JPH07242659A - 共役二重結合鎖を有するジアリールエテン系化合物 - Google Patents
共役二重結合鎖を有するジアリールエテン系化合物Info
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- JPH07242659A JPH07242659A JP5501094A JP5501094A JPH07242659A JP H07242659 A JPH07242659 A JP H07242659A JP 5501094 A JP5501094 A JP 5501094A JP 5501094 A JP5501094 A JP 5501094A JP H07242659 A JPH07242659 A JP H07242659A
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- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】下記一般式(1)にて示されるジアリールエテ
ン系化合物。 【化1】 (但し、式中nは2〜5の整数を表す。Aは一般式
(2) 【化2】 を表し、R1 はアルキル基、アルコキシ基、R2 〜R5
は水素原子、アルキル基又はアルコキシフェニル基を表
す。Bは一般式(3) 【化3】 を表し、R6 、R7 はアルキル基を表す。) 【効果】熱安定性、耐湿性、感度に優れ、かつ着消色の
繰り返し耐久性の良好なフォトクロミック性を有する化
合物である。
ン系化合物。 【化1】 (但し、式中nは2〜5の整数を表す。Aは一般式
(2) 【化2】 を表し、R1 はアルキル基、アルコキシ基、R2 〜R5
は水素原子、アルキル基又はアルコキシフェニル基を表
す。Bは一般式(3) 【化3】 を表し、R6 、R7 はアルキル基を表す。) 【効果】熱安定性、耐湿性、感度に優れ、かつ着消色の
繰り返し耐久性の良好なフォトクロミック性を有する化
合物である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、新規なジアリールエテ
ン系化合物に係り、更に詳細にはフォトクロミック性を
有し光記録材料等に好適なジアリールエテン系化合物に
関する。
ン系化合物に係り、更に詳細にはフォトクロミック性を
有し光記録材料等に好適なジアリールエテン系化合物に
関する。
【0002】
【従来の技術】光照射により可逆的に色相変化をする、
いわゆるフォトクロミック化合物は古くから知られてお
り、これらを利用した記録・記憶材料、複写材料、調光
材料、マスキング用材料、光量計あるいは表示材料等が
種々提案されている。これらフォトクロミック化合物と
しては、例えば、ベンゾスピロピラン類、ナフトオキサ
ジン類、フルギド類、ジアゾ化合物類あるいはジアリー
ルエテン類等の化合物が提案されている。近年、この様
なフォトクロミック化合物を可逆的な光記録材料として
利用すべく、精力的に研究がなされているが、光記録材
料へ応用するためには次の様な基本性能が要求される。
すなわち、記録の安定性、繰り返し耐久性、半導
体レーザー感受性、高い感度等である。ところが、現
在知られているフォトクロミック化合物の多くは、着色
状態又は消色状態のどちらか一方が熱的に不安定であ
り、室温に於ても、数時間以内により安定な状態に戻る
ため、記録の安定性が確保できないという欠点を有して
いる。これらの中で、光照射による二つの状態が熱的に
比較的安定である化合物として、フルギド類やジアリー
ルエテン類が知られているが、記録材料として利用する
には、安定性が未だ不十分である、繰り返し耐久性
が劣っている、半導体レーザー感受性に乏しい、感
度(分子吸光係数)が小さい等といった欠点のいずれか
を有しており、未だ全ての性能を満足するフォトクロミ
ック化合物が得られていないのが実情である。
いわゆるフォトクロミック化合物は古くから知られてお
り、これらを利用した記録・記憶材料、複写材料、調光
材料、マスキング用材料、光量計あるいは表示材料等が
種々提案されている。これらフォトクロミック化合物と
しては、例えば、ベンゾスピロピラン類、ナフトオキサ
ジン類、フルギド類、ジアゾ化合物類あるいはジアリー
ルエテン類等の化合物が提案されている。近年、この様
なフォトクロミック化合物を可逆的な光記録材料として
利用すべく、精力的に研究がなされているが、光記録材
料へ応用するためには次の様な基本性能が要求される。
すなわち、記録の安定性、繰り返し耐久性、半導
体レーザー感受性、高い感度等である。ところが、現
在知られているフォトクロミック化合物の多くは、着色
状態又は消色状態のどちらか一方が熱的に不安定であ
り、室温に於ても、数時間以内により安定な状態に戻る
ため、記録の安定性が確保できないという欠点を有して
いる。これらの中で、光照射による二つの状態が熱的に
比較的安定である化合物として、フルギド類やジアリー
ルエテン類が知られているが、記録材料として利用する
には、安定性が未だ不十分である、繰り返し耐久性
が劣っている、半導体レーザー感受性に乏しい、感
度(分子吸光係数)が小さい等といった欠点のいずれか
を有しており、未だ全ての性能を満足するフォトクロミ
ック化合物が得られていないのが実情である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
課題に鑑みなされたものであって、その目的とするとこ
ろは、着色状態の熱安定性、繰り返し耐久性、半
導体レーザー感受性、感度(分子吸光係数)等、フォ
トクロミック材料として優れた性能を有する、新規ジア
リールエテン系化合物を提供するにある。
課題に鑑みなされたものであって、その目的とするとこ
ろは、着色状態の熱安定性、繰り返し耐久性、半
導体レーザー感受性、感度(分子吸光係数)等、フォ
トクロミック材料として優れた性能を有する、新規ジア
リールエテン系化合物を提供するにある。
【0004】
【課題を解決する為の手段】上述の目的は、下記一般式
(1)にて示される共役二重結合鎖を有するジアリール
エテン系化合物により達成される。
(1)にて示される共役二重結合鎖を有するジアリール
エテン系化合物により達成される。
【化4】 (但し、式中n、A、Bは前記に同じ。)
【0005】次に本発明を詳しく説明する。本発明のジ
アリールエテン系化合物は前記一般式(1)で示される
ものであり、nは2〜5の整数で、二重結合と共同して
4〜7員環の環状構造を有する。中でも、nが3又は4
の、5又は6員環構造が特に好ましいフォトクロミック
特性を示す。Aは前記一般式(2)で示されるベンゾチ
エニル基を表す。R1 はアルキル基又はアルコキシ基を
表し、中でも、メチル、エチル、プロピル基といった低
級アルキル基又はアルコキシ基が好ましい。また、R2
〜R5 は水素原子、アルキル基又はアルコキシフェニル
基を表す。Bは前記一般式(3)で示される、共役二重
結合鎖を有するチエニル基を表す。R6 、R7 はアルキ
ル基を表し、中でも、メチル、エチル、プロピル基とい
った低級アルキル基が好ましい。この様に、チオフェン
環への共役二重結合鎖の導入及びベンゾチオフェン環へ
のアルコキシフェニル基、中でも、メトキシフェニル
基、又はアルコキシ基、中でも、メトキシ基の導入によ
り、着色体の吸収極大波長は長波長化し、発振波長67
0nm、あるいは780nmの半導体レーザー感受性が
付与される。更に、チオフェン環への共役二重結合鎖の
導入により、化合物の分子吸光係数を増大させることが
できる。
アリールエテン系化合物は前記一般式(1)で示される
ものであり、nは2〜5の整数で、二重結合と共同して
4〜7員環の環状構造を有する。中でも、nが3又は4
の、5又は6員環構造が特に好ましいフォトクロミック
特性を示す。Aは前記一般式(2)で示されるベンゾチ
エニル基を表す。R1 はアルキル基又はアルコキシ基を
表し、中でも、メチル、エチル、プロピル基といった低
級アルキル基又はアルコキシ基が好ましい。また、R2
〜R5 は水素原子、アルキル基又はアルコキシフェニル
基を表す。Bは前記一般式(3)で示される、共役二重
結合鎖を有するチエニル基を表す。R6 、R7 はアルキ
ル基を表し、中でも、メチル、エチル、プロピル基とい
った低級アルキル基が好ましい。この様に、チオフェン
環への共役二重結合鎖の導入及びベンゾチオフェン環へ
のアルコキシフェニル基、中でも、メトキシフェニル
基、又はアルコキシ基、中でも、メトキシ基の導入によ
り、着色体の吸収極大波長は長波長化し、発振波長67
0nm、あるいは780nmの半導体レーザー感受性が
付与される。更に、チオフェン環への共役二重結合鎖の
導入により、化合物の分子吸光係数を増大させることが
できる。
【0006】本発明のジアリールエテン系化合物は、公
知の方法から適宜選択して製造することができ、例えば
次の様な方法で製造できる。すなわち、下記一般式
(4)
知の方法から適宜選択して製造することができ、例えば
次の様な方法で製造できる。すなわち、下記一般式
(4)
【化5】 (但し、式中nは2〜5の整数を表す。)とアリールリ
チウム誘導体ALi及びBLi(A、Bは前記に同
じ。)とを同時に反応させる、あるいはALi又はBL
i(A、Bは前記に同じ。)のうち、一方を先に反応さ
せたモノアリールエテン誘導体と、もう一つのアリール
リチウム誘導体とを反応させ、ジアリールエテン系化合
物とする。
チウム誘導体ALi及びBLi(A、Bは前記に同
じ。)とを同時に反応させる、あるいはALi又はBL
i(A、Bは前記に同じ。)のうち、一方を先に反応さ
せたモノアリールエテン誘導体と、もう一つのアリール
リチウム誘導体とを反応させ、ジアリールエテン系化合
物とする。
【0007】次に好適な製造方法の一例を挙げると次の
通りである。すなわち、まず、AX又はBX(但し、式
中Xは臭素原子又はヨウ素原子を表し、A、Bは前記に
同じ。)で示されるベンゾチエニルハライド誘導体又は
チエニルハライド誘導体を、反応温度−45〜−120
℃、好ましくは−70〜−110℃で、アルキルリチウ
ム又はリチウムジアルキルアミドと反応させ、3位のハ
ロゲン原子をリチウムに置換したリチオ化ベンゾチオフ
ェン誘導体又はリチオ化チオフェン誘導体とする。
通りである。すなわち、まず、AX又はBX(但し、式
中Xは臭素原子又はヨウ素原子を表し、A、Bは前記に
同じ。)で示されるベンゾチエニルハライド誘導体又は
チエニルハライド誘導体を、反応温度−45〜−120
℃、好ましくは−70〜−110℃で、アルキルリチウ
ム又はリチウムジアルキルアミドと反応させ、3位のハ
ロゲン原子をリチウムに置換したリチオ化ベンゾチオフ
ェン誘導体又はリチオ化チオフェン誘導体とする。
【0008】溶媒としては、テトラヒドロフランやジエ
チルエーテル等のエーテル系溶媒が好ましく用いられる
が、低温での溶媒凝固を防ぐために、n−ヘキサン、n
−ペンタン等の低級アルカン類を混合してもよい。リチ
オ化剤のアルキルリチウム、リチウムジアルキルアミド
としては、n−ブチルリチウム、t−ブチルリチウム、
メチルリチウム、フェニルリチウム、リチウムジイソプ
ロピルアミド、リチウムジシクロヘキシルアミド等が挙
げられ、n−ブチルリチウムのヘキサン溶液が好適に用
いられる。リチオ化剤の量は、ハロゲン化ベンゾチオフ
ェン誘導体の総量に対して1.0〜1.2倍モル使用す
るのが好ましい。反応時間は通常20分〜3時間、好ま
しくは30分〜2時間である。
チルエーテル等のエーテル系溶媒が好ましく用いられる
が、低温での溶媒凝固を防ぐために、n−ヘキサン、n
−ペンタン等の低級アルカン類を混合してもよい。リチ
オ化剤のアルキルリチウム、リチウムジアルキルアミド
としては、n−ブチルリチウム、t−ブチルリチウム、
メチルリチウム、フェニルリチウム、リチウムジイソプ
ロピルアミド、リチウムジシクロヘキシルアミド等が挙
げられ、n−ブチルリチウムのヘキサン溶液が好適に用
いられる。リチオ化剤の量は、ハロゲン化ベンゾチオフ
ェン誘導体の総量に対して1.0〜1.2倍モル使用す
るのが好ましい。反応時間は通常20分〜3時間、好ま
しくは30分〜2時間である。
【0009】次に、生成したリチオ化ベンゾチオフェン
化誘導体又はリチオ化チオフェン誘導体に、前記一般式
(4)で示されるパーフルオロシクロアルケン誘導体を
添加する。使用するパーフルオロシクロアルケン誘導体
の量はハロゲン化ベンゾチオフェン誘導体又はハロゲン
化チオフェン誘導体の1.0〜1.5倍モルが好まし
く、希釈せずに、あるいは溶媒に希釈して添加する。反
応温度は−60〜−110℃、反応時間は30分〜2時
間が好ましい。以上の操作の後、下記一般式(5)
化誘導体又はリチオ化チオフェン誘導体に、前記一般式
(4)で示されるパーフルオロシクロアルケン誘導体を
添加する。使用するパーフルオロシクロアルケン誘導体
の量はハロゲン化ベンゾチオフェン誘導体又はハロゲン
化チオフェン誘導体の1.0〜1.5倍モルが好まし
く、希釈せずに、あるいは溶媒に希釈して添加する。反
応温度は−60〜−110℃、反応時間は30分〜2時
間が好ましい。以上の操作の後、下記一般式(5)
【化6】 (但し、式中n、R1 〜R5 は前記に同じ。)で示され
るモノベンゾチエニルエテン誘導体又は下記一般式
(6)
るモノベンゾチエニルエテン誘導体又は下記一般式
(6)
【化7】 (但し、式中n、R6 、R7 は前記に同じ。)で示され
るモノチエニルエテン誘導体が得られる。
るモノチエニルエテン誘導体が得られる。
【0010】得られたモノアリールエテン誘導体は、A
X又はBX(但し、式中A、Bは前記に同じ。Xは臭素
原子又はヨウ素原子を表す。)で示されるベンゾチエニ
ルハライド誘導体又はチエニルハライド誘導体を、前記
と同じ方法でリチオ化ベンゾチオフェン誘導体又はリチ
オ化チオフェン誘導体とし、リチオ化ベンゾチオフェン
誘導体には、前述のモノチエニルエテン誘導体のテラヒ
ドロフラン溶液を、リチオ化チオフェン誘導体には、前
述のモノベンゾチエニルエテン誘導体のテラヒドロフラ
ン溶液を添加する。使用するモノベンゾチエニルエテン
誘導体又はモノチエニルエテン誘導体の量は、ベンゾチ
エニルハライド誘導体又はチエニルハライド誘導体の
1.0〜1.2倍モルが好ましい。このときの反応温度
は−60〜−110℃、反応時間は30分〜2時間が好
ましい。以上の方法で得られた反応物からジアリールエ
テン系化合物を得るには、抽出、カラムクロマトグラ
フ、再結晶等の方法を用いて分離、精製すればよい。
X又はBX(但し、式中A、Bは前記に同じ。Xは臭素
原子又はヨウ素原子を表す。)で示されるベンゾチエニ
ルハライド誘導体又はチエニルハライド誘導体を、前記
と同じ方法でリチオ化ベンゾチオフェン誘導体又はリチ
オ化チオフェン誘導体とし、リチオ化ベンゾチオフェン
誘導体には、前述のモノチエニルエテン誘導体のテラヒ
ドロフラン溶液を、リチオ化チオフェン誘導体には、前
述のモノベンゾチエニルエテン誘導体のテラヒドロフラ
ン溶液を添加する。使用するモノベンゾチエニルエテン
誘導体又はモノチエニルエテン誘導体の量は、ベンゾチ
エニルハライド誘導体又はチエニルハライド誘導体の
1.0〜1.2倍モルが好ましい。このときの反応温度
は−60〜−110℃、反応時間は30分〜2時間が好
ましい。以上の方法で得られた反応物からジアリールエ
テン系化合物を得るには、抽出、カラムクロマトグラ
フ、再結晶等の方法を用いて分離、精製すればよい。
【0011】本発明のジアリールエテン系化合物は、そ
の一例として、1−(6−(4−メトキシフェニル)−
2−メチル−3−ベンゾチエニル)−2−(2,4−ジ
メチル−5−(4−(4−メトキシフェニル)−1,3
−ブタジエニル)−3−チエニル)−3,3,4,4,
5,5−ヘキサフルオロシクロペンテンについて説明す
ると、有機溶媒や適当な樹脂バインダー等の適当な媒体
中に於いて、下記(7)式の様に、
の一例として、1−(6−(4−メトキシフェニル)−
2−メチル−3−ベンゾチエニル)−2−(2,4−ジ
メチル−5−(4−(4−メトキシフェニル)−1,3
−ブタジエニル)−3−チエニル)−3,3,4,4,
5,5−ヘキサフルオロシクロペンテンについて説明す
ると、有機溶媒や適当な樹脂バインダー等の適当な媒体
中に於いて、下記(7)式の様に、
【化8】 開環体に紫外光を照射すると閉環体に変化して着色し、
この閉環体に可視光を照射すると、元の開環体に戻り、
消色する。
この閉環体に可視光を照射すると、元の開環体に戻り、
消色する。
【0012】本発明のジアリールエテン系化合物を含有
する記録媒体を利用した光記録材料は公知の方法で容易
に得ることが出来る。例えば、本発明のジアリールエテ
ン系化合物を公知の蒸着法により、適当な基板上に蒸着
する方法や、本発明のジアリールエテン系化合物を、ポ
リエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹
脂、ポリ酢酸ビニル樹 ポリビニルブチラール樹脂、ポ
リメチルメタクリル酸樹脂、ポリt−ブチルメタクリル
酸樹脂、ポリシクロヘキシルメタクリル酸樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の樹
脂バインダーと共に、ベンゼン、トルエン、キシレン、
ヘキサン、シクロヘキサン、メチルエチルケトン、アセ
トン、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、四塩化炭素、クロロホルム、セロソルブ、
ジグライム等の溶媒に分散又は溶解させて、適当な基板
上に塗布する方法、あるいは本発明のジアリールエテン
系化合物を前記の様な溶媒に溶解し、適当な基板上に塗
布する方法等によって光記録材料を得ることが出来る。
する記録媒体を利用した光記録材料は公知の方法で容易
に得ることが出来る。例えば、本発明のジアリールエテ
ン系化合物を公知の蒸着法により、適当な基板上に蒸着
する方法や、本発明のジアリールエテン系化合物を、ポ
リエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹
脂、ポリ酢酸ビニル樹 ポリビニルブチラール樹脂、ポ
リメチルメタクリル酸樹脂、ポリt−ブチルメタクリル
酸樹脂、ポリシクロヘキシルメタクリル酸樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の樹
脂バインダーと共に、ベンゼン、トルエン、キシレン、
ヘキサン、シクロヘキサン、メチルエチルケトン、アセ
トン、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、四塩化炭素、クロロホルム、セロソルブ、
ジグライム等の溶媒に分散又は溶解させて、適当な基板
上に塗布する方法、あるいは本発明のジアリールエテン
系化合物を前記の様な溶媒に溶解し、適当な基板上に塗
布する方法等によって光記録材料を得ることが出来る。
【0013】この様な光記録材料中に於いて、本発明の
ジアリールエテン系化合物は、着色状態、消色状態共に
熱安定性が高く、水分、酸素等に対しても安定で長期間
構造が変化せずに保持され、着消色の繰り返し耐久性に
も優れている。又、着色状態の吸収極大波長は600n
m以上であり、吸収端も800nm以上であることか
ら、670nmや780nmの発振波長を有する半導体
レーザーに対する感受性を有しており、更に、その波長
領域での感度が高い(大きな分子吸光係数を有する)
等、といった優れたフォトクロミック特性を有する為、
可逆的な光情報記録材料等に有効に使用することが出来
る。
ジアリールエテン系化合物は、着色状態、消色状態共に
熱安定性が高く、水分、酸素等に対しても安定で長期間
構造が変化せずに保持され、着消色の繰り返し耐久性に
も優れている。又、着色状態の吸収極大波長は600n
m以上であり、吸収端も800nm以上であることか
ら、670nmや780nmの発振波長を有する半導体
レーザーに対する感受性を有しており、更に、その波長
領域での感度が高い(大きな分子吸光係数を有する)
等、といった優れたフォトクロミック特性を有する為、
可逆的な光情報記録材料等に有効に使用することが出来
る。
【0014】
【発明の効果】以上の様に、本発明のジアリールエテン
系化合物は、熱安定性、着消色の繰り返し耐久性、半導
体レーザー感受性、感度等に優れたフォトクロミック特
性を有しており、可逆的光記録材料等、各種の用途に用
いることができる。次に、本発明を実施例を挙げて具体
的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。
系化合物は、熱安定性、着消色の繰り返し耐久性、半導
体レーザー感受性、感度等に優れたフォトクロミック特
性を有しており、可逆的光記録材料等、各種の用途に用
いることができる。次に、本発明を実施例を挙げて具体
的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。
【0015】(実施例1) 1−(6−(4−メトキシフェニル)−2−メチル−3
−ベンゾチエニル)−2−(2,4−ジメチル−5−
(4−(4−メトキシフェニル)−1,3−ブタジエニ
ル)−3−チエニル)−3,3,4,4,5,5−ヘキ
サフルオロシクロペンテンの製造
−ベンゾチエニル)−2−(2,4−ジメチル−5−
(4−(4−メトキシフェニル)−1,3−ブタジエニ
ル)−3−チエニル)−3,3,4,4,5,5−ヘキ
サフルオロシクロペンテンの製造
【0016】a)1−(6−(4−メトキシフェニル)
−2−メチル−3−ベンゾチエニル)−2,3,3,
4,4,5,5−ヘプタフルオロシクロペンテンの製造 容量1000mlの2つ口フラスコに、3−ブロモ−6
−(4−メトキシフェニル)−2−メチルベンゾチオフ
ェン20.0g(60mmol)とテトラヒドロフラン
600mlを入れ、窒素気流下で−95℃に冷却後、n
−ブチルリチウム−ヘキサン溶液45.0ml(72m
mol)を滴下し、1時間かく拌した。次に、パーフル
オロシクロペンテン18.8g(90mmol)のテト
ラヒドロフラン溶液90mlを滴下し、1時間反応させ
た。反応終了後、メタノール40mlを加えて反応を停
止し、更に水200mlを加えた後、酢酸エチル400
mlで3回抽出し、この有機層を集め、洗浄、乾燥の
後、溶媒を減圧留去した。得られた反応生成物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、下記構造
式(化9)の化合物22.1gを得た。(収率82.5
%)
−2−メチル−3−ベンゾチエニル)−2,3,3,
4,4,5,5−ヘプタフルオロシクロペンテンの製造 容量1000mlの2つ口フラスコに、3−ブロモ−6
−(4−メトキシフェニル)−2−メチルベンゾチオフ
ェン20.0g(60mmol)とテトラヒドロフラン
600mlを入れ、窒素気流下で−95℃に冷却後、n
−ブチルリチウム−ヘキサン溶液45.0ml(72m
mol)を滴下し、1時間かく拌した。次に、パーフル
オロシクロペンテン18.8g(90mmol)のテト
ラヒドロフラン溶液90mlを滴下し、1時間反応させ
た。反応終了後、メタノール40mlを加えて反応を停
止し、更に水200mlを加えた後、酢酸エチル400
mlで3回抽出し、この有機層を集め、洗浄、乾燥の
後、溶媒を減圧留去した。得られた反応生成物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、下記構造
式(化9)の化合物22.1gを得た。(収率82.5
%)
【化9】
【0017】分析値: 1)MS m/e 446(M+ )
【0018】b)2,4−ジメチル−5−(2−ホルミ
ル−1−エテニル)−3−ヨードチオフェンの製造 容量100mlの2つ口フラスコに、2,4−ジメチル
−5−ホルミル−3−ヨードチオフェン3.3g(1
2.5mmol)ホルミルメチレントリフェニルホスホ
ラン4.6g(15.0mmol)、トルエン40ml
を入れ、120時間還流し反応させた。反応後、溶媒を
減圧留去した後、残査にジエチルエーテルを加え、不溶
物をろ別した。ろ液の溶媒を減圧留去し、得られた反応
生成物物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
精製し、下記構造式(化10)の化合物3.0gを得
た。(収率82.2%)
ル−1−エテニル)−3−ヨードチオフェンの製造 容量100mlの2つ口フラスコに、2,4−ジメチル
−5−ホルミル−3−ヨードチオフェン3.3g(1
2.5mmol)ホルミルメチレントリフェニルホスホ
ラン4.6g(15.0mmol)、トルエン40ml
を入れ、120時間還流し反応させた。反応後、溶媒を
減圧留去した後、残査にジエチルエーテルを加え、不溶
物をろ別した。ろ液の溶媒を減圧留去し、得られた反応
生成物物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
精製し、下記構造式(化10)の化合物3.0gを得
た。(収率82.2%)
【化10】
【0019】分析値: 1)1 H−NMR(CDCl3 中) δ(ppm) 2.50(s 3H)5.80〜8.2
2(m 5H)9.58,9.79(d 1H) 2)MS m/e 292(M+ )
2(m 5H)9.58,9.79(d 1H) 2)MS m/e 292(M+ )
【0020】c)2,4−ジメチル−5−(4−(4−
メトキシフェニル)−1,3−ブタジエニル)−3−ヨ
ードチオフェンの製造 容量100mlの2つ口フラスコに、4−メトキシベン
ジルトリフェニルホスホニウムクロリド8.4g(2
0.0mmol)、実施例1−b)で製造された、2,
4−ジメチル−5−(2−ホルミル−1−エテニル)−
3−ヨードチオフェン2.9g(10.0mmol)、
炭酸ナトリウム8.8g、ホルムアミド1.9g、1,
4−ジオキサン50mlを入れ、24時間還流し反応さ
せた。反応後、不溶物をろ別し、ろ液の溶媒を減圧留去
した後、残査にジエチルエーテルを加え、不溶物をろ別
した。ろ液の溶媒を減圧留去し、得られた反応生成物物
をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、
下記構造式(化11)の化合物3.5gを得た。(収率
88.3%)
メトキシフェニル)−1,3−ブタジエニル)−3−ヨ
ードチオフェンの製造 容量100mlの2つ口フラスコに、4−メトキシベン
ジルトリフェニルホスホニウムクロリド8.4g(2
0.0mmol)、実施例1−b)で製造された、2,
4−ジメチル−5−(2−ホルミル−1−エテニル)−
3−ヨードチオフェン2.9g(10.0mmol)、
炭酸ナトリウム8.8g、ホルムアミド1.9g、1,
4−ジオキサン50mlを入れ、24時間還流し反応さ
せた。反応後、不溶物をろ別し、ろ液の溶媒を減圧留去
した後、残査にジエチルエーテルを加え、不溶物をろ別
した。ろ液の溶媒を減圧留去し、得られた反応生成物物
をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、
下記構造式(化11)の化合物3.5gを得た。(収率
88.3%)
【化11】
【0021】分析値: 1)1 H−NMR(CDCl3 中) δ(ppm) 2.26(s 3H) 2.40(s
3H) 3.70(s 3H) 6.20〜7.61(m 8
H) 2)MS m/e 396(M+ )
3H) 3.70(s 3H) 6.20〜7.61(m 8
H) 2)MS m/e 396(M+ )
【0022】d)1−(6−(4−メトキシフェニル)
−2−メチル−3−ベンゾチエニル)−2−(2,4−
ジメチル−5−(4−(4−メトキシフェニル)−1,
3−ブタジエニル)−3−チエニル)−3,3,4,
4,5,5−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造 容量200mlの2つ口フラスコに、実施例1−c)で
製造された2,4−ジメチル−5−(4−(4−メトキ
シフェニル)−1,3−ブタジエニル)−3−ヨードチ
オフェン3.2g(8.0mmol)とテトラヒドロフ
ラン80mlを入れ、窒素気流下で−95℃に冷却後、
n−ブチルリチウム−ヘキサン溶液6.0ml(9.6
mmol)を滴下し、1時間かく拌した。次に、実施例
1−a)で製造された1−(6−(4−メトキシフェニ
ル)−2−メチル−3−ベンゾチエニル)−2,3,
3,4,4,5,5−ヘプタフルオロシクロペンテン
3.8g(8.0mmol)のテトラヒドロフラン溶液
8mlを滴下し、1時間反応させた。反応終了後、メタ
ノール5mlを加え反応を停止し、更に水20mlを加
えた後、酢酸エチル100mlで3回抽出した。この有
機層を集め、洗浄、乾燥の後、溶媒を減圧留去した。得
られた反応生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーにより精製し、下記構造式(化12)のジアリールエ
テン系化合物4.2gを得た。(収率74.6%)
−2−メチル−3−ベンゾチエニル)−2−(2,4−
ジメチル−5−(4−(4−メトキシフェニル)−1,
3−ブタジエニル)−3−チエニル)−3,3,4,
4,5,5−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造 容量200mlの2つ口フラスコに、実施例1−c)で
製造された2,4−ジメチル−5−(4−(4−メトキ
シフェニル)−1,3−ブタジエニル)−3−ヨードチ
オフェン3.2g(8.0mmol)とテトラヒドロフ
ラン80mlを入れ、窒素気流下で−95℃に冷却後、
n−ブチルリチウム−ヘキサン溶液6.0ml(9.6
mmol)を滴下し、1時間かく拌した。次に、実施例
1−a)で製造された1−(6−(4−メトキシフェニ
ル)−2−メチル−3−ベンゾチエニル)−2,3,
3,4,4,5,5−ヘプタフルオロシクロペンテン
3.8g(8.0mmol)のテトラヒドロフラン溶液
8mlを滴下し、1時間反応させた。反応終了後、メタ
ノール5mlを加え反応を停止し、更に水20mlを加
えた後、酢酸エチル100mlで3回抽出した。この有
機層を集め、洗浄、乾燥の後、溶媒を減圧留去した。得
られた反応生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーにより精製し、下記構造式(化12)のジアリールエ
テン系化合物4.2gを得た。(収率74.6%)
【化12】
【0023】分析値: 1)1 H−NMR(CDCl3 中) δ(ppm) 1.90(s 1H) 2.15(s
1H) 2.34(s 1H) 3.64(s 1H) 3.67(s 1H) 5.70〜8.00(m 5
H) 2)MS m/e 696(M+ )
1H) 2.34(s 1H) 3.64(s 1H) 3.67(s 1H) 5.70〜8.00(m 5
H) 2)MS m/e 696(M+ )
【0024】(実施例2) 1−(2−メトキシ−3−ベンゾチエニル)−2−
(2,4−ジメチル−5−(4−(4−メトキシフェニ
ル)−1,3−ブタジエニル)−3−チエニル)−3,
3,4,4,5,5−ヘキサフルオロシクロペンテンの
製造 a) 1−(2−メトキシ−3−ベンゾチエニル)−
2,3,3,4,4,5,5−ヘプタフルオロシクロペ
ンテンの製造 容量1000mlの2つ口フラスコに、2−メトキシベ
ンゾチオフェン6.6g(40mmol)とジエチルエ
−テル400mlを入れ、窒素気流下、室温で、n−ブ
チルリチウム−ヘキサン溶液30.0ml(48mmo
l)を滴下し、12時間かく拌した。次に、−95℃に
冷却後、パーフルオロシクロペンテン4.2g(40m
mol)のテトラヒドロフラン溶液40mlを滴下し、
2時間反応させた。反応終了後、メタノール40mlを
加えて反応を停止し、更に水200mlを加えた後、酢
酸エチル400mlで3回抽出し、この有機層を集め、
洗浄、乾燥の後、溶媒を減圧留去した。得られた反応生
成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製
し、下記構造式(化13)の化合物11.8gを得た。
(収率82.5%)
(2,4−ジメチル−5−(4−(4−メトキシフェニ
ル)−1,3−ブタジエニル)−3−チエニル)−3,
3,4,4,5,5−ヘキサフルオロシクロペンテンの
製造 a) 1−(2−メトキシ−3−ベンゾチエニル)−
2,3,3,4,4,5,5−ヘプタフルオロシクロペ
ンテンの製造 容量1000mlの2つ口フラスコに、2−メトキシベ
ンゾチオフェン6.6g(40mmol)とジエチルエ
−テル400mlを入れ、窒素気流下、室温で、n−ブ
チルリチウム−ヘキサン溶液30.0ml(48mmo
l)を滴下し、12時間かく拌した。次に、−95℃に
冷却後、パーフルオロシクロペンテン4.2g(40m
mol)のテトラヒドロフラン溶液40mlを滴下し、
2時間反応させた。反応終了後、メタノール40mlを
加えて反応を停止し、更に水200mlを加えた後、酢
酸エチル400mlで3回抽出し、この有機層を集め、
洗浄、乾燥の後、溶媒を減圧留去した。得られた反応生
成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製
し、下記構造式(化13)の化合物11.8gを得た。
(収率82.5%)
【化13】
【0025】分析値: 1)MS m/e 356(M+ )
【0026】b)1−(2−メトキシ−3−ベンゾチエ
ニル)−2−(2,4−ジメチル−5−(4−(4−メ
トキシフェニル)−1,3−ブタジエニル)−3−チエ
ニル)−3,3,4,4,5,5−ヘキサフルオロシク
ロペンテンの製造 実施例1のd)項に於て、1−(6−(4−メトキシフ
ェニル)−2−メチル−3−ベンゾチエニル)−2,
3,3,4,4,5,5−ヘプタフルオロシクロペンテ
ンを用いる代わりに、実施例2のa)項で製造された1
−(2−メトキシ−3−ベンゾチエニル)−2,3,
3,4,4,5,5−ヘプタフルオロシクロペンテンを
用い、同様の方法で下記構造式(化14)のジアリール
エテン系化合物2.8gを得た。(収率52.6%)。
ニル)−2−(2,4−ジメチル−5−(4−(4−メ
トキシフェニル)−1,3−ブタジエニル)−3−チエ
ニル)−3,3,4,4,5,5−ヘキサフルオロシク
ロペンテンの製造 実施例1のd)項に於て、1−(6−(4−メトキシフ
ェニル)−2−メチル−3−ベンゾチエニル)−2,
3,3,4,4,5,5−ヘプタフルオロシクロペンテ
ンを用いる代わりに、実施例2のa)項で製造された1
−(2−メトキシ−3−ベンゾチエニル)−2,3,
3,4,4,5,5−ヘプタフルオロシクロペンテンを
用い、同様の方法で下記構造式(化14)のジアリール
エテン系化合物2.8gを得た。(収率52.6%)。
【化14】
【0027】分析値: 1)1 H−NMR(CDCl3 中) δ(ppm) 2.00(s 1H) 2.22(s
1H) 3.78(s 1H) 3.81(s 1H) 6.20〜7.85(m 4H) 2)MS m/e 606(M+ )
1H) 3.78(s 1H) 3.81(s 1H) 6.20〜7.85(m 4H) 2)MS m/e 606(M+ )
【0028】〈吸収スペクトルの測定〉実施例1、2で
得られた化合物をベンゼンにそれぞれ、2.2×10-5
mol/l、1.8×10-5mol/lになるように溶
解して得た溶液を1cm×1cm×4cmの石英ガラス
セルに入れた。これにガラスフィルターを装着した10
0W超高圧水銀灯を用いてかく拌しながら365nmの
光を飽和着色するまで照射し、溶液を着色させた後、こ
の光定常状態に於ける溶液の吸収スペクトルを測定し
た。実施例1、2で得られた化合物について、365n
mの光で、飽和生成した着色体及び消色体の吸収スペク
トルをそれぞれ、図1、2に示す。又、この着消色反応
は可逆的に行う事ができた。次に、実施例1、2の化合
物について、365nmの光による飽和生成した着色体
の吸収極大波長(λmax )と、この極大波長に於ける化
合物の分子吸光係数(ε・λmax )を表1に示す。
得られた化合物をベンゼンにそれぞれ、2.2×10-5
mol/l、1.8×10-5mol/lになるように溶
解して得た溶液を1cm×1cm×4cmの石英ガラス
セルに入れた。これにガラスフィルターを装着した10
0W超高圧水銀灯を用いてかく拌しながら365nmの
光を飽和着色するまで照射し、溶液を着色させた後、こ
の光定常状態に於ける溶液の吸収スペクトルを測定し
た。実施例1、2で得られた化合物について、365n
mの光で、飽和生成した着色体及び消色体の吸収スペク
トルをそれぞれ、図1、2に示す。又、この着消色反応
は可逆的に行う事ができた。次に、実施例1、2の化合
物について、365nmの光による飽和生成した着色体
の吸収極大波長(λmax )と、この極大波長に於ける化
合物の分子吸光係数(ε・λmax )を表1に示す。
【0029】
【表1】
【0030】この様に、チオフェン環への共役二重結合
鎖の導入及び、ベンゾチオフェン環のR4 へのメトキシ
フェニル基又はR1 へのメトキシ基の導入により、着色
体の吸収極大波長は長波長化し、発振波長670nm、
あるいは780nmの半導体レーザー感受性が付与され
た。更に、このチオフェン環への共役二重結合鎖の導入
により、化合物の分子吸光係数を増大させることができ
た。
鎖の導入及び、ベンゾチオフェン環のR4 へのメトキシ
フェニル基又はR1 へのメトキシ基の導入により、着色
体の吸収極大波長は長波長化し、発振波長670nm、
あるいは780nmの半導体レーザー感受性が付与され
た。更に、このチオフェン環への共役二重結合鎖の導入
により、化合物の分子吸光係数を増大させることができ
た。
【図1】実施例1で得られた化合物の、ベンゼン溶液中
での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図。
での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図。
【図2】実施例2で得られた化合物の、ベンゼン溶液中
での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図。
での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図。
Claims (1)
- 【請求項1】 下記一般式(1)にて示される共役二重
結合鎖を有するジアリールエテン系化合物。 【化1】 (但し、式中nは2〜5の整数を表す。Aは一般式
(2) 【化2】 を表し、R1 はアルキル基、アルコキシ基、R2 〜R5
は水素原子、アルキル基又はアルコキシフェニル基を表
す。Bは一般式(3) 【化3】 を表し、R6 、R7 はアルキル基を表す。)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5501094A JPH07242659A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 共役二重結合鎖を有するジアリールエテン系化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5501094A JPH07242659A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 共役二重結合鎖を有するジアリールエテン系化合物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07242659A true JPH07242659A (ja) | 1995-09-19 |
Family
ID=12986695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5501094A Pending JPH07242659A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 共役二重結合鎖を有するジアリールエテン系化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07242659A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004277416A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-10-07 | Masahiro Irie | ジアリールエテン系化合物、フォトクロミック材料および光機能素子 |
-
1994
- 1994-02-28 JP JP5501094A patent/JPH07242659A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004277416A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-10-07 | Masahiro Irie | ジアリールエテン系化合物、フォトクロミック材料および光機能素子 |
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