JPH07242869A - 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH07242869A JPH07242869A JP6058362A JP5836294A JPH07242869A JP H07242869 A JPH07242869 A JP H07242869A JP 6058362 A JP6058362 A JP 6058362A JP 5836294 A JP5836294 A JP 5836294A JP H07242869 A JPH07242869 A JP H07242869A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- light emitting
- layer
- electroluminescent material
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- Pending
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- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 色純度、色座標に優れ、化学的に安定な青色
発光体が得られる薄膜エレクトロルミネッセンス材料お
よび該材料を発光層とする薄膜エレクトロルミネッセン
ス素子を提供する。 【構成】 組成式が次式； 【化１】 ［但し、ＭはＳｒまたはＢａ、ＲＥはランタノイド系元
素をそれぞれ示し、ｘとｙは整数であるが、ｘとｙは等
しくない］で表されるアルカリ土類チオガレートからな
ることを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス材
料。
発光体が得られる薄膜エレクトロルミネッセンス材料お
よび該材料を発光層とする薄膜エレクトロルミネッセン
ス素子を提供する。 【構成】 組成式が次式； 【化１】 ［但し、ＭはＳｒまたはＢａ、ＲＥはランタノイド系元
素をそれぞれ示し、ｘとｙは整数であるが、ｘとｙは等
しくない］で表されるアルカリ土類チオガレートからな
ることを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス材
料。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電界の印加によって発光
する薄膜エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子および
その材料に関するものであり、特にその薄膜発光層に用
いられる薄膜ＥＬ材料および該材料を用いた薄膜ＥＬ素
子に関する。
する薄膜エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子および
その材料に関するものであり、特にその薄膜発光層に用
いられる薄膜ＥＬ材料および該材料を用いた薄膜ＥＬ素
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜ＥＬパネルのフルカラー化のために
赤色、緑色、青色を呈するＥＬ発光層の研究が進められ
ている。しかし現在のところ輝度が高く、色純度に優れ
た青色発光材料に良いものがなかった。青色発光体の中
で最も進んだ材料としてはＳｒＳ：Ｃｅがあり，近年の
開発により輝度、色純度ともに著しく向上している。し
かしＳｒＳ：Ｃｅの発光ピークは、Ｃｅの置換するサイ
トの大きさ等から４８０ｎｍ程度より短波長側にはなら
ないことが予想され、純粋な青色は呈さない。またＳｒ
Ｓ自体に潮解性があることや、完全な焼成には１４００
℃以上の加熱が必要である等の問題があり、工業的な製
造工程の中での障害となっている。
赤色、緑色、青色を呈するＥＬ発光層の研究が進められ
ている。しかし現在のところ輝度が高く、色純度に優れ
た青色発光材料に良いものがなかった。青色発光体の中
で最も進んだ材料としてはＳｒＳ：Ｃｅがあり，近年の
開発により輝度、色純度ともに著しく向上している。し
かしＳｒＳ：Ｃｅの発光ピークは、Ｃｅの置換するサイ
トの大きさ等から４８０ｎｍ程度より短波長側にはなら
ないことが予想され、純粋な青色は呈さない。またＳｒ
Ｓ自体に潮解性があることや、完全な焼成には１４００
℃以上の加熱が必要である等の問題があり、工業的な製
造工程の中での障害となっている。
【０００３】最近、ＭＧａ4Ｓ4：Ｃｅ（Ｍ：アルカリ土
類元素）を用いた薄膜ＥＬ素子が開発され、高輝度でよ
り短波長で発光する点から注目を集めている（特開平５
−６５４７８号公報）。また，ＤａｖｌｏｓらはＥｕ2+
を添加したストロンチウムチオガレートとバリウムチオ
ガレートが主として青色領域で発光することを報告して
いる（Ｊ，Ｓｏｌｉｄ．Ｓｔａｔｅ Ｃｈｅｍ．８３，
３１６（１９８９））。ＳｒＳに比べこれらのチオガレ
ートは一般に潮解性が低く、焼成温度が１１００℃程度
で良い等の利点を持ち工業的に優れている。
類元素）を用いた薄膜ＥＬ素子が開発され、高輝度でよ
り短波長で発光する点から注目を集めている（特開平５
−６５４７８号公報）。また，ＤａｖｌｏｓらはＥｕ2+
を添加したストロンチウムチオガレートとバリウムチオ
ガレートが主として青色領域で発光することを報告して
いる（Ｊ，Ｓｏｌｉｄ．Ｓｔａｔｅ Ｃｈｅｍ．８３，
３１６（１９８９））。ＳｒＳに比べこれらのチオガレ
ートは一般に潮解性が低く、焼成温度が１１００℃程度
で良い等の利点を持ち工業的に優れている。
【０００４】しかしながら、色純度、色座標に優れ、良
好な青色を呈する薄膜ＥＬ素子は得られていない。
好な青色を呈する薄膜ＥＬ素子は得られていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、色純
度、色座標に優れ、化学的に安定な青色発光体が得られ
る薄膜ＥＬ材料および該材料を発光層とする薄膜ＥＬ素
子を提供することにある。
度、色座標に優れ、化学的に安定な青色発光体が得られ
る薄膜ＥＬ材料および該材料を発光層とする薄膜ＥＬ素
子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、次
に示す薄膜ＥＬ材料によって達成される。
に示す薄膜ＥＬ材料によって達成される。
【０００７】すなわち、本発明は、組成式が次式；
【化１】 ［但し、ＭはＳｒまたはＢａ、ＲＥはランタノイド系元
素をそれぞれ示し、ｘとｙは整数であるが、ｘとｙは等
しくない］で表されるアルカリ土類チオガレートからな
ることを特徴とする薄膜ＥＬ材料にある。
素をそれぞれ示し、ｘとｙは整数であるが、ｘとｙは等
しくない］で表されるアルカリ土類チオガレートからな
ることを特徴とする薄膜ＥＬ材料にある。
【０００８】上記したように、上式中、Ｍはストロンチ
ウム（Ｓｒ）またはバリウム（Ｂａ）を示す。また、Ｒ
Ｅはランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジ
ム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、ユウロビウム（Ｅｕ）
等のランタノイド系元素を示すが、その中でもセリウム
が好ましく用いられる。このセリウムは経済的に安価で
あり、この点からも優れている。また、ｘとｙは何れも
整数であるが、ｘとｙは等しくない。
ウム（Ｓｒ）またはバリウム（Ｂａ）を示す。また、Ｒ
Ｅはランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジ
ム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、ユウロビウム（Ｅｕ）
等のランタノイド系元素を示すが、その中でもセリウム
が好ましく用いられる。このセリウムは経済的に安価で
あり、この点からも優れている。また、ｘとｙは何れも
整数であるが、ｘとｙは等しくない。
【０００９】本発明では、このように上記したアルカリ
チオガーレートを母体材料とし、セリウム等のランタノ
イド系元素を付活剤（発光中心）とするものである。こ
のような具体的な薄膜ＥＬ材料の組成としては、ＢａＧ
ａ4Ｓ7：Ｃｅ、Ｂａ3Ｃａ2Ｓ6：Ｃｅ、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：
Ｃｅ等が挙げられる。また、本発明の薄膜ＥＬ材料に
は、さらに電荷補償剤としてカリウム等を含有すること
は好ましいことである。
チオガーレートを母体材料とし、セリウム等のランタノ
イド系元素を付活剤（発光中心）とするものである。こ
のような具体的な薄膜ＥＬ材料の組成としては、ＢａＧ
ａ4Ｓ7：Ｃｅ、Ｂａ3Ｃａ2Ｓ6：Ｃｅ、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：
Ｃｅ等が挙げられる。また、本発明の薄膜ＥＬ材料に
は、さらに電荷補償剤としてカリウム等を含有すること
は好ましいことである。
【００１０】このような薄膜ＥＬ材料を得るには、例え
ば以下の方法で行なわれる。すなわち、ＳｒＣＯ3また
はＢａＣＯ3とＧａ2Ｏ3を適当なモル比で混合し、付活
剤としてＣｅＦ3、電荷補償剤としてＫＣｌを加えた混
合物を、９００〜１１００℃の温度でＨ2Ｓ中において
焼成することにより得られる。勿論、これらの材料に代
えてＳｒＳ、ＢａＳ、Ｇａ2Ｓ3、ＣｅＯ2等を使用する
ことも可能であり、電荷補償剤としてはＫＣｌのみなら
ず、適当なイオン半径をもつ１価の陽イオンを提供可能
な化合物ならいずれでもよい。あるいは適当なイオン半
径をもつ３価の陰イオンを用いることも可能である。
ば以下の方法で行なわれる。すなわち、ＳｒＣＯ3また
はＢａＣＯ3とＧａ2Ｏ3を適当なモル比で混合し、付活
剤としてＣｅＦ3、電荷補償剤としてＫＣｌを加えた混
合物を、９００〜１１００℃の温度でＨ2Ｓ中において
焼成することにより得られる。勿論、これらの材料に代
えてＳｒＳ、ＢａＳ、Ｇａ2Ｓ3、ＣｅＯ2等を使用する
ことも可能であり、電荷補償剤としてはＫＣｌのみなら
ず、適当なイオン半径をもつ１価の陽イオンを提供可能
な化合物ならいずれでもよい。あるいは適当なイオン半
径をもつ３価の陰イオンを用いることも可能である。
【００１１】本発明の薄膜ＥＬ素子は、上記した薄膜Ｅ
Ｌ材料を発光層として用いるものである。このような薄
膜ＥＬ素子の構成を示す一例を図１に示す。同図におい
て、１はＡｌ等の上部電極（背面電極）、２は上部絶縁
層、３はバッフア層、４は発光層、５は下部絶縁層、６
はＩＴＯ等の下部電極（透明電極）、７はガラス基板で
ある。上部絶縁層２はＳｉＯ2層２１、Ｓｉ3Ｎ4層２２
からなり、下部絶縁層５はＳｉ3Ｎ4層５１、Ｓｉ Ｏ2層
５２からなる。
Ｌ材料を発光層として用いるものである。このような薄
膜ＥＬ素子の構成を示す一例を図１に示す。同図におい
て、１はＡｌ等の上部電極（背面電極）、２は上部絶縁
層、３はバッフア層、４は発光層、５は下部絶縁層、６
はＩＴＯ等の下部電極（透明電極）、７はガラス基板で
ある。上部絶縁層２はＳｉＯ2層２１、Ｓｉ3Ｎ4層２２
からなり、下部絶縁層５はＳｉ3Ｎ4層５１、Ｓｉ Ｏ2層
５２からなる。
【００１２】これら各層の厚みは、例えばＳｉＯ2層２
１：０．００５μｍ、Ｓｉ3Ｎ4層２２：０．１２μｍ、
バッファ層３：０．１μｍ、発光層４：０．６μｍ、Ｓ
ｉ3Ｎ4層５１：０．２μｍ、ＳｉＯ2層５２：０．０５
μｍである。
１：０．００５μｍ、Ｓｉ3Ｎ4層２２：０．１２μｍ、
バッファ層３：０．１μｍ、発光層４：０．６μｍ、Ｓ
ｉ3Ｎ4層５１：０．２μｍ、ＳｉＯ2層５２：０．０５
μｍである。
【００１３】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説
明する。
明する。
【００１４】実施例１ ＢａＣＯ3とＧａ2Ｏ3をモル比で１：２の割合で混合し
たものを出発原料とし、Ｈ2Ｓ中、９００℃で５時間加
熱した。これをふるいにかけて粒度を揃えた後、Ｈ2Ｓ
中、１０００℃で５時間加熱した。再びふるいにかけて
粒度を揃えた後、ＣｅＦ3とＫＣｌを１０ｍｏｌ％ずつ
添加し、さらにＨ2Ｓ中、１１００℃で５時間加熱し
た。得られた化合物（ＢａＧａ4Ｓ7：Ｃｅ，Ｋ）の３７
４ｎｍで励起したフォトルミネッセンスを図２に示す。
この図２から４６０ｎｍ付近にピークがあることが判
る。
たものを出発原料とし、Ｈ2Ｓ中、９００℃で５時間加
熱した。これをふるいにかけて粒度を揃えた後、Ｈ2Ｓ
中、１０００℃で５時間加熱した。再びふるいにかけて
粒度を揃えた後、ＣｅＦ3とＫＣｌを１０ｍｏｌ％ずつ
添加し、さらにＨ2Ｓ中、１１００℃で５時間加熱し
た。得られた化合物（ＢａＧａ4Ｓ7：Ｃｅ，Ｋ）の３７
４ｎｍで励起したフォトルミネッセンスを図２に示す。
この図２から４６０ｎｍ付近にピークがあることが判
る。
【００１５】また、この原料を用いて表１に示す条件
下、薄膜からなる発光層および絶縁層を形成し、さらに
図１に示されるような薄膜ＥＬ素子を作製した。この薄
膜ＥＬ素子は青色のエレクトロルミネッセンスを呈し
た。この薄膜ＥＬ素子のエレクトロルミネッセンスを図
３に示す。この時の色座標はＸ＝０．１５３、Ｙ＝０．
１３６であり、輝度は１ＫＨｚ駆動時に０．７ｃｄ／ｍ
2であった。
下、薄膜からなる発光層および絶縁層を形成し、さらに
図１に示されるような薄膜ＥＬ素子を作製した。この薄
膜ＥＬ素子は青色のエレクトロルミネッセンスを呈し
た。この薄膜ＥＬ素子のエレクトロルミネッセンスを図
３に示す。この時の色座標はＸ＝０．１５３、Ｙ＝０．
１３６であり、輝度は１ＫＨｚ駆動時に０．７ｃｄ／ｍ
2であった。
【００１６】
【表１】
【００１７】実施例２ ＢａＣＯ3とＧａ2Ｏ3をモル比で３：１の割合で混合し
たものを出発原料とし、Ｈ2Ｓ、９００℃で５時間加熱
した。これをふるいにかけて粒度を揃えた後、Ｈ2Ｓ
中、１０００℃で５時間加熱した。再びふるいにかけて
粒度を揃えた後、ＣｅＦ3とＫＣｌをそれぞれ１ｍｏｌ
％、０．１ｍｏｌ％添加し、さらにＨ2Ｓ中、１１００
℃で５時間加熱した。得られた化合物（Ｂａ3Ｇａ
2Ｓ6：Ｃｅ，Ｋ）のフォトルミネッセンスを図４に示
す。この図４から４７０ｎｍ付近にピークがあることが
判る。
たものを出発原料とし、Ｈ2Ｓ、９００℃で５時間加熱
した。これをふるいにかけて粒度を揃えた後、Ｈ2Ｓ
中、１０００℃で５時間加熱した。再びふるいにかけて
粒度を揃えた後、ＣｅＦ3とＫＣｌをそれぞれ１ｍｏｌ
％、０．１ｍｏｌ％添加し、さらにＨ2Ｓ中、１１００
℃で５時間加熱した。得られた化合物（Ｂａ3Ｇａ
2Ｓ6：Ｃｅ，Ｋ）のフォトルミネッセンスを図４に示
す。この図４から４７０ｎｍ付近にピークがあることが
判る。
【００１８】実施例３ ＳｒＣＯ3とＧａ2Ｏ3をモル比で２：１の割合で混合し
たものを出発原料とし、Ｈ2Ｓ中、８８０℃で５時間加
熱した。これをふるいにかけて粒度を揃えた後、Ｈ2Ｓ
中、８８０℃で５時間加熱した。再びふるいにかけて粒
度を揃えた後、ＣｅＦ3とＫＣｌを１０ｍｏｌ％ずつ添
加し、さらにＨ2Ｓ中、８８０℃で５時間加熱した。得
られた化合物（Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ，Ｋ）のフォトル
ミネッセンスを図５に示す。この図５から４６０ｎｍ付
近にピークがあることが判る。
たものを出発原料とし、Ｈ2Ｓ中、８８０℃で５時間加
熱した。これをふるいにかけて粒度を揃えた後、Ｈ2Ｓ
中、８８０℃で５時間加熱した。再びふるいにかけて粒
度を揃えた後、ＣｅＦ3とＫＣｌを１０ｍｏｌ％ずつ添
加し、さらにＨ2Ｓ中、８８０℃で５時間加熱した。得
られた化合物（Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ，Ｋ）のフォトル
ミネッセンスを図５に示す。この図５から４６０ｎｍ付
近にピークがあることが判る。
【００１９】また、この原料を用いて表１に示す条件
下、薄膜からなる発光層および絶縁層を形成し、さらに
図１に示されるような薄膜ＥＬ素子を作製した。この薄
膜ＥＬ素子は青色のエレクトロルミネッセンスを呈し
た。この薄膜ＥＬ素子のエレクトロルミネッセンスを図
６に示す。この時の色座標はＸ＝０．２２、Ｙ＝０．３
４６であり、輝度は１ＫＨｚ駆動時に２．４ｃｄ／ｍ2
であった。
下、薄膜からなる発光層および絶縁層を形成し、さらに
図１に示されるような薄膜ＥＬ素子を作製した。この薄
膜ＥＬ素子は青色のエレクトロルミネッセンスを呈し
た。この薄膜ＥＬ素子のエレクトロルミネッセンスを図
６に示す。この時の色座標はＸ＝０．２２、Ｙ＝０．３
４６であり、輝度は１ＫＨｚ駆動時に２．４ｃｄ／ｍ2
であった。
【００２０】この実施例１で得られたＢａＧａ4Ｓ7：Ｃ
ｅ，Ｋ薄膜ＥＬ素子の色座標Ｘ＝０．１５３、Ｙ＝０．
１３６、実施例３で得られたＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ，Ｋ
薄膜ＥＬ素子の色座標Ｘ＝０．２２、Ｙ＝０．３４６、
並びに参考としてＳｒＳ：Ｃｅ薄膜ＥＬ素子の色座標Ｘ
＝０．１８、Ｙ＝０．３８を図７に示す。
ｅ，Ｋ薄膜ＥＬ素子の色座標Ｘ＝０．１５３、Ｙ＝０．
１３６、実施例３で得られたＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ，Ｋ
薄膜ＥＬ素子の色座標Ｘ＝０．２２、Ｙ＝０．３４６、
並びに参考としてＳｒＳ：Ｃｅ薄膜ＥＬ素子の色座標Ｘ
＝０．１８、Ｙ＝０．３８を図７に示す。
【００２１】
【発明の効果】以上のような本発明により、色純度、色
座標のよい薄膜ＥＬ材料および該材料を発光層とする薄
膜ＥＬ素子が得られた。
座標のよい薄膜ＥＬ材料および該材料を発光層とする薄
膜ＥＬ素子が得られた。
【図１】 薄膜ＥＬ素子の構造を示す概略図。
【図２】 ＢａＧａ4Ｓ7：Ｃｅ，Ｋ材料のフォトルミネ
ッセンスを示すグラフ。
ッセンスを示すグラフ。
【図３】 ＢａＧａ4Ｓ7：Ｃｅ，Ｋ薄膜ＥＬ素子のエレ
クトロルミネッセンスを示すグラフ。
クトロルミネッセンスを示すグラフ。
【図４】 Ｂａ3Ｇａ2Ｓ6：Ｃｅ，Ｋ材料のフォトルミ
ネッセンスを示すグラフ。
ネッセンスを示すグラフ。
【図５】 Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ，Ｋ材料のフォトルミ
ネッセンスを示すグラフ。
ネッセンスを示すグラフ。
【図６】 Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ，Ｋ薄膜ＥＬ素子のエ
レクトロルミネッセンスを示すグラフ。
レクトロルミネッセンスを示すグラフ。
【図７】 Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ，Ｋ薄膜ＥＬ素子、Ｂ
ａＧａ4Ｓ7：Ｃｅ，Ｋ薄膜ＥＬ素子、ＳｒＳ：Ｃｅ薄膜
ＥＬ素子の色座標を示すケリー図。
ａＧａ4Ｓ7：Ｃｅ，Ｋ薄膜ＥＬ素子、ＳｒＳ：Ｃｅ薄膜
ＥＬ素子の色座標を示すケリー図。
１：上部電極（背面電極）、２（２１，２２）：上部絶
縁層、３：バッフア層、４：発光層、５（５１，５
２）：下部絶縁層、６：ＩＴＯ等の下部電極（透明電
極）、７：ガラス基板。
縁層、３：バッフア層、４：発光層、５（５１，５
２）：下部絶縁層、６：ＩＴＯ等の下部電極（透明電
極）、７：ガラス基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三上 明義 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャ ープ株式会社内 (72)発明者 寺田 幸祐 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャ ープ株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 組成式が次式； 【化１】 ［但し、ＭはＳｒまたはＢａ、ＲＥはランタノイド系元
素をそれぞれ示し、ｘとｙは整数であるが、ｘとｙは等
しくない］で表されるアルカリ土類チオガレートからな
ることを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス材
料。 - 【請求項２】 前記組成式がＢａＧａ4Ｓ7：Ｃｅである
請求項１に記載の薄膜エレクトロルミネッセンス材料。 - 【請求項３】 前記組成式がＢａ3Ｇａ2Ｓ6：Ｃｅであ
る請求項１に記載の薄膜エレクトロルミネッセンス材
料。 - 【請求項４】 前記組成式がＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅであ
る請求項１に記載の薄膜エレクトロルミネッセンス材
料。 - 【請求項５】 請求項１〜４に記載の薄膜エレクトロル
ミネッセンス材料を発光層に用いた薄膜エレクトロルミ
ネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6058362A JPH07242869A (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6058362A JPH07242869A (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07242869A true JPH07242869A (ja) | 1995-09-19 |
Family
ID=13082215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6058362A Pending JPH07242869A (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07242869A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996015648A1 (en) * | 1994-11-14 | 1996-05-23 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Thin-film electroluminescent element |
| FR2755122A1 (fr) * | 1996-10-31 | 1998-04-30 | Rhodia Chimie Sa | Compose a base d'un alcalino-terreux, de soufre et d'aluminium, de gallium ou d'indium, son procede de preparation et son utilisation comme luminophore |
| WO2003081957A1 (en) * | 2002-03-27 | 2003-10-02 | Ifire Technology Inc. | Yttrium substituted barium thioaluminate phosphor materials |
| KR100430565B1 (ko) * | 2001-05-31 | 2004-05-10 | 한국전자통신연구원 | 알루미늄설파이드를 포함하는 형광체 및 그 제조방법 |
| US9196800B2 (en) | 1996-06-26 | 2015-11-24 | Osram Gmbh | Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element |
| JP2017088719A (ja) * | 2015-11-09 | 2017-05-25 | 堺化学工業株式会社 | 赤色蛍光体 |
| WO2022209033A1 (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | 三井金属鉱業株式会社 | 蛍光体及びその製造方法、蛍光体を含む発光素子並びに発光装置 |
-
1994
- 1994-03-04 JP JP6058362A patent/JPH07242869A/ja active Pending
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| FR2755122A1 (fr) * | 1996-10-31 | 1998-04-30 | Rhodia Chimie Sa | Compose a base d'un alcalino-terreux, de soufre et d'aluminium, de gallium ou d'indium, son procede de preparation et son utilisation comme luminophore |
| WO1998018721A1 (fr) * | 1996-10-31 | 1998-05-07 | Rhodia Chimie | Compose a base d'un alcalino-terreux, de soufre et d'aluminium, de gallium ou d'indium, son procede de preparation et son utilisation comme luminophore |
| US6180073B1 (en) * | 1996-10-31 | 2001-01-30 | Rhodia Chimie | Compound with base of an alkaline-earth, sulphur and aluminium, gallium or indium, method of preparing same and use as luminophore |
| KR100355729B1 (ko) * | 1996-10-31 | 2002-10-19 | 로디아 쉬미 | 알칼리토금속, 황, 및 알루미늄, 갈륨 또는 인듐을 기재로 하는 화합물, 그의 제조방법 및 발광단으로서의 용도 |
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