封入された不活性ガス14とを
備えたサージアブソーバである。
【0007】本発明のガラス管は、鉛ガラス、ソーダ石
灰ガラスのような軟質ガラスから作られる。また電極素
体は、鉄−ニッケル合金、鉄−ニッケル−クロム合金、
鉄−ニッケル−コバルト合金等の鉄とニッケルを含む熱
膨張係数がガラスより低い合金からなる。電極素体は所
定の形状に成形して作られる。電極素体の熱膨張係数と
ガラス管の熱膨張係数とを整合させるために熱膨張係数
の大きな銅薄膜で電極素体を被覆する。即ち、電極素体
の熱膨張係数とガラス管の熱膨張係数との差が大きいと
きには銅薄膜の厚さを大きくし、その差が小さいときに
は銅薄膜の厚さを小さくする。
【0008】本発明の銅薄膜の電極素体への被着はクラ
ッド法(cladding)により行われる。先ず電極素体であ
る鉄とニッケルを含む合金の板材の両面に銅薄膜を密着
させ高温で機械的に圧延する。次いでクラッド法により
銅薄膜が設けられた板材を円板に打抜いた後、ガラス管
に接触する部分が銅薄膜になるように絞り加工される。
封止電極をサージアブソーバに用いる場合には、打抜か
れた円板を絞り加工によりハット状に成形する。ガラス
管に接触する部分のみならずガラス管の内部に面する部
分が銅薄膜となるように絞り加工される。この銅薄膜の
表面にはガラスに対する濡れ性を良くし、かつ電子放射
を促進する仕事関数の小さいCu2O膜が形成される。
この銅薄膜の表面にはガラスに対する濡れ性を良くし、
かつ電子放射を促進する仕事関数の小さいCu2O膜が
形成される。このCu2O膜は銅薄膜を酸化することに
より容易に形成することができる。
【0009】鉄−ニッケル合金と銅薄膜との合計の厚さ
に対する銅薄膜の厚さの比率は、50〜70%である。
60%が好ましい。比率が50%未満ではガラスの熱膨
張係数よりも極めて小さくなり、一方70%を超えると
ガラスの熱膨張係数よりも極めて大きくなり、封着時の
ガラス管の熱収縮によるクラックの発生を防止すること
ができない。また、鉄−ニッケル合金中のニッケルの比
率は35〜55%が好ましい。
【0010】
【作用】熱膨張係数が鉄及びニッケルを含む合金より大
きな銅をこの合金とガラスとの間に所定の厚さで介在さ
せることにより、鉄及びニッケルを含む合金の熱膨張係
数がガラスの熱膨張係数に近づき、封着時にガラス管の
熱収縮によるクラックの発生がなくなる。また、封止電
極の表面に銅薄膜とCu2O膜の2つの層が形成される
ため、第一に封着時のガラスに対する濡れ性が良くなり
ジュメット線と同様の比較的低温でしかも不活性ガス雰
囲気中で封着でき、熱ストレスによる導電性皮膜及びマ
イクロギャップの劣化が起きにくい。第二にCu2Oは
仕事関数が小さいため、その電子放射促進作用によりア
ーク放電がサージ吸収素子の導電性皮膜から離れた封止
電極間に容易に移行し、放電による導電性皮膜の熱損傷
を解消する。更に、鉄及びニッケルを含む合金の両面に
銅を圧延したクラッド材を用いているので、封止電極を
所定の形状にするときに電極素体の表面と裏面の区別を
する必要がなく、電極成形を効率よく行うことができ
る。また封止電極の外面にリード線を接続するために、
封止電極外面を塩酸で洗浄すると、封着により形成され
た銅薄膜上の酸化膜(Cu2O膜)は簡単に除去されリ
ード線を容易にはんだ付け又は溶接できる。
【0011】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳し
く説明する。 <実施例> 図1及び図2に示すように、円筒形のガラス管10の両
端に封止電極11,12が封着される。図では上端の封
止電極11を詳細に示す。この例では、ガラス管10は
軟質ガラスの一種の鉛ガラスである。また封止電極11
は、鉄58%とニッケル42%の合金からなる電極素体
11aと、電極素体11aの両面に密着して圧延された
所定の厚さの銅薄膜11bと、電極素体11aのガラス
管10に封着される側に被覆された銅薄膜11bの表面
に形成されたCu2O膜11cとにより構成される。
【0012】この封止電極11は具体的に次の方法によ
り作られる。先ず前述したクラッド法により鉄−ニッケ
ル合金の板材の両面に銅薄膜を機械的に圧着する。次い
でこの板材を所定の直径の円板に打抜いた後、この円板
をハット状に絞り加工する。次にハット状の成形体を高
温の酸素雰囲気下に置き、その後急冷して銅薄膜11b
表面にCu2O膜11cを形成する。ガラス管10内に
はマイクロギャップ式のサージ吸収素子13が収容され
る。このサージ吸収素子13は導電性皮膜13aで被包
した長さ5.5mm、直径1.7mmの円柱状のセラミ
ックス素体13bの周面に数10μmのマイクロギャッ
プ13cをレーザにより形成させた後、セラミックス素
体の両端に厚さ0.2mmのキャップ電極13dを圧入
して作られる。
【0013】またサージアブソーバ20は次の方法によ
り作られる。先ずガラス管10内にサージ吸収素子13
を入れ、ガラス管10の一端に封止電極11を取付け
る。封止電極11の凹部11dをサージ吸収素子13の
キャップ電極13dに嵌合させる。次いでガラス管10
の他端に封止電極11と同一構造の封止電極12を同様
に取付ける。これによりサージ吸収素子13の一対のキ
ャップ電極13dが封止電極11,12と電気的に接続
される。次にこの組立体をカーボンヒータを設けた封着
室(図示せず)に入れ、封着室を負圧にすることにより
ガラス管内部の空気を抜いた後、代わりに不活性ガス、
例えばアルゴンガスを封着室に供給してガラス管内にこ
のアルゴンガスを導入する。この状態でカーボンヒータ
によりガラス管10及び封止電極11,12を加熱す
る。Cu2O膜を介して銅薄膜付き電極素体11aの周
縁がガラス管10になじみ、封止電極11がガラス管1
0に封着される。これによりアルゴンガス14が封入さ
れたサージアブソーバ20が作られる。Cu2O膜の存
在によりこの封止電極11,12は約700℃の低温で
封着される。
【0014】ガラス管10の両端に封着された封止電極
11及び12の各外面にリード15及び16がはんだ付
けされる。はんだ付け性を良くするために封止電極の外
面を塩酸で洗浄して、封着時に封止電極の外面に形成さ
れた銅薄膜上の酸化膜(Cu 2O膜)を除去する。この
酸化膜は容易に除去され、リード線15及び16が容易
にはんだ付けされる。
【0015】銅薄膜11bによる電極素体11aとガラ
ス管10との熱膨張係数の調整度を調べるため、電極素
体11a(鉄−ニッケル合金)の厚さ(A)と銅薄膜11
bの厚さ(B,C)の比率を変えてクラッド材の0〜40
0℃における熱膨張係数を測定した。具体的には、封止
電極全体の厚さ(A+B+C)に対する銅薄膜の厚さ
(B+C)の比率(P)が0%、30%、40%、50%、
60%、70%、80%、90%、及び100%になる
ように、銅薄膜の厚さ(B,C)及び鉄−ニッケル合金の
厚さ(A)を変えた。なお、鉛ガラスの熱膨張係数は9
5.8%である。その結果を表1に示す。表1の結果よ
り、封止電極に使用するクラッド材の全厚に対する銅薄
膜11bの厚さは、鉛ガラスの熱膨張係数95.8%に
近い熱膨張係数を有する、クラッド材全体の厚さの50
70が、特に60%が適していることが判明した。
【0016】
【表1】
【0017】<比較例>電極素体にニッケル42%−ク
ロム6%−鉄52%の合金を用い、電極素体にCr23
を形成して封止電極とした。この封止電極と実施例と同
じガラス管及びサージ吸収素子を用いてアルゴンガス入
りサージアブソーバを作製した。このときの封着温度は
810℃であった。この比較例のサージアブソーバと、
上述した比率(P)が60%の実施例のサージアブソーバ
のサージ耐量を測定した。更に比較例と実施例の封止電
極をそれぞれ100個ずつ同一のガラス管に封着し、そ
の封着率を調べた。その結果を表2に示す。サージ耐量
はJEC−212(電気学会、電気規格調査会標準規
格)に規定される(8×20)μ秒のサージ電流を用い
て測定した。表2より比較例のサージアブソーバより実
施例のサージアブソーバは封着温度が100℃以上低
く、しかもサージ耐量が大きいことが判明した。また比
較例と比べて実施例の封着率は極めて良好であった。
【0018】
【表2】
【0019】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
の効果を奏する。 電極素体の厚さと銅薄膜の厚さの
合計値に対する銅薄膜の厚さの比率を50〜70%にし
銅薄膜による熱膨張係数を調整することにより、鉄及
びニッケルを含む合金の熱膨張係数がガラスの熱膨張係
数に近づくため、封着時のガラス管のクラック発生を防
止することができる。また、電極素体の両面を銅薄膜で
被覆しているので、封止電極を所定の形状にするときに
電極素体の表面と裏面の区別をする必要がなく、電極成
形を効率よく行うことができる。 従来、鉄−ニッケ
ル合金では酸化膜が厚くなりすぎ、ガスバーナの炎を必
要とし、不活性ガス雰囲気中では封着できなかったもの
が、本発明では鉄−ニッケル合金であっても銅薄膜上の
Cu2O膜の存在により不活性ガス雰囲気中でカーボン
ヒータで封着することができる。 本発明の封止電極
の素体が鉄−ニッケル合金の場合、銅薄膜上のCu2
膜の存在により封止電極とガラスの濡れ性が非常に良い
ので、従来の鉄−ニッケル−クロム合金の封止電極より
約100℃低い温度で封着することができ、これにより
ガラス軟化による変形が非常に小さくなり、更にガラス
管内部のマイクロギャップ式サージ吸収素子の導電性皮
膜の熱ストレスが緩和される。また、大口径の放電管型
サージアブソーバを封止することが可能となる。 本
発明の封止電極の内面のCu2O膜は電子放射促進作用
があるため、サージ電圧の印加時にはマイクロギャップ
付近で開始されたアーク放電がマイクロギャップ及び導
電性皮膜から離れた封止電極間で容易に行われるように
なる。上記及びにより、導電性皮膜の熱損傷がなく
なりサージアブソーバのサージ耐量を大きくできるとと
もに、寿命を長くすることができる。 封着後封止電
極の外面にリード線を接続するために、封止電極外面を
塩酸で洗浄すると、封着により形成された銅薄膜上の酸
化膜(Cu2O膜)は簡単に除去されリード線を容易に
はんだ付け又は溶接できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明実施例のサージアブソーバの要部断面
図。
【図2】その外観斜視図。
【符号の説明】
10 ガラス管 11,12 封止電極 11a 電極素体 11b 銅薄膜 11c Cu2O膜 13 サージ吸収素子 13a 導電性皮膜 13b セラミックス素体 13c マイクロギャップ 13d キャップ電極 14 アルゴンガス(不活性ガス) 15,16 リード線 20 サージアブソーバ
フロントページの続き (72)発明者 伊藤 隆明 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三菱マテリアル株式会社 セラミックス 研究所内 (56)参考文献 特開 平4−65087(JP,A) 特開 昭61−281857(JP,A) 特開 昭55−67544(JP,A) 特開 平3−77293(JP,A) 特開 平3−214580(JP,A) 特開 昭62−237686(JP,A) 特開 昭48−92859(JP,A) 実開 昭63−37097(JP,U) 特公 昭55−29949(JP,B2)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 軟質ガラスからなるガラス管(10)と、 前記ガラス管(10)内に収容され、導電性皮膜(13a)で被
    包した円柱状のセラミックス素体(13b)の周面にマイク
    ロギャップ(13c)が形成され、前記セラミックス素体(13
    b)の両端に一対のキャップ電極(13d)を有するサージ吸
    収素子(13)と、 前記ガラス管(10)の両端に封着した状態で前記サージ吸
    収素子(13)を固定し、かつ前記一対のキャップ電極(13
    d)に電気的に接続された封止電極(11,12)と、 前記封止電極(11,12)と前記ガラス管(10)とにより形成
    される空間に封入された不活性ガス(14)とを備えたサー
    ジアブソーバにおいて、 前記封止電極は、鉄及びニッケルを含む合金からなる電
    極素体(11a)の両面が銅薄膜(11b,11b)により被覆され、
    前記銅薄膜(11b,11b)の表面にCu 2 O膜(11c,11c)がそ
    れぞれ形成され、前記銅薄膜(11b,11b)で被覆された前
    記電極素体(11a)が前記ガラス管(10)の開口端を塞ぐ円
    板の絞り加工体であって、前記電極素体(11a)の厚さと
    前記銅薄膜(11b,11b)の厚さの合計値に対する銅薄膜の
    厚さの比率が50〜70%であることを特徴とするサー
    ジアブソーバ。
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