JPH07245362A - マルチチップ型半導体装置 - Google Patents
マルチチップ型半導体装置Info
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- JPH07245362A JPH07245362A JP6035861A JP3586194A JPH07245362A JP H07245362 A JPH07245362 A JP H07245362A JP 6035861 A JP6035861 A JP 6035861A JP 3586194 A JP3586194 A JP 3586194A JP H07245362 A JPH07245362 A JP H07245362A
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- semiconductor chips
- heat
- semiconductor
- chip
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/877—Bump connectors and die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 全ての半導体チップの高さを揃えることな
く、高さの異なるチップを一括して、直ちに１つの放熱
フィンに確実に接着させて、放熱効果を良好にすること
を目的とする。 【構成】 基板２上に複数の半導体チップ１ａ、１ｂを
搭載し、該半導体チップの熱を放熱部材４を介して放熱
する構造を有するマルチチップ型半導体において、高さ
の異なる前記複数の半導体チップ１ａ、１ｂと、これら
の複数の半導体チップに対して共通の放熱部材４との間
に、半導体チップの高さのばらつきを吸収する金属スポ
ンジ体５を介在させてロー材６により半導体チップ１
ａ、１ｂと放熱部材４との間を接続したことを特徴とす
るマルチチップ型半導体装置である。
く、高さの異なるチップを一括して、直ちに１つの放熱
フィンに確実に接着させて、放熱効果を良好にすること
を目的とする。 【構成】 基板２上に複数の半導体チップ１ａ、１ｂを
搭載し、該半導体チップの熱を放熱部材４を介して放熱
する構造を有するマルチチップ型半導体において、高さ
の異なる前記複数の半導体チップ１ａ、１ｂと、これら
の複数の半導体チップに対して共通の放熱部材４との間
に、半導体チップの高さのばらつきを吸収する金属スポ
ンジ体５を介在させてロー材６により半導体チップ１
ａ、１ｂと放熱部材４との間を接続したことを特徴とす
るマルチチップ型半導体装置である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、更に
詳しくは、基板上に搭載した高さの異なる複数の半導体
チップに共通の冷却用のフィンを取り付けることのでき
るマルチチップ型半導体装置に関する。近年コンピュー
タシステムの高速化に伴い、集積回路（ＩＣ）パッケー
ジ内に１つの半導体チップのみ搭載するシングルチップ
型のパッケージ構造のものから、複数の半導体チップを
搭載できるマルチチップモジュール構造の半導体装置へ
移行しつつある。このため、各種のマルチチップモジュ
ールの構造が模索され、開発されているが、複数の半導
体チップを直接１つの放熱フィンに密着させて放熱させ
ようとする場合、複数の半導体チップについて段差、即
ち高さの差を無くすることが必要である。
詳しくは、基板上に搭載した高さの異なる複数の半導体
チップに共通の冷却用のフィンを取り付けることのでき
るマルチチップ型半導体装置に関する。近年コンピュー
タシステムの高速化に伴い、集積回路（ＩＣ）パッケー
ジ内に１つの半導体チップのみ搭載するシングルチップ
型のパッケージ構造のものから、複数の半導体チップを
搭載できるマルチチップモジュール構造の半導体装置へ
移行しつつある。このため、各種のマルチチップモジュ
ールの構造が模索され、開発されているが、複数の半導
体チップを直接１つの放熱フィンに密着させて放熱させ
ようとする場合、複数の半導体チップについて段差、即
ち高さの差を無くすることが必要である。
【０００２】
【従来の技術】従来のマルチチップ型の半導体装置にお
いては、複数の半導体チップを、１つの放熱フィンに直
接密着させて放熱を行うには、パッケージがハーメチッ
クタイプである場合は、半導体チップと放熱フィンとの
間でロー材を溶融させて熱伝導を図り、またパッケージ
がノン・ハーメチックタイプである場合は、半導体チッ
プと放熱フィンとの間に熱伝導性の良好なシートを挟
み、低熱抵抗化を図っていた。しかしながら、実際にマ
ルチチップ型の半導体パッケージを製造する場合は、全
てのチップの高さを揃えるのは困難で、事実上チップの
高さはばらばらなままである。
いては、複数の半導体チップを、１つの放熱フィンに直
接密着させて放熱を行うには、パッケージがハーメチッ
クタイプである場合は、半導体チップと放熱フィンとの
間でロー材を溶融させて熱伝導を図り、またパッケージ
がノン・ハーメチックタイプである場合は、半導体チッ
プと放熱フィンとの間に熱伝導性の良好なシートを挟
み、低熱抵抗化を図っていた。しかしながら、実際にマ
ルチチップ型の半導体パッケージを製造する場合は、全
てのチップの高さを揃えるのは困難で、事実上チップの
高さはばらばらなままである。
【０００３】図３は従来のハーメチッタタイプのマルチ
チップ型半導体装置の概略図である。高さの異なる複数
の半導体チップ１０ａ、１０ｂをセラミック基板等の基
板１１上に搭載し、基板１１の上面周囲に設けたシール
リング１２を使用すると共に、半導体チップ１０上にロ
ー材１３を載せ、その上から放熱フィン１４を被せて、
加熱・圧縮することにより気密式（ハーメチックタイ
プ）のパッケージとする。この場合において、シールリ
ング１２と放熱フィン１４との間はロー材又は接着材１
５で気密に接着され、各半導体チップ１０と放熱フィン
１４との間は、加熱時に溶融されたロー材１３を介して
直接熱的に接続される。このような構造により、半導体
チップ１０は放熱フィン１４によって放熱できる構造と
なる。
チップ型半導体装置の概略図である。高さの異なる複数
の半導体チップ１０ａ、１０ｂをセラミック基板等の基
板１１上に搭載し、基板１１の上面周囲に設けたシール
リング１２を使用すると共に、半導体チップ１０上にロ
ー材１３を載せ、その上から放熱フィン１４を被せて、
加熱・圧縮することにより気密式（ハーメチックタイ
プ）のパッケージとする。この場合において、シールリ
ング１２と放熱フィン１４との間はロー材又は接着材１
５で気密に接着され、各半導体チップ１０と放熱フィン
１４との間は、加熱時に溶融されたロー材１３を介して
直接熱的に接続される。このような構造により、半導体
チップ１０は放熱フィン１４によって放熱できる構造と
なる。
【０００４】しかしながら、複数の半導体チップ１０
ａ、１０ｂはそれぞれ高さが異なっているので、チップ
と放熱フィン１４との隙間がチップごとに異なり、例え
ば、図３に示すように、高さの高い半導体チップ１０ａ
の場合は、ロー材１３が広がり、広い面積で放熱フィン
１４に接触するが、高さの低い半導体チップ１０ｂの場
合は、ロー材１３が狭まり、非常に小さな面積でもって
放熱フィン１４に接触したり、或いは放熱フィン１４に
接触しなかったりする場合があり、良好な放熱特性が得
られない。
ａ、１０ｂはそれぞれ高さが異なっているので、チップ
と放熱フィン１４との隙間がチップごとに異なり、例え
ば、図３に示すように、高さの高い半導体チップ１０ａ
の場合は、ロー材１３が広がり、広い面積で放熱フィン
１４に接触するが、高さの低い半導体チップ１０ｂの場
合は、ロー材１３が狭まり、非常に小さな面積でもって
放熱フィン１４に接触したり、或いは放熱フィン１４に
接触しなかったりする場合があり、良好な放熱特性が得
られない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のように半導体チ
ップの高さがばらばらな場合は、最も背の高いチップは
放熱フィンとの間の隙間が埋まるが、それより高さの低
いチップはフィンとの間で隙間の空いた状態となり、そ
の隙間の部分だけ著しく熱抵抗が上昇するという問題を
生じていた。
ップの高さがばらばらな場合は、最も背の高いチップは
放熱フィンとの間の隙間が埋まるが、それより高さの低
いチップはフィンとの間で隙間の空いた状態となり、そ
の隙間の部分だけ著しく熱抵抗が上昇するという問題を
生じていた。
【０００６】従って、本発明は全ての半導体チップの高
さを揃えることなく、高さの異なるチップを一括して、
直ちに１つの放熱部材に確実に接着させて、放熱効果を
良好にしたマルチチップ型の半導体装置を提供すること
を目的とする。
さを揃えることなく、高さの異なるチップを一括して、
直ちに１つの放熱部材に確実に接着させて、放熱効果を
良好にしたマルチチップ型の半導体装置を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を達成するた
めに、請求項１又は２によれば、図１に示すように、基
板２上に複数の半導体チップ１ａ、１ｂを搭載し、該半
導体チップの熱を放熱部材４を介して放熱する構造を有
するマルチチップ型半導体装置において、高さの異なる
前記複数の半導体チップ１ａ、１ｂと、これらの複数の
半導体チップに対して共通の放熱部材４との間に、半導
体チップの高さのばらつきを吸収する弾性体（又は金属
スポンジ体）５を介在させてロー材６により半導体チッ
プ１ａ、１ｂと放熱部材４との間を接続したことを特徴
とするマルチチップ型半導体装置が提供される。
めに、請求項１又は２によれば、図１に示すように、基
板２上に複数の半導体チップ１ａ、１ｂを搭載し、該半
導体チップの熱を放熱部材４を介して放熱する構造を有
するマルチチップ型半導体装置において、高さの異なる
前記複数の半導体チップ１ａ、１ｂと、これらの複数の
半導体チップに対して共通の放熱部材４との間に、半導
体チップの高さのばらつきを吸収する弾性体（又は金属
スポンジ体）５を介在させてロー材６により半導体チッ
プ１ａ、１ｂと放熱部材４との間を接続したことを特徴
とするマルチチップ型半導体装置が提供される。
【０００８】請求項３によれば、図に示すように、基板
２上に複数の半導体チップ１ａ、１ｂを搭載し、該半導
体チップの熱を放熱部材４を介して放熱する構造を有す
るマルチチップ型半導体装置において、高さの異なる前
記複数の半導体チップ１ａ、１ｂと、これらの複数の半
導体チップに対して共通の放熱部材４との間に、半導体
チップの高さのばらつきを吸収する袋状のヒートパイプ
９を介在させて半導体チップ１ａ、１ｂと放熱部材４と
の間を接続したことを特徴とするマルチチップ型半導体
装置が提供される。
２上に複数の半導体チップ１ａ、１ｂを搭載し、該半導
体チップの熱を放熱部材４を介して放熱する構造を有す
るマルチチップ型半導体装置において、高さの異なる前
記複数の半導体チップ１ａ、１ｂと、これらの複数の半
導体チップに対して共通の放熱部材４との間に、半導体
チップの高さのばらつきを吸収する袋状のヒートパイプ
９を介在させて半導体チップ１ａ、１ｂと放熱部材４と
の間を接続したことを特徴とするマルチチップ型半導体
装置が提供される。
【０００９】
【作用】請求項１によれば、金属スポンジ体５が主とし
てクッションとしての作用をして半導体チップ１ａ、１
ｂの高さの差による段差を吸収し、一方ロー材６は主と
して熱を伝達する作用をし、半導体チップ１ａ、１ｂの
熱は放熱部材４により効率良く伝達される。
てクッションとしての作用をして半導体チップ１ａ、１
ｂの高さの差による段差を吸収し、一方ロー材６は主と
して熱を伝達する作用をし、半導体チップ１ａ、１ｂの
熱は放熱部材４により効率良く伝達される。
【００１０】請求項２によれば、袋状のヒートパイプ９
によって半導体チップ１ａ、１ｂの高さの差による段差
を吸収するとともに、複数の半導体チップ１ａ、１ｂの
熱を放熱部材４に効率良く伝達させる。
によって半導体チップ１ａ、１ｂの高さの差による段差
を吸収するとともに、複数の半導体チップ１ａ、１ｂの
熱を放熱部材４に効率良く伝達させる。
【００１１】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例に
ついて詳細に説明する。図１は本発明のマルチチップ型
半導体装置であって、ハーメチックタイプのパッケージ
の原理を示す断面図である。高さの異なる複数の半導体
チップ１ａ、１ｂをセラミック基板等の基板２上に搭載
する。基板２の上面周囲に設けたシールリング３を配置
する。その上の放熱部材であるフィン４を被せて、気密
式ハーメチックタイプ）のパッケージとするのである
が、本実施例では、半導体チップ１ａ、１ｂと放熱フィ
ン４との間に熱伝導の良好な弾性体、例えば金属スポン
ジ材５を挟み込む形態とし、半導体チップ１ａ、１ｂと
放熱フィン４とを熱伝導可能に接続する。金属スポンジ
材５としては、例えば銅（Ｃｕ）−金（Ａｕ）の３次元
網状体のスポンジ材を使用することができる。
ついて詳細に説明する。図１は本発明のマルチチップ型
半導体装置であって、ハーメチックタイプのパッケージ
の原理を示す断面図である。高さの異なる複数の半導体
チップ１ａ、１ｂをセラミック基板等の基板２上に搭載
する。基板２の上面周囲に設けたシールリング３を配置
する。その上の放熱部材であるフィン４を被せて、気密
式ハーメチックタイプ）のパッケージとするのである
が、本実施例では、半導体チップ１ａ、１ｂと放熱フィ
ン４との間に熱伝導の良好な弾性体、例えば金属スポン
ジ材５を挟み込む形態とし、半導体チップ１ａ、１ｂと
放熱フィン４とを熱伝導可能に接続する。金属スポンジ
材５としては、例えば銅（Ｃｕ）−金（Ａｕ）の３次元
網状体のスポンジ材を使用することができる。
【００１２】また、本実施例では、放熱フィン４を被せ
る前に、金属スポンジ材５の上面、即ち半導体チップ１
ａ、１ｂの接触する側の面、及びシールリング３の上面
に、それぞれロー材６、７を配置し、これらのロー材
６、７により半導体装置の内部の気密性を保つ構造とす
る。本実施例では、放熱フィン４を被せて半導体装置を
気密封止する際、シールリング３上のロー材７が溶融す
る程度の温度を加える。金属スポンジ材５に使用するロ
ー材６として、このロー材７と同じ材質、もしくは、そ
れより低融点のロー材を用いることにより、ロー材７が
溶融する頃に、ロー材６も溶融させる。また、半導体チ
ップ１ａ、１ｂと放熱フィン４との間には、放熱フィン
４の重力も加わっているので、スポンジ材５が圧縮され
る。そこに溶融したロー材６が毛細管現象で吸い込ま
れ、半導体チップ１ａ、１ｂと放熱フィン４との間が熱
伝導可能に接続される。この場合において、半導体チッ
プ１ａ、１ｂの高さが異なっていても、その段差がスポ
ンジ材５によって吸収されるので、各半導体チップ１
ａ、１ｂはほぼ一様に放熱フィン４に接触されることと
なる。
る前に、金属スポンジ材５の上面、即ち半導体チップ１
ａ、１ｂの接触する側の面、及びシールリング３の上面
に、それぞれロー材６、７を配置し、これらのロー材
６、７により半導体装置の内部の気密性を保つ構造とす
る。本実施例では、放熱フィン４を被せて半導体装置を
気密封止する際、シールリング３上のロー材７が溶融す
る程度の温度を加える。金属スポンジ材５に使用するロ
ー材６として、このロー材７と同じ材質、もしくは、そ
れより低融点のロー材を用いることにより、ロー材７が
溶融する頃に、ロー材６も溶融させる。また、半導体チ
ップ１ａ、１ｂと放熱フィン４との間には、放熱フィン
４の重力も加わっているので、スポンジ材５が圧縮され
る。そこに溶融したロー材６が毛細管現象で吸い込ま
れ、半導体チップ１ａ、１ｂと放熱フィン４との間が熱
伝導可能に接続される。この場合において、半導体チッ
プ１ａ、１ｂの高さが異なっていても、その段差がスポ
ンジ材５によって吸収されるので、各半導体チップ１
ａ、１ｂはほぼ一様に放熱フィン４に接触されることと
なる。
【００１３】半導体チップ１ａ、１ｂが発熱した際は、
スポンジ材５及びロー材６に熱が伝わり、放熱フィン４
へ熱が伝導されることにより、低熱抵抗を実現すること
ができる。図２は本発明の他の実施例に係るマルチチッ
プ型半導体装置であって、ノン・ハーメチックタイプの
パッケージの原理を示す断面図である。高さの異なる複
数の半導体チップ１ａ、１ｂをセラミック基板等の基板
２上に搭載し、これらの半導体チップ１ａ、１ｂを封止
樹脂８により固定する。基板２の上面に放熱フィン４を
被せる形態であるが、この実施例の場合、半導体チップ
１ａ、１ｂと放熱フィン４との間に袋状のヒートポンプ
９を挟み込む形態とする。したがって、本実施例では、
この袋状ヒートポンプ９を介して、半導体チップ１ａ、
１ｂと放熱フィン４とを接続する。また、封止樹脂８で
半導体チップ１ａ、１ｂを封止してチップの気密性な保
つ構造とする。
スポンジ材５及びロー材６に熱が伝わり、放熱フィン４
へ熱が伝導されることにより、低熱抵抗を実現すること
ができる。図２は本発明の他の実施例に係るマルチチッ
プ型半導体装置であって、ノン・ハーメチックタイプの
パッケージの原理を示す断面図である。高さの異なる複
数の半導体チップ１ａ、１ｂをセラミック基板等の基板
２上に搭載し、これらの半導体チップ１ａ、１ｂを封止
樹脂８により固定する。基板２の上面に放熱フィン４を
被せる形態であるが、この実施例の場合、半導体チップ
１ａ、１ｂと放熱フィン４との間に袋状のヒートポンプ
９を挟み込む形態とする。したがって、本実施例では、
この袋状ヒートポンプ９を介して、半導体チップ１ａ、
１ｂと放熱フィン４とを接続する。また、封止樹脂８で
半導体チップ１ａ、１ｂを封止してチップの気密性な保
つ構造とする。
【００１４】この実施例では、封止樹脂８で半導体チッ
プ１ａ、１ｂの気密性を保った後、複数の高さの違う半
導体チップ１ａ、１ｂと放熱フィン４の間に、袋状のヒ
ートポンプ９を挟み込んだ後、チップ１ａ、１ｂと放熱
フィン４との間に一定の圧力を加える。それにより、複
数の高さの異なるチップ１ａ、１ｂと放熱フィン４との
間が一括して接着され、すべてのチップ１ａ、１ｂにお
いて、発熱した際、袋状のヒートポンプ９に熱が伝わ
り、放熱フィン４へ熱を伝導してゆき、低熱抵抗が実現
する。
プ１ａ、１ｂの気密性を保った後、複数の高さの違う半
導体チップ１ａ、１ｂと放熱フィン４の間に、袋状のヒ
ートポンプ９を挟み込んだ後、チップ１ａ、１ｂと放熱
フィン４との間に一定の圧力を加える。それにより、複
数の高さの異なるチップ１ａ、１ｂと放熱フィン４との
間が一括して接着され、すべてのチップ１ａ、１ｂにお
いて、発熱した際、袋状のヒートポンプ９に熱が伝わ
り、放熱フィン４へ熱を伝導してゆき、低熱抵抗が実現
する。
【００１５】袋状のヒートポンプ９自体は、内部に不活
性の液体を多層フィルムに封じ込めた平たい袋状のもの
であって、内部の液体を自然対流によって一方の面（即
ち、半導体チップ１ａ、１ｂに接触する面）から他方の
面（即ち、放熱フィン４に接触する面）に伝えることが
できる。この種の袋状のヒートポンプは、例えば、住友
スリーエム社から発売されており、既に公知のものであ
る。
性の液体を多層フィルムに封じ込めた平たい袋状のもの
であって、内部の液体を自然対流によって一方の面（即
ち、半導体チップ１ａ、１ｂに接触する面）から他方の
面（即ち、放熱フィン４に接触する面）に伝えることが
できる。この種の袋状のヒートポンプは、例えば、住友
スリーエム社から発売されており、既に公知のものであ
る。
【００１６】次に具体例について説明する。図１の構造
と類似したマルチチップモジュールを作製した。作製条
件、及び結果は次の通りであった。 チップの個数 ： ４個（各チップの大きさ：１１ｍｍ
□） チップの段差 ： 最大 ３００μｍ フィンのサイズ： ３５ｍｍ□ ロウ材 ： Ｓｎ／Ｐｂ＝６／４ 封止温度 ： ３５５℃ 実験の結果は、チップの表面が８０％以上濡れているも
のを良品とすると、サンプル数ｎ（＝２０）に対して良
品＝２０／２０の割合であり、チップとフィンとの間の
接着が良好であり、満足すべき熱伝導性が得られること
がわかった。以上、本発明の添付図面を参照して実施例
について詳細に説明したが、本発明は上記の実施例に限
定されるものではなく、本発明の精神ないし範囲内にお
いて種々の形態、変形、修正等が可能であることに留意
すべきである。
と類似したマルチチップモジュールを作製した。作製条
件、及び結果は次の通りであった。 チップの個数 ： ４個（各チップの大きさ：１１ｍｍ
□） チップの段差 ： 最大 ３００μｍ フィンのサイズ： ３５ｍｍ□ ロウ材 ： Ｓｎ／Ｐｂ＝６／４ 封止温度 ： ３５５℃ 実験の結果は、チップの表面が８０％以上濡れているも
のを良品とすると、サンプル数ｎ（＝２０）に対して良
品＝２０／２０の割合であり、チップとフィンとの間の
接着が良好であり、満足すべき熱伝導性が得られること
がわかった。以上、本発明の添付図面を参照して実施例
について詳細に説明したが、本発明は上記の実施例に限
定されるものではなく、本発明の精神ないし範囲内にお
いて種々の形態、変形、修正等が可能であることに留意
すべきである。
【００１７】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、従来、複数の高さの異なる半導体チップを１個のフ
ィンに同時に接続するのが困難とされていたものを、本
発明の請求項１では、金属スポンジ体を使用してその高
さの違いを吸収できる構造とし、また請求項２では、袋
状のヒートポンプを用い、その要求を満足できる構造と
した。これにより、マルチチップモジュールなどを設計
する際に、半導体チップのレイアウトや熱設計が容易と
なり、放熱フィンにいたっては、半導体チップのレイア
ウトに左右されずに標準化が行えるという効果をもたら
す。
ば、従来、複数の高さの異なる半導体チップを１個のフ
ィンに同時に接続するのが困難とされていたものを、本
発明の請求項１では、金属スポンジ体を使用してその高
さの違いを吸収できる構造とし、また請求項２では、袋
状のヒートポンプを用い、その要求を満足できる構造と
した。これにより、マルチチップモジュールなどを設計
する際に、半導体チップのレイアウトや熱設計が容易と
なり、放熱フィンにいたっては、半導体チップのレイア
ウトに左右されずに標準化が行えるという効果をもたら
す。
【図１】本発明の実施例に係るマルチチップ型の半導体
装置であって、ハーメチックタイプのパッケージの概略
断面図である。
装置であって、ハーメチックタイプのパッケージの概略
断面図である。
【図２】本発明の実施例に係るマルチチップ型の半導体
装置であって、ノン・ハーメチックタイプのパッケージ
の概略断面図である。
装置であって、ノン・ハーメチックタイプのパッケージ
の概略断面図である。
【図３】従来のマルチチップ型半導体装置の概略断面図
である。
である。
１ａ、１ｂ…半導体チップ ２…基板 ３…シールリング ４…放熱フィン ５…金属スポンジ材 ６、７…ロー材 ８…封止樹脂 ９…袋状ヒートポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山西 学雄 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 村竹 清 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 基板（２）上に複数の半導体チップ（１
ａ、１ｂ）を搭載し、該半導体チップの熱を放熱部材
（４）を介して放熱する構造を有するマルチチップ型半
導体装置において、高さの異なる前記複数の半導体チッ
プ（１ａ、１ｂ）と、これらの複数の半導体チップに対
して共通の放熱部材（４）との間に、半導体チップの高
さのばらつきを吸収する弾性体（５）を介在させてロー
材（６）により半導体チップ（１ａ、１ｂ）と放熱部材
（４）との間を接続したことを特徴とするマルチチップ
型半導体装置。 - 【請求項２】 弾性体（５）は金属スポンジ体であるこ
とを特徴とする請求項１に記載のマルチチップ型半導体
装置。 - 【請求項３】 基板（２）上に複数の半導体チップ（１
ａ、１ｂ）を搭載し、該半導体チップの熱を放熱部材
（４）を介して放熱する構造を有するマルチチップ型半
導体装置において、高さの異なる前記複数の半導体チッ
プ（１ａ、１ｂ）と、これらの複数の半導体チップに対
して共通の放熱部材（４）との間に、半導体チップの高
さのばらつきを吸収する袋状のヒートパイプ（９）を介
在させて半導体チップ（１ａ、１ｂ）と放熱部材（４）
との間を接続したことを特徴とするマルチチップ型半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6035861A JPH07245362A (ja) | 1994-03-07 | 1994-03-07 | マルチチップ型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6035861A JPH07245362A (ja) | 1994-03-07 | 1994-03-07 | マルチチップ型半導体装置 |
Publications (1)
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| JPH07245362A true JPH07245362A (ja) | 1995-09-19 |
Family
ID=12453774
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP6035861A Withdrawn JPH07245362A (ja) | 1994-03-07 | 1994-03-07 | マルチチップ型半導体装置 |
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| JP (1) | JPH07245362A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1994
- 1994-03-07 JP JP6035861A patent/JPH07245362A/ja not_active Withdrawn
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