JPH07251157A - 超純水加熱装置 - Google Patents
超純水加熱装置Info
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- JPH07251157A JPH07251157A JP4677394A JP4677394A JPH07251157A JP H07251157 A JPH07251157 A JP H07251157A JP 4677394 A JP4677394 A JP 4677394A JP 4677394 A JP4677394 A JP 4677394A JP H07251157 A JPH07251157 A JP H07251157A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】蒸気発生器101,疎水性多孔質膜102,吸
収器103および常温の超純水の製造装置とから構成さ
れる。 【効果】高温超純水を製造するため、従来の加熱面から
の構成材料の溶出による不純物の混入を防止でき、高純
度の高温超純水を製造することができる。
収器103および常温の超純水の製造装置とから構成さ
れる。 【効果】高温超純水を製造するため、従来の加熱面から
の構成材料の溶出による不純物の混入を防止でき、高純
度の高温超純水を製造することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体(LSI),ディ
スクおよびその他電子部品の洗浄に用いる超純水の製造
方法に係り、特に、高純度の高温超純水を製造する装置
に関する。
スクおよびその他電子部品の洗浄に用いる超純水の製造
方法に係り、特に、高純度の高温超純水を製造する装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体等の洗浄に用いる超純水
は、逆浸透膜,イオン交換樹脂,紫外線酸化・殺菌灯,
限外ろ過膜等の構成機器によって製造されており、それ
ぞれの要素機器によって、水中のイオン,全有機炭素
(TOC),微粒子等の不純物を除去し、高純度の水を
得ている。現在における超純水は、その不純物イオン濃
度,TOC濃度とも1μg/l以下で測定も困難な状態
にある。しかし、半導体の集積度も年々増大し、ウエハ
上のトレンチ幅もサブミクロン時代に突入した。この結
果、従来の常温での超純水ではこのトレンチ溝に侵入で
きず、溝内に残留している汚染物質を洗浄・除去するこ
とが困難になってきた。そこで、常温の水に比べ、高温
の水の表面張力や粘度が小さいこと、さらには不純物の
溶解(洗浄)効果が大きい点を考慮して、高温超純水に
よるウエハの洗浄が検討されている。従来、この高温超
純水の製造は超純水を加熱することで得ている。この加
熱装置は極限までに純度を向上させた超純水の純度を損
なうことなく温度だけを上昇させなければならない。し
たがって、構成材料は耐熱性とともに溶出の小さいもの
が使用される。通常、高温超純水の温度は約80℃で使
用されているため、その構成材料はPEEK,PVDF
が使用されているが、加熱器(ヒータ)の材料は金属材
料、例えば、ステンレスやチタンが主流であり特に溶出
低減のために電解研磨、さらには不動態化処理が施され
ている。また、その加熱源は主に電気が使用されてい
る。この高温超純水製造装置に関する従来例には、半導
体基盤技術研究会編「超純水の科学」p.240におけ
る“高温超純水システム”が挙げられる。
は、逆浸透膜,イオン交換樹脂,紫外線酸化・殺菌灯,
限外ろ過膜等の構成機器によって製造されており、それ
ぞれの要素機器によって、水中のイオン,全有機炭素
(TOC),微粒子等の不純物を除去し、高純度の水を
得ている。現在における超純水は、その不純物イオン濃
度,TOC濃度とも1μg/l以下で測定も困難な状態
にある。しかし、半導体の集積度も年々増大し、ウエハ
上のトレンチ幅もサブミクロン時代に突入した。この結
果、従来の常温での超純水ではこのトレンチ溝に侵入で
きず、溝内に残留している汚染物質を洗浄・除去するこ
とが困難になってきた。そこで、常温の水に比べ、高温
の水の表面張力や粘度が小さいこと、さらには不純物の
溶解(洗浄)効果が大きい点を考慮して、高温超純水に
よるウエハの洗浄が検討されている。従来、この高温超
純水の製造は超純水を加熱することで得ている。この加
熱装置は極限までに純度を向上させた超純水の純度を損
なうことなく温度だけを上昇させなければならない。し
たがって、構成材料は耐熱性とともに溶出の小さいもの
が使用される。通常、高温超純水の温度は約80℃で使
用されているため、その構成材料はPEEK,PVDF
が使用されているが、加熱器(ヒータ)の材料は金属材
料、例えば、ステンレスやチタンが主流であり特に溶出
低減のために電解研磨、さらには不動態化処理が施され
ている。また、その加熱源は主に電気が使用されてい
る。この高温超純水製造装置に関する従来例には、半導
体基盤技術研究会編「超純水の科学」p.240におけ
る“高温超純水システム”が挙げられる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このように、この高温
超純水製造装置では、加熱器の構成材による、高温下で
の不純物溶出から生成水質が低下するという課題があっ
た。
超純水製造装置では、加熱器の構成材による、高温下で
の不純物溶出から生成水質が低下するという課題があっ
た。
【0004】本発明の目的は原水となる超純水の純度を
損なうことなく所定の温度に加熱できる超純水の加熱装
置を提供することにある。
損なうことなく所定の温度に加熱できる超純水の加熱装
置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】高温超純水製造装置にお
いて最も温度の高い部分は加熱器である。特に、電気ヒ
ータを使用する場合、装置小型化の観点から伝熱面積を
小さくとるとヒータ表面温度が高くなり、液温80℃に
対してヒータの表面温度は数百度になることもある。こ
の結果、加熱器材料からの溶出が起こり生成超純水の水
質低下を引き起こす。そこで、非接触による加熱方式を
採用することが有効になる。そこで、水蒸気による直接
加熱方式を考案した。これは高純度水蒸気を超純水中に
直接吸収させる方法で、加熱源がそのまま超純水の一部
となって利用でき、高温の構成材料と直接超純水が接触
しないため材料溶出による不純物の混入が無いことが特
徴である。この高純度水蒸気の発生源は水蒸気中に不純
物が混入しないことが最低条件である。そのためには高
性能なデミスタの設置が必要で有るが、その一つとし
て、気体は通すが水は通さない性質をもった疎水性多孔
質膜を用いると、水蒸気中に同伴するミストは完全に除
去できる。そこで、ヒータ等で発生させた水蒸気を疎水
性多孔質膜でろ過することで極めて高純度な水蒸気を製
造することができる。
いて最も温度の高い部分は加熱器である。特に、電気ヒ
ータを使用する場合、装置小型化の観点から伝熱面積を
小さくとるとヒータ表面温度が高くなり、液温80℃に
対してヒータの表面温度は数百度になることもある。こ
の結果、加熱器材料からの溶出が起こり生成超純水の水
質低下を引き起こす。そこで、非接触による加熱方式を
採用することが有効になる。そこで、水蒸気による直接
加熱方式を考案した。これは高純度水蒸気を超純水中に
直接吸収させる方法で、加熱源がそのまま超純水の一部
となって利用でき、高温の構成材料と直接超純水が接触
しないため材料溶出による不純物の混入が無いことが特
徴である。この高純度水蒸気の発生源は水蒸気中に不純
物が混入しないことが最低条件である。そのためには高
性能なデミスタの設置が必要で有るが、その一つとし
て、気体は通すが水は通さない性質をもった疎水性多孔
質膜を用いると、水蒸気中に同伴するミストは完全に除
去できる。そこで、ヒータ等で発生させた水蒸気を疎水
性多孔質膜でろ過することで極めて高純度な水蒸気を製
造することができる。
【0006】
【作用】蒸留法では不揮発性の不純物、例えば、塩や金
属イオンは蒸発しないため原水中に残留する。このた
め、発生する水蒸気は極めて高純度になる。しかし、通
常の蒸留では蒸発時に発生する微小液滴(ミスト)が水
蒸気の流れに同伴し、生成水中に混入する。したがっ
て、この蒸気からミストを完全に除去できれば高純度の
水蒸気のみを得ることができる。このミストの除去に疎
水性多孔質膜が有効である。つまり、蒸発器から発生し
た水蒸気を疎水性多孔質膜でろ過すると高純度の水蒸気
が得られる。この高純度水蒸気を常温の超純水に吸収さ
せると超純水を直接加熱できるとともに高純度の水蒸気
の凝縮水で超純水を薄めることができるため、生成水す
る高温超純水の純度を原水となる超純水よりも向上させ
ることができる。
属イオンは蒸発しないため原水中に残留する。このた
め、発生する水蒸気は極めて高純度になる。しかし、通
常の蒸留では蒸発時に発生する微小液滴(ミスト)が水
蒸気の流れに同伴し、生成水中に混入する。したがっ
て、この蒸気からミストを完全に除去できれば高純度の
水蒸気のみを得ることができる。このミストの除去に疎
水性多孔質膜が有効である。つまり、蒸発器から発生し
た水蒸気を疎水性多孔質膜でろ過すると高純度の水蒸気
が得られる。この高純度水蒸気を常温の超純水に吸収さ
せると超純水を直接加熱できるとともに高純度の水蒸気
の凝縮水で超純水を薄めることができるため、生成水す
る高温超純水の純度を原水となる超純水よりも向上させ
ることができる。
【0007】
【実施例】以下、図1ないし図4を用いて本発明の実施
例を詳細に説明する。
例を詳細に説明する。
【0008】図1に本発明の超純水加熱装置の一実施例
を示す。本装置は蒸気発生器101,疎水性多孔質膜1
02および吸収器103より構成される。本装置の原水
となる超純水104は蒸気発生器101と吸収器103
の両方に供給される。蒸気発生器101に供給された超
純水は加熱器107によって加熱され水蒸気を発生す
る。発生した水蒸気は疎水性多孔質膜102によってろ
過される。ここで用いる疎水性多孔質膜は蒸気は通すが
水は通さない性質をもつ。したがって、水蒸気が疎水性
多孔質膜を透過する際、水蒸気は膜を透過するが、蒸発
時に発生した微小液滴(ミスト)は膜を透過できないた
め、水蒸気とミストを完全に分離することができる。そ
の結果、高純度の水蒸気を生成することができる。この
高純度水蒸気は吸収器103に送られもう一つの超純水
に吸収され、超純水は水蒸気の濳熱によって加熱され高
温超純水105となる。高温超純水105は初めの超純
水に加えて高純度水蒸気の凝縮水が含まれるため、当初
の純度よりも向上する。
を示す。本装置は蒸気発生器101,疎水性多孔質膜1
02および吸収器103より構成される。本装置の原水
となる超純水104は蒸気発生器101と吸収器103
の両方に供給される。蒸気発生器101に供給された超
純水は加熱器107によって加熱され水蒸気を発生す
る。発生した水蒸気は疎水性多孔質膜102によってろ
過される。ここで用いる疎水性多孔質膜は蒸気は通すが
水は通さない性質をもつ。したがって、水蒸気が疎水性
多孔質膜を透過する際、水蒸気は膜を透過するが、蒸発
時に発生した微小液滴(ミスト)は膜を透過できないた
め、水蒸気とミストを完全に分離することができる。そ
の結果、高純度の水蒸気を生成することができる。この
高純度水蒸気は吸収器103に送られもう一つの超純水
に吸収され、超純水は水蒸気の濳熱によって加熱され高
温超純水105となる。高温超純水105は初めの超純
水に加えて高純度水蒸気の凝縮水が含まれるため、当初
の純度よりも向上する。
【0009】図2に本発明の超純水加熱装置の一実施例
として原水を別系統から供給した場合の系統を示す。本
装置は有機物除去装置201,脱気器202,蒸気発生
器204,疎水性多孔質膜205および吸収器207よ
り構成される。本装置における蒸気発生器204の原水
は、まず、有機物除去装置201に供給され、原水中に
含まれる有機物が除去される。ここでは特に蒸留法では
除去できない揮発性の有機物の除去を目的とする。さら
に原水は脱気器202に供給され、原水中に含まれる揮
発性物質、例えば、アンモニアや溶存ガス(酸素,炭酸
ガス等)が除去される。脱気器202では加熱器203
によって加熱することで原水中の揮発性不純物の除去を
行う。前段で揮発性の不純物が除去された原水は、蒸気
発生器204に供給され加熱器107によって加熱され
て水蒸気となる。この結果、本加熱脱気器202で原水
中に含まれる揮発性の不純物は除去することができるた
め、蒸気発生器204より生じた水蒸気の純度は高くな
る。さらに、発生した水蒸気は疎水性多孔質膜205に
よってろ過されるため蒸気中のミストも除去され、さら
に高純度の水蒸気となる。高純度水蒸気は吸収器207
に送られ、加熱する超純水に吸収され、超純水は水蒸気
の濳熱によって加熱され高温超純水209となる。高温
超純水209は初めの超純水に加えて高純度水蒸気の凝
縮水が含まれるため、当初の純度よりも向上する。ここ
で示した蒸気発生器204の前処理は一実施例であり、
他の方法でも揮発性の不純物が分解もしくは除去できれ
ば特に問題とはならない。
として原水を別系統から供給した場合の系統を示す。本
装置は有機物除去装置201,脱気器202,蒸気発生
器204,疎水性多孔質膜205および吸収器207よ
り構成される。本装置における蒸気発生器204の原水
は、まず、有機物除去装置201に供給され、原水中に
含まれる有機物が除去される。ここでは特に蒸留法では
除去できない揮発性の有機物の除去を目的とする。さら
に原水は脱気器202に供給され、原水中に含まれる揮
発性物質、例えば、アンモニアや溶存ガス(酸素,炭酸
ガス等)が除去される。脱気器202では加熱器203
によって加熱することで原水中の揮発性不純物の除去を
行う。前段で揮発性の不純物が除去された原水は、蒸気
発生器204に供給され加熱器107によって加熱され
て水蒸気となる。この結果、本加熱脱気器202で原水
中に含まれる揮発性の不純物は除去することができるた
め、蒸気発生器204より生じた水蒸気の純度は高くな
る。さらに、発生した水蒸気は疎水性多孔質膜205に
よってろ過されるため蒸気中のミストも除去され、さら
に高純度の水蒸気となる。高純度水蒸気は吸収器207
に送られ、加熱する超純水に吸収され、超純水は水蒸気
の濳熱によって加熱され高温超純水209となる。高温
超純水209は初めの超純水に加えて高純度水蒸気の凝
縮水が含まれるため、当初の純度よりも向上する。ここ
で示した蒸気発生器204の前処理は一実施例であり、
他の方法でも揮発性の不純物が分解もしくは除去できれ
ば特に問題とはならない。
【0010】図3に本発明の超純水加熱装置の吸収器構
造の一実施例を示す。本装置は蒸気発生器101,疎水
性多孔質膜102および吸収器301より構成される。
本装置の原水となる超純水104は蒸気発生器101と
吸収器301の両方に供給される。蒸気発生器101に
供給された超純水は加熱器107によって加熱され水蒸
気を発生する。発生した水蒸気は疎水性多孔質膜102
によってろ過される。この高純度水蒸気は吸収器301
に送られもう一つの超純水に吸収され、超純水は水蒸気
の濳熱によって加熱され高温超純水302となる。ここ
で、吸収器301は高純度水蒸気の入口と超純水の入口を
有しており、特に超純水は吸収器301の上部から噴霧
される。噴霧された超純水は気相にある高純度水蒸気を
吸収し、飽和蒸気の温度まで加熱される。加熱された超
純水は吸収器301の下部に一時的に貯えられた後、高
温超純水出口より高温超純水302としてユースポイン
トに供給される。
造の一実施例を示す。本装置は蒸気発生器101,疎水
性多孔質膜102および吸収器301より構成される。
本装置の原水となる超純水104は蒸気発生器101と
吸収器301の両方に供給される。蒸気発生器101に
供給された超純水は加熱器107によって加熱され水蒸
気を発生する。発生した水蒸気は疎水性多孔質膜102
によってろ過される。この高純度水蒸気は吸収器301
に送られもう一つの超純水に吸収され、超純水は水蒸気
の濳熱によって加熱され高温超純水302となる。ここ
で、吸収器301は高純度水蒸気の入口と超純水の入口を
有しており、特に超純水は吸収器301の上部から噴霧
される。噴霧された超純水は気相にある高純度水蒸気を
吸収し、飽和蒸気の温度まで加熱される。加熱された超
純水は吸収器301の下部に一時的に貯えられた後、高
温超純水出口より高温超純水302としてユースポイン
トに供給される。
【0011】図4に本発明の超純水製造システムの一実
施例を示す。本システムは超純水製造装置401,本発
明の超純水加熱装置402とから構成される。通常超純
水システムでは大型の超純水製造装置を設置し、ユース
ポイント間を結び最終的に超純水製造装置に戻る循環系
の配管404によって構成される。本実施では、このユ
ースポイント近傍に本発明の超純水加熱装置402を設
置したものであり、ユースポイントにおける超純水の必
要性に応じて高温超純水403や常温の超純水405が
得られる。
施例を示す。本システムは超純水製造装置401,本発
明の超純水加熱装置402とから構成される。通常超純
水システムでは大型の超純水製造装置を設置し、ユース
ポイント間を結び最終的に超純水製造装置に戻る循環系
の配管404によって構成される。本実施では、このユ
ースポイント近傍に本発明の超純水加熱装置402を設
置したものであり、ユースポイントにおける超純水の必
要性に応じて高温超純水403や常温の超純水405が
得られる。
【0012】図5に本発明の超純水製造システムの一実
施例を示す。本実施例では加熱用の高純度水蒸気発生器
と吸収器が分離しているシステムである。本システムは
超純水製造装置501,本発明の超純水加熱装置におけ
る吸収器502,高純度水蒸気発生器506とから構成
される。原水504は超純水製造装置501に供給され
て超純水となり、例えば、LSI製造工場のユースポイ
ントまで循環配管を通って供給される。ユースポイント
において高温超純水が必要な部署では、そのユースポイ
ント直前に吸収器502が設置される。吸収器502に
は超純水とともに別に設置された高純度水蒸気発生装置
506より高純度水蒸気が供給され、超純水にこの高純
度水蒸気508を吸収させることによって高温超純水を
製造し、ユースポイントに供給する。また、高温超純水
を必要としない部署では超純水製造装置から供給された
超純水505をそのまま使用することになる。ここで、
超純水製造装置501および高純度水蒸気発生装置50
6は工場507の外側に設置され、超純水や高純度水蒸
気は配管を通じてユースポイントまで供給される。本実
施例によれば、高純度水蒸気発生装置506をクリーン
ルーム内に設置する必要が無いため、装置からの発塵や
放熱による影響を考慮する必要がなくなり、一括して高
純度水蒸気を製造するためその効率も向上する。
施例を示す。本実施例では加熱用の高純度水蒸気発生器
と吸収器が分離しているシステムである。本システムは
超純水製造装置501,本発明の超純水加熱装置におけ
る吸収器502,高純度水蒸気発生器506とから構成
される。原水504は超純水製造装置501に供給され
て超純水となり、例えば、LSI製造工場のユースポイ
ントまで循環配管を通って供給される。ユースポイント
において高温超純水が必要な部署では、そのユースポイ
ント直前に吸収器502が設置される。吸収器502に
は超純水とともに別に設置された高純度水蒸気発生装置
506より高純度水蒸気が供給され、超純水にこの高純
度水蒸気508を吸収させることによって高温超純水を
製造し、ユースポイントに供給する。また、高温超純水
を必要としない部署では超純水製造装置から供給された
超純水505をそのまま使用することになる。ここで、
超純水製造装置501および高純度水蒸気発生装置50
6は工場507の外側に設置され、超純水や高純度水蒸
気は配管を通じてユースポイントまで供給される。本実
施例によれば、高純度水蒸気発生装置506をクリーン
ルーム内に設置する必要が無いため、装置からの発塵や
放熱による影響を考慮する必要がなくなり、一括して高
純度水蒸気を製造するためその効率も向上する。
【0013】
【発明の効果】本発明によれば高純度超純水に直接高純
度水蒸気を吸収させることによって高温超純水を製造す
るため、従来加熱面からの構成材料の溶出による不純物
の混入を防止できるため、高純度の高温超純水を製造す
ることができる。
度水蒸気を吸収させることによって高温超純水を製造す
るため、従来加熱面からの構成材料の溶出による不純物
の混入を防止できるため、高純度の高温超純水を製造す
ることができる。
【図1】本発明の超純水加熱装置の一実施例のブロック
図。
図。
【図2】本発明の超純水加熱装置の一実施例のブロック
図。
図。
【図3】本発明の超純水加熱装置の吸収器の一実施例の
ブロック図。
ブロック図。
【図4】本発明の超純水製造システムの一実施例のブロ
ック図。
ック図。
【図5】本発明の超純水製造システムの一実施例のブロ
ック図。
ック図。
101…蒸気発生器、102…疎水性多孔質膜、103
…吸収器。
…吸収器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 船橋 清美 茨城県日立市大みか町七丁目2番1号 株 式会社日立製作所エネルギー研究所内 (72)発明者 滝野 和彦 東京都千代田区内神田一丁目1番14号 日 立プラント建設株式会社内
Claims (8)
- 【請求項1】超純水に直接高純度水蒸気を吸収させるこ
とにより加熱することを特徴とする超純水加熱装置。 - 【請求項2】請求項1において、前記高純度水蒸気が疎
水性多孔質膜でろ過することで得たものである超純水加
熱装置。 - 【請求項3】請求項1にいて、前記高純度水蒸気の原水
が加熱する超純水と同一である超純水加熱装置。 - 【請求項4】請求項2において、前記疎水性多孔質膜が
フッ素系の有機高分子材料から成る超純水加熱装置。 - 【請求項5】超純水に直接高純度水蒸気を吸収させるこ
とにより加熱することを特徴とする超純水加熱装置を設
置した超純水製造装置。 - 【請求項6】請求項5において、前記超純水加熱装置が
ユースポイント近傍に設置されている超純水製造装置。 - 【請求項7】請求項5において、前記高純度水蒸気の発
生器と吸収器が独立に設置されている超純水製造装置。 - 【請求項8】請求項7において、前記高純度水蒸気の発
生器がクリーンルーム等の外側に設置されている超純水
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4677394A JPH07251157A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 超純水加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4677394A JPH07251157A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 超純水加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07251157A true JPH07251157A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=12756654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4677394A Pending JPH07251157A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 超純水加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07251157A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007160231A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Japan Organo Co Ltd | 超純水システム |
| JP2023164108A (ja) * | 2022-04-28 | 2023-11-10 | 株式会社Sosui | 水、その製造方法および製造システム |
-
1994
- 1994-03-17 JP JP4677394A patent/JPH07251157A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007160231A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Japan Organo Co Ltd | 超純水システム |
| JP2023164108A (ja) * | 2022-04-28 | 2023-11-10 | 株式会社Sosui | 水、その製造方法および製造システム |
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