JPH0725208B2 - 情報記録用媒体 - Google Patents
情報記録用媒体Info
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- JPH0725208B2 JPH0725208B2 JP2329490A JP32949090A JPH0725208B2 JP H0725208 B2 JPH0725208 B2 JP H0725208B2 JP 2329490 A JP2329490 A JP 2329490A JP 32949090 A JP32949090 A JP 32949090A JP H0725208 B2 JPH0725208 B2 JP H0725208B2
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- JP
- Japan
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- point
- change
- recording layer
- substrate
- ratio
- Prior art date
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規な情報記録材料、さらに詳しくいえば、所
定の基板上に設けた記録層にレーザー光のようなエネル
ギービームを照射し、照射部分の反射率変化を利用し
て、情報の記録及び読み出して行うための媒体に関する
ものである。
定の基板上に設けた記録層にレーザー光のようなエネル
ギービームを照射し、照射部分の反射率変化を利用し
て、情報の記録及び読み出して行うための媒体に関する
ものである。
従来の技術 従来、記録可能な情報記録媒体としては、例えば、基板
上に所定の記録層を設け、レーザー光を照射し、情報に
応じた孔を形成させ、この孔の有無による反射率の差を
利用して情報を読み出す記録媒体が知られている。
上に所定の記録層を設け、レーザー光を照射し、情報に
応じた孔を形成させ、この孔の有無による反射率の差を
利用して情報を読み出す記録媒体が知られている。
この場合、記録層としては、融点の低いTeやBi及びそれ
らを含む合金あるいは化合物などがよく用いられてい
る。
らを含む合金あるいは化合物などがよく用いられてい
る。
また、レーザー光照射により光学特性を変化させ、この
光学特性の変化によって生じる反射率の変化を利用する
記録層も提案されており、このようなものとしては、例
えばTeO2中にTeの微粒子を分散させた系（特開昭59−18
5048号公報）や、Sb2Se3＼Bi2Te3などの２層構造のもの
（特開昭59−35988号公報）やTeを主成分とするカルコ
ゲナイトガラス（特公昭47−26897号公報）などが知ら
れている。
光学特性の変化によって生じる反射率の変化を利用する
記録層も提案されており、このようなものとしては、例
えばTeO2中にTeの微粒子を分散させた系（特開昭59−18
5048号公報）や、Sb2Se3＼Bi2Te3などの２層構造のもの
（特開昭59−35988号公報）やTeを主成分とするカルコ
ゲナイトガラス（特公昭47−26897号公報）などが知ら
れている。
しかしながら、上記の孔開け方式では、孔を形成させる
に際して、加熱の他に、溶融、分散、あるいは蒸発とい
う過程を伴うために、溶融時の粘度や分散時の表面張力
などが微妙な影響を与え、孔の形状を制御しにくく、ま
た、孔の内部に残留物が発生して、ノイズの増加やエラ
ーの増加をもたらす欠点がある。
に際して、加熱の他に、溶融、分散、あるいは蒸発とい
う過程を伴うために、溶融時の粘度や分散時の表面張力
などが微妙な影響を与え、孔の形状を制御しにくく、ま
た、孔の内部に残留物が発生して、ノイズの増加やエラ
ーの増加をもたらす欠点がある。
他方、レーザー光照射による加熱によって生じる光学特
性の変化を利用する方式では、記録層の溶融、分散ある
いは蒸発という過程を必要としないために、ビットの形
状を制御することが容易であり、かつ、孔内の残留物発
生という問題もなくなる。しかし、この方式を利用する
従来の記録材では、熱的安定性が乏しく、これが実用上
の障害となっていた。
性の変化を利用する方式では、記録層の溶融、分散ある
いは蒸発という過程を必要としないために、ビットの形
状を制御することが容易であり、かつ、孔内の残留物発
生という問題もなくなる。しかし、この方式を利用する
従来の記録材では、熱的安定性が乏しく、これが実用上
の障害となっていた。
ところで、Sb2Te3という化合物は、加熱によって透過率
が大きく変化するために、これまでも情報記録材として
利用することが検討されていたが、変化温度が低く熱的
安定性に欠くため、実用上の使用が不可能とされていた
〔「ジャーナル・オブ・アプライド・フイジックス（J.
Appl.Phys）」、第54巻（No.3）、第1256〜1260ペー
ジ〕。
が大きく変化するために、これまでも情報記録材として
利用することが検討されていたが、変化温度が低く熱的
安定性に欠くため、実用上の使用が不可能とされていた
〔「ジャーナル・オブ・アプライド・フイジックス（J.
Appl.Phys）」、第54巻（No.3）、第1256〜1260ペー
ジ〕。
発明が解決しようとする課題 本発明の目的は、このような事情に鑑み、レーザ照射に
よる光学特性の変化を利用する情報記録媒体において、
熱的に安定であり、かつ感度、S/N比及びビットエラー
率の点で従来のものよりも優れた記録材を提供すること
にある。
よる光学特性の変化を利用する情報記録媒体において、
熱的に安定であり、かつ感度、S/N比及びビットエラー
率の点で従来のものよりも優れた記録材を提供すること
にある。
課題を解決するための手段 本発明者らは、前記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた
結果、基板上に、少なくともSb、Te及びGeの３元素から
成り、かつこれらの３元素の割合が特定の範囲にある記
録層を設けることにより、Sb−Teの二元系の特徴である
光学特性の変化自体をほとんど変えることなく、熱的安
定性を大幅に向上しうることを見い出し、この知見に基
づいて本発明を完成するに至った。
結果、基板上に、少なくともSb、Te及びGeの３元素から
成り、かつこれらの３元素の割合が特定の範囲にある記
録層を設けることにより、Sb−Teの二元系の特徴である
光学特性の変化自体をほとんど変えることなく、熱的安
定性を大幅に向上しうることを見い出し、この知見に基
づいて本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、基板上に、加熱により光の吸収係
数が変化する材料から成る記録層を設け、該吸収係数の
変化によって生じる光の反射率の変化により情報を記録
する情報記録用媒体において、該記録層が少なくともS
b、Te及びGeの３元素から成り、基板上に、加熱により
光の吸収係数が変化する材料から成る記録層を設け、該
吸収係数の変化によって生じる光の反射率の変化により
情報を記録する情報記録媒体において、該記録層が少な
くともSb、Te及びGeの３元素から成り、かつこれらの３
元素の原子数比が、これらの各元素を頂点とする三角座
標グラフにおいて、 点（Sb0.8Te0Ge0.2）と点（Sb0Te0.8Ge0.2）とを結ぶ直
線（イ）、 点（Sb0.4Te0Ge0.6）と点（Sb0Te0.4Ge0.6）とを結ぶ直
線（ロ）、 点（Sb0.2Te0Ge0.8）と点（Sb0.2Te0.8Ge0）とを結ぶ直
線（ハ）、 点（Sb0Te0Ge1.0）と点（Sb0.05Te0.95Ge0）とを結ぶ直
線（ニ） によって囲まれる領域内 ［ただし直線（イ）（ロ）（ハ）（ニ）を含むが、 点（Sb0.4Te0.6Ge0）と点（Sb0Te0.5Ge0.5）とを結ぶ直
線（ホ） 及び 点（Sb0Te0.5Ge0.5）と点（Sb1.0Te0Ge0）とを結ぶ直線
（ヘ）を除く］ の組成を有することを特徴とする情報記録用媒体を提供
するものである。
数が変化する材料から成る記録層を設け、該吸収係数の
変化によって生じる光の反射率の変化により情報を記録
する情報記録用媒体において、該記録層が少なくともS
b、Te及びGeの３元素から成り、基板上に、加熱により
光の吸収係数が変化する材料から成る記録層を設け、該
吸収係数の変化によって生じる光の反射率の変化により
情報を記録する情報記録媒体において、該記録層が少な
くともSb、Te及びGeの３元素から成り、かつこれらの３
元素の原子数比が、これらの各元素を頂点とする三角座
標グラフにおいて、 点（Sb0.8Te0Ge0.2）と点（Sb0Te0.8Ge0.2）とを結ぶ直
線（イ）、 点（Sb0.4Te0Ge0.6）と点（Sb0Te0.4Ge0.6）とを結ぶ直
線（ロ）、 点（Sb0.2Te0Ge0.8）と点（Sb0.2Te0.8Ge0）とを結ぶ直
線（ハ）、 点（Sb0Te0Ge1.0）と点（Sb0.05Te0.95Ge0）とを結ぶ直
線（ニ） によって囲まれる領域内 ［ただし直線（イ）（ロ）（ハ）（ニ）を含むが、 点（Sb0.4Te0.6Ge0）と点（Sb0Te0.5Ge0.5）とを結ぶ直
線（ホ） 及び 点（Sb0Te0.5Ge0.5）と点（Sb1.0Te0Ge0）とを結ぶ直線
（ヘ）を除く］ の組成を有することを特徴とする情報記録用媒体を提供
するものである。
第１図は、本発明の組成範囲を示す、Sb、Te及びGeの３
元素を頂点とする三角座標グラフであり、本発明は斜線
で示される範囲において直線ホ及びヘの上の点を除いた
組成範囲を有している。
元素を頂点とする三角座標グラフであり、本発明は斜線
で示される範囲において直線ホ及びヘの上の点を除いた
組成範囲を有している。
この際の加熱の手段としては、レーザー光の電子ビーム
などのエネルギービームの照射が好適である。レーザー
光や電子ビームなどのエネルギービームの照射により情
報を記録する場合、エネルギービームの照射による加熱
温度及び照射後の冷却速度により、２通りの記録を行う
ことができる。すなわち、吸収係数の小さい状態から大
きい状態へ変化させることによって記録を行ったり、吸
収係数の大きい状態から小さい状態へ変化させることに
よっても記録を行うことができる。
などのエネルギービームの照射が好適である。レーザー
光や電子ビームなどのエネルギービームの照射により情
報を記録する場合、エネルギービームの照射による加熱
温度及び照射後の冷却速度により、２通りの記録を行う
ことができる。すなわち、吸収係数の小さい状態から大
きい状態へ変化させることによって記録を行ったり、吸
収係数の大きい状態から小さい状態へ変化させることに
よっても記録を行うことができる。
本発明の情報記録媒体における記録層は、少なくともS
b、Te、Geの３元素から成っており、これらの組成比
は、一般式（SbxTe1-x）yGe1-xで表わした場合、ｘが0.
05〜0.7、好ましくは0.1〜0.6、ｙが0.4〜0.8、好まし
くは0.5〜0.7の範囲であって、TeとGeとが等しい場合及
びGe1-xSb2xTe1+2x（０＜ｘ＜1.0）の場合を除いたもの
である。ｘの値が0.05未満では加熱による吸収係数の変
化が小さく、十分なコントラストが得られない上に、温
度や湿度に対する安定性が低く、また0.7を越えるとコ
ントラストが極端に低くなり、したがって、S/N比も低
くなる。一方、ｙの値が0.8を超えると加熱による吸収
係数の変化が低温で生じるようになり、熱安定性が低下
するし、また0.4未満ではコントラストが極端に低下
し、S/N法も低くなる。特に感度を重要視する場合は、
ｘの値は0.1〜0.35の範囲にあることが好ましい。
b、Te、Geの３元素から成っており、これらの組成比
は、一般式（SbxTe1-x）yGe1-xで表わした場合、ｘが0.
05〜0.7、好ましくは0.1〜0.6、ｙが0.4〜0.8、好まし
くは0.5〜0.7の範囲であって、TeとGeとが等しい場合及
びGe1-xSb2xTe1+2x（０＜ｘ＜1.0）の場合を除いたもの
である。ｘの値が0.05未満では加熱による吸収係数の変
化が小さく、十分なコントラストが得られない上に、温
度や湿度に対する安定性が低く、また0.7を越えるとコ
ントラストが極端に低くなり、したがって、S/N比も低
くなる。一方、ｙの値が0.8を超えると加熱による吸収
係数の変化が低温で生じるようになり、熱安定性が低下
するし、また0.4未満ではコントラストが極端に低下
し、S/N法も低くなる。特に感度を重要視する場合は、
ｘの値は0.1〜0.35の範囲にあることが好ましい。
さらに、実用的な観点から、長時間にわたって同一個所
に情報読み出しビームを照射し続けることも生じるが、
このような長時間再生時には、読み出しビームによる熱
が蓄積され、その熱によって未記録部分も徐々に記録部
分と同一状態に近づき、その結果再生信号の振幅が減少
して、S/N比やエラストマーが徐々に低下する傾向があ
る。したがって、このような長時間再生に対する安定性
を考慮し、さらに感度及びS/N比のバランスをとるため
には、前記ｘの値が0.15〜0.4で、ｙの値が0.5〜0.7の
範囲にあることが実用上最も好ましい。
に情報読み出しビームを照射し続けることも生じるが、
このような長時間再生時には、読み出しビームによる熱
が蓄積され、その熱によって未記録部分も徐々に記録部
分と同一状態に近づき、その結果再生信号の振幅が減少
して、S/N比やエラストマーが徐々に低下する傾向があ
る。したがって、このような長時間再生に対する安定性
を考慮し、さらに感度及びS/N比のバランスをとるため
には、前記ｘの値が0.15〜0.4で、ｙの値が0.5〜0.7の
範囲にあることが実用上最も好ましい。
また、SbとTeとGeの合計量に基づく、Sbの量は20原子％
以下である。
以下である。
本発明の情報記録用材料においては、記録層としてSb、
Te及びGeの３元素のみから成るものを用いるだけで実用
的には十分であるが、必要に応じ他の元素を含有させる
こともできる。
Te及びGeの３元素のみから成るものを用いるだけで実用
的には十分であるが、必要に応じ他の元素を含有させる
こともできる。
（SbxTe1-x）yGe1-yの記録層は、真空蒸着、スパッタリ
ングなどの蒸着法で形成される。組成のコントロールに
は、真空蒸着の場合は、三元共蒸着法やあるいは特定組
成の蒸着物をフラッシュ蒸着法によって行うのが好まし
く、また、所望の組成によっては、二元共蒸着法で行う
こともできる。
ングなどの蒸着法で形成される。組成のコントロールに
は、真空蒸着の場合は、三元共蒸着法やあるいは特定組
成の蒸着物をフラッシュ蒸着法によって行うのが好まし
く、また、所望の組成によっては、二元共蒸着法で行う
こともできる。
他方、スパッタリングの場合は、特定組成のターゲット
材料を用いたり、１つの元素あるいは合金のターゲット
材の上に、他の元素あるいは合金の破片を置いて行うの
が有利である。
材料を用いたり、１つの元素あるいは合金のターゲット
材の上に、他の元素あるいは合金の破片を置いて行うの
が有利である。
真空蒸着法によって膜形成を行う場合には、真空度は10
-5〜10-6Torrの範囲、蒸着速度は0.5〜20Å／秒の範囲
が好ましく、また基板温度としては特に制限はないの
で、室温が望ましい。一法、スパッタリング法による場
合は、特に基板温度が上昇しやすいので、冷却する必要
がある。
-5〜10-6Torrの範囲、蒸着速度は0.5〜20Å／秒の範囲
が好ましく、また基板温度としては特に制限はないの
で、室温が望ましい。一法、スパッタリング法による場
合は、特に基板温度が上昇しやすいので、冷却する必要
がある。
一般に、基板上に薄膜が積層されている場合の反射率
は、基板及び薄膜の屈折率、吸収係数及び厚みによって
一義的に決まるので、加熱前後の屈折率及び吸収係数を
用いて、各膜厚での反射率を求めることによって、加熱
前後の反射率変化を大きくするための膜厚の範囲は自ず
と決まる。一方、実際にレーザー光などの照射によって
記録を行う場合には、記録層や反射層の膜厚によってレ
ーザー光の吸収率や熱の逸散状態が異なり、したがって
記録感度が異なってくる。記録層や反射層の好ましい膜
厚範囲は、主に前記した２つの要因から決まる。
は、基板及び薄膜の屈折率、吸収係数及び厚みによって
一義的に決まるので、加熱前後の屈折率及び吸収係数を
用いて、各膜厚での反射率を求めることによって、加熱
前後の反射率変化を大きくするための膜厚の範囲は自ず
と決まる。一方、実際にレーザー光などの照射によって
記録を行う場合には、記録層や反射層の膜厚によってレ
ーザー光の吸収率や熱の逸散状態が異なり、したがって
記録感度が異なってくる。記録層や反射層の好ましい膜
厚範囲は、主に前記した２つの要因から決まる。
（SbxTe1-x）yGe1-yを記録層として情報記録媒体に用い
る場合、この記録層単度でもよいが、その場合には十分
なコントラストを得るために、記録層の膜厚は700Å以
上、好ましくは800〜2000Åの範囲にするのがよい。し
かし、膜厚をあまり厚くすると、光の吸収係数を変化さ
せるための物理化学的な状態変化を膜厚方向に一様に生
じさせにくくなり、本来の高いコントラストに相当する
S/N比を得ることができなくなる。これに対し、記録層
の上若しくは下に反射層を設ける場合、記録層の膜厚が
薄い領域においても十分なコントラストを得ることがで
き、その結果高いS/N比を得ることができるので有利で
ある。このような反射層を設ける場合には、記録層の膜
厚は反射層の材料及び膜厚によって左右されるが、一般
に20〜1000Åの範囲が好ましい。
る場合、この記録層単度でもよいが、その場合には十分
なコントラストを得るために、記録層の膜厚は700Å以
上、好ましくは800〜2000Åの範囲にするのがよい。し
かし、膜厚をあまり厚くすると、光の吸収係数を変化さ
せるための物理化学的な状態変化を膜厚方向に一様に生
じさせにくくなり、本来の高いコントラストに相当する
S/N比を得ることができなくなる。これに対し、記録層
の上若しくは下に反射層を設ける場合、記録層の膜厚が
薄い領域においても十分なコントラストを得ることがで
き、その結果高いS/N比を得ることができるので有利で
ある。このような反射層を設ける場合には、記録層の膜
厚は反射層の材料及び膜厚によって左右されるが、一般
に20〜1000Åの範囲が好ましい。
反射層に用いることのできる材料としては、情報読み出
しビームに対して高い吸収係数を有する物質が好まし
く、このようなものとしては、例えばAl,Ti,Cr,Co,Ni,S
e,Ge,Zr,Ag,In,Sn,Sb,Te,Pt,Au,Pb,Biなどの金属、ある
いはそれらの合金を挙げることができる。これらの中
で、特にSb,Te及びBi、あるいはそれらの合金が、感度
の点で優れている。該反射層は、これらの元素や合金の
単独でもよいが、２種以上の元素あるいは合金を積層し
てもよい。この反射層の膜厚は100Å以上が好ましく、
特に感度の点から100〜1000Åの範囲にあることが好ま
しい。なお、以下において、反射層を設けた構成につい
て述べる場合、記録層と反射層の両者を合わせて情報担
体層と称する。
しビームに対して高い吸収係数を有する物質が好まし
く、このようなものとしては、例えばAl,Ti,Cr,Co,Ni,S
e,Ge,Zr,Ag,In,Sn,Sb,Te,Pt,Au,Pb,Biなどの金属、ある
いはそれらの合金を挙げることができる。これらの中
で、特にSb,Te及びBi、あるいはそれらの合金が、感度
の点で優れている。該反射層は、これらの元素や合金の
単独でもよいが、２種以上の元素あるいは合金を積層し
てもよい。この反射層の膜厚は100Å以上が好ましく、
特に感度の点から100〜1000Åの範囲にあることが好ま
しい。なお、以下において、反射層を設けた構成につい
て述べる場合、記録層と反射層の両者を合わせて情報担
体層と称する。
本発明における反射層は、記録層と同様、真空蒸着、ス
パッタリングなどの蒸着法を用いて形成することができ
る。
パッタリングなどの蒸着法を用いて形成することができ
る。
本発明における基板としては、ガラスやガラス上に光硬
化性樹脂を設けたもの、ポリカーボネート、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリスチレンなどのプラスチック基
板、アルミニウム合金などの金属板などが用いられる。
化性樹脂を設けたもの、ポリカーボネート、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリスチレンなどのプラスチック基
板、アルミニウム合金などの金属板などが用いられる。
第１図ないし第２図は、本発明の記録媒体の構造例を示
す断面図であり、１は基板、２は記録層、３は反射層で
ある。
す断面図であり、１は基板、２は記録層、３は反射層で
ある。
本発明の記録媒体を実際に情報記録媒体として用いる場
合は、基板上に記録層を設けた２枚の同一の円板を、記
録材を設けた面を互いに対向させた状態で、スペーサー
を介して接着一体化した、いわゆるエアーサンドイッチ
構造や２枚の同一の円板を、記録材を設けた面を互いに
対向させた状態で、スペーサーを介さずに、全面で接着
し一体化させた、いわゆる全面接着構造、あるいはこれ
らとは全く異なり、フィルム状のシートの上に記録材を
設け、このシートをロール状に巻いた構造などいずれの
構造にしてもよい。なお、実施例においては、吸収係数
の小さい状態から大きい状態へ変化させることによって
記録を行う場合について説明しているが、逆の場合も同
様に行うことができる。
合は、基板上に記録層を設けた２枚の同一の円板を、記
録材を設けた面を互いに対向させた状態で、スペーサー
を介して接着一体化した、いわゆるエアーサンドイッチ
構造や２枚の同一の円板を、記録材を設けた面を互いに
対向させた状態で、スペーサーを介さずに、全面で接着
し一体化させた、いわゆる全面接着構造、あるいはこれ
らとは全く異なり、フィルム状のシートの上に記録材を
設け、このシートをロール状に巻いた構造などいずれの
構造にしてもよい。なお、実施例においては、吸収係数
の小さい状態から大きい状態へ変化させることによって
記録を行う場合について説明しているが、逆の場合も同
様に行うことができる。
実施例 次に実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。
実施例１ 厚さ1.2mmのスライドガラス上に、抵抗加熱法により、S
b、Te及びGeを入れた３つの蒸着ボートから、三元共蒸
着により第１表に示すような組成の膜を、300Åの厚み
にそれぞれ形成した。比較例として、Sb2Te3合金を１つ
の蒸着ボートから蒸着し、300Åの厚みの膜を形成し
た。
b、Te及びGeを入れた３つの蒸着ボートから、三元共蒸
着により第１表に示すような組成の膜を、300Åの厚み
にそれぞれ形成した。比較例として、Sb2Te3合金を１つ
の蒸着ボートから蒸着し、300Åの厚みの膜を形成し
た。
これらのサンプルを、50℃から250℃までの温度範囲
で、約10分間の加熱処理を施し、それぞれの温度におけ
る光透過率を、波長830nmのところで測定した。この透
過率の変化率を第３図に示す。
で、約10分間の加熱処理を施し、それぞれの温度におけ
る光透過率を、波長830nmのところで測定した。この透
過率の変化率を第３図に示す。
サンプルＡ及びＢの光学特性の変化を解析したところ、
加熱処理の前後で消衰係数すなわち吸収係数の変化が大
きいことが分かった。
加熱処理の前後で消衰係数すなわち吸収係数の変化が大
きいことが分かった。
これらのサンプルの加熱処理を施さなかったものを80℃
の乾燥器中に７日間放置したのち、透過率を測定した。
この７日後の透過率変化を第４図に示す。
の乾燥器中に７日間放置したのち、透過率を測定した。
この７日後の透過率変化を第４図に示す。
第４図より、Geを含まない例では透過率が大きく変化し
ているのに対し、Geを20原子％以上含む例では透過率変
化がほとんどなく、したがって、熱的に非常に安定であ
ることが分かる。
ているのに対し、Geを20原子％以上含む例では透過率変
化がほとんどなく、したがって、熱的に非常に安定であ
ることが分かる。
実施例２ 実施例１と同様の方法で、厚さ1.2mmのスライドガラス
上に、三元共蒸着法によりSb、Te及びGeの膜を、第２表
に示す組成で、300Åの厚みに形成させた。第２表中の
ｘ及びｙは、作成した膜の組成を式（SbxTe1-x）yGe1-y
（ｘ及びｙは原子数比を示す）で表わした場合の相当す
る値である。
上に、三元共蒸着法によりSb、Te及びGeの膜を、第２表
に示す組成で、300Åの厚みに形成させた。第２表中の
ｘ及びｙは、作成した膜の組成を式（SbxTe1-x）yGe1-y
（ｘ及びｙは原子数比を示す）で表わした場合の相当す
る値である。
これらのサンプルを、未処理の状態と、200℃に加温し
たオーブン中で約10分間加熱処理を施した状態とで、波
長830nmの光透過率を測定した。この加熱前後における
透過率の変化率を第５図に示す。この図から明らかなよ
うに、すべてのサンプルにおいて透過率の変化が大きく
なっている。
たオーブン中で約10分間加熱処理を施した状態とで、波
長830nmの光透過率を測定した。この加熱前後における
透過率の変化率を第５図に示す。この図から明らかなよ
うに、すべてのサンプルにおいて透過率の変化が大きく
なっている。
これらのサンプルで加熱処理を施さなかったものを50
℃、90％RHの恒温恒湿槽中に10日間放置したのち、透過
率を測定したところ、Ａ及びＤのサンプルの透過率は、
初期に比べて、それぞれ約２倍及び約1.5倍に増加して
いた。この透過率の増加はTeの酸化によるものと推測さ
れる。他方、Ａ及びＤ以外のサンプルについては透過率
の変化はほとんど認められなかった。
℃、90％RHの恒温恒湿槽中に10日間放置したのち、透過
率を測定したところ、Ａ及びＤのサンプルの透過率は、
初期に比べて、それぞれ約２倍及び約1.5倍に増加して
いた。この透過率の増加はTeの酸化によるものと推測さ
れる。他方、Ａ及びＤ以外のサンプルについては透過率
の変化はほとんど認められなかった。
以上より、ｘの値が0.05以上の領域が、加熱による透過
率の変化が大きく、かつ高温多湿環境下でも安定性であ
ることが分る。
率の変化が大きく、かつ高温多湿環境下でも安定性であ
ることが分る。
実施例３ 厚さ1.2mmとスライドグラス上に、抵抗加熱により、S
b、Te及びGeを入れた３つの蒸着ボートから三元共蒸着
によって、Sb0.12Te0.48Ge0.4の組成比の膜を、それぞ
れ200Å、350Å、600Åの厚みで形成し、さらにその上
に抵抗加熱法によりSb膜を1000Åの厚みで設けた。
b、Te及びGeを入れた３つの蒸着ボートから三元共蒸着
によって、Sb0.12Te0.48Ge0.4の組成比の膜を、それぞ
れ200Å、350Å、600Åの厚みで形成し、さらにその上
に抵抗加熱法によりSb膜を1000Åの厚みで設けた。
これらのサンプルを、未処理の状態と、200℃に加温し
たオーブン中で約10分間加熱処理を施した状態とで、波
長830nmの、スライドガラス側からの反射率を測定し
た。この加熱処理前後の反射率を第６図に示す。図中の
実線は加熱前、破線は加熱後のものである（以下同
じ）。この第６図より、Sbを反射層に用いた場合は、記
録層の膜厚が、350Å前後でコントラストが最も高いこ
とが分る。
たオーブン中で約10分間加熱処理を施した状態とで、波
長830nmの、スライドガラス側からの反射率を測定し
た。この加熱処理前後の反射率を第６図に示す。図中の
実線は加熱前、破線は加熱後のものである（以下同
じ）。この第６図より、Sbを反射層に用いた場合は、記
録層の膜厚が、350Å前後でコントラストが最も高いこ
とが分る。
次に、直径305mm、厚さ1.5mmの射出成形法によって得ら
れた円板状のアクリル基板及び1.2mmのスライドガラス
上に、三元共蒸着法によってSb0.12Te0.48Ge0.4の組成
比の膜を、350Åの厚さに形成したのち、さらに、この
上に、抵抗加熱法によってSbをそれぞれ200Å、500Å形
成した。スライドガラス上に形成したサンプルについ
て、同様に、スライドガラス側から測定した加熱処理前
後の反射率を第７図に示す。第６図及び第７図の計算曲
線は、加熱処理前の屈折率（4.4）と消衰係数（1.6）
と、加熱処理後の屈折率（4.2）と消衰係数（4.0）に基
づいて計算したものである。アクリル基板上に膜を形成
したサンプルを、900rpmで基板回転させ、透明な基板を
介して半導体レーザー（波長830nm）の光を集光させて
照射し、円板上の直径140mmの個所に1.5MHzの信号を書
き込んだ。信号の再生には、同一波長の半導体レーザー
光を用い、1.2mWで再生した。信号のC/N比はバンド幅30
KHzで測定した。この際、円板上の直径140mmの個所に信
号を記録するのに要したレーザーパワーは、記録鏡面で
それぞれ4mW、5.5mWでC/N比は60dB及び58dBであり、実
用上、十分な感度及びC/N比を有していた。しかし、Sb
が500Åのものは、熱の逃散が大きいために、200Åのも
のに比べて感度が低く、C/N比も若干低かった。これら
のサンプルを60℃の乾燥器中に10日間放置しても、感
度、C/N比、反射率に変化は認められなかった。
れた円板状のアクリル基板及び1.2mmのスライドガラス
上に、三元共蒸着法によってSb0.12Te0.48Ge0.4の組成
比の膜を、350Åの厚さに形成したのち、さらに、この
上に、抵抗加熱法によってSbをそれぞれ200Å、500Å形
成した。スライドガラス上に形成したサンプルについ
て、同様に、スライドガラス側から測定した加熱処理前
後の反射率を第７図に示す。第６図及び第７図の計算曲
線は、加熱処理前の屈折率（4.4）と消衰係数（1.6）
と、加熱処理後の屈折率（4.2）と消衰係数（4.0）に基
づいて計算したものである。アクリル基板上に膜を形成
したサンプルを、900rpmで基板回転させ、透明な基板を
介して半導体レーザー（波長830nm）の光を集光させて
照射し、円板上の直径140mmの個所に1.5MHzの信号を書
き込んだ。信号の再生には、同一波長の半導体レーザー
光を用い、1.2mWで再生した。信号のC/N比はバンド幅30
KHzで測定した。この際、円板上の直径140mmの個所に信
号を記録するのに要したレーザーパワーは、記録鏡面で
それぞれ4mW、5.5mWでC/N比は60dB及び58dBであり、実
用上、十分な感度及びC/N比を有していた。しかし、Sb
が500Åのものは、熱の逃散が大きいために、200Åのも
のに比べて感度が低く、C/N比も若干低かった。これら
のサンプルを60℃の乾燥器中に10日間放置しても、感
度、C/N比、反射率に変化は認められなかった。
実施例４ 厚さ1.5mm、直径305mmの強化ガラスの円板状に、光硬化
性樹脂を用いて、あらかじめ溝（深さ700Å、巾0.6μ
ｍ、ピッチ1.6μｍ）を形成した基板上に、抵抗加熱法
により、Sb、Te及びGeを入れた３つの蒸着ボートから三
元共蒸着によって、Sb0.15Te0.35Ge0.5の組成比の膜
を、厚さ400Åで形成させ、さらにこの上に、同様の抵
抗加熱法で300ÅのBi膜を設けた。
性樹脂を用いて、あらかじめ溝（深さ700Å、巾0.6μ
ｍ、ピッチ1.6μｍ）を形成した基板上に、抵抗加熱法
により、Sb、Te及びGeを入れた３つの蒸着ボートから三
元共蒸着によって、Sb0.15Te0.35Ge0.5の組成比の膜
を、厚さ400Åで形成させ、さらにこの上に、同様の抵
抗加熱法で300ÅのBi膜を設けた。
この記録体を記録する信号を3MHzにすること以外は、実
施例３と同様の方法で評価したところ、感度6mW、C/N比
58dBを得た。
施例３と同様の方法で評価したところ、感度6mW、C/N比
58dBを得た。
これを80℃の乾燥器中に10日間放置しても、感度、C/N
比、反射率に変化は認められなかった。
比、反射率に変化は認められなかった。
実施例５ 射出成形により、あらかじめ溝（深さ700Å、巾0.5μ
ｍ、ピッチ1.6μｍ）を設けた厚さ1.5mm、直径305mmの
アクリル基板上に、抵抗加熱法により、Sb、Te及びGeの
３元素を共蒸着させ、組成比（SbxTe1-x）yGe1-yの膜を
厚さ300Åで形成させた。ここでｙ＝0.6とし、ｘの値を
0.1、0.2、0.3として３種のサンプルを作成した。これ
ら３種のサンプルのすべてについて、（SbxTe1-x）yGe
1-yの膜上に、さらに厚さ200ÅのSb膜を形成させた。
ｍ、ピッチ1.6μｍ）を設けた厚さ1.5mm、直径305mmの
アクリル基板上に、抵抗加熱法により、Sb、Te及びGeの
３元素を共蒸着させ、組成比（SbxTe1-x）yGe1-yの膜を
厚さ300Åで形成させた。ここでｙ＝0.6とし、ｘの値を
0.1、0.2、0.3として３種のサンプルを作成した。これ
ら３種のサンプルのすべてについて、（SbxTe1-x）yGe
1-yの膜上に、さらに厚さ200ÅのSb膜を形成させた。
それぞれの媒体を実施例４と同様の方法で評価したとこ
ろ、それぞれ、感度C/N比として（3.5mW、60dB）、（4m
W、6dB）、（4.5mW、60dB）を得た。これらのデイスク
を60℃、82％RHの条件下で７日間の加速テストを行った
のち信号を再生したところ、いずれのサンプルについて
もC/N比の変化は認められなかった。
ろ、それぞれ、感度C/N比として（3.5mW、60dB）、（4m
W、6dB）、（4.5mW、60dB）を得た。これらのデイスク
を60℃、82％RHの条件下で７日間の加速テストを行った
のち信号を再生したところ、いずれのサンプルについて
もC/N比の変化は認められなかった。
実施例６ 射出成形により、あらかじめ溝を設けた（深さ700Å、
巾0.65μｍ、ピッチ1.6μｍ）、厚さ1.5mmのアクリル基
板上に、Sb2Te3及びGeのターゲットを用いて、高周波ス
パッタ法により、同時にスパッタリングさせて、組成が
Sb20Te35Ge45の膜厚500Åの記録層を設け、さらにその
上に100ÅのSb膜を抵抗加熱法により設けた。この媒体
の基板を通して半導体レーザー光（波長830nm）を集光
し、照射し、1.5MHzの信号を、600rpmの基板回転速度で
記録した。記録に要したレーザーパワーは、記録面で5m
Wであった。
巾0.65μｍ、ピッチ1.6μｍ）、厚さ1.5mmのアクリル基
板上に、Sb2Te3及びGeのターゲットを用いて、高周波ス
パッタ法により、同時にスパッタリングさせて、組成が
Sb20Te35Ge45の膜厚500Åの記録層を設け、さらにその
上に100ÅのSb膜を抵抗加熱法により設けた。この媒体
の基板を通して半導体レーザー光（波長830nm）を集光
し、照射し、1.5MHzの信号を、600rpmの基板回転速度で
記録した。記録に要したレーザーパワーは、記録面で5m
Wであった。
信号の再生には、1.2mWの半導体レーザー光を用い、C/N
比58dBを得た。この媒体を60℃、80％RHの条件下で７日
間加速テストを行ったが、感度、C/N比とも変化が認め
られなかった。
比58dBを得た。この媒体を60℃、80％RHの条件下で７日
間加速テストを行ったが、感度、C/N比とも変化が認め
られなかった。
実施例７ 実施例６と同様のアクリル基板上に、抵抗加熱法によ
り、Sb、Te及びGeの３元素を共蒸着させ、組成比（SbxT
e1-x）yGe1-yにおいてｘ＝0.4、ｙ＝0.5の膜を300Åの
厚さで形成した。次いでこの上にさらにSbの膜を200Å
の厚さで形成させた。このものの感度は、5.5mW、C/N比
は58dBであった。これらのデイスクを60℃、82％RHの条
件下で７日間加速テストを行ったのち、信号を再生した
ところC/N比の変化は認められなかった。
り、Sb、Te及びGeの３元素を共蒸着させ、組成比（SbxT
e1-x）yGe1-yにおいてｘ＝0.4、ｙ＝0.5の膜を300Åの
厚さで形成した。次いでこの上にさらにSbの膜を200Å
の厚さで形成させた。このものの感度は、5.5mW、C/N比
は58dBであった。これらのデイスクを60℃、82％RHの条
件下で７日間加速テストを行ったのち、信号を再生した
ところC/N比の変化は認められなかった。
発明の効果 本発明によれば、高感度かつ高C/N比で、しかも温度及
び湿度に対して極めて安定な信頼度の高い情報記録用媒
体が得られる。
び湿度に対して極めて安定な信頼度の高い情報記録用媒
体が得られる。
第１図は本発明の記録層の元素組成を示す三角座標グラ
フ、第２図及び第３図は、本発明の情報記録用媒体の構
造例を示す断面図、第４図は本発明実施例の加熱による
透過率変化を示すグラフ、第５図は本発明実施例の経時
的な透過率変化を示すグラフ、第６図は本発明実施例の
透過率変化を示すグラフ、第７図ないし第９図は本発明
実施例の加熱による反射率の変化と膜厚との関係を示す
グラフである。 図中１は基板、２は記録層、３は反射層である。
フ、第２図及び第３図は、本発明の情報記録用媒体の構
造例を示す断面図、第４図は本発明実施例の加熱による
透過率変化を示すグラフ、第５図は本発明実施例の経時
的な透過率変化を示すグラフ、第６図は本発明実施例の
透過率変化を示すグラフ、第７図ないし第９図は本発明
実施例の加熱による反射率の変化と膜厚との関係を示す
グラフである。 図中１は基板、２は記録層、３は反射層である。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に、加熱により光の吸収係数が変化
する材料から成る記録層を設け、該吸収係数の変化によ
って生じる光の反射率の変化により情報を記録する情報
記録媒体において、該記録層が少なくともSb、Te及びGe
の３元素から成り、かつこれらの３元素の原子数比が、
これらの各元素を頂点とする三角座標グラフにおいて、 点（Sb0.8Te0Ge0.2）と点（Sb0Te0.8Ge0.2）とを結ぶ直
線（イ）、 点（Sb0.4Te0Ge0.6）と点（Sb0Te0.4Ge0.6）とを結ぶ直
線（ロ）、 点（Sb0.2Te0Ge0.8）と点（Sb0.2Te0.8Ge0）とを結ぶ直
線（ハ）、 点（Sb0Te0Ge1.0）と点（Sb0.05Te0.95Ge0）とを結ぶ直
線（ニ） によって囲まれる領域内 ［ただし直線（イ）（ロ）（ハ）（ニ）を含むが、 点（Sb0.4Te0.6Ge0）と点（Sb0Te0.5Ge0.5）とを結ぶ直
線（ホ） 及び 点（Sb0Te0.5Ge0.5）と点（Sb1.0Te0Ge0）とを結ぶ直線
（ヘ）を除く］ の組成を有することを特徴とする情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329490A JPH0725208B2 (ja) | 1985-12-25 | 1990-11-30 | 情報記録用媒体 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60290692A JPS6253886A (ja) | 1984-12-26 | 1985-12-25 | 情報記録媒体 |
| JP2329490A JPH0725208B2 (ja) | 1985-12-25 | 1990-11-30 | 情報記録用媒体 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60290692A Division JPS6253886A (ja) | 1984-12-26 | 1985-12-25 | 情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03178479A JPH03178479A (ja) | 1991-08-02 |
| JPH0725208B2 true JPH0725208B2 (ja) | 1995-03-22 |
Family
ID=26558179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2329490A Expired - Lifetime JPH0725208B2 (ja) | 1985-12-25 | 1990-11-30 | 情報記録用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0725208B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6042095A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-06 | Hitachi Ltd | 情報の記録用部材およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2329490A patent/JPH0725208B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03178479A (ja) | 1991-08-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |