JPH07249681A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH07249681A JPH07249681A JP6039640A JP3964094A JPH07249681A JP H07249681 A JPH07249681 A JP H07249681A JP 6039640 A JP6039640 A JP 6039640A JP 3964094 A JP3964094 A JP 3964094A JP H07249681 A JPH07249681 A JP H07249681A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の製造方法、特に、拡散防止やマ
イグレーション防止のために窒化チタン膜を介して形成
される配線の形成方法に関し、窒化チタン膜の表面に酸
化チタンが形成されないようにして、配線とシリコン層
または配線相互間のコンタクト抵抗を低くする方法を提
供することを目的とする。 【構成】 シリコン層１または第１層配線６上に絶縁膜
２を形成し、絶縁膜２にコンタクトホール３を形成し、
コンタクトホール３内を含む絶縁膜２上に窒化チタン膜
４を形成し、窒化チタン膜４の表面に存在する未反応チ
タンと未反応チタンの表面に自然酸化により形成された
酸化チタンとを選択的に除去し、窒化チタン膜４上に金
属膜５・８を形成し、金属膜５・８と窒化チタン膜４と
をパターニングして配線を形成するように構成する。
イグレーション防止のために窒化チタン膜を介して形成
される配線の形成方法に関し、窒化チタン膜の表面に酸
化チタンが形成されないようにして、配線とシリコン層
または配線相互間のコンタクト抵抗を低くする方法を提
供することを目的とする。 【構成】 シリコン層１または第１層配線６上に絶縁膜
２を形成し、絶縁膜２にコンタクトホール３を形成し、
コンタクトホール３内を含む絶縁膜２上に窒化チタン膜
４を形成し、窒化チタン膜４の表面に存在する未反応チ
タンと未反応チタンの表面に自然酸化により形成された
酸化チタンとを選択的に除去し、窒化チタン膜４上に金
属膜５・８を形成し、金属膜５・８と窒化チタン膜４と
をパターニングして配線を形成するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方
法、特に、拡散防止やマイグレーション防止のために窒
化チタン膜を介して形成される配線の形成方法に関す
る。
法、特に、拡散防止やマイグレーション防止のために窒
化チタン膜を介して形成される配線の形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図１（ａ）に示すように、シリコン層１
上に絶縁膜２を形成し、これをパターニングしてコンタ
クトホール３を形成し、次いで、このコンタクトホール
３内を埋めて絶縁膜２上にアルミニウムまたはアルミニ
ウム合金の配線５を形成する場合に、シリコンがアルミ
ニウム中に拡散してスパイクが発生したり、シリコン中
のＰＮ接合を破壊するのを防止するため、アルミニウム
またはアルミニウム合金配線５とシリコン層１との間に
窒化チタン膜４を拡散バリアとして介在させている。
上に絶縁膜２を形成し、これをパターニングしてコンタ
クトホール３を形成し、次いで、このコンタクトホール
３内を埋めて絶縁膜２上にアルミニウムまたはアルミニ
ウム合金の配線５を形成する場合に、シリコンがアルミ
ニウム中に拡散してスパイクが発生したり、シリコン中
のＰＮ接合を破壊するのを防止するため、アルミニウム
またはアルミニウム合金配線５とシリコン層１との間に
窒化チタン膜４を拡散バリアとして介在させている。
【０００３】また、図１（ｂ）に示すように、第１層配
線６上にスルーホール７を介して第１層配線６にコンタ
クトする第２層配線８を形成する場合、配線材料のアル
ミニウムまたはアルミニウム合金等のマイグレーション
を防止するため、配線の上面と下面とに高融点金属膜
（例えば窒化チタン膜）４・９を形成している。
線６上にスルーホール７を介して第１層配線６にコンタ
クトする第２層配線８を形成する場合、配線材料のアル
ミニウムまたはアルミニウム合金等のマイグレーション
を防止するため、配線の上面と下面とに高融点金属膜
（例えば窒化チタン膜）４・９を形成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】窒化チタンは、高密度
半導体装置の製造プロセスにおいて極めて重要な材料で
あるにも拘らず、その表面に形成される酸化物について
はこれまで関心が持たれていなかった。
半導体装置の製造プロセスにおいて極めて重要な材料で
あるにも拘らず、その表面に形成される酸化物について
はこれまで関心が持たれていなかった。
【０００５】高密度半導体装置に使用される窒化チタン
は、多くの場合、不活性ガスと窒素との混合ガスのプラ
ズマによってチタンターゲットをスパッタリングして形
成される。この他、窒化チタンターゲットを不活性ガス
中でスパッタリングして形成する方法や四塩化チタン
（ＴｉＣｌ4 ）とアンモニヤとの混合ガスや有機チタン
ガスを原料として化学気相成長（ＣＶＤ）法を使用して
形成する方法がある。
は、多くの場合、不活性ガスと窒素との混合ガスのプラ
ズマによってチタンターゲットをスパッタリングして形
成される。この他、窒化チタンターゲットを不活性ガス
中でスパッタリングして形成する方法や四塩化チタン
（ＴｉＣｌ4 ）とアンモニヤとの混合ガスや有機チタン
ガスを原料として化学気相成長（ＣＶＤ）法を使用して
形成する方法がある。
【０００６】基板表面に形成された窒化チタン膜には、
一部未反応のチタンが含まれることが多く、大気に曝し
た時にこの未反応のチタンが酸化する。金属の酸化物
は、特殊な場合を除いて概ね絶縁物であり、酸化チタン
についてもその例外ではない。
一部未反応のチタンが含まれることが多く、大気に曝し
た時にこの未反応のチタンが酸化する。金属の酸化物
は、特殊な場合を除いて概ね絶縁物であり、酸化チタン
についてもその例外ではない。
【０００７】窒化チタン膜は、図１に示すように、配線
のコンタクト領域に使用されることが多く、酸化チタン
の存在によってコンタクト抵抗が高くなることは好まし
くない。
のコンタクト領域に使用されることが多く、酸化チタン
の存在によってコンタクト抵抗が高くなることは好まし
くない。
【０００８】本発明の目的は、この欠点を解消すること
にあり、窒化チタン膜の表面に酸化チタンが形成されな
いようにして、配線とシリコン層または配線相互間のコ
ンタクト抵抗を低くする方法を提供することにある。
にあり、窒化チタン膜の表面に酸化チタンが形成されな
いようにして、配線とシリコン層または配線相互間のコ
ンタクト抵抗を低くする方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、下記いず
れの手段によっても達成される。
れの手段によっても達成される。
【００１０】第１の手段は、シリコン層（１）上に絶縁
膜（２）を形成し、この絶縁膜（２）にコンタクトホー
ル（３）を形成し、このコンタクトホール（３）内を含
む前記の絶縁膜（２）上に窒化チタン膜（４）を形成
し、この窒化チタン膜（４）の表面に存在する未反応チ
タンとこの未反応チタンの表面に自然酸化により形成さ
れた酸化チタンとを選択的に除去し、前記の窒化チタン
膜（４）上に金属膜（５）を形成し、この金属膜（５）
と前記の窒化チタン膜（４）とをパターニングして配線
を形成する工程を有する半導体装置の製造方法である。
膜（２）を形成し、この絶縁膜（２）にコンタクトホー
ル（３）を形成し、このコンタクトホール（３）内を含
む前記の絶縁膜（２）上に窒化チタン膜（４）を形成
し、この窒化チタン膜（４）の表面に存在する未反応チ
タンとこの未反応チタンの表面に自然酸化により形成さ
れた酸化チタンとを選択的に除去し、前記の窒化チタン
膜（４）上に金属膜（５）を形成し、この金属膜（５）
と前記の窒化チタン膜（４）とをパターニングして配線
を形成する工程を有する半導体装置の製造方法である。
【００１１】第２の手段は、第１層配線（６）上に絶縁
膜（２）を形成し、この絶縁膜（２）にスルーホール
（７）を形成し、このスルーホール（７）内を含む前記
の絶縁膜（２）上に窒化チタン膜（４）を形成し、この
窒化チタン膜（４）の表面に存在する未反応チタンとこ
の未反応チタンの表面に自然酸化により形成された酸化
チタンとを選択的に除去し、前記の窒化チタン膜（４）
上に金属膜（８）を形成し、この金属膜（８）と前記の
窒化チタン膜（４）とをパターニングして第２層配線
（８）を形成する工程を有する半導体装置の製造方法で
ある。
膜（２）を形成し、この絶縁膜（２）にスルーホール
（７）を形成し、このスルーホール（７）内を含む前記
の絶縁膜（２）上に窒化チタン膜（４）を形成し、この
窒化チタン膜（４）の表面に存在する未反応チタンとこ
の未反応チタンの表面に自然酸化により形成された酸化
チタンとを選択的に除去し、前記の窒化チタン膜（４）
上に金属膜（８）を形成し、この金属膜（８）と前記の
窒化チタン膜（４）とをパターニングして第２層配線
（８）を形成する工程を有する半導体装置の製造方法で
ある。
【００１２】なお、前記の窒化チタン膜（４）の表面に
存在する未反応チタンとこの未反応チタンの表面に自然
酸化により形成された酸化チタンとを選択的に除去する
方法は、前記の窒化チタン膜（４）を常温または昇温し
た濃硫酸に接触させるか、または、フッ化水素の水溶液
に接触させるか、または、塩化水素の水溶液に接触させ
るか、または、ハロゲン化水素ガス雰囲気に接触させる
か、または、１５０℃を越える温度のフッ素ガスを含む
雰囲気に接触させるか、または、３００℃を越える温度
の塩素ガスを含む雰囲気に接触させるか、または、ハロ
ゲンを含むガスのプラズマ雰囲気に接触させるとよい。
存在する未反応チタンとこの未反応チタンの表面に自然
酸化により形成された酸化チタンとを選択的に除去する
方法は、前記の窒化チタン膜（４）を常温または昇温し
た濃硫酸に接触させるか、または、フッ化水素の水溶液
に接触させるか、または、塩化水素の水溶液に接触させ
るか、または、ハロゲン化水素ガス雰囲気に接触させる
か、または、１５０℃を越える温度のフッ素ガスを含む
雰囲気に接触させるか、または、３００℃を越える温度
の塩素ガスを含む雰囲気に接触させるか、または、ハロ
ゲンを含むガスのプラズマ雰囲気に接触させるとよい。
【００１３】なお、前記のハロゲンを含むガスのプラズ
マ雰囲気は、高周波またはマイクロ波を使用して発生し
た電場の中にハロゲンを含むガスを導入して発生する
か、または、電磁波をハロゲンを含むガスに照射して発
生するとよい。
マ雰囲気は、高周波またはマイクロ波を使用して発生し
た電場の中にハロゲンを含むガスを導入して発生する
か、または、電磁波をハロゲンを含むガスに照射して発
生するとよい。
【００１４】
【作用】窒化チタン膜の表面には未反応のチタンが存在
しているので、大気に曝すとその未反応チタンの表面は
酸化される。そこで、窒化チタンとは反応せず、チタン
と酸化チタンとを溶解する薬液またはガスに窒化チタン
膜を接触させて窒化チタン膜の表面に存在する未反応の
チタンとその表面に形成されている酸化チタンとを除去
して安定な窒化チタンのみを残存させるようにすれば、
大気に曝しても表面に酸化チタンが形成されることが防
止され、コンタクト抵抗の増大を防ぐことができる。
しているので、大気に曝すとその未反応チタンの表面は
酸化される。そこで、窒化チタンとは反応せず、チタン
と酸化チタンとを溶解する薬液またはガスに窒化チタン
膜を接触させて窒化チタン膜の表面に存在する未反応の
チタンとその表面に形成されている酸化チタンとを除去
して安定な窒化チタンのみを残存させるようにすれば、
大気に曝しても表面に酸化チタンが形成されることが防
止され、コンタクト抵抗の増大を防ぐことができる。
【００１５】なお、図６に示すように、上下面が窒化チ
タン膜９で覆われた第１層配線６上に絶縁膜２を形成
し、開口を有するレジストマスク１０を介して四フッ化
炭素と三フッ化メタンとの混合ガスのプラズマを照射し
て絶縁膜２にスルーホール７を形成するような場合に
は、スルーホール７に露出する窒化チタン膜９の表面は
レジスト剥離時に酸素プラズマにより強制的に酸化され
るので、このようなチタン酸化物を除去することはこれ
までもなされている。しかし、図１（ｂ）に示すよう
に、スルーホール７内を含む絶縁膜２上に窒化チタン膜
４を形成し、その上に第２層配線８を形成する場合のよ
うに、強制的に酸化されていない窒化チタン膜４の表面
に存在する未反応チタンとその未反応チタンの表面に自
然酸化により形成されている酸化チタンとを除去する発
想はこれまでにはなかった。
タン膜９で覆われた第１層配線６上に絶縁膜２を形成
し、開口を有するレジストマスク１０を介して四フッ化
炭素と三フッ化メタンとの混合ガスのプラズマを照射し
て絶縁膜２にスルーホール７を形成するような場合に
は、スルーホール７に露出する窒化チタン膜９の表面は
レジスト剥離時に酸素プラズマにより強制的に酸化され
るので、このようなチタン酸化物を除去することはこれ
までもなされている。しかし、図１（ｂ）に示すよう
に、スルーホール７内を含む絶縁膜２上に窒化チタン膜
４を形成し、その上に第２層配線８を形成する場合のよ
うに、強制的に酸化されていない窒化チタン膜４の表面
に存在する未反応チタンとその未反応チタンの表面に自
然酸化により形成されている酸化チタンとを除去する発
想はこれまでにはなかった。
【００１６】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の一実施例に
係る配線の形成方法について説明する。
係る配線の形成方法について説明する。
【００１７】図１（ａ）参照 シリコン基板１上にＣＶＤ法を使用して二酸化シリコン
絶縁膜２を形成し、これをパターニングしてコンタクト
ホール３を形成する。コンタクトホール３内を含む二酸
化シリコン絶縁膜２上に、アルゴンと窒素との混合ガス
のプラズマによってチタンターゲットをスパッタリング
して窒化チタン膜４を１０００Å厚程度に形成する。
絶縁膜２を形成し、これをパターニングしてコンタクト
ホール３を形成する。コンタクトホール３内を含む二酸
化シリコン絶縁膜２上に、アルゴンと窒素との混合ガス
のプラズマによってチタンターゲットをスパッタリング
して窒化チタン膜４を１０００Å厚程度に形成する。
【００１８】図２・図３参照 この状態の窒化チタン膜４の表面をＸ線光電子分光装置
（ＸＰＳ）を使用して分析した結果、図２に示すよう
に、多くの酸素が検出された。図２の分析スペクトルの
うち、結合エネルギーが４５０〜４７０ｅＶの範囲のス
ペクトルを高分解能スペクトル分析により拡大した結果
を図３に示す。このグラフは窒化チタン膜の表面におい
てチタンの酸化物が支配的となっていることを示してい
る。
（ＸＰＳ）を使用して分析した結果、図２に示すよう
に、多くの酸素が検出された。図２の分析スペクトルの
うち、結合エネルギーが４５０〜４７０ｅＶの範囲のス
ペクトルを高分解能スペクトル分析により拡大した結果
を図３に示す。このグラフは窒化チタン膜の表面におい
てチタンの酸化物が支配的となっていることを示してい
る。
【００１９】図４・図５参照 次に、窒化チタン膜４の形成されたシリコン基板１を２
％濃度のフッ化水素水溶液に１分間浸漬した後、１０分
間純水洗浄する。この状態の窒化チタン膜４の表面をＸ
ＰＳにより分析した結果を図４に示し、結合エネルギー
が４５０〜４７０ｅＶの範囲を高分解能スペクトル分析
した結果を図５に示す。これらのグラフは、窒化チタン
膜４の表面においてチタン酸化物よりもチタン窒化物の
方が支配的になったことを示しており、窒化チタン膜４
の表面からチタン酸化物や大気中で酸化されやすい未反
応チタンが大部分除去されたことを示している。
％濃度のフッ化水素水溶液に１分間浸漬した後、１０分
間純水洗浄する。この状態の窒化チタン膜４の表面をＸ
ＰＳにより分析した結果を図４に示し、結合エネルギー
が４５０〜４７０ｅＶの範囲を高分解能スペクトル分析
した結果を図５に示す。これらのグラフは、窒化チタン
膜４の表面においてチタン酸化物よりもチタン窒化物の
方が支配的になったことを示しており、窒化チタン膜４
の表面からチタン酸化物や大気中で酸化されやすい未反
応チタンが大部分除去されたことを示している。
【００２０】図１（ａ）再参照 スパッタ法を使用してコンタクトホール３内を埋めて窒
化チタン膜４上にアルミニウム膜またはアルミニウム合
金膜５を形成し、これと窒化チタン膜４とを所望の形状
にパターニングして配線を形成する。なお、アルミニウ
ム合金としては、アルミニウムにシリコン、またはアル
ミニウムに銅、チタン、または、銅を混入したものが一
般に使用されている。また、アルミニウム配線に代わる
物として、タングステン、モリブデン、タングステンシ
リサイド、チタンシリサイド等の金属配線を使用する場
合も同様である。
化チタン膜４上にアルミニウム膜またはアルミニウム合
金膜５を形成し、これと窒化チタン膜４とを所望の形状
にパターニングして配線を形成する。なお、アルミニウ
ム合金としては、アルミニウムにシリコン、またはアル
ミニウムに銅、チタン、または、銅を混入したものが一
般に使用されている。また、アルミニウム配線に代わる
物として、タングステン、モリブデン、タングステンシ
リサイド、チタンシリサイド等の金属配線を使用する場
合も同様である。
【００２１】図１（ｂ）参照 なお、図１（ｂ）に示すように、スルーホール７を介し
て第１層配線６にコンタクトする第２層配線８を形成す
る場合に、配線のマイグレーションを防止するために配
線の上面と下面とに窒化チタン膜４・９を形成すること
があるが、この場合にも前記と同様の方法によって窒化
チタン膜４・９の表面に存在する未反応のチタンとその
表面に形成されている酸化チタンとを除去することによ
って、配線６・８相互間のコンタクトを良好にすること
ができる。
て第１層配線６にコンタクトする第２層配線８を形成す
る場合に、配線のマイグレーションを防止するために配
線の上面と下面とに窒化チタン膜４・９を形成すること
があるが、この場合にも前記と同様の方法によって窒化
チタン膜４・９の表面に存在する未反応のチタンとその
表面に形成されている酸化チタンとを除去することによ
って、配線６・８相互間のコンタクトを良好にすること
ができる。
【００２２】また、未反応チタンとその表面に形成され
た酸化チタンとを除去する方法としては、前記のフッ酸
水溶液に浸漬する方法の他に、常温または昇温した濃硫
酸、塩化水素の水溶液、またはアルカリを含む薬液に浸
漬する方法やハロゲン化水素ガス雰囲気、１５０℃以上
のフッ素ガスを含む雰囲気、３００℃以上の塩素ガスを
含む雰囲気、ハロゲンを含むガスのプラズマ雰囲気、ま
たはアルカリを含むガスに曝す方法があり、いずれも同
様の効果が得られている。
た酸化チタンとを除去する方法としては、前記のフッ酸
水溶液に浸漬する方法の他に、常温または昇温した濃硫
酸、塩化水素の水溶液、またはアルカリを含む薬液に浸
漬する方法やハロゲン化水素ガス雰囲気、１５０℃以上
のフッ素ガスを含む雰囲気、３００℃以上の塩素ガスを
含む雰囲気、ハロゲンを含むガスのプラズマ雰囲気、ま
たはアルカリを含むガスに曝す方法があり、いずれも同
様の効果が得られている。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る半導
体装置の製造方法においては、シリコン層上に配線層を
形成する際の拡散防止や配線のマイグレーション防止の
ために形成する窒化チタン膜の表面から未反応チタンと
未反応チタンの表面に形成されている酸化チタンとを除
去しているので、大気に曝しても窒化チタン膜の表面に
は殆ど酸化チタンが形成されなくなって配線のコンタク
ト抵抗が低減され、良好な特性の半導体装置が形成され
る。
体装置の製造方法においては、シリコン層上に配線層を
形成する際の拡散防止や配線のマイグレーション防止の
ために形成する窒化チタン膜の表面から未反応チタンと
未反応チタンの表面に形成されている酸化チタンとを除
去しているので、大気に曝しても窒化チタン膜の表面に
は殆ど酸化チタンが形成されなくなって配線のコンタク
ト抵抗が低減され、良好な特性の半導体装置が形成され
る。
【図１】半導体装置に形成される配線の形成工程説明図
であり、（ａ）はシリコン層とコンタクトし、（ｂ）は
下層配線とコンタクトする場合である。
であり、（ａ）はシリコン層とコンタクトし、（ｂ）は
下層配線とコンタクトする場合である。
【図２】未反応チタンと酸化チタンとを除去する前の窒
化チタン膜のＸＰＳ分析結果である。
化チタン膜のＸＰＳ分析結果である。
【図３】図２の結合エネルギーが４５０〜４７０ｅＶの
範囲の高分解能スペクトル分析結果である。
範囲の高分解能スペクトル分析結果である。
【図４】未反応チタンと酸化チタンとを除去した後の窒
化チタン膜のＸＰＳ分析結果である。
化チタン膜のＸＰＳ分析結果である。
【図５】図４の結合エネルギーが４５０〜４７０ｅＶの
範囲の高分解能スペクトル分析結果である。
範囲の高分解能スペクトル分析結果である。
【図６】窒化チタン膜が強制的に酸化される例の説明図
である。
である。
１ シリコン層 ２ 絶縁膜 ３ コンタクトホール ４ 窒化チタン膜 ５ 金属層（配線） ６ 第１層配線 ７ スルーホール ８ 金属層（第２層配線） ９ 窒化チタン膜 １０ レジストマスク
Claims (11)
- 【請求項１】 シリコン層（１）上に絶縁膜（２）を形
成し、 該絶縁膜（２）にコンタクトホール（３）を形成し、 該コンタクトホール（３）内を含む前記絶縁膜（２）上
に窒化チタン膜（４）を形成し、 該窒化チタン膜（４）の表面に存在する未反応チタンと
該未反応チタンの表面に自然酸化により形成された酸化
チタンとを選択的に除去し、 前記窒化チタン膜（４）上に金属膜（５）を形成し、 該金属膜（５）と前記窒化チタン膜（４）とをパターニ
ングして配線を形成する工程を有することを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 第１層配線（６）上に絶縁膜（２）を形
成し、 該絶縁膜（２）にスルーホール（７）を形成し、 該スルーホール（７）内を含む前記絶縁膜（２）上に窒
化チタン膜（４）を形成し、 該窒化チタン膜（４）の表面に存在する未反応チタンと
該未反応チタンの表面に自然酸化により形成された酸化
チタンとを選択的に除去し、 前記窒化チタン膜（４）上に金属膜（８）を形成し、 該金属膜（８）と前記窒化チタン膜（４）とをパターニ
ングして第２層配線（８）を形成する工程を有すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記窒化チタン膜（４）の表面に存在す
る未反応チタンと該未反応チタンの表面に自然酸化によ
り形成された酸化チタンとを選択的に除去する方法は、
常温または昇温した濃硫酸に前記窒化チタン膜（４）を
接触させることを特徴とする請求項１または２記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記窒化チタン膜（４）の表面に存在す
る未反応チタンと該未反応チタンの表面に自然酸化によ
り形成された酸化チタンとを選択的に除去する方法は、
フッ化水素の水溶液に前記窒化チタン膜（４）を接触さ
せることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装
置の製造方法。 - 【請求項５】 前記窒化チタン膜（４）の表面に存在す
る未反応チタンと該未反応チタンの表面に自然酸化によ
り形成された酸化チタンとを選択的に除去する方法は、
塩化水素の水溶液に前記窒化チタン膜（４）を接触させ
ることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項６】 前記窒化チタン膜（４）の表面に存在す
る未反応チタンと該未反応チタンの表面に自然酸化によ
り形成された酸化チタンとを選択的に除去する方法は、
ハロゲン化水素ガス雰囲気に前記窒化チタン膜（４）を
接触させることを特徴とする請求項１または２記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記窒化チタン膜（４）の表面に存在す
る未反応チタンと該未反応チタンの表面に自然酸化によ
り形成された酸化チタンとを選択的に除去する方法は、
１５０℃を越える温度のフッ素ガスを含む雰囲気に前記
窒化チタン膜（４）を接触させることを特徴とする請求
項１または２記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記窒化チタン膜（４）の表面に存在す
る未反応チタンと該未反応チタンの表面に自然酸化によ
り形成された酸化チタンとを選択的に除去する方法は、
３００℃を越える温度の塩素ガスを含む雰囲気に前記窒
化チタン膜（４）を接触させることを特徴とする請求項
１または２記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記窒化チタン膜（４）の表面に存在す
る未反応チタンと該未反応チタンの表面に自然酸化によ
り形成された酸化チタンとを選択的に除去する方法は、
ハロゲンを含むガスのプラズマ雰囲気に前記窒化チタン
膜（４）を接触させることを特徴とする請求項１または
２記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記ハロゲンを含むガスのプラズマ雰
囲気は、高周波またはマイクロ波を使用して発生した電
場の中にハロゲンを含むガスを導入して発生することを
特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記ハロゲンを含むガスのプラズマ雰
囲気は、電磁波をハロゲンを含むガスに照射して発生す
ることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6039640A JPH07249681A (ja) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6039640A JPH07249681A (ja) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07249681A true JPH07249681A (ja) | 1995-09-26 |
Family
ID=12558697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6039640A Withdrawn JPH07249681A (ja) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07249681A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010066601A (ko) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 황인길 | 반도체 소자의 배선 제조 방법 |
| CN110998791A (zh) * | 2017-07-13 | 2020-04-10 | 应用材料公司 | 沉积半导体膜的方法 |
| WO2025263352A1 (ja) * | 2024-06-19 | 2025-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | チタン酸化膜を除去する方法及び基板処理装置 |
-
1994
- 1994-03-10 JP JP6039640A patent/JPH07249681A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010066601A (ko) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 황인길 | 반도체 소자의 배선 제조 방법 |
| CN110998791A (zh) * | 2017-07-13 | 2020-04-10 | 应用材料公司 | 沉积半导体膜的方法 |
| CN110998791B (zh) * | 2017-07-13 | 2023-10-24 | 应用材料公司 | 沉积半导体膜的方法 |
| WO2025263352A1 (ja) * | 2024-06-19 | 2025-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | チタン酸化膜を除去する方法及び基板処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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