JPH0724333B2 - 金属薄層付絶縁基板の製造法 - Google Patents
金属薄層付絶縁基板の製造法Info
- Publication number
- JPH0724333B2 JPH0724333B2 JP28263187A JP28263187A JPH0724333B2 JP H0724333 B2 JPH0724333 B2 JP H0724333B2 JP 28263187 A JP28263187 A JP 28263187A JP 28263187 A JP28263187 A JP 28263187A JP H0724333 B2 JPH0724333 B2 JP H0724333B2
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- metal layer
- copper foil
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は，印刷配線板の製造に使用される，金属薄層付
絶縁基板の製造法に関する。
絶縁基板の製造法に関する。
（従来の技術） 印刷配線板の製造に使用される，銅張り積層板として
は，ステンレス・スチールの回転ドラム上に電解析出さ
せた銅箔と紙やガラス基材に熱硬化性樹脂を含浸させた
プリプレグとを積層したものがあった。また，フレキシ
ブル配線板及び多層フレキシブル配線板用銅箔付きフィ
ルムとしては，例えば，ポリイミドフィルムと圧延銅箔
とを接着剤を介して熱圧着したものがあった。この場
合，銅層の厚さとしては18μm,35μm,50μｍ程度と厚い
ものが主流であった。
は，ステンレス・スチールの回転ドラム上に電解析出さ
せた銅箔と紙やガラス基材に熱硬化性樹脂を含浸させた
プリプレグとを積層したものがあった。また，フレキシ
ブル配線板及び多層フレキシブル配線板用銅箔付きフィ
ルムとしては，例えば，ポリイミドフィルムと圧延銅箔
とを接着剤を介して熱圧着したものがあった。この場
合，銅層の厚さとしては18μm,35μm,50μｍ程度と厚い
ものが主流であった。
上記のような銅張りを積層板あるいは銅層付フィルムを
使った印刷配線板の製造法としては，銅張積層板等をエ
ッチングして回路加工を行うエッチドフォイル法や，レ
ジスト形成用表面処理をした後，レジスト形成→めっき
→めっきレジスト除去→クィックエッチングによる回路
加工を行うアンクラッド法等がある。
使った印刷配線板の製造法としては，銅張積層板等をエ
ッチングして回路加工を行うエッチドフォイル法や，レ
ジスト形成用表面処理をした後，レジスト形成→めっき
→めっきレジスト除去→クィックエッチングによる回路
加工を行うアンクラッド法等がある。
エッチドフォイル法は，サイドエッチングの問題があり
高密度配線板の製造は困難である。アンクラッド法で
は,5〜９μｍの銅箔を用いた銅張り積層板をベースにし
ている。この方法に於ける配線の微細・高密度化は下地
金属層の厚さに依存している。すなわち，エッチングす
る下地金属層の厚さが薄い程エッチング精度が高くな
る。そこで，高密度配線を形成する場合は５〜９μｍと
薄い銅箔を用いた銅張り積層板をベースとしているが，
銅箔のキャリアーであるアルミ箔を積層後物理的あるい
は化学的に除去する必要があること，及びキャリアーを
除去後，例えばレジストなどに対して接着性が良い粗面
処理が必要であることなど欠点がある。
高密度配線板の製造は困難である。アンクラッド法で
は,5〜９μｍの銅箔を用いた銅張り積層板をベースにし
ている。この方法に於ける配線の微細・高密度化は下地
金属層の厚さに依存している。すなわち，エッチングす
る下地金属層の厚さが薄い程エッチング精度が高くな
る。そこで，高密度配線を形成する場合は５〜９μｍと
薄い銅箔を用いた銅張り積層板をベースとしているが，
銅箔のキャリアーであるアルミ箔を積層後物理的あるい
は化学的に除去する必要があること，及びキャリアーを
除去後，例えばレジストなどに対して接着性が良い粗面
処理が必要であることなど欠点がある。
薄い下地金属層を形成する方法としては他に無電解めっ
き法，真空蒸着法，スパッタリング法などがある。無電
解めっき法は絶縁基板表面を物理的又は化学的な方法で
処理してその基板表面を親水化，粗面化をする工程を必
要とし，生成した金属層〜基板間の接着力も低い。な
お，耐熱性をあまり要求されないものについては，ゴム
系樹脂に無電解めっき用の触媒を混入させた接着剤層を
粗面化した後無電解めっきを行う方法もあるが，後工程
で形成された回路間及び接着剤層中に残存する金属触媒
のため，特性上の欠点がある。
き法，真空蒸着法，スパッタリング法などがある。無電
解めっき法は絶縁基板表面を物理的又は化学的な方法で
処理してその基板表面を親水化，粗面化をする工程を必
要とし，生成した金属層〜基板間の接着力も低い。な
お，耐熱性をあまり要求されないものについては，ゴム
系樹脂に無電解めっき用の触媒を混入させた接着剤層を
粗面化した後無電解めっきを行う方法もあるが，後工程
で形成された回路間及び接着剤層中に残存する金属触媒
のため，特性上の欠点がある。
真空蒸着法及びスパッタリング法において，例えば，ガ
ラス布−エポキシ積層板やガラス布−ポリイミド積層板
を用いる場合，ガラス布に吸着している水分及び樹脂層
を残存している溶剤分のために，蒸着やスパッタなどで
必要となる高真空下では水分，溶剤がガス化し，ガラス
布〜樹脂界面での剥離やボイドが生じてしまう。更にス
ループットが低いという欠点ある。
ラス布−エポキシ積層板やガラス布−ポリイミド積層板
を用いる場合，ガラス布に吸着している水分及び樹脂層
を残存している溶剤分のために，蒸着やスパッタなどで
必要となる高真空下では水分，溶剤がガス化し，ガラス
布〜樹脂界面での剥離やボイドが生じてしまう。更にス
ループットが低いという欠点ある。
本発明は，高密度配線を可能とする金属薄層付絶縁基板
の製造法を提供するものである。
の製造法を提供するものである。
（問題点を解決するための手段） 本発明の方法は，まず銅箔表面に酸化銅を形成後，酸化
銅層に面して絶縁性有機材料を積層し，銅箔部分をエッ
チング除去する。次に絶縁性有機材料表面に残存してい
る酸化銅層に還元処理を施し，金属銅および／または亜
酸化銅とするものである。なお，次いで無電解銅めっ
き，あるいは無電解銅めっきと電気銅めっきの併用によ
って金属層を所望の厚さまでめっき成形しても良い。
銅層に面して絶縁性有機材料を積層し，銅箔部分をエッ
チング除去する。次に絶縁性有機材料表面に残存してい
る酸化銅層に還元処理を施し，金属銅および／または亜
酸化銅とするものである。なお，次いで無電解銅めっ
き，あるいは無電解銅めっきと電気銅めっきの併用によ
って金属層を所望の厚さまでめっき成形しても良い。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例を示すものであ
る。
る。
銅張り積層板用35μｍ銅箔１の表面に酸化銅２を形成す
る（第１図（ａ），（ｂ））。酸化銅処理条件は例え
ば，次の通りである。
る（第１図（ａ），（ｂ））。酸化銅処理条件は例え
ば，次の通りである。
NaOH ＝15g/ NaPO4・12H2O＝30g/ NaClO2 ＝80g/ 純 水 ＝１になる量 液 温 ＝85±２℃ この他，銅箔表面に酸化銅を形成する方法としては，亜
塩素酸ナトリウム，次亜塩素酸ナトリウム，過硫酸カリ
ウム，塩素酸カリウム，過塩素酸カリウムなどの酸化剤
を含む処理液で処理する方法がある。酸化銅処理の前処
理として銅箔は例えばシップレー社製の脱脂液であるニ
ュートラルクリーンに５分間浸漬し，流水洗いて，更に
10％硫酸水に２分浸漬し，流水洗後80℃で30分間乾燥す
る。
塩素酸ナトリウム，次亜塩素酸ナトリウム，過硫酸カリ
ウム，塩素酸カリウム，過塩素酸カリウムなどの酸化剤
を含む処理液で処理する方法がある。酸化銅処理の前処
理として銅箔は例えばシップレー社製の脱脂液であるニ
ュートラルクリーンに５分間浸漬し，流水洗いて，更に
10％硫酸水に２分浸漬し，流水洗後80℃で30分間乾燥す
る。
この場合使用する銅箔としては，他の金属箔，金属板や
有機質フィルムなどの支持体の上に銅層が形成されたも
のでも良い。銅のみから成る箔を用いる場合は，厚さに
技術上の制限はないが，取り扱い上及び価格の点から10
〜70μｍが好ましい。
有機質フィルムなどの支持体の上に銅層が形成されたも
のでも良い。銅のみから成る箔を用いる場合は，厚さに
技術上の制限はないが，取り扱い上及び価格の点から10
〜70μｍが好ましい。
また，樹脂基材〜金属層間の接着力を高めるためには，
銅箔表面が予め粗面化されたものが良好である。その粗
面化の方法としては研磨，ホーニング，エッチング，電
気めっき，無電解めっきなどがある。
銅箔表面が予め粗面化されたものが良好である。その粗
面化の方法としては研磨，ホーニング，エッチング，電
気めっき，無電解めっきなどがある。
次に，絶縁製有機ガラス布−エポキシプリプレグ３と加
圧積層する（第１図（ｃ））。積層条件は成形圧力35kg
/cm2,170℃で60分間である。酸化銅２を形成した後積層
する絶縁性有機材料としては他に，変性ポリイミド，ポ
リイミド，フェノールなど一般の銅張り積層板に用いら
れる熱硬化性樹脂を含浸させたガラス布，樹脂シート等
を用いることができる。
圧積層する（第１図（ｃ））。積層条件は成形圧力35kg
/cm2,170℃で60分間である。酸化銅２を形成した後積層
する絶縁性有機材料としては他に，変性ポリイミド，ポ
リイミド，フェノールなど一般の銅張り積層板に用いら
れる熱硬化性樹脂を含浸させたガラス布，樹脂シート等
を用いることができる。
又，ポリエチレン，テフロン，ポリエーテルサルフォ
ン，ポリエーテルイミドなどの熱可塑性材料も用いられ
る。
ン，ポリエーテルイミドなどの熱可塑性材料も用いられ
る。
次に，多過アンモニウム塩系エッチング液を用いて，銅
箔１をエッチング除去する。この場合，酸化銅２はエッ
チングされずに有機基材３表面に残存する。
箔１をエッチング除去する。この場合，酸化銅２はエッ
チングされずに有機基材３表面に残存する。
水洗後，還元剤水溶液（水素化ホウ素ナトリウム2g/,
NaOH12.5g/，液温55℃）に10分間浸漬して該酸化銅層
２を還元し，亜酸化銅あるいは金属銅４とする。この場
合，還元水溶液としてホルマリン，次亜リン酸，次亜リ
ン酸ナトリウム，抱水ヒドラジン，塩酸ヒドラジン，硫
酸ヒドラジン,N,N′−トリメチルボラザン,N,N′−ジメ
チルボラゼンなどの一種又は二種以上を溶解させたもの
でも良い。
NaOH12.5g/，液温55℃）に10分間浸漬して該酸化銅層
２を還元し，亜酸化銅あるいは金属銅４とする。この場
合，還元水溶液としてホルマリン，次亜リン酸，次亜リ
ン酸ナトリウム，抱水ヒドラジン，塩酸ヒドラジン，硫
酸ヒドラジン,N,N′−トリメチルボラザン,N,N′−ジメ
チルボラゼンなどの一種又は二種以上を溶解させたもの
でも良い。
なお，上記工程に加えて，下記組成及び条件の無電解銅
めっき，あるいは無電解銅と電気銅めっきの併用によっ
て金属層を所望の厚さまでめっきしても良い。
めっき，あるいは無電解銅と電気銅めっきの併用によっ
て金属層を所望の厚さまでめっきしても良い。
CuSO4・5H2O ＝10g/ EDTA・4Na ＝40g/ pH ＝12.3 37％HCHO ＝3/ めっき液添加量＝少量 めっき液温度 ＝70℃ めっき膜厚 ＝３μｍ 以上のような本発明の銅箔り積層板は，配線板用内層回
路板としての用途のみならず，多層配線板の最外層とし
ての使用も可能である。
路板としての用途のみならず，多層配線板の最外層とし
ての使用も可能である。
本発明においては，銅箔に形成される酸化銅は大きさが
サブミクロン以下の繊維状〜柱状あるいは粒状結晶であ
る。そのために，酸化銅処理した銅箔と樹脂等の有機絶
縁材料を積層して銅箔を除去した樹脂基板表面には，高
い接着力をもった酸化銅が残存する。
サブミクロン以下の繊維状〜柱状あるいは粒状結晶であ
る。そのために，酸化銅処理した銅箔と樹脂等の有機絶
縁材料を積層して銅箔を除去した樹脂基板表面には，高
い接着力をもった酸化銅が残存する。
また，還元処理により樹脂基板に生成する銅および／ま
たは亜酸化銅層の厚さ及び形状は，酸化銅形成工程ある
いは還元処理工程での条件を適宜変更することにより調
整できる。
たは亜酸化銅層の厚さ及び形状は，酸化銅形成工程ある
いは還元処理工程での条件を適宜変更することにより調
整できる。
（発明の効果） 本発明に於ては，金属層の厚さが0.1〜５μｍと薄いた
め，アンクラッド法による配線板製造工程におけるエッ
チングによるライン巾精度が著しく向上し，高解像のポ
ジ型液状レジストを適用すればライン／スペースが30/3
0μｍ程度の高密度配線を可能にする。
め，アンクラッド法による配線板製造工程におけるエッ
チングによるライン巾精度が著しく向上し，高解像のポ
ジ型液状レジストを適用すればライン／スペースが30/3
0μｍ程度の高密度配線を可能にする。
また，絶縁基板と金属層の接着力も高く，信頼性も向上
する。なお，還元生成した銅あるいは亜酸化銅表面及び
樹脂基板表面には微細な凸凹があるため，レジストパタ
ーン形成用あるいは多層化接着用の粗化処理が不要であ
ること，更に無電解めっき用の触媒処理工程も不要であ
るため，スループットが著しく向上した。
する。なお，還元生成した銅あるいは亜酸化銅表面及び
樹脂基板表面には微細な凸凹があるため，レジストパタ
ーン形成用あるいは多層化接着用の粗化処理が不要であ
ること，更に無電解めっき用の触媒処理工程も不要であ
るため，スループットが著しく向上した。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の方法を示す断面図であ
る。 符号の説明 １……銅箔 ２……酸化銅 ３……プリプレグ（絶縁基材） ４……銅及び／又は亜酸化銅
る。 符号の説明 １……銅箔 ２……酸化銅 ３……プリプレグ（絶縁基材） ４……銅及び／又は亜酸化銅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 皆川 一泰 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−279531（ＪＰ，Ａ) 特公 昭56−5079（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (1)
- 【請求項１】銅箔を酸化剤を有する処理液に接触させ
て，その銅箔面に酸化銅を形成した後，酸化銅面に絶縁
性有機材料を積層し，エッチング液を接触させることに
よって銅箔を除去し，次に還元剤溶液を接触させること
を特徴とする金属薄層付絶縁基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28263187A JPH0724333B2 (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 金属薄層付絶縁基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28263187A JPH0724333B2 (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 金属薄層付絶縁基板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01124292A JPH01124292A (ja) | 1989-05-17 |
| JPH0724333B2 true JPH0724333B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=17655032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28263187A Expired - Lifetime JPH0724333B2 (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 金属薄層付絶縁基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0724333B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5109400B2 (ja) * | 2006-09-08 | 2012-12-26 | 日立化成工業株式会社 | 銅表面処理液セット、これを用いた銅の表面処理方法、銅、配線基板および半導体パッケージ |
| JP6275200B2 (ja) * | 2016-06-16 | 2018-02-07 | 日本化薬株式会社 | 高周波回路に適した両面回路用基板 |
-
1987
- 1987-11-09 JP JP28263187A patent/JPH0724333B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01124292A (ja) | 1989-05-17 |
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