JPH0725069A - シリアルプリンタ - Google Patents

シリアルプリンタ

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JPH0725069A
JPH0725069A JP15402593A JP15402593A JPH0725069A JP H0725069 A JPH0725069 A JP H0725069A JP 15402593 A JP15402593 A JP 15402593A JP 15402593 A JP15402593 A JP 15402593A JP H0725069 A JPH0725069 A JP H0725069A
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speed
character
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dots
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JP15402593A
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Tomohiro Higashide
友浩 東出
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 シリアルプリンタに関し、印字速度の向上を
目的とし、 【構成】 所定のスペーシング速度で所定密度の印字文
字を得るドット構成の文字パターン発生メモリ(30)を備
え、該文字パターン発生メモリより順次行方向にパター
ンデータを読み出して印字するシリアルプリンタであっ
て、該文字パターン発生メモリから該パターンデータを
列ごとにそれぞれ連続してn回読み出す読出部(31)と、
前記読出しごとに、直前の連続したmドットが印字され
ているか否かを検証し、該mドットのすべてが印字され
ていない場合は、読出した該パターンデータの印字を許
可する間引き処理部(32)と、印字ヘッド(34)のスペーシ
ング速度を前記所定のスペーシング速度のn分の(m+
1)倍に制御する速度制御部(33)とを設けるように構成
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ドットマトリックス方
式のシリアルプリンタの改良に関する。例えば、縦(文
字を構成するドットマトリックスの列)方向に配列され
た複数のワイヤピン(以下ピンと称する)を選択的に駆
動しつつスペーシングして、文字を印字するシリアルイ
ンパクトプリンタでは、ピンのストローク速度によって
印字速度(スペーシング速度)が制限されている。
【0002】この印字速度を改善するため、1文字を構
成する画素(ドット)のうち、行方向の画素を1つ置き
に間引いて印字ヘッド速度を2倍にする、等の方法が提
案されているが、印字品質が大幅に悪くなる。
【0003】このため、印字品質を損うことなく、印字
速度を改善するシリアルプリンタが必要とされる。
【0004】
【従来の技術】図8は印字機構説明図、図9は従来例の
構成図、図10は従来例の間引き例を表す図である。
【0005】図8(2) はシリアルプリンタのピンの駆動
部分を示したもので、励磁コイル3に電流を流すことに
より、アマチュア4が磁石に吸引されてピン2がA方向
に移動し、励磁コイル3の電流を遮断することにより、
この吸引力が解けるとともに、吸引時に蓄えられた弾性
体5の弾性力により、ピン2はストッパー6の方向(A
とは反対方向)に移動する。このように、励磁コイル3
の駆動電流をオンオフすることにより、ピン2はA方向
に対して移動し、衝撃を与える。
【0006】このようなピン駆動機構が、図8(2) に示
す印字ヘッド1内に、円形状に複数個(例えば24個)
配置され、且つそれぞれのピン2の先端が、A方向にそ
れぞれ移動可能なように、スペーシング方向(図8(1)
の左右方向)に対して直角方向に配列される。
【0007】図8(1) は、ピン2を搭載した印字ヘッド
1の配置を示したもので、印字の際は、印字ヘッド1を
パルスモータ7により左右にスペーシングしつつ、励磁
コイル3を、印字文字パターンに対応させて選択的に、
且つパルス的に駆動する。これにより、選択されたピン
2は、印字ヘッド1とプラテン8との間に挿入されてい
る印字媒体とインクリボンとに衝撃を与え、文字パター
ンの列方向のドットを印字する。
【0008】図8は、シリアルプリンタ内に設けられた
ピン2の駆動回路例を示したものである。マイクロプロ
セッサユニットMPU 10 は、図示省略した上位装置よ
り文字コードを受信すると、モータ駆動部14に対して印
字開始を指示し、モータ駆動部14はパルスモータ15に対
してスペーシングのための駆動パルス信号を出力すると
ともに、この駆動信号に同期したパルスモータ割込み
を、図10(3) に示すように、MPU 10 に出力する。
【0009】MPU 10 は、このパルスモータ割込みの
立ち下がりごとに、CG−ROM11から、印字指示され
た文字コードに対応した文字パターンデータのうちの列
方向のパターンデータを順次読出し、レジスタ12に格納
する。
【0010】一方モータ制御部14は、図10(3) に示すよ
うに、パルスモータ割込みと同じ周期のピン励磁信号を
ドライバ13に出力しており、レジスタ12に印字すべきド
ットデータ(論理"1" 信号,図10(1) の●) が格納され
ていれば、対応するピン2の励磁コイル3が駆動され
て、ピン2がプラテン8を衝撃する。
【0011】以上のごとく、スペーシング速度を制御す
るモータ駆動パルスに同期して、CG−ROM11から列
方向の文字パターンが順次読み出され、これに同期して
印字ドットデータ有りのピン2が駆動されて印字動作が
行われている。
【0012】なお、スペーシング速度は、文字パターン
のマトリックス構成が24×24の場合、例えば、ドッ
ト間隔が(1/160)インチになるように設定され
る。これにより、所定密度(24×24ドットで所定の
大きさ)の文字を印字することができる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したドットマ
トリックス方式のシリアルプリンタの印字速度(スペー
シング速度)は、主として、行方向のドット印字速度、
前述したインパクトプリンタでいえば、着目するピン2
の応答速度、つまり励磁コイル3の応答速度によってき
まる。この応答速度を速めることにより、印字速度を向
上させる方法は、励磁コイル3の消費電力が大きくなる
等といった課題があり、限界がある。
【0014】このため、ピンごとに、直前のドットが印
字されていない場合のみ、そのデータに印字許可を与え
る(そのデータが"1" の場合は印字し、"0" の場合は印
字しない)間引き印字方法が考えられる。
【0015】この方法によると、スペーシング速度を間
引きしない場合と同一にすると、ピンの駆動周期は少な
くとも2倍となる。逆にいえば、図10(3) に示すよう
に、ピン励磁信号の周期を間引きしない元の周期Tのま
まとすると、印字文字の大きさは横方向に1/2になる
から、スペーシング速度(図10ではパルスモータ割込み
に相当する) を2倍にする必要がある。つまり、印字速
度が2倍となる。
【0016】図10(2) は、この間引きによる印字文字パ
ターン例を示したもので、印字速度が2倍になる代わり
に、文字によって異なるが、印字品質が極度に低下す
る。本発明は、上記課題に鑑み、印字品質を極力低下さ
せずに印字速度を改善するシリアルプリンタを提供する
ことを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のシリアルプリンタは、 (1) 図1の本発明の原理図に示すように、所定のスペー
シング速度で所定密度の印字文字を得るドット構成の文
字パターン発生メモリ30を備え、文字パターン発生メモ
リ30より順次行方向にパターンデータを読み出して印字
するシリアルプリンタであって、文字パターン発生メモ
リ30から該パターンデータを列ごとにそれぞれ連続して
n回読み出す読出部31と、前記読出しごとに、直前の連
続したmドットが印字されているか否かを検証し、mド
ットのすべてが印字されていないとき、読出した該パタ
ーンデータの印字を許可する間引き処理部32と、印字ヘ
ッド(34)のスペーシング速度を前記所定のスペーシング
速度のn分の(m+1)倍に制御する速度制御部33とを
設ける。 (2) 印字ヘッドをスペーシングしつつ、文字パターン発
生メモリより順次行方向にパターンデータを読み出して
印字するシリアルプリンタであって、所定スペーシング
速度で所定密度の印字文字を得るドット構成の文字パタ
ーン発生メモリに対し、行方向にn倍のドット構成を有
する文字パターン発生メモリと、該文字パターン発生メ
モリから順次行方向にパターンデータを読出すごとに、
直前の連続したmドットが印字されているか否かを検証
し、該mドットのすべてが印字されていないとき、該パ
ターンデータの印字を許可する間引き処理部と、 印字
ヘッドのスペーシング速度を前記所定スペーシング速度
のn分の(m+1)倍に制御する速度制御部とを設け
る。
【0018】
【作用】所定のスペーシング速度で所定密度(所定大き
さ) の印字文字を得るドット構成の文字パターン発生メ
モリ30(例えば、従来例で示したCG−ROM 11)を使
用し、読出部31はそれぞれ列ごとにn回連続して読出だ
す。(n重読出し、特に2回連続読出し) そして、間引き処理部32は、読出したパターンデータの
直前の連続したm個(例えば、2個)のドットが印字さ
れているか否かを調べ、すべて印字されていなければ、
その印字対象のパターンデータに印字許可を与える。
(パターンデータが図3の●印で示される印字ドットの
場合は印字、その他は印字しない) 以上により、例えば2回連続読出しを行い、且つ直前2
ドットが印字されていない場合に印字許可を与える場合
を考えると、間引き前と同じスペーシング速度ではピン
の駆動周期は3/2となり、このピンの駆動周期を間引
き前と同じにすれば、スペーシング速度、つまり印字速
度は3/2倍となる。
【0019】この場合、印字速度の改善度は、従来の1
/2間引きに比較して低いが、印字品質は、間引きしな
い場合と比較して、遜色がないという結果が得られてい
る。以上は、従来の文字パターン発生メモリを用いた例
を示したが、行方向をドット構成をn倍にした文字パタ
ーン発生メモリを使用し、読出しごとに同じ間引き処理
を行っても同じ結果が得られる。
【0020】以上のごとく、文字パターンのドット構成
を単に間引きするのではなく、行方向にパターンを拡張
して間引くことにより、印字品質を低下させることな
く、印字速度を速めることが可能となる。
【0021】
【実施例】図2は一実施例の構成図、図3はCG−RO
Mのパターン例を表す図、図4は一実施例の動作フロー
チャート図、図5は動作タイムチャート図、図6は間引
き後のパターン例を表す図、図7は他の実施例のフロー
チャート図である。
【0022】本実施例では、従来例で示した24×24
(縦×横)ドット構成の文字パターンを横方向に2倍
(24×48)に拡大して記録した文字発生メモリCG
−ROMを使用し、且つ直前の2ドットが印字されない
ときに印字許可を与える例を示す。
【0023】図2はシリアルプリンタの印字制御部分を
示したものである。ここで、20はマイクロプロセッサM
PUで、内部レジスタA,B,C,Dを持つ。なお、内
部レジスタが2個のMPUを使用する場合は、内部レジ
スタC,Dの代わりに、RAM 22 内に対応するメモリ
を持たせる。21は読出し専用メモリROMより構成され
る文字パターン発生メモリ(CG−ROM)で、文字コ
ードをアドレスとして、対応する文字パターンが記録さ
れている。そして、24×48ドット構成のうちの列方
向(縦方向)のデータが同時に読み出され、後述するパ
ルスモータ割込みごとに、行方向(横方向)に順次シフ
トされて読み出される。
【0024】22はメモリRAMで、間引き処理のための
ワーク用として使用される。23は24個のピンに対応し
て設けられたレジスタで、それぞれ列方向のパターンデ
ータ("1" ,"0" )が格納される。28はレジスタ23に対
応したゲートで、"1" が格納されたレジスタ23から、ピ
ン励磁制御信号に同期した信号が取り出される。24は2
4個のレジスタ23, ゲート28に対応して設けられたドラ
イバで、ゲート28から出力された信号に基づき所定幅の
ピン励磁信号を生成し、それぞれ励磁コイル3を駆動す
る。
【0025】25はモータ制御部で、パルスモータ26に所
定周期の駆動パルスを与えて回転させ、印字ヘッド1を
所定速度でスペーシングさせる。そして、この駆動パル
スに同期した割込み信号(以下パルスモータ割込み)と
ピン励磁制御信号とを出力する。
【0026】27は間引き処理部で、MPU20上で走行し
て間引き処理を行い、結果をレジスタ23に格納する。図
3はCG−ROM 21 の1例を示したもので、図10(1)
に示した従来例のCG−ROM 11 のパターンを横方向
に2倍に拡張したもの、つまり、1列目と2列目のデー
タ,3列目と4列目のデータ,・・・を同一としたもの
である。
【0027】なお、RAM 22 には、24×50(縦×
横)のドットデータが格納されるワークエリアを設け
る。横(行)方向は−1,0,1,2・・・48列番と
し、処理対象の列番(CG−ROM 21 の列番) の間引
き処理を行うときは、RAM 22 内の前2列のパターン
データを参照し、処理結果を処理対象と同じ列番(RA
M22)に格納する。ここでは、−1,0列は常にクリア
状態としておくので、1列目のドットデータ("1" ,図
3の●印)は必ず印字されることになる。
【0028】以上の構成により、以下のようにして間引
き処理が行われる。図4参照 (1) RAM 22 のワークエリアをクリアし、CG−RO
M 21 の指定番地, RAM 22 のワークエリアの指定番
地を1列目の番地に設定する。 (2) CG−ROM 21 の指定番地(1列目)のデータ
(24ビット)を読出し、レジスタAに格納する。 (3) (RAM 22 の指定番地−2番地)のデータ(−1
列目で、クリア状態)を読出し、レジスタBに格納す
る。 (4) レジスタAとレジスタBとの間で排他的論理和をと
り、結果をレジスタC(またはRAM 22 内の所定領
域) に格納する。 (5) (RAM 22 の指定番地−1番地)のデータ(0列
目で、クリア状態)を読出し、レジスタBに格納する。 (6) レジスタAとレジスタBとの間で排他的論理和をと
り、結果をレジスタD(またはRAM 22 内の所定領
域)に格納する。 (7) レジスタCとレジスタDとCG−ROM 21 の指定
番地(1列目)との間で論理積(アンド)をとり、その
結果をRAM 22 の指定番地(1列目)とレジスタ23と
に格納する。 (8) CG−ROM 21,RAM 22 のワークエリアの指定
番地をそれぞれ+1し、上記処理(1) 〜(7) を繰り返
す。そして、指定番地=48の処理が終了したとき、1
文字の間引き処理が終了する。
【0029】以上の結果、図6に示すように、それぞれ
の行で、CG−ROM 21 から読み出した間引き処理対
象のデータが論理"1" (図3の●)で、且つ前2ドット
が"0" (●無し)のときは、論理"1" がレジスタ23, R
AM 22 に格納され、間引き処理対象のデータが"0" の
ときは、"0" がレジスタ23, RAM 22 に格納される。
【0030】図5は、間引き処理と、スペーシングとの
関係を示したタイムチャート図である。ここでは、パル
スモータ割込みの周期を、図10(3) の周期Tの1/3と
している。この割込みごとに、上述した1列に関する間
引き処理が行われる。この結果CG−ROM 21 の列数
は従来の2倍であるから、1文字読出して印字する時間
は、従来比で2/3となる。
【0031】従ってスペーシング速度を3/2にすれ
ば、横方向の文字の大きさは従来と同じ大きさになり、
印字速度が3/2になる。この際、ピン励磁信号の周期
は従来通り、T時間である。このため、ピン励磁制御信
号としてT/9の周期の信号を出力し、ゲート28で、こ
の信号とレジスタ23の出力とアンドを取る。そして、こ
のアンド出力により、ドライバ24で所定幅の励磁信号を
生成する。これにより、図5に示したように、1つのピ
ンに対しては、少なくとも周期Tのピン励磁信号が得ら
れる。
【0032】なお、図5のピンa励磁信号は、2 つ置き
に間引かれた場合を示し、ピンb励磁信号は、ピンaと
は1ドットずれて間引きされる場合を示し、ピンc励磁
信号は、3ドット間引きされた場合を示したものであ
る。
【0033】以上の結果、横方向に2倍のドット構成を
持つCG−ROM 21 を使用して、前2ドットが"0" の
ときのみ印字許可を与える(パターンデータが"1" のと
き印字される)ことにより、印字速度を3/2倍にする
ことができる。
【0034】なお、間引き後のパターンは図6に示すよ
うになり、1/(160 ×2)インチ密度から間引いた場
合、印字品質の低下は殆ど認められないという結果が得
られている。 (他の実施例)図7参照 以上は、横方向に拡張したCG−ROMを使用した例を
示したが、図10(1) の従来例で示したパターンを2重読
み(各列を連続2回読み)してもよいことは明らかであ
る。この方法は、多重読みの場合に、その都度CG−R
OMを準備しなくてもよいという利点がある。
【0035】図7はn重読みで、且つ前mドットが印字
していないとき印字可能とする処理方法を示したもの
で、n=2,m=2とすれば、図6で示した間引き文字
が印字できる。以下図7に基づき処理フローを説明す
る。なお、構成は図2を使用し、間引き処理部27がCG
−ROM 21 の代わりのCG−ROM 11 (24×24
ドット構成)から多重読出しを行うものとする。 (1) 先ず、m=m,n=1,M=M(RAM 22 内に設
けられた領域の番地で、前述のレジスタC,Dに対応
し、排他的論理和が格納される)に設定する。 (2) CG−ROMの指定番地(1列目)をレジスタAに
セットする。
【0036】RAM 22 のワークエリア(横方向はCG
−ROM 11 のn倍+mある)の指定番地(1列目)−
m番地のデータをレジスタBにセットする。レジスタA
とレジスタBとの間で排他的論理和をとり、RAM 22
のM番地に格納する。
【0037】以上のようにして、1列目のデータをn回
連続して読出し、それぞれ、前m列(m−1,m−2,
・・・1)との間で排他的論理和をとり、それぞれRA
M 22 内のM〜1番地に格納する。 (3) M,M−1,・・・1番地の内容とCG−ROM 1
1 の1列目のデータと論理積をとり、RAM 22 のワー
クエリアの1番地に格納するとともに、レジスタ23に出
力する。 (4) 以上で、1列目についてn重読出による間引き処理
が終了し、この処理を次の2列目で行う。そして24列
この間引き処理を行って、1文字の間引き処理を終了す
る。
【0038】以上のごとく列単位にn重読出しを行うこ
とにより、横方向をn倍した文字パターンより、前mド
ット印字されないときに印字可能とした間引き処理が行
われることになる。
【0039】なお、スペーシング速度はn/(m+1)
とする。これにより、間引きしない場合と同じ大きさの
文字が得られる。
【0040】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のシリアル
プリンタは、文字パターンの行方向ドットをn倍し、前
mドットが印字されていない場合に、そのドットを印字
可能としたもので、印字品質を低下させずに、印字速度
を向上させる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の原理図
【図2】 一実施例の構成図
【図3】 CG−ROMのパターン例を表す図
【図4】 一実施例の動作フローチャート図
【図5】 動作タイムチャート図
【図6】 間引き後のパターン例を表す図
【図7】 他の実施例のフローチャート図
【図8】 印字機構説明図
【図9】 従来例の構成図
【図10】 従来例の間引き例を表す図
【符号の説明】
1 印字ヘッド 2 ピン 3 励磁コイル 4 アマチュ
ア 5 弾性体 6 ストッパ
ー 7 パルスモータ 8 プラテン 10 マイクロプロセッサユニットMPU 11 文字パタ
ーン発生装置CG-ROM 12 レジスタ 13 ドライバ
ー 14 モータ制御部 15 パルスモ
ータ 20 マイクロプロセッサユニットMPU 21 文字パタ
ーン発生メモリCG-ROM 22 メモリRAM 23 レジスタ 24 ドライバ 25 モータ制
御部 26 パルスモータ 27 間引き処
理部 28 ゲート 30 文字パタ
ーン発生メモリ 31 読出部 32 間引き処
理部 33 速度制御部 34 印字ヘッ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定のスペーシング速度で所定密度の
    印字文字を得るドット構成の文字パターン発生メモリ(3
    0)を備え、該文字パターン発生メモリより順次行方向に
    パターンデータを読み出して印字するシリアルプリンタ
    であって、 該文字パターン発生メモリから該パターンデータを列ご
    とにそれぞれ連続してn回読み出す読出部(31)と、 前記読出しごとに、直前の連続したmドットが印字され
    ているか否かを検証し、該mドットのすべてが印字され
    ていないとき、読出した該パターンデータの印字を許可
    する間引き処理部(32)と、 印字ヘッド(34)のスペーシング速度を前記所定のスペー
    シング速度のn分の(m+1)倍に制御する速度制御部
    (33)とを設けたことを特徴とするシリアルプリンタ。
  2. 【請求項2】 印字ヘッドをスペーシングしつつ、文
    字パターン発生メモリより順次行方向にパターンデータ
    を読み出して印字するシリアルプリンタであって、 所定スペーシング速度で所定密度の印字文字を得るドッ
    ト構成の文字パターン発生メモリに対し、行方向にn倍
    のドット構成を有する文字パターン発生メモリと、 該文字パターン発生メモリから順次行方向にパターンデ
    ータを読出すごとに、直前の連続したmドットが印字さ
    れているか否かを検証し、該mドットのすべてが印字さ
    れていないとき、該パターンデータの印字を許可する間
    引き処理部と、 印字ヘッドのスペーシング速度を前記所定スペーシング
    速度のn分の(m+1)倍に制御する速度制御部とを設
    けたことを特徴とするシリアルプリンタ。
JP15402593A 1993-06-25 1993-06-25 シリアルプリンタ Withdrawn JPH0725069A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9657471B2 (en) 2012-11-02 2017-05-23 Kohler Co. Touchless flushing systems and methods

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9657471B2 (en) 2012-11-02 2017-05-23 Kohler Co. Touchless flushing systems and methods
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US11560702B2 (en) 2012-11-02 2023-01-24 Kohler Co. Touchless flushing systems and methods
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