JPH0724331B2 - プリント回路基板の厚膜抵抗器のための後成端装置及び後成端方法 - Google Patents

プリント回路基板の厚膜抵抗器のための後成端装置及び後成端方法

Info

Publication number
JPH0724331B2
JPH0724331B2 JP1263774A JP26377489A JPH0724331B2 JP H0724331 B2 JPH0724331 B2 JP H0724331B2 JP 1263774 A JP1263774 A JP 1263774A JP 26377489 A JP26377489 A JP 26377489A JP H0724331 B2 JPH0724331 B2 JP H0724331B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
composition
resistor
thick film
printed circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP1263774A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH02181993A (ja
Inventor
ポヌサミー・パラニサミー
Original Assignee
デルコ・エレクトロニクス・コーポレーション
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by デルコ・エレクトロニクス・コーポレーション filed Critical デルコ・エレクトロニクス・コーポレーション
Publication of JPH02181993A publication Critical patent/JPH02181993A/ja
Publication of JPH0724331B2 publication Critical patent/JPH0724331B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistors, capacitors or inductors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistors, capacitors or inductors
    • H05K1/167—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistors, capacitors or inductors incorporating printed resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/14—Terminals or tapping points specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points on resistors
    • H01C1/142—Terminals or tapping points specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points on resistors the terminals or tapping points being coated on the resistive element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
    • H01C17/281—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals by thick film techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/003—Thick film resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/035—Paste overlayer, i.e. conductive paste or solder paste over conductive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0388—Other aspects of conductors
    • H05K2201/0391—Using different types of conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/14—Related to the order of processing steps
    • H05K2203/1453—Applying the circuit pattern before another process, e.g. before filling of vias with conductive paste, before making printed resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/14—Related to the order of processing steps
    • H05K2203/1461—Applying or finishing the circuit pattern after another process, e.g. after filling of vias with conductive paste, after making printed resistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、プリント回路、特に厚膜抵抗器を含むプリン
ト回路に関する。
（従来の技術） 厚膜抵抗器の代表的なものは、絶縁基板上に付着せしめ
られた0.00508〜0.0508mm（0.2〜2.0ミル（mil））の厚
みの適当な抵抗材料のパターン化された層（膜）からな
る。厚膜抵抗器は、一般に、まず最初に適度に湿性の組
成物（通常はインク又はペースト）からなる適当にパタ
ーン化された層を適当な絶縁基板（通常はアルミナセラ
ミック基板）上に印刷することによって形成される。パ
ターン化は通常シルクスクリーン印刷によって制御され
る。該抵抗組成物は次いで乾燥され且つ焼成（加熱）さ
れて抵抗器を形成する。
一般に、プリント回路基板は高抵抗の抵抗器を形成する
ためのインク若しくはペーストからなる第１の組成物及
びこれとは異なる低抵抗の抵抗器を形成するための第２
の組成物を用いる。
特定の抵抗器組成物の抵抗Ｒは、一般的に、そのアスペ
クト比L/W（Ｌは抵抗膜の長さであり、Ｗはその幅であ
る）を調節することによって作り上げられる。ＲはＬに
正比例し、Ｗに反比例して増加する。また、Ｒはまたフ
ィルムの厚みに反比例して増加するが、該厚みは処理を
容易にすべく通常は均一に保たれる。アスペクト比を適
切に作り上げることにより且つ高抵抗率の抵抗材料組成
物及び低抵抗率の抵抗組成物を使用することにより厚膜
抵抗器のための極めて広範囲の抵抗が達成される。必要
ならば、抵抗範囲を満たすべく若しくは抵抗範囲を広げ
るべく付加的な組成物を使用することができる。
プリント回路基板は通常たくさんの回路部品（構成要
素）を担持し、これらの回路部品は、類似の方法にて回
路基板上に印刷された適切な形状の導電性膜によって互
いに接続されて望ましい電気回路となる。
銅はコストが安く導電性が良好であり泳動に対して耐性
がありはんだ付けが容易なので、多くのプリント回路基
板においては、通常、回路部品を互いに接続する導電性
膜として銅（若しくは銅リッチ合金）が使用される。通
常使用される銅膜は銅粒子の懸濁液として印刷され、こ
の懸濁液は窒素雰囲気中においても最も良好に焼成さ
れ、酸化されることなく銅粒子を焼結させて良好な導電
体とすることができる。厚膜抵抗器を形成するための一
般的に好ましい材料は、空気中で最も良好に焼成され
る。一つの問題は、窒素雰囲気内で焼成することによっ
て形成された銅膜は、引き続き空気中で再び焼成される
とその有利な特性の多くを失うことである。
この問題に対して提案された一つの解決法は、該厚膜抵
抗器を最初に空気中で焼成し、次いで該厚膜抵抗器の端
部に銅製の導電体を付加して該厚膜抵抗器に対する電気
的接続を形成することである。そして、次いで該銅製導
電体を窒素雰囲気内で焼成する。この方法すなわち厚膜
抵抗器を最初に形成しその後これらの接続（成端（term
ination））を設ける、という方法は、一般的に「後成
端（post−terminatio）」として知られている。このよ
うな後成端法における問題点は、銅製導電体は、一般
に、約2,500オーム以上の抵抗を得るためのルテニウム
化合物（RuO2若しくはBi2Ru2O7）を基礎としたものの如
き高性能厚膜抵抗器に使用される抵抗膜材料との間に質
が悪く（高抵抗である）且つ不均一な接合面（interfac
e）を形成することである。
これに関連した問題点は、この接続問題により、従来の
銅／ベリリウムプローブを用いて高抵抗抵抗器の抵抗値
を正確に測定することが困難になるということである。
かかる測定は、通常、プリント回路基板の製造中におい
て良好な品質管理を維持するのに重要である。
高抵抗厚膜抵抗器及び銅による相互接続を有し、この銅
と抵抗器との間には、良好に制御され、比較的低く且つ
比較的均一な接触抵抗が存在するようなプリント回路基
板を得ることが望ましい。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は、高抵抗（例えば、約2,500オーム以上）厚膜
抵抗器の改良された技術を提供するものであり、この技
術は特に成端に対して有効であるが、これに限定される
ものではない。
（課題を解決するための手段） 本発明の一つの実施例は、例えば単位面積シート当たり
25,000オームの抵抗率のような高抵抗率組成物の層が所
望の高抵抗抵抗器を形成するのに適したパターンでまず
最初に付着されるような後成端方法についてのものであ
る。この方法においては、次いで、例えば単位面積シー
ト当たり100オームの抵抗率のような低抵抗率組成物
が、所望の低抵抗抵抗器を含むだけではなく既に付着さ
れた高抵抗抵抗器の各々の端部に重なる個々の部分をも
含むようなパターンで付着される。これらの低抵抗率材
料からなる個々の部分は、高抵抗抵抗器の成端領域（電
気的接触端部領域）の役目を果たす。その後、共通の焼
成工程が使用されて、該高抵抗率組成物と低抵抗率組成
物とが共に焼成される。このため、該２つの組成物は共
通の焼成工程を受けることができるように選択される。
これにより、従来の銅／ベリリウムプローブがこれらの
成端領域に対して使用することができ、該高抵抗抵抗器
の抵抗を測定することができる。同様に、回路部品を相
互に接続して一つの回路とするために使用される窒素焼
成銅膜がこれらの成端領域に重なるようにパターン化さ
れる。この結果得られる回路は、改良された銅接合面か
ら利点を得且つ回路の抵抗を有する銅接合面の全てが本
質的に均一であるという事実からも利点を得ることがで
きる。
本発明のもう一つの実施例では、低抵抗率組成物が低抵
抗率抵抗器だけでなく成端領域に適した部分をも含む適
切なパターンで最初に付着されるような後成端方法につ
いてのものである。次いで高抵抗率組成物が高抵抗抵抗
器を画定すべく付着され、該高抵抗抵抗器の端部は、か
かる抵抗器の成端領域の役目を果たすように設計された
既に付着せしめられている低抵抗率組成物からなる部分
と部分的に重なっている。該２つの組成物は、次いで上
記と同様に共通の焼成工程によって焼成される。次い
で、銅製相互接続膜が、高抵抗抵抗器の成端領域と低抵
抗抵抗器の成端領域との両方に重なるように付着され
る。
本発明の更にもう一つの実施例は、標準的な成端の特徴
の如く導電性膜が最初に付着されるような方法について
のものである。この方法においては、次いで低抵抗率組
成物の層が高抵抗率組成物の層が付着される前か後に付
着される。導電層と高抵抗率層との両者を接続すること
がなされる。ここで再び該低抵抗率層は、導電層と高抵
抗率層との間の接合面の役目を果たす。別の見地におい
ては、本発明は、プリント回路基板、少なくとも一つの
厚膜抵抗器を提供するための第１組成物からなるパター
ン化層、抵抗器の各端部に設けられた成端手段及び抵抗
器への接続のための導電層からなる、少なくとも一つの
厚膜抵抗器を含むプリント回路についてのものである。
成端手段は、第１組成物の抵抗率よりも抵抗率が低い第
２の組成物からなる層の一部を含む。該第２組成物から
なる層部分は、抵抗器の各端部に第１の長い接合面を形
成する。導電層は、該成端手段の各々における第２組成
物からなる層部分に第２の長い接合面を順に形成する。
本発明は、概して、高抵抗率組成物によって形成された
厚膜抵抗器の成端処理であって薄板抵抗がアスペクト比
に大きく依存するような抵抗器の成端処理の改良に対し
て適用可能である。
本発明は、このようなアスペクト比に対する依存性を受
けるプリント回路基板における厚膜抵抗器の各端部にこ
れに対する導電性接続との間の適切な接合面膜からなる
介在物とみなすことができる。該接合面膜の組成物の抵
抗率は、該厚膜抵抗器の組成物の抵抗率より低く、少な
くとも10分の１であるのが有利であり、100分の１であ
るのが好ましい。
（実施例） 添付図面と関連付けてなされた以下のより詳しい説明に
よって本発明がよりよく理解できるであろう。
第1A図には、本発明の一つの実施例に従って厚膜抵抗器
として使用されている層12を含むプリント回路基板10の
一部が示されている。回路基板10は、頂面11を有するセ
ラミック基板14、部分16A,16Bを有する低抵抗率材料の
層16及び部分18A,18Bを有する導電層18からなり、頂面1
1上には、比較的高抵抗率のシート材料からなり且つ端
部12A,12Bを有する層12が横たわっている。典型的な実
施例においては、層12及び層16のシート抵抗率は、各々
25,000オーム／スクエア（ohms/square）及び100オーム
／スクエアであり、基板14はアルミナであり、導電層18
は銅若しくは銅リッチ合金である。
基板10のほぼ中央に示された破断は、層12からなる抵抗
器の主要部が通常端部12A,12Bより長いことを示すため
に使用されている。基板14の高さ方向のほぼ中央に示さ
れた破断は、基板14が通常その上に付着された層よりも
かなり厚いことを示す。
通常多くの高い値の抵抗器を形成するのに適した多くの
別個の部分からなるより大きな層の一部分として、高抵
抗抵抗器においての使用に適した層12が、まず最初に基
板14上に付着される。次に、低抵抗接続領域として有用
な個々の層部分16A及び16Bが基板14上に付着される。層
部分16A及び16Bもまた、通常は、プリント回路内のいく
つかの低抵抗抵抗器を提供する役目を果たす低抵抗率材
料（例えば、100オーム／スクエア）からなるいくつか
の別個の部分からなるより大きな層の一部である。部分
16A及び16Bは層12の各端部12A及び12Bの全幅に重なって
いる。最後に、層18の個々の銅層部分18A及び18Bが基板
14の頂面11上に付着され、これらは各々層部分16A及び1
6Bの端部の全幅を覆う。層部分18A及び18Bは、通常、プ
リント回路基板10上のいろいろな他の回路部品を互いに
接続するのに使用される多くの別個の部分からなる大き
な銅層の一部分でもある。重畳長さは、臨界的なもので
はないが、各々層部分16A及び16Bが層部分12A及び12B並
びに層部分18A及び18Bとの間に低抵抗の接合面を有する
ことを確実にするのに十分である。特に、このような長
い接合面の抵抗は、通常は厚膜抵抗器によって提供され
るべき全抵抗のほんの少部分、一般的には数パーセント
以下であるのが好ましい。
第1B図には、セラミック基板141Bを含むプリント回路10
1Bの一部が示されている。この基板は、高抵抗率層部分
12A1B、低抵抗率層部分16A1B及び導電層部分18A1Bを担
持し、これらは第1A図に示されたプリント回路10におけ
る部分12A,16A及び18Aに相当する。この実施例に示され
るように、導電層部分18A1Bは低抵抗率層16A1Bの全長に
亘って延在する。
第1C図においては、同様な方法でセラミック基板141Cが
高抵抗率層部分12A1C、低抵抗率層部分16A1C及び導電層
部分18A1Cを担持している。この実施例においては、導
電層部分18A1Cは、高抵抗率層部分12A1Cに重なっている
低抵抗率層部分16A1Cの一部分のみと重なっている。
第1D図には、導電層部分18A1Dが低抵抗率層16A1Dの一部
分のみの上に横たわっており、この低抵抗率層16A1D
は、セラミック基板頂面111D上に直に横たわっており且
つ高抵抗率層部分12A1Dの上に横たわる部分とは重なっ
ていないようになされている実施例が示されている。
高性能厚膜抵抗器のために使用される組成物は、RuO2若
しくはBi2Ru2O7の如きルテニウム化合物の粒子、ほう珪
酸鉛ガラス粒子、微量の抵抗温度係数（TCR）調節剤及
び遮断（スクリーニング）材の混合物である。遮断材
は、一般的には溶剤と樹脂とを含む有機溶媒である。こ
れは、懸濁液中に粒子を保持し且つ良好な流動性を付与
してスクリーン印刷による付着を助長するために使用さ
れる。これらの組成物は1600バイロックス（1600Biro
x）シリーズの抵抗として米国のデュポンエレクトロニ
クス（Dupont Electronics）社から市販されている。一
つの実施例においては、低抵抗率層16としてデュポンが
1621の製品番号で示す単位面積当たり100オームの組成
物が使用されている。このような組成物は通常15〜20パ
ーセントのルテニウム化合物と55〜60パーセントのガラ
スとを含み、850℃ピーク温度を使用する供給機によっ
て既述した従来方法にて焼成される。単位面積当たり2
5,000オームの組成物は、デュポンの製品番号1641（単
位面積当たり10,000オーム）材料と1651（単位面積当た
り100,000オーム）材料とを混合することによって形成
される。このような混合は、通常５〜10パーセントのル
テニウム化合物と65〜70パーセントのガラスとを含む。
これもまた上に既述した方法によって焼成される。
基本的に、一連の互いに異なった部材はその中に含まれ
るルテニウム化合物とガラスとの相対比率が異なり、ガ
ラスが多ければ多いほど抵抗率が高い。より高い抵抗率
の膜はガラス成分がより多いので、より高いガラス質の
表面を形成し、これは電気的接続に対してより高い抵抗
を持つ。接合面が銅膜からなる場合にこの抵抗は特に高
くなり、とりわけシート抵抗が抵抗器のアスペクト比に
大きく依存するという欠点を生じる。このような欠点
は、高抵抗率膜と銅膜との間に低抵抗率材料からなる領
域を挟設すると極めて低減できることが分かった。
好ましく用いられる銅層は、デュポン6001として米国の
デュポンエレクトロニクス社から市販されている特定の
銅厚膜組成物である。この組成物は、粉砕銅粒子、遮断
剤及び焼結及び付着を促進するための少量の添加剤を含
んでいる。既述したように600℃のピーク温度を有する
供給機によって窒素雰囲気内で焼成されると、該層は約
95％銅となる。特別な特性を付与すべく銅と合金化する
１以上の他の金属を含むものを含む他の組成物も利用可
能である。
該厚抵抗器の大きさはかなりの変更が可能である。厚膜
抵抗器の厚みとしては約0.0127mm（0.5ミル（mil））の
厚みが一般的であるが、より厚い層及びより薄いも使用
可能である。更に、厚膜抵抗器の幅及び長さは一般的に
0.508〜5.08mm（20〜200ミル）であり、アスペクト比は
一般的に0.1〜10.0であり、使用される最も広い範囲は
0.2〜5.0である。
該成端領域と銅接合面との両方の長さに沿って少なくと
も0.127mm（５ミル）の重畳を設けることが上記の組成
物にとって有利であることが判明した。この重畳量は、
一般的に、接合面の望ましい低抵抗を確保し且つ印刷の
際の満足すべき位置合わせも容易にするのに十分な量で
ある。
更に、印刷における位置合わせのエラーを最小にすべく
低抵抗抵抗器内に含まれている成端領域は高抵抗率層よ
りも広くなされ且つこれらが接続される銅層よりも狭く
なされる。このことは、以下により詳しく説明する第５
図の上面図に最も良く示されている。同様に、低抵抗抵
抗器においては銅層は低抵抗率層よりも広くなされてい
る。
第2A図には、本発明の別の実施例によるプリント回路器
板50の一部分が示されている。プリント回路基板50は、
別個の成端領域56,58が横たわっている頂面64を有する
絶縁基板52、成端領域56,58に各々重なっている端部54
A,54Bを有する抵抗54及び成端領域56,58に各々重なって
いる導電体60,62からなる。
プリント回路基板50のほぼ中央に示された破断は、抵抗
器54の主要部は一般に端部54A,54Bよりも長いことを示
すために用いられている。基板52は通常その上に付着さ
れる層よりもかなり厚い。
まず最初に、低抵抗率組成物の層が基板52の頂面64を覆
って付着され、各々抵抗器54の端部54A,54Bに対する低
抵抗率接点としての役目を果たす別個の領域56及び58が
形成される。この層はまたプリント回路器板50上に所望
の数の低抵抗抵抗器（図示せず）を形成するためにも使
用される。次に、基板52の頂面を覆って高抵抗率組成物
の層が付着されて抵抗器54が形成される。この層は、抵
抗器54が所望の抵抗を有するような大きさになされる。
抵抗器54の端部54A及び54Bは各々成端領域56及び58の一
部と重なっている。上記と同様に、0.127mm（典型的な
実施例において約（５ミル））の重畳量は接合面抵抗値
が許容可能な小さな値であることを確実にするのに十分
である。次いで、領域56及び58並びに抵抗器54が共通の
焼成工程によって焼成される。最後に、基板52の頂面64
を覆って導電性の銅リッチ層が付着される。この層は、
各々領域56及び58と重なり且つこれらに対する低抵抗電
気接点を形成する部分60及び62を含んでいる。上述した
ように、重畳量は通常約0.127mm（５ミル）である。
ここでもまた、種々の層の重畳範囲においてかなりの変
更が可能である。
第2A,2B及び2C図は、第2A図に対して、各々上記第1B,1C
及び1C図が第1A図に対して示すのと同じ関係を示す。
第2B図には、高抵抗率層54A2Bの下に横たわる部分を低
抵抗率層562Bを完全に覆って延在する導電層602Bが示さ
れている。
第2C図においては、導電層602Cは、高抵抗率層54A2Cの
横たわる低抵抗率層部分562Cに対して部分的にのみ重な
っている。
第2D図においては、導電層602Dは低抵抗率層562Dの一部
の上のみに延在し、高抵抗率層部分54A2Dと重なるのを
避けている。
第３図には、標準的な成端の特徴であるように、最初に
導電層70がセラミック基板72を覆って付着されているよ
うなプリント回路基板69が示されている。これに次い
で、通常は多くの別個の部分からなるより大きな層の一
部として低抵抗率層74の付着がなされる。図示したよう
に、層74は導電層70と重なる部分74A及び基板72上に横
たわる部分74Bを含んでいる。次に、高抵抗率組成物の
層76が付着されて厚膜抵抗器が形成される。形状、重畳
程度及び種々の層の組成物に対する既述の種々のファク
ターがこの実施例に対して適用可能である。
第４図には、まず最初に導電層80がセラミック基板82を
覆って付着されているプリント回路基板79が示されてい
る。これに次いで厚膜抵抗器を形成する高抵抗率層84の
付着がなされる。最後に、導電層80及び高抵抗率層84の
両方に対して重なるように低抵抗率層86が付着される。
ここでもまた幾何学的な重畳程度に対する記述のファク
ター及び種々の層の組成物が一般的に使用できる。
第３図及び第４図に示す実施例は、導電層に対して以前
に述べた実施例よりもより広い範囲の組成物を許容し得
る。当然のことながら、該導電層は銅でできている。こ
のような場合に、抵抗層の組成物は互換性がある。例え
ば、該導電層は窒素雰囲気下900℃で焼成された銅であ
ってもよい。この場合に、抵抗層は、それらが窒素下90
0℃で印刷でき且つ焼成できるように選択される。
あるいは、該導電体は、空気中にて例えば850℃で焼成
され得るAg,Au,Ag−Pdの如き貴金属若しくは貴金属合金
であることもできる。この場合には、抵抗層はそれらが
空気中850℃にて印刷且つ焼成できるように選択され
る。
これらの例においては、それに含まれる材料間の特定の
相互作用によって第３図及び第４図の実施例のうちのい
ずれが好ましいかが決定される。
第５図には、一対の低抵抗抵抗器31及び32、高抵抗抵抗
器34及び相互接続を提供する銅層36を含むプリント回路
30の一部の上面図が示されている。抵抗器34には上記し
た種類のうちのいずれかである成端領域34A及び34Bが設
けられている。銅膜36は、抵抗器31,32及び34をＴ片状
に相互に接続している。銅膜36は、低抵抗抵抗器31,32
の端部と重なる部分36A及び高抵抗抵抗器34のための長
い成膜として働く成端領域34A,34Bの一部分と重なる部
分36Bを含むべく付着される。
図示した実施例においては、100オーム／スクエアのシ
ート抵抗率を提供する組成物が低抵抗抵抗器（10オーム
〜100オーム）を形成すべく使用され、25,000オーム／
スクエアのシート抵抗率を提供する組成物が高抵抗抵抗
器（2500〜250,000オーム）を形成すべく使用されてい
る。中間抵抗（1000〜2500オーム）の抵抗器が望ましい
場合には、1750オーム／スクエアのシート抵抗率を提供
する組成物が斯る抵抗器を形成する際においての使用に
適している。抵抗器を形成するのに使用される組成物の
抵抗率が増すにつれて、低抵抗率の成端領域を用いる必
要性も増す。
自動車関係の用途において使用されるプリント回路基板
に対して上記の成端領域を使用することによって得られ
る利点は、約25,000オーム／スクエア若しくはそれ以上
のシート抵抗率を有する組成物が使用されるときに付加
される複雑性よりも優る。他の用途に対して更により低
い抵抗率の組成物を使用するとき、このことが生じる。
該厚膜層に対して異なったアスペクト比及び異なった厚
みを使用することによって、異なった関係が達成される
ことは当然である。
広く種々の回路形状が工夫でき得ることがわかる。更
に、キャパシタ、インダクタ、ダイオード及びトランジ
スタの如き他の回路部品を習慣的な方法でプリント回路
基板上に含むことができる。
上記の方法で成端された高抵抗抵抗器と、従来の方法で
成端された高抵抗抵抗器（これの抵抗は十分広い強度を
有する）との両方を、共通のプリント回路基板上で混合
させることも当然可能である。
厚膜抵抗器に対して種々の組成物を使用することも当然
可能である。斯る組成物が、上記の方法で後成端を包含
することによって利点を受ける抵抗器を生ずる程度ま
で、本発明の原理は利用できる。
いくつかの回路においては、高抵抗抵抗器のみが必要と
される。このときには、成端領域は、斯る成端を提供す
るためにのみ使用される低抵抗率の組成物の層の一部で
ある。
以上から、特許請求の範囲内においては、高抵抗、低抵
抗、高抵抗率及び低抵抗率という文言に対して広い幅が
与えられるべきであることが理解できる。これらは既し
て各々絶対値よりもむしろ相対関係を表すことを意図さ
れたものである。
【図面の簡単な説明】
第1A図は、本発明の一実施例に従って形成された後成端
を含む厚膜抵抗器の断面図であり、 第1B、1C、1D図は、各々本発明の実施例に従って形成さ
れた厚膜抵抗器の成端であって種々の層の重畳程度が第
1A図に含まれるものとは異なったものの断面図であり、 第2A図は、本発明の別の実施例に従って形成された後成
端を含む厚膜抵抗器の断面図であり、 第2B、2C、2D図は、各々本発明の実施例に従って形成さ
れた厚膜抵抗器の成端であって種々の層の重畳程度が第
2A図に示されたものと異なるものの断面図であり、 第３図は、本発明の一実施例に従って形成された成端で
あって導電層厚膜抵抗器より前に付着される成端の断面
図であり、 第４図は、本発明の別の実施例に従って形成された成端
であって導電層厚膜抵抗器より前に付着される成端の断
面図であり、 第５図は、本発明に従って互いに接続された３つの抵抗
器を含むプリント回路の一部を示す上面図である。 各図面は原寸ではなく、また、かくれ線及び同一部分の
断面ハッチングは理解を容易にすべく省略した。 （主要部分の符号の説明） 10,50,69,79……プリント回路基板 12,76,84,34……高抵抗率層 14,52,72,82……絶縁基板 16,74,86,31,32……低抵抗率層 60,62,70,80,36……導電層 56,58,34A,34B……成端領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−202987（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−187601（ＪＰ，Ａ) 実開 昭58−95668（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−197876（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭61−166502（ＪＰ，Ｕ) 実公 昭60−28083（ＪＰ，Ｙ１) 実公 昭55−13922（ＪＰ，Ｙ１)

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】少なくとも一つの厚膜抵抗器を含むプリン
    ト回路であって、 プリント回路基板（14）、 少なくとも一つの厚膜抵抗器を提供するための前記基板
    （14）上の第１の組成物からなるパターン化層（12）、
    及び 導電層（18）に対して接続された前記抵抗器の各端部に
    おける成端手段とを含み、 前記抵抗器の各端部における前記成端手段は、抵抗率が
    前記第１の組成物の抵抗率よりも低い第２の組成物から
    なる層（16）の一部（16A,16B）を含み、 前記層部分（16A,16B）は前記端部との第１の接合面を
    形成し、 前記導電層（18）は層部分（18A,18B）を含み、 前記導電層部分（18A,18B）の各々は、前記成端手段の
    各々の第２の組成物からなる各々の層部分（16A,16B）
    との第２の接合面を形成し、 前記導電層（18）が銅であり、 前記第１及び第２の組成物が各々ルテニウム化合物とガ
    ラスとの混合物を含む、ことを特徴とするプリント回
    路。
  2. 【請求項２】前記第１及び第２の組成物が共通の焼成工
    程で焼成するのに適していることを特徴とする第１請求
    項記載のプリント回路。
  3. 【請求項３】前記成端手段内の第２の組成物からなる層
    （16）の各部分（16A,16B）は、前記第１の接合面を形
    成すべく前記抵抗器の端部と重なっており、 銅層（18）の各層部分（18A,18B）は、第２の接合面を
    形成すべく第２の組成物の層部分と重なっていることを
    特徴とする、第１請求項記載のプリント回路。
  4. 【請求項４】第１請求項記載のプリント回路を形成する
    方法であって、高抵抗及び低抵抗を有する厚膜抵抗器
    （54,56,58）を絶縁基板（52）上に含み、 少なくとも一つの低抵抗厚膜抵抗器（56,58）の形成及
    び少なくとも一つの高抵抗厚膜抵抗器（54）の成端とし
    て使用するための領域の形成のための抵抗材料である第
    ２の組成物のパターンを前記絶縁基板（52）上に印刷す
    る工程、 少なくとも一つの高抵抗厚膜抵抗器（54）の形成のため
    の抵抗材料である前記第１の組成物のパターンを絶縁基
    板（52）上に印刷する工程、及び パターン化された導電層を絶縁基板（52）上に印刷する
    工程とからなり、 前記抵抗器（54）の各々は前記第２の組成物からなる成
    端領域と重なっている端部（54A,54B）を有し、 前記導電層は、第２の組成物によって形成された低抵抗
    抵抗器（56,58）の端部と重なっており且つ高抵抗抵抗
    器（54）の端部（54A,54B）によって覆われていない成
    端領域の部分と重なっている部分（60,62）を含み、 第１の組成物は単位面積当たり約25,000オームのシート
    抵抗率を有し、 第２の組成物は単位面積当たり約100オームのシート抵
    抗率を有することを特徴とする方法。
  5. 【請求項５】第１請求項記載のプリント回路を形成する
    方法であって、高抵抗及び低抵抗を有する厚膜抵抗器を
    絶縁基板上に含み、 少なくとも一つの高抵抗厚膜抵抗器を形成するのに適し
    た前記第１の組成物からなるパターン化された層（121
    C）を絶縁基板（141C）上に印刷する工程、 少なくとも一つの低抵抗膜厚抵抗器を形成するのに適し
    且つ高抵抗抵抗器のための成端領域を含むのに適した前
    記第２の組成物のパターン化層を絶縁基板（141C）上に
    印刷する工程、及び パターン化された導電層（18A1C）を絶縁基板（141C）
    上に印刷する工程からなり、 前記成端領域は高抵抗厚膜抵抗器の端部と重なる部分を
    含み、 層（181C）は、低抵抗抵抗器の端部（16A1C）及び第２
    の組成物からなるパターン化層の成端領域の成分と重な
    っており、 第１の組成物は単位面積当たり約25,000オームのシート
    抵抗率を有し、 第２の組成物は単位面積当たりの約100オームのシート
    抵抗率を有することを特徴とする方法。
JP1263774A 1988-10-11 1989-10-09 プリント回路基板の厚膜抵抗器のための後成端装置及び後成端方法 Expired - Fee Related JPH0724331B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/256,017 US5169679A (en) 1988-10-11 1988-10-11 Post-termination apparatus and process for thick film resistors of printed circuit boards
US256017 1988-10-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02181993A JPH02181993A (ja) 1990-07-16
JPH0724331B2 true JPH0724331B2 (ja) 1995-03-15

Family

ID=22970782

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1263774A Expired - Fee Related JPH0724331B2 (ja) 1988-10-11 1989-10-09 プリント回路基板の厚膜抵抗器のための後成端装置及び後成端方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5169679A (ja)
EP (1) EP0364095A3 (ja)
JP (1) JPH0724331B2 (ja)
KR (1) KR920005985B1 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05275958A (ja) * 1992-03-25 1993-10-22 Murata Mfg Co Ltd ノイズフィルタ
US5952205A (en) * 1998-02-06 1999-09-14 Neose Technologies, Inc. Process for processing sucrose into glucose and fructose
GB9813668D0 (en) * 1998-06-25 1998-08-26 Sentec Ltd Printed circuit board current sensor
US6510503B2 (en) 1998-07-27 2003-01-21 Mosaid Technologies Incorporated High bandwidth memory interface
US5998177A (en) * 1998-11-19 1999-12-07 Neose Technologies, Inc. Process for processing sucrose into glucose
DE60036907T2 (de) * 1999-03-17 2008-08-07 Motorola, Inc., Schaumburg Verfahren zur herstellung von widerständen
JP4780689B2 (ja) * 2001-03-09 2011-09-28 ローム株式会社 チップ抵抗器
CN100498986C (zh) * 2002-06-13 2009-06-10 罗姆股份有限公司 具有低电阻值的芯片电阻器及其制造方法
US20040216303A1 (en) * 2003-05-01 2004-11-04 Berlin Carl W. Thick film current sensing resistor and method
US7224258B2 (en) * 2004-09-27 2007-05-29 Ohmcraft, Inc. Fine line thick film resistors by photolithography
US11723575B2 (en) 2013-09-25 2023-08-15 Bardy Diagnostics, Inc. Electrocardiography patch

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB672255A (en) * 1949-06-02 1952-05-21 Ward Blenkinsop & Co Ltd Improvements in the production of conducting layers upon electrical resistors
US3337832A (en) * 1965-01-26 1967-08-22 Sprague Electric Co Resistor
US3717483A (en) * 1969-04-22 1973-02-20 Ibm Metallizing composition
US3609105A (en) * 1970-06-08 1971-09-28 Alpha Metals Metalizing material
US3679606A (en) * 1970-09-08 1972-07-25 Du Pont Thermistor compositions and thermistors made therefrom
US3992212A (en) * 1972-08-18 1976-11-16 Universal Oil Products Company Electrical resistor inks
US3914514A (en) * 1973-08-16 1975-10-21 Trw Inc Termination for resistor and method of making the same
US4031272A (en) * 1975-05-09 1977-06-21 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Hybrid integrated circuit including thick film resistors and thin film conductors and technique for fabrication thereof
US4063993A (en) * 1975-07-07 1977-12-20 National Semiconductor Corporation Method of making gang bonding interconnect tape for semiconductive devices
JPS5513922U (ja) * 1978-07-08 1980-01-29
US4331740A (en) * 1980-04-14 1982-05-25 National Semiconductor Corporation Gang bonding interconnect tape process and structure for semiconductor device automatic assembly
US4404237A (en) * 1980-12-29 1983-09-13 General Electric Company Fabrication of electrical conductor by replacement of metallic powder in polymer with more noble metal
US4452726A (en) * 1981-08-20 1984-06-05 General Motors Corporation Self-sealing thermally sensitive resistor and method of making same
JPS5852900A (ja) * 1981-09-24 1983-03-29 株式会社日立製作所 セラミツク多層配線板の製造方法
JPS5895668U (ja) * 1981-12-22 1983-06-29 松下電器産業株式会社 印刷配線基板
JPS5979563A (ja) * 1982-10-28 1984-05-08 Sanyo Electric Co Ltd 厚膜回路
JPS6028083U (ja) * 1983-08-02 1985-02-25 日本電気株式会社 ビデオ・コ−ディングシステムの郵便物搬送遅延装置
JPS60113993A (ja) * 1983-11-25 1985-06-20 三菱電機株式会社 多層回路基板の製造方法
JPS61166502U (ja) * 1985-04-03 1986-10-16
DE3621667A1 (de) * 1985-06-29 1987-01-08 Toshiba Kawasaki Kk Mit einer mehrzahl von dickfilmen beschichtetes substrat, verfahren zu seiner herstellung und dieses enthaltende vorrichtung
US4678531A (en) * 1986-03-24 1987-07-07 General Motors Corporation Method and apparatus for screen printing solder paste onto a substrate with device premounted thereon
JPS62274701A (ja) * 1986-05-23 1987-11-28 アイシン精機株式会社 可変抵抗器
JPS62197876U (ja) * 1986-06-06 1987-12-16
JPS63202987A (ja) * 1987-02-18 1988-08-22 ミツミ電機株式会社 回路基板
JPS63141388A (ja) * 1986-12-03 1988-06-13 東芝ライテック株式会社 厚膜回路基板の製造方法
JPS63187601A (ja) * 1987-01-30 1988-08-03 株式会社日立製作所 厚膜回路板およびその製法
JPH0783180B2 (ja) * 1987-05-20 1995-09-06 松下電器産業株式会社 セラミック多層基板とその製造方法
US4847003A (en) * 1988-04-04 1989-07-11 Delco Electronics Corporation Electrical conductors

Also Published As

Publication number Publication date
EP0364095A2 (en) 1990-04-18
KR920005985B1 (ko) 1992-07-25
KR900007287A (ko) 1990-05-09
EP0364095A3 (en) 1990-11-07
US5164698A (en) 1992-11-17
JPH02181993A (ja) 1990-07-16
US5169679A (en) 1992-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6631551B1 (en) Method of forming integral passive electrical components on organic circuit board substrates
JP3532926B2 (ja) 抵抗配線基板およびその製造方法
JPH06224560A (ja) セラミック多層配線基板
JPH0724331B2 (ja) プリント回路基板の厚膜抵抗器のための後成端装置及び後成端方法
US6359546B1 (en) Chip device, and method of making the same
JPS6317357B2 (ja)
JP3067580B2 (ja) 絶縁ペースト及びそれを用いた厚膜印刷多層回路
JPH07111921B2 (ja) チップ抵抗器
JPS63144554A (ja) 厚膜混成集積回路基板の製造方法
JPH0595071U (ja) 厚膜回路基板
JP2001143903A (ja) 抵抗器およびその製造方法
JPH1097954A (ja) 積層チップ形のｃｒフィルタおよびｃｒフィルタアレイ
JP2532279B2 (ja) 厚膜回路の製造方法
JP2760035B2 (ja) 厚膜回路基板
KR0146916B1 (ko) 반도체 장치용 세라믹 배선기판
JPH1098244A (ja) 厚膜回路基板及びその製造方法
JPH1097953A (ja) 積層チップ形ｃｒフィルタおよびそのアレイ
JP3176258B2 (ja) 多層配線基板
JPH0346961B2 (ja)
JPH0818240A (ja) 厚膜回路基板
JPS6025002B2 (ja) グレ−ズ抵抗器形成用磁器基板
JPH0414890A (ja) 混成集積回路基板
JPH05101905A (ja) 厚膜サーミスタペースト組成物およびそれを用いた厚膜サーミスタ
JPH0521842Y2 (ja)
JP2783107B2 (ja) アルミナ配線基板

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees