JPH01204449A - Ｖｌｓｉ用銅配線方法 - Google Patents
Ｖｌｓｉ用銅配線方法Info
- Publication number
- JPH01204449A JPH01204449A JP2754388A JP2754388A JPH01204449A JP H01204449 A JPH01204449 A JP H01204449A JP 2754388 A JP2754388 A JP 2754388A JP 2754388 A JP2754388 A JP 2754388A JP H01204449 A JPH01204449 A JP H01204449A
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- JP
- Japan
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- wiring
- layer
- copper
- film
- transition metal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＶＬＳ Ｉ用配線の形成法に係り、特に、微細
な配線パターンに大きな電流を通じる素子をもつＶＬＳ
Ｉ用Ｃｕ配線の形成法に関する。
な配線パターンに大きな電流を通じる素子をもつＶＬＳ
Ｉ用Ｃｕ配線の形成法に関する。
従来の半導体プロセスにおいて、異方性トライエツチン
グ等により段差側壁部にのみ選択的に堆積物を残す技術
はＬＳ！ハンドブックＰ、４００（１９８４，電子通信
学会）に記載のＬ Ｄ Ｄ （ｌｉｇｈｔｌｙｄｏｐｅ
ｄ ｄｒａｉｎ）構造形成の際の５ｉＯｚスペーサ形成
等に見られる。しかし、これはデバイス形成のための絶
縁物のパターニング技術であり、この技術を導体に用い
た例はない。
グ等により段差側壁部にのみ選択的に堆積物を残す技術
はＬＳ！ハンドブックＰ、４００（１９８４，電子通信
学会）に記載のＬ Ｄ Ｄ （ｌｉｇｈｔｌｙｄｏｐｅ
ｄ ｄｒａｉｎ）構造形成の際の５ｉＯｚスペーサ形成
等に見られる。しかし、これはデバイス形成のための絶
縁物のパターニング技術であり、この技術を導体に用い
た例はない。
Ｗ（ＣＯ）ｅを用いＷ膜をＣＶＤ法により形成する技術
は、ジャーナル オブ エレクトロケミカル ソサイエ
テイ Ｖｏｌ、１１７ＰＰ、６９３−７００ （１９７
０）、（ｊ、Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ Ｓｏｃ、 １１
７ 。
は、ジャーナル オブ エレクトロケミカル ソサイエ
テイ Ｖｏｌ、１１７ＰＰ、６９３−７００ （１９７
０）、（ｊ、Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ Ｓｏｃ、 １１
７ 。
６９３−７００ （１９７０））、及び、ジャーナル
オブ バキューム サイエンステクノロジーＶｏｌ。
オブ バキューム サイエンステクノロジーＶｏｌ。
２０ 、 ｐ ｐ 、 １３３６−１３４０（１９８２
） （Ｊ、Ｖａｃ、Ｓｃｉ、Ｔｅ−ｃｈｎｏｌ、 ２０
、１３３６−１３４０（１９８２））において論じら
れている。
） （Ｊ、Ｖａｃ、Ｓｃｉ、Ｔｅ−ｃｈｎｏｌ、 ２０
、１３３６−１３４０（１９８２））において論じら
れている。
しかし、これらの技術を配線形成に用いた例はなく、微
細配線の側壁部について従来特別な考慮はされていない
。特に、従来ＣＯの還元効果に注目した佳ＩＵ士ない。
細配線の側壁部について従来特別な考慮はされていない
。特に、従来ＣＯの還元効果に注目した佳ＩＵ士ない。
〔発明が解決しようとする課題〕
配線幅が１μｍ以上ある従来のＶＬＳＩ配線では十分な
幅があるので側壁の保護には特に考慮がされていなかっ
た。特に、配線材料が従来のＡＱの場合には表面酸化皮
膜が強く、側面保護の必要性は小さかった。しかし、Ｖ
ＬＳ Ｉの配線抵抗の低減のためにＡＱより比抵抗の小
さなＣｕ、あるいは、Ｃｕ合金を配線に用いる微細パタ
ーンでは、Ｃｕがち密な酸化皮膜を形成できないため側
面の保護が新たに必要となる。特に、配線幅が０．５μ
ｍ以下と微細化が進むと配線側壁からの腐食による配線
のほそり、あるいは、断線と酸化皮膜を通じたＣｕ配線
の酸化の進行が大きな問題となる。
幅があるので側壁の保護には特に考慮がされていなかっ
た。特に、配線材料が従来のＡＱの場合には表面酸化皮
膜が強く、側面保護の必要性は小さかった。しかし、Ｖ
ＬＳ Ｉの配線抵抗の低減のためにＡＱより比抵抗の小
さなＣｕ、あるいは、Ｃｕ合金を配線に用いる微細パタ
ーンでは、Ｃｕがち密な酸化皮膜を形成できないため側
面の保護が新たに必要となる。特に、配線幅が０．５μ
ｍ以下と微細化が進むと配線側壁からの腐食による配線
のほそり、あるいは、断線と酸化皮膜を通じたＣｕ配線
の酸化の進行が大きな問題となる。
また、微細配線でも配線抵抗を下げるために、配線の厚
さはできるだけ大きくする必要があり、配線のアスペク
ト比は１を超えるまでになる。アスペクト比が１以上と
いうことは配線の側壁の面積が上、下部の面積をうわま
わることを意味しており、この点からもＣｕ配線の保護
のためには上下部の保護だけでは不足であり側壁の保護
が不可欠である。
さはできるだけ大きくする必要があり、配線のアスペク
ト比は１を超えるまでになる。アスペクト比が１以上と
いうことは配線の側壁の面積が上、下部の面積をうわま
わることを意味しており、この点からもＣｕ配線の保護
のためには上下部の保護だけでは不足であり側壁の保護
が不可欠である。
本発明の目的は、０．５μｍ以下の微細なＣｕ配線にお
いて、新たに問題となる配線側壁の保護の必要性に対し
、配線の上・下部の保護と同時に、側壁も保護する配線
構造、および、その形成法を提供することにある。
いて、新たに問題となる配線側壁の保護の必要性に対し
、配線の上・下部の保護と同時に、側壁も保護する配線
構造、および、その形成法を提供することにある。
上記目的はＣｕ配線の周囲が全て導電性の膜でおおわれ
た構造とすることにより達成される。この構造の実現は
バリヤメタル層、Ｃｕ配線層、上部配化防止メタル層を
形成後、ホトレジストに配線パターンを形成し、ドライ
エツチング、もしくは、イオンミリングにより配線を形
成し、ＣＶＤ法により全面に遷移金属、もしくは、その
化合物層を形成し、その後、異方性ドライエツチング、
もしくは、イオンミリングにより配線側壁にのみ選択的
にこの層を残し、その後、ホトレジストを除去し、配線
を形成することにより達成される。
た構造とすることにより達成される。この構造の実現は
バリヤメタル層、Ｃｕ配線層、上部配化防止メタル層を
形成後、ホトレジストに配線パターンを形成し、ドライ
エツチング、もしくは、イオンミリングにより配線を形
成し、ＣＶＤ法により全面に遷移金属、もしくは、その
化合物層を形成し、その後、異方性ドライエツチング、
もしくは、イオンミリングにより配線側壁にのみ選択的
にこの層を残し、その後、ホトレジストを除去し、配線
を形成することにより達成される。
この際、遷移金属もしくはその化合物層のＣＶＤ中に一
酸化炭素（ＣＯ）、あるいは、水素（Ｈ２）が存在する
と、Ｃｕ表面の酸化銅が還元され、この酸化銅が原因と
なる配線の腐食や、遷移金属層のはがれを防止すること
ができる。
酸化炭素（ＣＯ）、あるいは、水素（Ｈ２）が存在する
と、Ｃｕ表面の酸化銅が還元され、この酸化銅が原因と
なる配線の腐食や、遷移金属層のはがれを防止すること
ができる。
また、この遷移金属にＣｕと固溶せず、また、金属間化
合物も形成しない金属を用いると、配線表面にはＣｕ原
子が拡散してくることがなく、Ｃｕを完全に側壁保護層
でおおいかくずごとができ、その耐酸化性を一層向上さ
せることができる。
合物も形成しない金属を用いると、配線表面にはＣｕ原
子が拡散してくることがなく、Ｃｕを完全に側壁保護層
でおおいかくずごとができ、その耐酸化性を一層向上さ
せることができる。
Ｃｕ配線の側壁に形成序れた遷移金属、あるいは、その
化合物の保護層と上部保護層によりＣｕは直接周囲の雰
囲気と触れることがない。そのため、Ｃｕの腐食および
酸化は完全に防ぐことができる。特に、側壁保護層を形
成した場合にはレジスト除去工程以前に側壁保護層がで
きるので、レジスト除去に０２プラズマアツシヤ等のＣ
ｕを酸化する可能性のある工程を用いることができる。
化合物の保護層と上部保護層によりＣｕは直接周囲の雰
囲気と触れることがない。そのため、Ｃｕの腐食および
酸化は完全に防ぐことができる。特に、側壁保護層を形
成した場合にはレジスト除去工程以前に側壁保護層がで
きるので、レジスト除去に０２プラズマアツシヤ等のＣ
ｕを酸化する可能性のある工程を用いることができる。
また、Ｃｕ配線の周囲の遷移金属層もＣｕに比べ耐酸化
性の高い金属、あるいは、化合物が選択されるので、配
線自体の耐酸化性は従来のＣｕ配線に比べて非常に高い
。
性の高い金属、あるいは、化合物が選択されるので、配
線自体の耐酸化性は従来のＣｕ配線に比べて非常に高い
。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。３は
Ｃｕ配線であり、コンタク１−孔を通じてＳｉ素子２と
接触している。このＣｕ配線３は、ＴｉＮより成るバリ
ヤメタル層１０と上部酸化防止層４、および、Ｗより成
る側壁保護層５により囲まれ、Ｓｉ素子、および、周囲
の雰囲気と直接触れることはない。図中１はＳｉ基板、
６はＳｉＯ２゜第２図は、本発明の一実施例を、プロセ
スを追い説明したものである。はじめに、Ｓｉ素子の形
成されたＳｉウェハ上に、ＴｉターゲットとＮ２の反応
性スパッタ法で形成されたＴｉＮ膜４，１０にはさまれ
たＣｕ膜７をスパッタ法により形成する。７，４．１０
の膜厚はそれぞれ８０００人。
Ｃｕ配線であり、コンタク１−孔を通じてＳｉ素子２と
接触している。このＣｕ配線３は、ＴｉＮより成るバリ
ヤメタル層１０と上部酸化防止層４、および、Ｗより成
る側壁保護層５により囲まれ、Ｓｉ素子、および、周囲
の雰囲気と直接触れることはない。図中１はＳｉ基板、
６はＳｉＯ２゜第２図は、本発明の一実施例を、プロセ
スを追い説明したものである。はじめに、Ｓｉ素子の形
成されたＳｉウェハ上に、ＴｉターゲットとＮ２の反応
性スパッタ法で形成されたＴｉＮ膜４，１０にはさまれ
たＣｕ膜７をスパッタ法により形成する。７，４．１０
の膜厚はそれぞれ８０００人。
２００人、２００人である。次に、ホトリソグラフィ技
術により、レジスト８に配線パターンを形成し、ＴｉＮ
１ｌＩをＣＦ４によるドライエツチングで、Ｃｕ膜をＡ
ｒによるイオンミリングで加工し、配線パターンを形成
する。次に、基板全面に、Ｗ（Ｃｏ）ｃを原料とするプ
ラズマＣＶＤ法でＷより成る膜９を３００人形成する。
術により、レジスト８に配線パターンを形成し、ＴｉＮ
１ｌＩをＣＦ４によるドライエツチングで、Ｃｕ膜をＡ
ｒによるイオンミリングで加工し、配線パターンを形成
する。次に、基板全面に、Ｗ（Ｃｏ）ｃを原料とするプ
ラズマＣＶＤ法でＷより成る膜９を３００人形成する。
第３図にプラス７ＣＶＤ装置を示す。Ｗ （Ｇ Ｏ）ｅ
１１は５０℃に加熱しＡｒをキャリヤガスとしてＣＶ
Ｄチャンバ１４内へ導入する。Ｗ （ＣＯ）ｅ導入管１
３およびＣＶＤチャンバ１４は、５０℃以上に保つ。基
板１５は下部のヒータ１６により１００℃〜２００℃に
加熱されている。ＣＶＤチャンバ１４内に導入されたＷ
（Ｃｏ）ｅは、高周波コイル１７により形成される高周
波プラズマ中で分解され、生成したＷが、基板上に腹を
形成する。この際、基板が１００℃以下ではＣｕ膜とＷ
膜との密若性が悪く。
１１は５０℃に加熱しＡｒをキャリヤガスとしてＣＶ
Ｄチャンバ１４内へ導入する。Ｗ （ＣＯ）ｅ導入管１
３およびＣＶＤチャンバ１４は、５０℃以上に保つ。基
板１５は下部のヒータ１６により１００℃〜２００℃に
加熱されている。ＣＶＤチャンバ１４内に導入されたＷ
（Ｃｏ）ｅは、高周波コイル１７により形成される高周
波プラズマ中で分解され、生成したＷが、基板上に腹を
形成する。この際、基板が１００℃以下ではＣｕ膜とＷ
膜との密若性が悪く。
また、ち密なＷ膜を形成できない。反応の結果発生する
ＣＯはＣｕ表面の酸化膜を還元する。図中１２はるつぼ
状ヒータ、１８はキャリヤガス導入管、１９は排気管。
ＣＯはＣｕ表面の酸化膜を還元する。図中１２はるつぼ
状ヒータ、１８はキャリヤガス導入管、１９は排気管。
第４図に５ｉＯｚ基板上のＣｕ膜上に本実施例にあるプ
ラズマＣＶＤによりＷ膜を形成したものについてのＳＩ
ＭＳ分析結果を示す。ＷとＣｕの界面には少量の酸素し
か検出されない。それに対し、Ｗ膜形成前のＣｕ膜表面
の分析結果（第５図）では表面にかなりの酸素が検出さ
れ、Ｗ膜の膜形成中に酸素が除かれていることがわかる
。さらに、ｗＢ形成時にキャリヤガス導入管１８よりキ
ャリヤガスと同時にＣＯをモル比１０％以下導入した場
合にはＣｕ表面の還元効果はより顕著であり、その際の
分析結果を第６図に示す。プラズマＣＶＤによるＷ囚の
形成後５基板全面をＡｒ＋イオン２ｏによりイオンミリ
ングする。イオンミリングの結果、水平面上に形成され
たＷ膜は除かれ、Ｃｕ配線の側壁部にのみＷ膜が残り、
側壁保護ＷＪ５となる。その後にレジスト８を除去し、
Ｃｕ配線パターンを完成する。
ラズマＣＶＤによりＷ膜を形成したものについてのＳＩ
ＭＳ分析結果を示す。ＷとＣｕの界面には少量の酸素し
か検出されない。それに対し、Ｗ膜形成前のＣｕ膜表面
の分析結果（第５図）では表面にかなりの酸素が検出さ
れ、Ｗ膜の膜形成中に酸素が除かれていることがわかる
。さらに、ｗＢ形成時にキャリヤガス導入管１８よりキ
ャリヤガスと同時にＣＯをモル比１０％以下導入した場
合にはＣｕ表面の還元効果はより顕著であり、その際の
分析結果を第６図に示す。プラズマＣＶＤによるＷ囚の
形成後５基板全面をＡｒ＋イオン２ｏによりイオンミリ
ングする。イオンミリングの結果、水平面上に形成され
たＷ膜は除かれ、Ｃｕ配線の側壁部にのみＷ膜が残り、
側壁保護ＷＪ５となる。その後にレジスト８を除去し、
Ｃｕ配線パターンを完成する。
ＶＬＳ Ｉ製造プロセスでは配線の形成後にはプラズマ
ＣＶＤによる５ｉＯｚ膜形成等の工程があり、さらに、
加熱が加わるので、配線の熱安定性も重要な要素である
。Ｓｉ○２基板上のＣｕ膜上に本実施例によるプラズマ
ＣＶＤによりＷ膜を形成し、５００℃、六時間の熱処理
を実施後、ＳＩＭＳ分析を行なった結果を第４図に示す
。Ｃｕと固溶せず、また、金属間化合物も形成しないＷ
の場合にはＣｕとＷとの相互拡散はよく抑制されており
、Ｗ膜の表面にＣｕが現れることはない。それに対し、
Ｚｒ、Ｖ等に代表されるＣｕと固溶する金属でＣｕ表面
をおおう場合には、膜形成後にアニール工程があると表
面にＣｕが現れ、Ｃｕの酸化物が形成される。
ＣＶＤによる５ｉＯｚ膜形成等の工程があり、さらに、
加熱が加わるので、配線の熱安定性も重要な要素である
。Ｓｉ○２基板上のＣｕ膜上に本実施例によるプラズマ
ＣＶＤによりＷ膜を形成し、５００℃、六時間の熱処理
を実施後、ＳＩＭＳ分析を行なった結果を第４図に示す
。Ｃｕと固溶せず、また、金属間化合物も形成しないＷ
の場合にはＣｕとＷとの相互拡散はよく抑制されており
、Ｗ膜の表面にＣｕが現れることはない。それに対し、
Ｚｒ、Ｖ等に代表されるＣｕと固溶する金属でＣｕ表面
をおおう場合には、膜形成後にアニール工程があると表
面にＣｕが現れ、Ｃｕの酸化物が形成される。
Ｃｕ配線の側壁保護層としてＣｕと固溶しない金属であ
る。Ｗ、Ｍｏ、Ｒｅを用いることができる。また、Ｃｒ
＋ＪＣｕとの固溶量が非常に少なく、用いることができ
る。ＣＯを含む化合物でＣＶＤの原料として、Ｍｏ（Ｃ
Ｏ）ｅ、Ｗ （Ｃｏ）６゜Ｃｒ（ＣＯ）ａｔ Ｒｅｚ
（Ｃｏ）ｔｏを用いることができる。また、［（π−Ｃ
５Ｈ５） Ｗ （ＣＯ）３］２゜［（π−Ｃ３Ｈ６）Ｍ
ｏ（ＣＯ）３］！、 ［（π−Ｃ３Ｈ６）Ｃｒ（Ｃｏ）
３］ｚ（π−Ｃ５Ｈ６）Ｒｅ（Ｃｏ）３を用いる場合に
は、キャリヤガス中にＨ２を添加することがπＣ５Ｈａ
の還元のために必要である。遷移金属化合物ＷＮ、ＭＯ
２Ｎ、ＣｒｚＮを形成する際は、キャリヤガスにＮ Ｈ
ａを添加すれば良い。また、金属ソースの種類にかかわ
らず、キャリヤガスにＨ２を添加することにより、形成
される金属膜中のＯの量を一層減少させることができる
。この効果はｃｏよりも弱いが、キャリヤガスにＣＯを
添加した場合には、第６図に示すように、膜中のＣの濃
度が高くなるのに対し、Ｈ２添加の場合には、第７図に
示すように、Ｃの濃度を低く保ってＯの濃度を下げるこ
とができる。
る。Ｗ、Ｍｏ、Ｒｅを用いることができる。また、Ｃｒ
＋ＪＣｕとの固溶量が非常に少なく、用いることができ
る。ＣＯを含む化合物でＣＶＤの原料として、Ｍｏ（Ｃ
Ｏ）ｅ、Ｗ （Ｃｏ）６゜Ｃｒ（ＣＯ）ａｔ Ｒｅｚ
（Ｃｏ）ｔｏを用いることができる。また、［（π−Ｃ
５Ｈ５） Ｗ （ＣＯ）３］２゜［（π−Ｃ３Ｈ６）Ｍ
ｏ（ＣＯ）３］！、 ［（π−Ｃ３Ｈ６）Ｃｒ（Ｃｏ）
３］ｚ（π−Ｃ５Ｈ６）Ｒｅ（Ｃｏ）３を用いる場合に
は、キャリヤガス中にＨ２を添加することがπＣ５Ｈａ
の還元のために必要である。遷移金属化合物ＷＮ、ＭＯ
２Ｎ、ＣｒｚＮを形成する際は、キャリヤガスにＮ Ｈ
ａを添加すれば良い。また、金属ソースの種類にかかわ
らず、キャリヤガスにＨ２を添加することにより、形成
される金属膜中のＯの量を一層減少させることができる
。この効果はｃｏよりも弱いが、キャリヤガスにＣＯを
添加した場合には、第６図に示すように、膜中のＣの濃
度が高くなるのに対し、Ｈ２添加の場合には、第７図に
示すように、Ｃの濃度を低く保ってＯの濃度を下げるこ
とができる。
本発明によれば、Ｃｕ表面の酸化物の除去と配線側壁へ
の遷移金属、あるいは、その化合物層の形成を同時に行
なうことができる。
の遷移金属、あるいは、その化合物層の形成を同時に行
なうことができる。
第１図は本発明の一実施例のＣｕ配線の断面図。
第２図は本発明の実施手順を示した図、第３図は本発明
の実施の際、Ｗ膜の形成に用いるプラズマＣＶ Ｄ装置
の構造を示す図、第４図はＳｉ○２鵡板」二のＣｕ膜上
にＷ（Ｇｏ）ｓをソースとしてＷ膜を形成し、５００℃
６時間の熱処理後ＳＩＭＳ分析を行なった結果を示す図
、第５図が同じ試料のＷ膜形成前の分析結果を示す図、
第６図はＷ膜形成の際、キャリヤガスにｃｏを添加した
場合の分析結果を示す図、第７図はキャリヤガスにＨ２
を添加した場合の分析結果を示す図である。 １・・・Ｓｉ基板、２・・・Ｓｉ素子、３・・・Ｃｕ配
線、４・・・上部酸化防止層、５・・・側壁保護層、６
・・・５ｊ−Ｏｚ、７・・・Ｃｕ膜、８・・・レジスト
、９・・・ＣＶＤＷ膜。 】０・・・バリヤ層、１１・・・Ｗ（Ｃｏ）ｅ、１２・
・・るっぼ状ヒータ、１３・・・Ｗ（Ｃｏ）６導入管、
１４・・・ＣＶＤチャンバ、１５・・・基板、１６・・
・基板ヒータ、１７・・高周波コイル、１８・・・キャ
リヤガス導入管、第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
の実施の際、Ｗ膜の形成に用いるプラズマＣＶ Ｄ装置
の構造を示す図、第４図はＳｉ○２鵡板」二のＣｕ膜上
にＷ（Ｇｏ）ｓをソースとしてＷ膜を形成し、５００℃
６時間の熱処理後ＳＩＭＳ分析を行なった結果を示す図
、第５図が同じ試料のＷ膜形成前の分析結果を示す図、
第６図はＷ膜形成の際、キャリヤガスにｃｏを添加した
場合の分析結果を示す図、第７図はキャリヤガスにＨ２
を添加した場合の分析結果を示す図である。 １・・・Ｓｉ基板、２・・・Ｓｉ素子、３・・・Ｃｕ配
線、４・・・上部酸化防止層、５・・・側壁保護層、６
・・・５ｊ−Ｏｚ、７・・・Ｃｕ膜、８・・・レジスト
、９・・・ＣＶＤＷ膜。 】０・・・バリヤ層、１１・・・Ｗ（Ｃｏ）ｅ、１２・
・・るっぼ状ヒータ、１３・・・Ｗ（Ｃｏ）６導入管、
１４・・・ＣＶＤチャンバ、１５・・・基板、１６・・
・基板ヒータ、１７・・高周波コイル、１８・・・キャ
リヤガス導入管、第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体素子上に形成された配線幅０．５μｍ以下、
アスペクト比が１以上の、銅あるいは銅を主成分とする
ＶＬＳＩ用微細配線において、前記配線の周囲を全て導
電性の膜でおおうことを特徴とするＶＬＳＩ用銅配線方
法。 ２、半導体素子上に、バリヤメタル層、銅配線層、上部
酸化防止メタル層より成る配線層を形成し、ホトレジス
トで配線パターンを形成し、前記配線層をエッチングし
て配線を形成し、レジストを除去する工程からなるＶＬ
ＳＩ用銅配線において、 前記配線層のエッチング工程の後にＣＶＤ法により遷移
金属、もしくは、その化合物層を全面に形成し、その後
に異方性エッチングにより配線パターンの段差側壁部に
のみ選択的に前記遷移金属もしくはその化合物層を残し
、その後、前記レジストを除去することを特徴とするＶ
ＬＳＩ用銅配線方法。 ３、特許請求の範囲第２項において、 前記遷移金属が銅と固溶せず、かつ、銅と金属間化合物
を形成しない金属であることを特徴とするＶＬＳＩ用銅
配線方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2754388A JPH01204449A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | Ｖｌｓｉ用銅配線方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2754388A JPH01204449A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | Ｖｌｓｉ用銅配線方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01204449A true JPH01204449A (ja) | 1989-08-17 |
Family
ID=12224000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2754388A Pending JPH01204449A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | Ｖｌｓｉ用銅配線方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01204449A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5164332A (en) * | 1991-03-15 | 1992-11-17 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Diffusion barrier for copper features |
| US5506449A (en) * | 1993-03-24 | 1996-04-09 | Kawasaki Steel Corporation | Interconnection structure for semiconductor integrated circuit and manufacture of the same |
| WO2000005773A1 (en) * | 1998-07-23 | 2000-02-03 | Applied Materials, Inc. | Integrated circuit interconnect lines having sidewall layers |
-
1988
- 1988-02-10 JP JP2754388A patent/JPH01204449A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5164332A (en) * | 1991-03-15 | 1992-11-17 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Diffusion barrier for copper features |
| US5506449A (en) * | 1993-03-24 | 1996-04-09 | Kawasaki Steel Corporation | Interconnection structure for semiconductor integrated circuit and manufacture of the same |
| WO2000005773A1 (en) * | 1998-07-23 | 2000-02-03 | Applied Materials, Inc. | Integrated circuit interconnect lines having sidewall layers |
| JP2002521826A (ja) * | 1998-07-23 | 2002-07-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 側壁層を有する集積回路の相互接続配線 |
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