JPH07243761A - レジスト構成材料の精製方法 - Google Patents
レジスト構成材料の精製方法Info
- Publication number
- JPH07243761A JPH07243761A JP6033974A JP3397494A JPH07243761A JP H07243761 A JPH07243761 A JP H07243761A JP 6033974 A JP6033974 A JP 6033974A JP 3397494 A JP3397494 A JP 3397494A JP H07243761 A JPH07243761 A JP H07243761A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- solvent
- poor solvent
- freeze
- refining
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Extraction Or Liquid Replacement (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジスト構成材料の精製方法に関し、効率の
良い精製方法の実用化を目的とする。 【構成】 レジストを構成するそれぞれの材料を凍結乾
燥法を用いて粉末状態とした後、この粉末をこの材料の
貧溶媒で洗浄して材料中に含まれる不純物を除去した
後、乾燥することを特徴としてレジスト構成材料の精製
方法を構成する。
良い精製方法の実用化を目的とする。 【構成】 レジストを構成するそれぞれの材料を凍結乾
燥法を用いて粉末状態とした後、この粉末をこの材料の
貧溶媒で洗浄して材料中に含まれる不純物を除去した
後、乾燥することを特徴としてレジスト構成材料の精製
方法を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレジスト構成材料の精製
方法に関する。大量の情報を高速に処理する必要から、
情報処理装置の主体を構成する半導体装置は集積化が進
んでＬＳＩやＶＬＳＩが実用化されているが、更に集積
化が進んでＵＬＳＩが実用化されつゝある。
方法に関する。大量の情報を高速に処理する必要から、
情報処理装置の主体を構成する半導体装置は集積化が進
んでＬＳＩやＶＬＳＩが実用化されているが、更に集積
化が進んでＵＬＳＩが実用化されつゝある。
【０００２】こゝで、半導体集積回路の形成には薄膜形
成技術，写真蝕刻技術（ホトリソグラフィ或いは電子線
リソグラフィ），不純物イオン注入技術などが使用され
ているが、このような技術を用いて形成される微細パタ
ーンの最小線幅は1/4 μm (Quarter-micron)程度にまで
微細化してきている。
成技術，写真蝕刻技術（ホトリソグラフィ或いは電子線
リソグラフィ），不純物イオン注入技術などが使用され
ているが、このような技術を用いて形成される微細パタ
ーンの最小線幅は1/4 μm (Quarter-micron)程度にまで
微細化してきている。
【０００３】
【従来の技術】半導体基板（ウエハ）上に膜形成した金
属薄膜や誘電体薄膜を選択エッチングしてパターンを形
成するのに使用されるレジストには電離放射線による露
光位置が現像液に可溶性となるポジ型、露光位置が不溶
性となるネガ型があり、用途と解像性により使い分けら
れているが、写真蝕刻技術により形成される最小線幅が
微少化するに従ってレジストが原因となって発生する腐
食を無くすることが従来に増して必要となってきた。
属薄膜や誘電体薄膜を選択エッチングしてパターンを形
成するのに使用されるレジストには電離放射線による露
光位置が現像液に可溶性となるポジ型、露光位置が不溶
性となるネガ型があり、用途と解像性により使い分けら
れているが、写真蝕刻技術により形成される最小線幅が
微少化するに従ってレジストが原因となって発生する腐
食を無くすることが従来に増して必要となってきた。
【０００４】すなわち、レジストの中にアルカリイオン
（Na+ ),（Ｋ+ ) など、塩素イオン(Cl - ) 、カルシウ
ムイオン(Ca ++) などが存在すると、これらのイオンは
金属薄膜に吸着して腐食を生じさせ、また、各種の金属
イオンが存在すると誘電体薄膜中に浸入してその絶縁耐
力を低下させる。
（Na+ ),（Ｋ+ ) など、塩素イオン(Cl - ) 、カルシウ
ムイオン(Ca ++) などが存在すると、これらのイオンは
金属薄膜に吸着して腐食を生じさせ、また、各種の金属
イオンが存在すると誘電体薄膜中に浸入してその絶縁耐
力を低下させる。
【０００５】そこで、レジスト中にはかゝる不純物イオ
ンが存在しないことが必要で、そのためには純度の高い
材料の使用が必須となる。こゝで、レジストはポジ型と
ネガ型とでは構成が異なるものゝ、基材樹脂, 感光剤,
増感剤, 架橋剤, 溶解抑止剤, 界面活性剤などの各種の
材料を選択的に組合せて形成されている。
ンが存在しないことが必要で、そのためには純度の高い
材料の使用が必須となる。こゝで、レジストはポジ型と
ネガ型とでは構成が異なるものゝ、基材樹脂, 感光剤,
増感剤, 架橋剤, 溶解抑止剤, 界面活性剤などの各種の
材料を選択的に組合せて形成されている。
【０００６】そのため、高純度の材料を入手して使用し
ているが、許容できる不純物含有量はｐｐｂ（parts pe
r billion)以下であることから、ユーザが精製して使用
する場合が多く、対象が高分子物質である場合は再沈法
が、低分子量物質である場合は再結晶法か再沈法が、ま
た溶媒については蒸留法を使用して精製が行なわれてい
る。
ているが、許容できる不純物含有量はｐｐｂ（parts pe
r billion)以下であることから、ユーザが精製して使用
する場合が多く、対象が高分子物質である場合は再沈法
が、低分子量物質である場合は再結晶法か再沈法が、ま
た溶媒については蒸留法を使用して精製が行なわれてい
る。
【０００７】こゝで、再沈法は対象とする被精製物を良
溶媒（被精製物の溶解度が高い溶媒）に一度、完全に溶
解させた後、濾過して不溶性の不純物を除去し、次に、
この溶液を貧溶媒（被精製物の溶解度が低い溶媒）の中
に少しずつ滴下すると、良溶媒は貧溶媒中に拡散する結
果として被精製物が粉末状となって沈澱し、一方、貧溶
媒に溶解する不純物はそのまゝ貧溶媒中に存在するの
で、濾過して粉末状の被精製物を取り出すものである。
溶媒（被精製物の溶解度が高い溶媒）に一度、完全に溶
解させた後、濾過して不溶性の不純物を除去し、次に、
この溶液を貧溶媒（被精製物の溶解度が低い溶媒）の中
に少しずつ滴下すると、良溶媒は貧溶媒中に拡散する結
果として被精製物が粉末状となって沈澱し、一方、貧溶
媒に溶解する不純物はそのまゝ貧溶媒中に存在するの
で、濾過して粉末状の被精製物を取り出すものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】レジストを形成する物
質は基材樹脂を始めとして高分子物質が殆どであり、こ
の精製には再沈法が使用されるが、この方法を用いて高
分子物質を精製するには大量の溶媒を必要とすることか
ら不経済であった。
質は基材樹脂を始めとして高分子物質が殆どであり、こ
の精製には再沈法が使用されるが、この方法を用いて高
分子物質を精製するには大量の溶媒を必要とすることか
ら不経済であった。
【０００９】特に、良溶媒を分散させるためには大量の
貧溶媒の使用が必要であり、例えば数ｇの高分子物質の
再沈には１リットル以上の貧溶媒の使用が必要で、余り
少ないと良溶媒が分散せず、そのため高分子が固体化し
ない。
貧溶媒の使用が必要であり、例えば数ｇの高分子物質の
再沈には１リットル以上の貧溶媒の使用が必要で、余り
少ないと良溶媒が分散せず、そのため高分子が固体化し
ない。
【００１０】また、良溶媒も或る程度の以上の量が必要
で、少量の良溶媒で高分子物質の溶液を作って貧溶媒中
に滴下しても溶液の粘度が高いために良溶媒が貧溶媒中
に分散しきらず、ペースト状になったり、マイクロカプ
セル状になって、カプセルの内部に良溶媒と不純物を溜
め込んでしまうと云う傾向がある。
で、少量の良溶媒で高分子物質の溶液を作って貧溶媒中
に滴下しても溶液の粘度が高いために良溶媒が貧溶媒中
に分散しきらず、ペースト状になったり、マイクロカプ
セル状になって、カプセルの内部に良溶媒と不純物を溜
め込んでしまうと云う傾向がある。
【００１１】この問題は良溶媒の量を増せば解決できる
が、良溶媒の量を増せばそれに比例して貧溶媒も大量に
必要となる。こゝで、良溶媒の必要量については、高分
子物質の種類にも依存し一概には言えないものゝ、極性
の強い高分子は溶媒と強く結びついて分散しにくゝなる
ために大量の溶媒が必要になる傾向が見られる。
が、良溶媒の量を増せばそれに比例して貧溶媒も大量に
必要となる。こゝで、良溶媒の必要量については、高分
子物質の種類にも依存し一概には言えないものゝ、極性
の強い高分子は溶媒と強く結びついて分散しにくゝなる
ために大量の溶媒が必要になる傾向が見られる。
【００１２】このように、高分子物質の再沈法には大量
の溶媒の使用が必要で不経済であり、改善が必要であっ
た。
の溶媒の使用が必要で不経済であり、改善が必要であっ
た。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の課題はレジストを
構成するそれぞれの材料を凍結乾燥法を用いて粉末状態
とした後、この粉末をこの高分子物質の貧溶媒で洗浄し
て物質中に含まれる不純物を除去した後、乾燥する方法
をとることにより解決することができる。
構成するそれぞれの材料を凍結乾燥法を用いて粉末状態
とした後、この粉末をこの高分子物質の貧溶媒で洗浄し
て物質中に含まれる不純物を除去した後、乾燥する方法
をとることにより解決することができる。
【００１４】
【作用】本発明はレジストを構成する高分子物質を凍結
乾燥法により粉末とし、この粉末を貧溶媒で洗浄して貧
溶媒に可溶な不純物を除去するものである。
乾燥法により粉末とし、この粉末を貧溶媒で洗浄して貧
溶媒に可溶な不純物を除去するものである。
【００１５】すなわち、凍結乾燥法により得られる粉末
は完全な粉末状態となっているので、貧溶媒が高分子物
質の隅々まで行き渡ることができ、そのため洗浄効果が
高く、精製効率が優れている。
は完全な粉末状態となっているので、貧溶媒が高分子物
質の隅々まで行き渡ることができ、そのため洗浄効果が
高く、精製効率が優れている。
【００１６】こゝで、レジストを構成する基材樹脂，感
光剤，増感剤，架橋剤，溶解抑止剤，界面活性剤につい
て本発明の適用が可能な高分子物質を挙げると次のよう
になる。 基材樹脂： クレゾールノボラック，フェノールノボラ
ック，ポリスチレン，ポリクロロメチルスチレン，ポリ
ヒドロキシスチレン，ポリターシャルブトキシカルボニ
ルオキシスチレン，ポリテトラヒドロピラニルオキシス
チレン，ポリメタクリレート，ポリターシャルブチルメ
タクリレート，直鎖型シロキサン，梯子型シロキサン，
直鎖型シルフェニレンシロキサン，梯子型シルフェニレ
ンシロキサン，ミクロゲル型シルフェニレンシロキサン
など、 感光剤： ジアゾレジン，環化ポリイソプレンなど、 増感剤： キノン構造を含むポリマー，ポリビニルフェ
ロセンなど、 架橋剤： アセチル化ポリスチレン，エポキシ化フェノ
ールノボラックなど、 溶解抑止剤： ポリターシャルブチルメタクリレート，
ポリターシャルブトキシカルボニルオキシスチレンな
ど、 界面活性剤： ポリビニルベンゼンスルホン酸ナトリウ
ム，ポリオキシエチレンアルキルエーテル，ポリオキシ
エチレンアルキルフェノールなど、 本発明の実施手順を説明すると次のようになる。 精製する高分子物質を先ず凍結乾燥用の溶媒に溶解
する。こゝで、無極性樹脂に対してはベンゼン、極性樹
脂に対しては1,4-ジオキサン、また、水溶性の樹脂に対
しては水を使用するのが一般的である。 濾過により凍結乾燥用の溶媒に不溶な不純物を除去
する。 凍結乾燥を行なう。 凍結乾燥により得られた粉末状の高分子物質が入っ
ているフラスコに貧溶媒を注ぎ、よく振って貧溶媒に可
溶な不純物を溶解させる。 濾過して不純物が溶解している貧溶媒を除く、 必要に応じて〜の工程を繰り返す。 濾過して得た高分子物質を乾燥させる。
光剤，増感剤，架橋剤，溶解抑止剤，界面活性剤につい
て本発明の適用が可能な高分子物質を挙げると次のよう
になる。 基材樹脂： クレゾールノボラック，フェノールノボラ
ック，ポリスチレン，ポリクロロメチルスチレン，ポリ
ヒドロキシスチレン，ポリターシャルブトキシカルボニ
ルオキシスチレン，ポリテトラヒドロピラニルオキシス
チレン，ポリメタクリレート，ポリターシャルブチルメ
タクリレート，直鎖型シロキサン，梯子型シロキサン，
直鎖型シルフェニレンシロキサン，梯子型シルフェニレ
ンシロキサン，ミクロゲル型シルフェニレンシロキサン
など、 感光剤： ジアゾレジン，環化ポリイソプレンなど、 増感剤： キノン構造を含むポリマー，ポリビニルフェ
ロセンなど、 架橋剤： アセチル化ポリスチレン，エポキシ化フェノ
ールノボラックなど、 溶解抑止剤： ポリターシャルブチルメタクリレート，
ポリターシャルブトキシカルボニルオキシスチレンな
ど、 界面活性剤： ポリビニルベンゼンスルホン酸ナトリウ
ム，ポリオキシエチレンアルキルエーテル，ポリオキシ
エチレンアルキルフェノールなど、 本発明の実施手順を説明すると次のようになる。 精製する高分子物質を先ず凍結乾燥用の溶媒に溶解
する。こゝで、無極性樹脂に対してはベンゼン、極性樹
脂に対しては1,4-ジオキサン、また、水溶性の樹脂に対
しては水を使用するのが一般的である。 濾過により凍結乾燥用の溶媒に不溶な不純物を除去
する。 凍結乾燥を行なう。 凍結乾燥により得られた粉末状の高分子物質が入っ
ているフラスコに貧溶媒を注ぎ、よく振って貧溶媒に可
溶な不純物を溶解させる。 濾過して不純物が溶解している貧溶媒を除く、 必要に応じて〜の工程を繰り返す。 濾過して得た高分子物質を乾燥させる。
【００１７】こゝで、貧溶媒は精製せんとする高分子物
質を溶解しない溶媒であり、高分子物質の溶解度につい
ては明確な定義があるわけではないが、溶媒１リットル
に対して０〜0.1 ｇ程度、更に０〜0.01ｇの範囲である
ことが望ましい。また、本発明に係るレジストにおいて
はイオン性不純物の除去が重要なので、イオン性物質を
溶解する極性溶媒、具体的にはメタノール，エタノー
ル，イソプロピルアルコールなどのアルコール類や水が
適しており、一方、アセトン，テトラヒドロフランなど
は多くの樹脂を溶解するため適当ではない。
質を溶解しない溶媒であり、高分子物質の溶解度につい
ては明確な定義があるわけではないが、溶媒１リットル
に対して０〜0.1 ｇ程度、更に０〜0.01ｇの範囲である
ことが望ましい。また、本発明に係るレジストにおいて
はイオン性不純物の除去が重要なので、イオン性物質を
溶解する極性溶媒、具体的にはメタノール，エタノー
ル，イソプロピルアルコールなどのアルコール類や水が
適しており、一方、アセトン，テトラヒドロフランなど
は多くの樹脂を溶解するため適当ではない。
【００１８】
実施例１：市販のフェノールノボラック（重量平均分子
量2000, 住友ベークライト製）の１ｇを1,4-ジオキサン
200 ccに溶解して濾過し、濾液を容量が500 ccのナス型
フラスコに入れて凍結乾燥を行なった。
量2000, 住友ベークライト製）の１ｇを1,4-ジオキサン
200 ccに溶解して濾過し、濾液を容量が500 ccのナス型
フラスコに入れて凍結乾燥を行なった。
【００１９】次に、フラスコに入れたフェノールノボラ
ックに300 ccの純水を注ぎ、蓋をして５分間激しく振り
混ぜ、ガラスフィルタで吸引濾過し、真空デシケータで
一晩乾燥して水分を除去した。
ックに300 ccの純水を注ぎ、蓋をして５分間激しく振り
混ぜ、ガラスフィルタで吸引濾過し、真空デシケータで
一晩乾燥して水分を除去した。
【００２０】一方、比較として、同じフェノールノボラ
ック１ｇを200 ccのメタノールに溶解し、濾過して不純
物を取り除いた後、濾液を１リットルの純水中に攪拌し
ながら徐々に滴下して沈澱させ、沈澱物をガラスフィル
タで吸引濾過し、真空デシケータで一晩乾燥して水分を
除去した。
ック１ｇを200 ccのメタノールに溶解し、濾過して不純
物を取り除いた後、濾液を１リットルの純水中に攪拌し
ながら徐々に滴下して沈澱させ、沈澱物をガラスフィル
タで吸引濾過し、真空デシケータで一晩乾燥して水分を
除去した。
【００２１】そして、本発明の精製法と従来の再沈法を
行なった試料と精製前の試料について原子吸光分析を行
なって不純物含有量を測定した。表１はこの結果であ
り、本発明に係る精製法が非常に有効であることが判
る。 実施例２：クロロメチルスチレンをラジカル重合して得
られたポリクロロメチルスチレン（重量平均分子量400
0) の１ｇをベンゼン200 ccに溶解して濾過し、濾液を
容量が500 ccのナス型フラスコに入れて凍結乾燥を行な
った。
行なった試料と精製前の試料について原子吸光分析を行
なって不純物含有量を測定した。表１はこの結果であ
り、本発明に係る精製法が非常に有効であることが判
る。 実施例２：クロロメチルスチレンをラジカル重合して得
られたポリクロロメチルスチレン（重量平均分子量400
0) の１ｇをベンゼン200 ccに溶解して濾過し、濾液を
容量が500 ccのナス型フラスコに入れて凍結乾燥を行な
った。
【００２２】次に、フラスコに入れたポリクロロメチル
スチレンに300 ccのエタノールを注ぎ、蓋をして５分間
激しく振り混ぜ、ガラスフィルタで吸引濾過し、真空デ
シケータで一晩乾燥した。
スチレンに300 ccのエタノールを注ぎ、蓋をして５分間
激しく振り混ぜ、ガラスフィルタで吸引濾過し、真空デ
シケータで一晩乾燥した。
【００２３】一方、比較として、同じポリクロロメチル
スチレン１ｇを200 ccのトルエンに溶解し、濾過して不
純物を取り除いた後、濾液を１リットルのヘキサン中に
攪拌しながら徐々に滴下して沈澱させ、沈澱物をガラス
フィルタで吸引濾過し、真空デシケータで一晩乾燥し
た。
スチレン１ｇを200 ccのトルエンに溶解し、濾過して不
純物を取り除いた後、濾液を１リットルのヘキサン中に
攪拌しながら徐々に滴下して沈澱させ、沈澱物をガラス
フィルタで吸引濾過し、真空デシケータで一晩乾燥し
た。
【００２４】そして、本発明の精製法と従来の再沈法を
行なった試料と精製前の試料について原子吸光分析を行
なって不純物含有量を測定した。表２はこの結果であっ
て、本発明に係る精製法が非常に有効であり、無極性高
分子にも適用できることが判る。 実施例３：梯子型シロキサンであるポリメチルシリルシ
ロキサン（略称ＰＭＳＳ，重量平均分子量50000,日本ゼ
オン製) の１ｇをベンゼン200 ccに溶解して濾過し、濾
液を容量が500 ccのナス型フラスコに入れて凍結乾燥を
行なった。
行なった試料と精製前の試料について原子吸光分析を行
なって不純物含有量を測定した。表２はこの結果であっ
て、本発明に係る精製法が非常に有効であり、無極性高
分子にも適用できることが判る。 実施例３：梯子型シロキサンであるポリメチルシリルシ
ロキサン（略称ＰＭＳＳ，重量平均分子量50000,日本ゼ
オン製) の１ｇをベンゼン200 ccに溶解して濾過し、濾
液を容量が500 ccのナス型フラスコに入れて凍結乾燥を
行なった。
【００２５】次に、フラスコに入れたＰＭＳＳに300 cc
のメタノールを注ぎ、蓋をして５分間激しく振り混ぜ、
ガラスフィルタで吸引濾過し、真空デシケータで一晩乾
燥した。
のメタノールを注ぎ、蓋をして５分間激しく振り混ぜ、
ガラスフィルタで吸引濾過し、真空デシケータで一晩乾
燥した。
【００２６】一方、比較として、同じＰＭＳＳ１ｇを20
0 ccのトルエンに溶解し、濾過して不純物を取り除いた
後、濾液を１リットルのヘキサン中に攪拌しながら徐々
に滴下して沈澱させ、沈澱物をガラスフィルタで吸引濾
過し、真空デシケータで一晩乾燥した。
0 ccのトルエンに溶解し、濾過して不純物を取り除いた
後、濾液を１リットルのヘキサン中に攪拌しながら徐々
に滴下して沈澱させ、沈澱物をガラスフィルタで吸引濾
過し、真空デシケータで一晩乾燥した。
【００２７】そして、本発明の精製法と従来の再沈法を
行なった試料と精製前の試料について原子吸光分析を行
なって不純物含有量を測定した。表３はこの結果であっ
て、本発明に係る精製法が非常に有効であり、シリコー
ン系の樹脂にも適用できることが判る。
行なった試料と精製前の試料について原子吸光分析を行
なって不純物含有量を測定した。表３はこの結果であっ
て、本発明に係る精製法が非常に有効であり、シリコー
ン系の樹脂にも適用できることが判る。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】
【表３】
【００３１】
【発明の効果】本発明の実施によりレジストを構成する
材料を多量の溶媒を使用することなく精製することがで
き、このレジストの使用により半導体集積回路の品質を
向上することができる。なお、この材料精製法はレジス
ト用に限らず広く応用が可能である。
材料を多量の溶媒を使用することなく精製することがで
き、このレジストの使用により半導体集積回路の品質を
向上することができる。なお、この材料精製法はレジス
ト用に限らず広く応用が可能である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 五十嵐 美和 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 倉光 庸子 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 野崎 耕司 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 レジストを構成するそれぞれの材料を粉
末状態とした後、該材料の貧溶媒で洗浄して該材料中に
含まれる不純物を除去した後、乾燥することを特徴とす
るレジスト構成材料の精製方法。 - 【請求項２】 前記材料がレジストを構成する基材樹
脂，感光剤，増感剤，架橋剤，溶解抑止剤および界面活
性剤であることを特徴とする請求項１記載のレジスト構
成材料の精製方法。 - 【請求項３】 前記粉末状態が凍結乾燥法によることを
特徴とする請求項１記載のレジスト構成材料の精製方
法。 - 【請求項４】 前記貧溶媒がアルコールまたは水である
ことを特徴とする請求項１記載のレジスト構成材料の精
製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6033974A JPH07243761A (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | レジスト構成材料の精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6033974A JPH07243761A (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | レジスト構成材料の精製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07243761A true JPH07243761A (ja) | 1995-09-19 |
Family
ID=12401468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6033974A Withdrawn JPH07243761A (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | レジスト構成材料の精製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07243761A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002097219A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-02 | Sumitomo Chem Co Ltd | 金属含量の低減されたポリ（メタ）アクリレート類の製造方法 |
-
1994
- 1994-03-04 JP JP6033974A patent/JPH07243761A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002097219A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-02 | Sumitomo Chem Co Ltd | 金属含量の低減されたポリ（メタ）アクリレート類の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7662897B2 (en) | Process for producing photoresist polymeric compounds | |
| JPH0737486B2 (ja) | 半導体基板塗布材料用ポリマ−の精製方法 | |
| JPS5852638A (ja) | 放射線感応性組成物 | |
| JP3052449B2 (ja) | レジストの金属低減化方法 | |
| JPH07243761A (ja) | レジスト構成材料の精製方法 | |
| US5637436A (en) | Method for removing photoresist composition from substrate surfaces | |
| KR20200108784A (ko) | 도전성 고분자 조성물, 피복품, 및 패턴 형성 방법 | |
| JPH07120935A (ja) | 感放射線性組成物用アルカリ性現像液 | |
| CN1184534C (zh) | 正型光致抗蚀剂层及其制备方法 | |
| JPS636026A (ja) | ノボラツク樹脂の精製方法 | |
| JP2867509B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| KR20090017129A (ko) | 포토레지스트 린스용 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트패턴 형성방법 | |
| CN1615461A (zh) | 一种用于正性或负性光刻胶的清洗剂组合物 | |
| US20020090574A1 (en) | Polymers and use thereof | |
| JPS5845693B2 (ja) | ゾウケイセイホウホウ | |
| JP4606392B2 (ja) | フォトレジスト用高分子化合物の製造法 | |
| JPS58116532A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH0332782B2 (ja) | ||
| JPS5857731B2 (ja) | プラズマエッチング用レジスト組成物 | |
| JPS592038A (ja) | ネガ型レジスト組成物 | |
| JPS6113734B2 (ja) | ||
| JPH0150894B2 (ja) | ||
| JP2542800B2 (ja) | 半導体デバイス用レジストパタ―ンの製造方法 | |
| JPH0756341A (ja) | ポジ型電子線レジスト | |
| JPH05249684A (ja) | ポジ型電子線レジスト組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010508 |