JPH07252303A - シクロデキストリン誘導体およびその製造方法 - Google Patents
シクロデキストリン誘導体およびその製造方法Info
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- JPH07252303A JPH07252303A JP5564394A JP5564394A JPH07252303A JP H07252303 A JPH07252303 A JP H07252303A JP 5564394 A JP5564394 A JP 5564394A JP 5564394 A JP5564394 A JP 5564394A JP H07252303 A JPH07252303 A JP H07252303A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】種々のシクロデキストリン誘導体の出発原料と
なるシクロデキストリンのアルキルシリル化誘導体を提
供すること、およびこのアルキルシリル化誘導体を高収
率で得ることができる方法を提供すること目的とする。 【構成】シクロデキストリンと下記式〔III〕で表され
る化合物とを反応させ、下記式〔Ｉ〕、式〔II〕で表さ
れるシクロデキストリンのアルキルシリル化誘導体を得
る。 【化２５】
なるシクロデキストリンのアルキルシリル化誘導体を提
供すること、およびこのアルキルシリル化誘導体を高収
率で得ることができる方法を提供すること目的とする。 【構成】シクロデキストリンと下記式〔III〕で表され
る化合物とを反応させ、下記式〔Ｉ〕、式〔II〕で表さ
れるシクロデキストリンのアルキルシリル化誘導体を得
る。 【化２５】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シクロデキストリンの
種々の誘導体の合成における出発原料として使用され
る、シクロデキストリンのアルキルシリル化誘導体およ
びその製造方法に関する。
種々の誘導体の合成における出発原料として使用され
る、シクロデキストリンのアルキルシリル化誘導体およ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シクロデキストリン（以下場合によりＣ
Ｄと略記する）は分子内に疎水性の空洞を有し、外側は
親水性で水中油型ミセルに似た機能を示す化合物であ
る。このようなＣＤはその空洞径に応じて疎水性のゲス
ト分子を取り込み水溶液中で複合体を形成し、調整法に
よっては固体の包接化合物を単離することもできる。こ
の立体選択的な相互作用によりゲスト分子の物理化学的
性質を微妙に変化させることができるため、製剤への有
効利用が期待でき、各方面で種々に利用され、また利用
が図られている化合物である。
Ｄと略記する）は分子内に疎水性の空洞を有し、外側は
親水性で水中油型ミセルに似た機能を示す化合物であ
る。このようなＣＤはその空洞径に応じて疎水性のゲス
ト分子を取り込み水溶液中で複合体を形成し、調整法に
よっては固体の包接化合物を単離することもできる。こ
の立体選択的な相互作用によりゲスト分子の物理化学的
性質を微妙に変化させることができるため、製剤への有
効利用が期待でき、各方面で種々に利用され、また利用
が図られている化合物である。
【０００３】特にＣＤの２，３または６位の水酸基を部
分的に残してなるかまたは他の置換基に置換せしめたＣ
Ｄ誘導体の場合は、その水酸基または他の置換基との相
互作用により包接能が大幅に変化するため、ゲスト分子
の種類、その物性を大きく変化させうることが期待でき
る。
分的に残してなるかまたは他の置換基に置換せしめたＣ
Ｄ誘導体の場合は、その水酸基または他の置換基との相
互作用により包接能が大幅に変化するため、ゲスト分子
の種類、その物性を大きく変化させうることが期待でき
る。
【０００４】従ってこのような水酸基を他の置換基に置
換せしめたＣＤ誘導体について種々の研究がなされてき
た。
換せしめたＣＤ誘導体について種々の研究がなされてき
た。
【０００５】例えば、J.Carbohydr.Chem., 7 293-308(1
988)や Carbohydr.Res., 187 203-221(1989)の竹尾らの
論文や、Carbohydr.Res., 224 307-309(1992) には、Ｃ
Ｄの水酸基の一部をアルキルシリル化し、次いで目的と
するＣＤ誘導体を得るという方法がとられている。
988)や Carbohydr.Res., 187 203-221(1989)の竹尾らの
論文や、Carbohydr.Res., 224 307-309(1992) には、Ｃ
Ｄの水酸基の一部をアルキルシリル化し、次いで目的と
するＣＤ誘導体を得るという方法がとられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記文
献に記載された、目的ＣＤ誘導体を得るための中間物質
であるＣＤのアルキルシリル化誘導体を製造する方法で
は、シリル化剤とは別に塩基が必要となる。また、一級
水酸基（６位の水酸基）のみにアルキルシリル基が導入
されたものと、１個不足または２位水酸基に１個過剰に
導入されたものの混合物として確認されることが多い。
そのため、この混合物から、必要とする一級水酸基のみ
すべて（すべての一級水酸基のみ）にアルキルシリル基
が導入されたものを分離することは難しく、また手間が
かかり収率もたいへん悪いものとなる。
献に記載された、目的ＣＤ誘導体を得るための中間物質
であるＣＤのアルキルシリル化誘導体を製造する方法で
は、シリル化剤とは別に塩基が必要となる。また、一級
水酸基（６位の水酸基）のみにアルキルシリル基が導入
されたものと、１個不足または２位水酸基に１個過剰に
導入されたものの混合物として確認されることが多い。
そのため、この混合物から、必要とする一級水酸基のみ
すべて（すべての一級水酸基のみ）にアルキルシリル基
が導入されたものを分離することは難しく、また手間が
かかり収率もたいへん悪いものとなる。
【０００７】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであって、種々のＣＤ誘導体の合成における
出発原料として有用な、ＣＤのアルキルシリル化誘導体
を提供すること、および、このＣＤのアルキルシリル化
誘導体を高収率で得ることができる方法を提供すること
を目的とする。
されたものであって、種々のＣＤ誘導体の合成における
出発原料として有用な、ＣＤのアルキルシリル化誘導体
を提供すること、および、このＣＤのアルキルシリル化
誘導体を高収率で得ることができる方法を提供すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研究
の結果、ＣＤと下記式〔III〕で表される化合物（ハロ
ゲン化アルキルシランまたはアルキルシリルイミダゾー
ル）とを反応させることにより、ＣＤの一級水酸基（６
位の水酸基）のみすべてを選択的にアルキルシリル基
（下記式〔III〕で表される化合物のハロゲンまたはイ
ミダゾール基を除いた基をいう。以下同じ。）で保護し
たＣＤ誘導体（下記式〔Ｉ〕）を、また反応条件を変え
ることにより、２位と６位の水酸基のみすべてを選択的
にアルキルシリル基で保護したＣＤ誘導体（下記式〔I
I〕）を製造できることを見いだした。
の結果、ＣＤと下記式〔III〕で表される化合物（ハロ
ゲン化アルキルシランまたはアルキルシリルイミダゾー
ル）とを反応させることにより、ＣＤの一級水酸基（６
位の水酸基）のみすべてを選択的にアルキルシリル基
（下記式〔III〕で表される化合物のハロゲンまたはイ
ミダゾール基を除いた基をいう。以下同じ。）で保護し
たＣＤ誘導体（下記式〔Ｉ〕）を、また反応条件を変え
ることにより、２位と６位の水酸基のみすべてを選択的
にアルキルシリル基で保護したＣＤ誘導体（下記式〔I
I〕）を製造できることを見いだした。
【０００９】
【化３】
【００１０】
【化４】
【００１１】また、本発明者らは、上記式〔Ｉ〕、〔I
I〕で表されるＣＤ誘導体が、さらに別の、種々のＣＤ
誘導体の合成における出発原料としても有用であること
を確認した。
I〕で表されるＣＤ誘導体が、さらに別の、種々のＣＤ
誘導体の合成における出発原料としても有用であること
を確認した。
【００１２】前記反応における反応温度は０〜４０℃、
好ましくは１０〜３０℃とすることにより、確実に一級
水酸基のすべてにアルキルシリル基を導入できる。４０
℃をこえると、部分的に二級水酸基にアルキルシリル基
が導入されることがあるが、４０℃以下、特に３０℃以
下であれば確実に一級水酸基のみすべてにアルキルシリ
ル基が導入できる。これは、アルキルシリル基が、バル
キー（嵩が大きい）であるため立体障害がおこり二級水
酸基に入りにくいためであると考えられる。
好ましくは１０〜３０℃とすることにより、確実に一級
水酸基のすべてにアルキルシリル基を導入できる。４０
℃をこえると、部分的に二級水酸基にアルキルシリル基
が導入されることがあるが、４０℃以下、特に３０℃以
下であれば確実に一級水酸基のみすべてにアルキルシリ
ル基が導入できる。これは、アルキルシリル基が、バル
キー（嵩が大きい）であるため立体障害がおこり二級水
酸基に入りにくいためであると考えられる。
【００１３】また、反応温度が１０℃以下、特に０℃以
下であると、一級水酸基すべてにアルキルシリル基を導
入するのに時間がかかりすぎるか、一部導入されないも
のができる、といった問題点がある。
下であると、一級水酸基すべてにアルキルシリル基を導
入するのに時間がかかりすぎるか、一部導入されないも
のができる、といった問題点がある。
【００１４】また、反応温度を７０〜１２０℃とするこ
とにより、２位と６位の水酸基のみすべてをアルキルシ
リル基で置換することができる。７０℃以下とした場合
には反応が長くかかりすぎ、ハロゲン化アルキルシラン
やアルキルシリルイミダゾールが分解してしまい反応が
おこらなくなるし、また、反応したとしても一部目的と
する基が導入されないものができる。また、１２０℃を
こえても同様にハロゲン化アルキルシランやアルキルシ
リルイミダゾールが分解し反応がおこらなくなる。
とにより、２位と６位の水酸基のみすべてをアルキルシ
リル基で置換することができる。７０℃以下とした場合
には反応が長くかかりすぎ、ハロゲン化アルキルシラン
やアルキルシリルイミダゾールが分解してしまい反応が
おこらなくなるし、また、反応したとしても一部目的と
する基が導入されないものができる。また、１２０℃を
こえても同様にハロゲン化アルキルシランやアルキルシ
リルイミダゾールが分解し反応がおこらなくなる。
【００１５】使用できるハロゲン化アルキルシランとし
ては、前記式〔III〕で表される、トリイソプロピルシ
リルクロライド、トリイソプロピルシリルアイオダイ
ド、トリイソプロピルシリルブロマイド、ジメチルプロ
ピルシリルクロライド、ジメチルフェニルシリルクロラ
イド、ジメチルベンジルシリルクロライド、ジメチルシ
クロヘキシルシリルクロライド等が例示できる。また、
アルキルシリルイミダゾールとしては、前記式〔III〕
で表される、トリイソプロシリルイミダゾール、ジメチ
ルフェニルシリルイミダゾール、ターシャルブチルジメ
チルシリルイミダゾール、ジメチルベンジルシリルイミ
ダゾール等が例示できる。
ては、前記式〔III〕で表される、トリイソプロピルシ
リルクロライド、トリイソプロピルシリルアイオダイ
ド、トリイソプロピルシリルブロマイド、ジメチルプロ
ピルシリルクロライド、ジメチルフェニルシリルクロラ
イド、ジメチルベンジルシリルクロライド、ジメチルシ
クロヘキシルシリルクロライド等が例示できる。また、
アルキルシリルイミダゾールとしては、前記式〔III〕
で表される、トリイソプロシリルイミダゾール、ジメチ
ルフェニルシリルイミダゾール、ターシャルブチルジメ
チルシリルイミダゾール、ジメチルベンジルシリルイミ
ダゾール等が例示できる。
【００１６】本発明により得られる、ＣＤのアルキルシ
リル化誘導体から、さらに別の、目的とするＣＤ誘導体
を製造する場合、例えば、６位の水酸基のみすべてを目
的とする置換基により置換したＣＤ誘導体を得るには、
上記式〔Ｉ〕に示される（６−Ｏ−アルキルシリル）−
ＣＤの２位および３位の水酸基に保護基を導入した後、
脱シリル化して得られたＣＤ誘導体の６位の水酸基に、
目的とする置換基を導入した後保護基を除去すれば良
い。
リル化誘導体から、さらに別の、目的とするＣＤ誘導体
を製造する場合、例えば、６位の水酸基のみすべてを目
的とする置換基により置換したＣＤ誘導体を得るには、
上記式〔Ｉ〕に示される（６−Ｏ−アルキルシリル）−
ＣＤの２位および３位の水酸基に保護基を導入した後、
脱シリル化して得られたＣＤ誘導体の６位の水酸基に、
目的とする置換基を導入した後保護基を除去すれば良
い。
【００１７】２位の水酸基のみすべてを目的とする置換
基により置換したＣＤ誘導体を得るには、上記式〔Ｉ〕
に示される（６−Ｏ−アルキルシリル）−ＣＤの２位の
水酸基をベンジル化またはアリル化した後脱シリル化
し、次いで３位と６位の水酸基に保護基を導入し、次い
で２位のベンジル基またはアリル基を脱離せしめた後、
２位の水酸基に目的とする置換基を導入し、最後に保護
基を除去すれば良い。
基により置換したＣＤ誘導体を得るには、上記式〔Ｉ〕
に示される（６−Ｏ−アルキルシリル）−ＣＤの２位の
水酸基をベンジル化またはアリル化した後脱シリル化
し、次いで３位と６位の水酸基に保護基を導入し、次い
で２位のベンジル基またはアリル基を脱離せしめた後、
２位の水酸基に目的とする置換基を導入し、最後に保護
基を除去すれば良い。
【００１８】また、２位の水酸基のみすべてを目的とす
る置換基により置換したＣＤ誘導体を得る方法として
は、上記式〔Ｉ〕に示される（６−Ｏ−アルキルシリ
ル）−ＣＤに、酸化ジブチルスズを反応させて環状スズ
中間体を合成し、次いで酸ハロゲン化物と反応させスズ
を脱離し２位の水酸基をアシル化することもできる。
る置換基により置換したＣＤ誘導体を得る方法として
は、上記式〔Ｉ〕に示される（６−Ｏ−アルキルシリ
ル）−ＣＤに、酸化ジブチルスズを反応させて環状スズ
中間体を合成し、次いで酸ハロゲン化物と反応させスズ
を脱離し２位の水酸基をアシル化することもできる。
【００１９】３位の水酸基のみすべてを目的とする置換
基により置換したＣＤ誘導体を得るには、上記式〔Ｉ〕
に示される（６−Ｏ−アルキルシリル）−ＣＤの２位の
水酸基をベンジル化またはアリル化し、そして３位の水
酸基に目的とする置換基を導入した後、２位のベンジル
基またはアリル基を脱離せしめ、次いで脱シリル化すれ
ば良い。
基により置換したＣＤ誘導体を得るには、上記式〔Ｉ〕
に示される（６−Ｏ−アルキルシリル）−ＣＤの２位の
水酸基をベンジル化またはアリル化し、そして３位の水
酸基に目的とする置換基を導入した後、２位のベンジル
基またはアリル基を脱離せしめ、次いで脱シリル化すれ
ば良い。
【００２０】また、３位の水酸基のみすべてを目的とす
る置換基により置換したＣＤ誘導体を得るには、上記式
〔II〕に示される（２，６−ジ−Ｏ−アルキルシリル）
−ＣＤの３位の水酸基に目的とする置換基を導入した後
脱シリル化すれば良い。
る置換基により置換したＣＤ誘導体を得るには、上記式
〔II〕に示される（２，６−ジ−Ｏ−アルキルシリル）
−ＣＤの３位の水酸基に目的とする置換基を導入した後
脱シリル化すれば良い。
【００２１】３位と６位の水酸基のみすべてを目的とす
る置換基により置換したＣＤ誘導体を得るには、上記式
〔Ｉ〕に示される（６−Ｏ−アルキルシリル）−ＣＤの
２位の水酸基に保護基を導入し、次いで脱シリル化した
後３位と６位の水酸基に目的とする置換基を導入し、次
いで保護基を除去すれば良い。
る置換基により置換したＣＤ誘導体を得るには、上記式
〔Ｉ〕に示される（６−Ｏ−アルキルシリル）−ＣＤの
２位の水酸基に保護基を導入し、次いで脱シリル化した
後３位と６位の水酸基に目的とする置換基を導入し、次
いで保護基を除去すれば良い。
【００２２】２位と６位の水酸基のみすべてを目的とす
る置換基により置換したＣＤ誘導体を得るには、上記式
〔Ｉ〕に示される（６−Ｏ−アルキルシリル）−ＣＤの
２位の水酸基をベンジル化またはアリル化し、次いで３
位の水酸基に保護基を導入した後に脱シリル化を行い、
次いで２位のベンジル基またはアリル基を脱離せしめた
後２位と６位の水酸基に目的とする置換基を導入し、次
いで保護基を除去すれば良い。
る置換基により置換したＣＤ誘導体を得るには、上記式
〔Ｉ〕に示される（６−Ｏ−アルキルシリル）−ＣＤの
２位の水酸基をベンジル化またはアリル化し、次いで３
位の水酸基に保護基を導入した後に脱シリル化を行い、
次いで２位のベンジル基またはアリル基を脱離せしめた
後２位と６位の水酸基に目的とする置換基を導入し、次
いで保護基を除去すれば良い。
【００２３】また、２位と６位の水酸基のみすべてを目
的とする置換基により置換したＣＤ誘導体を得るには、
上記式〔II〕に示される（２，６−ジ−Ｏ−アルキルシ
リル）−ＣＤの３位の水酸基に保護基を導入した後に脱
シリル化を行い、次いで２位と６位の水酸基に目的とす
る置換基を導入し、その後で保護基を除去すれば良い。
的とする置換基により置換したＣＤ誘導体を得るには、
上記式〔II〕に示される（２，６−ジ−Ｏ−アルキルシ
リル）−ＣＤの３位の水酸基に保護基を導入した後に脱
シリル化を行い、次いで２位と６位の水酸基に目的とす
る置換基を導入し、その後で保護基を除去すれば良い。
【００２４】２位と３位の水酸基のみすべてを目的とす
る置換基により置換したＣＤ誘導体を得るには、上記式
〔Ｉ〕に示される（６−Ｏ−アルキルシリル）−ＣＤの
２位と３位の水酸基に目的とする置換基を導入し、次い
で脱シリル化すれば良い。
る置換基により置換したＣＤ誘導体を得るには、上記式
〔Ｉ〕に示される（６−Ｏ−アルキルシリル）−ＣＤの
２位と３位の水酸基に目的とする置換基を導入し、次い
で脱シリル化すれば良い。
【００２５】
【実施例】以下に本発明を更に具体的に説明する。本発
明においてＣＤは、ｎが６のものをα−ＣＤ、ｎが７の
ものをβ−ＣＤ、ｎが８のものをγ−ＣＤという。
明においてＣＤは、ｎが６のものをα−ＣＤ、ｎが７の
ものをβ−ＣＤ、ｎが８のものをγ−ＣＤという。
【００２６】以下に、上記式〔Ｉ〕に示される、本発明
のＣＤ誘導体の具体的な合成例を示す。
のＣＤ誘導体の具体的な合成例を示す。
【００２７】
【化５】
【００２８】＜実施例１＞ <<（６−Ｏ−トリイソプロピルシリル）β−ＣＤの合成
>> 反応［１］−１ β−ＣＤを脱水ピリジンに溶解し、窒素雰囲気下０〜５
℃に冷却する。次いで脱水ピリジンに溶解したトリイソ
プロピルシリルクロライドをゆっくりと滴下する。滴下
終了後０〜５℃で１時間、室温下で２４時間反応させ
る。反応終了後そのまま大量の水中に加え再沈殿させ
る。沈殿物は濾別し水次いで冷メタノールで洗浄後乾燥
する。クロロホルム／エタノールより再結晶を２回行う
ことで精製し、（６−Ｏ−トリイソプロピルシリル）β
−ＣＤ［Ａ］を得る（収率：約８５％）。
>> 反応［１］−１ β−ＣＤを脱水ピリジンに溶解し、窒素雰囲気下０〜５
℃に冷却する。次いで脱水ピリジンに溶解したトリイソ
プロピルシリルクロライドをゆっくりと滴下する。滴下
終了後０〜５℃で１時間、室温下で２４時間反応させ
る。反応終了後そのまま大量の水中に加え再沈殿させ
る。沈殿物は濾別し水次いで冷メタノールで洗浄後乾燥
する。クロロホルム／エタノールより再結晶を２回行う
ことで精製し、（６−Ｏ−トリイソプロピルシリル）β
−ＣＤ［Ａ］を得る（収率：約８５％）。
【００２９】＜実施例２＞ <<（６−Ｏ−トリイソプロピルシリル）γ−ＣＤの合成
>> 反応［１］−２ β−ＣＤをγ−ＣＤに変更した以外は反応［１］−１と
同様にして、（６−Ｏ−トリイソプロピルシリル）γ−
ＣＤ［Ａ］を得る（収率：約７５％）。
>> 反応［１］−２ β−ＣＤをγ−ＣＤに変更した以外は反応［１］−１と
同様にして、（６−Ｏ−トリイソプロピルシリル）γ−
ＣＤ［Ａ］を得る（収率：約７５％）。
【００３０】＜実施例３＞ <<（６−Ｏ−トリイソプロピルシリル）α−ＣＤの合成
>> 反応［１］−３ α−ＣＤを脱水ピリジン／脱水ＤＭＦ＝４／３に溶解
し、窒素雰囲気下０〜５℃に冷却する。次いで脱水ピリ
ジンに溶解したトリイソプロピルシリルクロライドをゆ
っくりと滴下する。滴下終了後０〜５℃で１時間、室温
下で２４時間反応させる。反応終了後ピリジンおよびＤ
ＭＦを減圧下４０℃以下で濃縮し、残渣にメタノールを
加え沈殿物を発生させる。沈殿物を集め、クロロホルム
／メタノールより再結晶を２回行うことで精製し（６−
Ｏ−トリイソプロピルシリル）α−ＣＤ［Ａ］を得る
（収率：約７５％）。
>> 反応［１］−３ α−ＣＤを脱水ピリジン／脱水ＤＭＦ＝４／３に溶解
し、窒素雰囲気下０〜５℃に冷却する。次いで脱水ピリ
ジンに溶解したトリイソプロピルシリルクロライドをゆ
っくりと滴下する。滴下終了後０〜５℃で１時間、室温
下で２４時間反応させる。反応終了後ピリジンおよびＤ
ＭＦを減圧下４０℃以下で濃縮し、残渣にメタノールを
加え沈殿物を発生させる。沈殿物を集め、クロロホルム
／メタノールより再結晶を２回行うことで精製し（６−
Ｏ−トリイソプロピルシリル）α−ＣＤ［Ａ］を得る
（収率：約７５％）。
【００３１】＜実施例４＞ <<（６−Ｏ−ジメチルプロピルシリル）β−ＣＤの合成
>> 反応［１］−４ トリイソプロピルシリルクロライドをジメチルプロピル
シリルクロライドとし、再結晶の溶媒としてクロロホル
ム／エタノールをクロロホルム／メタノールに変更した
以外は［反応１］−１と同様にして（６−Ｏ−ジメチル
プロピルシリル）β−ＣＤ［Ａ］を得る（収率：約７０
％）。
>> 反応［１］−４ トリイソプロピルシリルクロライドをジメチルプロピル
シリルクロライドとし、再結晶の溶媒としてクロロホル
ム／エタノールをクロロホルム／メタノールに変更した
以外は［反応１］−１と同様にして（６−Ｏ−ジメチル
プロピルシリル）β−ＣＤ［Ａ］を得る（収率：約７０
％）。
【００３２】＜実施例５＞ <<（６−Ｏ−ジメチルオクチルシリル）β−ＣＤの合成
>> 反応［１］−５ トリイソプロピルシリルクロライドをジメチルオクチル
シリルクロライドに変更した以外は反応［１］−１と同
様にして（６−Ｏ−ジメチルオクチルシリル）β−ＣＤ
［Ａ］を得る（収率：約６０％）。
>> 反応［１］−５ トリイソプロピルシリルクロライドをジメチルオクチル
シリルクロライドに変更した以外は反応［１］−１と同
様にして（６−Ｏ−ジメチルオクチルシリル）β−ＣＤ
［Ａ］を得る（収率：約６０％）。
【００３３】＜実施例６＞ <<（６−Ｏ−ジメチルドデシルシリル）β−ＣＤの合成
>> 反応［１］−６ トリイソプロピルシリルクロライドをジメチルドデシル
シリルクロライドに変更した以外は反応［１］−１と同
様にして（６−Ｏ−ジメチルドデシルシリル）β−ＣＤ
［Ａ］を得る（収率：約５０％）。
>> 反応［１］−６ トリイソプロピルシリルクロライドをジメチルドデシル
シリルクロライドに変更した以外は反応［１］−１と同
様にして（６−Ｏ−ジメチルドデシルシリル）β−ＣＤ
［Ａ］を得る（収率：約５０％）。
【００３４】＜実施例７＞ <<（６−Ｏ−ジメチルフェニルシリル）α−ＣＤの合成
>> 反応［１］−７ トリイソプロピルシリルクロライドをジメチルフェニル
シリルクロライドに変更した以外は反応［１］−３と同
様にして（６−Ｏ−ジメチルフェニルシリル）α−ＣＤ
［Ａ］を得る（収率：約７５％）。
>> 反応［１］−７ トリイソプロピルシリルクロライドをジメチルフェニル
シリルクロライドに変更した以外は反応［１］−３と同
様にして（６−Ｏ−ジメチルフェニルシリル）α−ＣＤ
［Ａ］を得る（収率：約７５％）。
【００３５】＜実施例８＞ <<（６−Ｏ−トリイソプロピルシリル）β−ＣＤの合成
>> 反応［１］−８ β−ＣＤを脱水ＤＭＦ（あるいはＤＭＳＯ）に溶解し、
窒素雰囲気下室温でトリイソプロピルシリルイミダゾー
ルを添加する。添加後室温下で２４時間反応させる。反
応終了後４０℃以下で溶媒を減圧留去し、残渣を大量の
水中より再沈殿させる。沈殿物を集めて乾燥し、クロロ
ホルム／エタノールより再結晶を繰り返すことで精製し
（６−Ｏ−トリイソプロピルシリル）β−ＣＤ［Ａ］を
得る（収率：約８５％）。
>> 反応［１］−８ β−ＣＤを脱水ＤＭＦ（あるいはＤＭＳＯ）に溶解し、
窒素雰囲気下室温でトリイソプロピルシリルイミダゾー
ルを添加する。添加後室温下で２４時間反応させる。反
応終了後４０℃以下で溶媒を減圧留去し、残渣を大量の
水中より再沈殿させる。沈殿物を集めて乾燥し、クロロ
ホルム／エタノールより再結晶を繰り返すことで精製し
（６−Ｏ−トリイソプロピルシリル）β−ＣＤ［Ａ］を
得る（収率：約８５％）。
【００３６】＜実施例９＞ <<（６−Ｏ−トリイソプロピルシリル）α−ＣＤの合成
>> 反応［１］−９ β−ＣＤをα−ＣＤとした以外は反応［１］−８と同様
にして（６−Ｏ−トリイソプロピルシリル）α−ＣＤ
［Ａ］を得る（収率：約８５％）。
>> 反応［１］−９ β−ＣＤをα−ＣＤとした以外は反応［１］−８と同様
にして（６−Ｏ−トリイソプロピルシリル）α−ＣＤ
［Ａ］を得る（収率：約８５％）。
【００３７】＜実施例１０＞ <<（６−Ｏ−トリイソプロピルシリル）γ−ＣＤの合成
>> 反応［１］−１０ β−ＣＤをγ−ＣＤとした以外は反応［１］−８と同様
にして（６−Ｏ−トリイソプロピルシリル）γ−ＣＤ
［Ａ］を得る（収率：約８５％）。
>> 反応［１］−１０ β−ＣＤをγ−ＣＤとした以外は反応［１］−８と同様
にして（６−Ｏ−トリイソプロピルシリル）γ−ＣＤ
［Ａ］を得る（収率：約８５％）。
【００３８】＜実施例１１＞ <<（６−Ｏ−ターシャルブチルジメチルシリル）β−Ｃ
Ｄの合成>> 反応［１］−１１ β−ＣＤを脱水ＤＭＦ（あるいはＤＭＳＯ）に溶解し、
窒素雰囲気下室温でターシャルブチルジメチルシリルイ
ミダゾールを添加する。添加後室温下で２４時間反応さ
せる。反応終了後４０℃以下で溶媒を留去し、残渣を大
量の水中より再沈殿させる。沈殿物を集めて乾燥し、エ
タノールより再結晶を繰り返すことで精製し（６−Ｏ−
ターシャルブチルジメチルシリル）β−ＣＤ［Ａ］を得
る（収率：約８０％）。
Ｄの合成>> 反応［１］−１１ β−ＣＤを脱水ＤＭＦ（あるいはＤＭＳＯ）に溶解し、
窒素雰囲気下室温でターシャルブチルジメチルシリルイ
ミダゾールを添加する。添加後室温下で２４時間反応さ
せる。反応終了後４０℃以下で溶媒を留去し、残渣を大
量の水中より再沈殿させる。沈殿物を集めて乾燥し、エ
タノールより再結晶を繰り返すことで精製し（６−Ｏ−
ターシャルブチルジメチルシリル）β−ＣＤ［Ａ］を得
る（収率：約８０％）。
【００３９】＜実施例１２＞ <<（６−Ｏ−ジメチルブチルシリル）β−ＣＤの合成>> ターシャルブチルジメチルシリルイミダゾールをジメチ
ルブチルシリルイミダゾールとし、再結晶の溶媒として
エタノールをクロロホルム／メタノールに変更した以外
は反応［１］−１１と同様にして（６−Ｏ−ジメチルブ
チルシリル）β−ＣＤ［Ａ］を得る（収率：約５５
％）。
ルブチルシリルイミダゾールとし、再結晶の溶媒として
エタノールをクロロホルム／メタノールに変更した以外
は反応［１］−１１と同様にして（６−Ｏ−ジメチルブ
チルシリル）β−ＣＤ［Ａ］を得る（収率：約５５
％）。
【００４０】＜実施例１３＞ <<（６−Ｏ−ターシャルブチルジメチルシリル）α−Ｃ
Ｄの合成>> 反応［１］−１４ β−ＣＤをα−ＣＤとした以外は反応［１］−１１と同
様にして（６−Ｏ−ターシャルブチルジメチルシリル）
α−ＣＤ［Ａ］を得る（収率：約８０％）。
Ｄの合成>> 反応［１］−１４ β−ＣＤをα−ＣＤとした以外は反応［１］−１１と同
様にして（６−Ｏ−ターシャルブチルジメチルシリル）
α−ＣＤ［Ａ］を得る（収率：約８０％）。
【００４１】＜実施例１４＞ <<（６−Ｏ−ターシャルブチルジメチルシリル）γ−Ｃ
Ｄの合成>> 反応［１］−１４ β−ＣＤをγ−ＣＤとした以外は反応［１］−１１と同
様にして（６−Ｏ−ターシャルブチルジメチルシリル）
γ−ＣＤ［Ａ］を得る（収率：約８５％）。
Ｄの合成>> 反応［１］−１４ β−ＣＤをγ−ＣＤとした以外は反応［１］−１１と同
様にして（６−Ｏ−ターシャルブチルジメチルシリル）
γ−ＣＤ［Ａ］を得る（収率：約８５％）。
【００４２】次に、上記式〔Ｉ〕に示される本発明のＣ
Ｄ誘導体を用いて、種々のＣＤ誘導体を合成する具体的
反応例を示す。
Ｄ誘導体を用いて、種々のＣＤ誘導体を合成する具体的
反応例を示す。
【００４３】
【化６】
【００４４】
【化７】
【００４５】＜実施例１５＞ <<（２−Ｏ−アセチル）β−ＣＤの合成>> 反応［２］ （６−Ｏ−トリイソプロピルシリル）β−ＣＤ（Ｒ＝−
Ｓｉ（iso −Ｃ3 Ｈ7）3 ）［Ａ］を脱水ＤＭＦに溶解
後ＢａＯ，Ｂａ（ＯＨ）2 ・８Ｈ2 Ｏを続いて添加す
る。その系に室温で臭化ベンジルを滴下し、滴下終了後
ヨウ化ナトリウムを加え２４時間撹拌する。反応終了後
メタノールを加え撹拌、次いで不溶物を濾別、濾液に塩
化メチレンを加え１Ｍ−Ｈ2 ＳＯ4 、水の順で洗浄し有
機層を乾燥後、減圧下４０℃以下で濃縮する。残渣に少
量のメタノールを加え、大量の水より再沈殿する。沈殿
物はよく乾燥後シリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より精製し、得られた［Ｂ］はエタノールより再結晶を
行った。 反応［３］ ［Ｂ］を脱水塩化メチレンに溶解し、窒素雰囲気下０〜
５℃に冷却する。次いでその系に三フッ化ホウ素のジエ
チルエーテル錯体を滴下し、滴下終了後０〜５℃で１時
間、室温で２時間反応させる。反応終了後有機層を氷冷
水で洗浄し有機層は乾燥後減圧下濃縮し、残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、得られた
［Ｃ］はジエチルエーテル／メタノール系より再結晶を
行った。 反応［４］ ［Ｃ］をＴＨＦに溶解し、その系に３，４−ジヒドロ−
２Ｈピランを加え撹拌する。そして室温で塩酸１〜２滴
を加え１２時間反応させる。反応終了後、その系にＫＯ
Ｈを添加し、室温で３０分撹拌する。ＫＯＨを濾別後、
溶液を減圧下濃縮する。残渣はアルミナカラムクロマト
グラフィーにより分離・精製し［Ｄ］を得た。 反応［５］ ［Ｄ］をエタノール／酢酸＝２／１溶液に溶解し、１０
％Ｐｄ／Ｃを触媒として添加後、水素添加を行う（４０
℃，５Kg／cm2 ）。水素圧が減少しなくなった時点で反
応を終了させ、Ｐｄ／Ｃを濾別、溶液を減圧下で濃縮
し、残渣をアルミナカラムクロマトグラフィーにより分
離・精製し［Ｅ］を得た。 反応［６］ ［Ｅ］を脱水ピリジンに溶解し、室温で無水酢酸を滴下
する。滴下終了後１００℃で４時間反応させる。反応終
了後ピリジンを減圧下濃縮し、残渣に少量のエタノール
を加え、大量の氷冷水により再沈殿を行う。沈殿物を濾
別しよく乾燥後、アルミナカラムクロマトグラフィーに
より分離・精製し［Ｆ］を得た。 反応［７］ ［Ｆ］をＴＨＦに溶解し、そこに塩酸を加え、４０℃で
３０分間撹拌させる。反応終了後放冷し、室温でＫＯＨ
を加え３０分間撹拌する。ＫＯＨを濾別後ＴＨＦを減圧
下濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
により分離・精製し、（２−Ｏ−アセチル）β−ＣＤ
［Ｇ］を得た。
Ｓｉ（iso −Ｃ3 Ｈ7）3 ）［Ａ］を脱水ＤＭＦに溶解
後ＢａＯ，Ｂａ（ＯＨ）2 ・８Ｈ2 Ｏを続いて添加す
る。その系に室温で臭化ベンジルを滴下し、滴下終了後
ヨウ化ナトリウムを加え２４時間撹拌する。反応終了後
メタノールを加え撹拌、次いで不溶物を濾別、濾液に塩
化メチレンを加え１Ｍ−Ｈ2 ＳＯ4 、水の順で洗浄し有
機層を乾燥後、減圧下４０℃以下で濃縮する。残渣に少
量のメタノールを加え、大量の水より再沈殿する。沈殿
物はよく乾燥後シリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より精製し、得られた［Ｂ］はエタノールより再結晶を
行った。 反応［３］ ［Ｂ］を脱水塩化メチレンに溶解し、窒素雰囲気下０〜
５℃に冷却する。次いでその系に三フッ化ホウ素のジエ
チルエーテル錯体を滴下し、滴下終了後０〜５℃で１時
間、室温で２時間反応させる。反応終了後有機層を氷冷
水で洗浄し有機層は乾燥後減圧下濃縮し、残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、得られた
［Ｃ］はジエチルエーテル／メタノール系より再結晶を
行った。 反応［４］ ［Ｃ］をＴＨＦに溶解し、その系に３，４−ジヒドロ−
２Ｈピランを加え撹拌する。そして室温で塩酸１〜２滴
を加え１２時間反応させる。反応終了後、その系にＫＯ
Ｈを添加し、室温で３０分撹拌する。ＫＯＨを濾別後、
溶液を減圧下濃縮する。残渣はアルミナカラムクロマト
グラフィーにより分離・精製し［Ｄ］を得た。 反応［５］ ［Ｄ］をエタノール／酢酸＝２／１溶液に溶解し、１０
％Ｐｄ／Ｃを触媒として添加後、水素添加を行う（４０
℃，５Kg／cm2 ）。水素圧が減少しなくなった時点で反
応を終了させ、Ｐｄ／Ｃを濾別、溶液を減圧下で濃縮
し、残渣をアルミナカラムクロマトグラフィーにより分
離・精製し［Ｅ］を得た。 反応［６］ ［Ｅ］を脱水ピリジンに溶解し、室温で無水酢酸を滴下
する。滴下終了後１００℃で４時間反応させる。反応終
了後ピリジンを減圧下濃縮し、残渣に少量のエタノール
を加え、大量の氷冷水により再沈殿を行う。沈殿物を濾
別しよく乾燥後、アルミナカラムクロマトグラフィーに
より分離・精製し［Ｆ］を得た。 反応［７］ ［Ｆ］をＴＨＦに溶解し、そこに塩酸を加え、４０℃で
３０分間撹拌させる。反応終了後放冷し、室温でＫＯＨ
を加え３０分間撹拌する。ＫＯＨを濾別後ＴＨＦを減圧
下濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
により分離・精製し、（２−Ｏ−アセチル）β−ＣＤ
［Ｇ］を得た。
【００４６】
【化８】
【００４７】
【化９】
【００４８】＜実施例１６＞ <<（６−Ｏ−アセチル）β−ＣＤの合成>> 反応［８］ （６−Ｏ−トリイソプロピルシリル）β−ＣＤ（Ｒ＝−
Ｓｉ（iso −Ｃ3 Ｈ7）3 ）［Ａ］を脱水ＤＭＦに溶解
し、窒素雰囲気下０〜５℃に冷却する。その系にＮａＨ
を添加し、その温度で２時間撹拌、次いで臭化ベンジル
をゆっくり滴下し、さらにヨウ化ナトリウムを加える。
添加後０〜５℃で１時間、室温で９６時間撹拌する。反
応終了後メタノールを加え３０分撹拌し、そして濾過す
る。濾液は減圧下４０℃以下にて濃縮し、残渣は少量の
メタノールより再沈殿させ、濾過し、濾物は乾燥後シリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにより分離する。得ら
れた［Ｈ］はエタノールより再結晶し精製した。 反応［９］ ［Ｂ］にかえて［Ｈ］を用い、得られた化合物の再結晶
を行わない以外は反応［３］と同様にして［Ｉ］を得
た。 反応［10］−１ ［Ｅ］にかえて［Ｉ］を用い、アルミナカラムクロマト
グラフィーにかえてシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーにて分離・精製した以外は反応［６］と同様にして
［Ｊ］を得た。 反応［11］−１ ［Ｄ］にかえて［Ｊ］を用い、アルミナカラムクロマト
グラフィーにかえてシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーにて分離・精製した以外は反応［５］と同様にして
（６−Ｏ−アセチル）β−ＣＤ［Ｋ］を得た。
Ｓｉ（iso −Ｃ3 Ｈ7）3 ）［Ａ］を脱水ＤＭＦに溶解
し、窒素雰囲気下０〜５℃に冷却する。その系にＮａＨ
を添加し、その温度で２時間撹拌、次いで臭化ベンジル
をゆっくり滴下し、さらにヨウ化ナトリウムを加える。
添加後０〜５℃で１時間、室温で９６時間撹拌する。反
応終了後メタノールを加え３０分撹拌し、そして濾過す
る。濾液は減圧下４０℃以下にて濃縮し、残渣は少量の
メタノールより再沈殿させ、濾過し、濾物は乾燥後シリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにより分離する。得ら
れた［Ｈ］はエタノールより再結晶し精製した。 反応［９］ ［Ｂ］にかえて［Ｈ］を用い、得られた化合物の再結晶
を行わない以外は反応［３］と同様にして［Ｉ］を得
た。 反応［10］−１ ［Ｅ］にかえて［Ｉ］を用い、アルミナカラムクロマト
グラフィーにかえてシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーにて分離・精製した以外は反応［６］と同様にして
［Ｊ］を得た。 反応［11］−１ ［Ｄ］にかえて［Ｊ］を用い、アルミナカラムクロマト
グラフィーにかえてシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーにて分離・精製した以外は反応［５］と同様にして
（６−Ｏ−アセチル）β−ＣＤ［Ｋ］を得た。
【００４９】＜実施例１７＞ <<（６−Ｏ−メチル）β−ＣＤの合成>> 反応［10］−２ ［Ｉ］をジオキサンに溶解し、窒素雰囲気下室温でＮａ
Ｈを添加する。次いで系を０〜５℃に冷却し、遮光下で
ヨウ化メチルをゆっくり滴下し０〜５℃で２時間、室温
で１２時間反応させる。反応終了後系にメタノールを加
え撹拌し、次いで不溶物を濾過し、濾液は減圧下４０℃
以下に濃縮し、残渣はメタノールより再結晶後シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにて精製し［Ｊ］を得た。 反応［11］−２ ［Ｄ］にかえて［Ｊ］を用い、アルミナカラムクロマト
グラフィーにかえてシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーにて分離・精製した以外は反応［５］と同様にして
（６−Ｏ−メチル）β−ＣＤ［Ｋ］を得た。
Ｈを添加する。次いで系を０〜５℃に冷却し、遮光下で
ヨウ化メチルをゆっくり滴下し０〜５℃で２時間、室温
で１２時間反応させる。反応終了後系にメタノールを加
え撹拌し、次いで不溶物を濾過し、濾液は減圧下４０℃
以下に濃縮し、残渣はメタノールより再結晶後シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにて精製し［Ｊ］を得た。 反応［11］−２ ［Ｄ］にかえて［Ｊ］を用い、アルミナカラムクロマト
グラフィーにかえてシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーにて分離・精製した以外は反応［５］と同様にして
（６−Ｏ−メチル）β−ＣＤ［Ｋ］を得た。
【００５０】
【化１０】
【００５１】
【化１１】
【００５２】＜実施例１８＞ <<（３−Ｏ−アセチル）β−ＣＤの合成>> 反応［12］ ［Ｅ］にかえて［Ｂ］（Ｒ＝−Ｓｉ（iso −Ｃ3 Ｈ7 ）
3 ）を用い、アルミナカラムクロマトグラフィーにかえ
てシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて分離・精製
した以外は反応［６］と同様にして［Ｌ］を得た。 反応［13］ ［Ｄ］にかえて［Ｌ］を用い、アルミナカラムクロマト
グラフィーにかえてシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーにて分離し、更に、メタノールにより再結晶し精製し
た以外は反応［５］と同様にして［Ｍ］を得た。 反応［14］ ［Ｂ］にかえて［Ｍ］を用いた以外は反応［３］と同様
にして（３−Ｏ−アセチル）β−ＣＤ［Ｎ］を得た。
3 ）を用い、アルミナカラムクロマトグラフィーにかえ
てシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて分離・精製
した以外は反応［６］と同様にして［Ｌ］を得た。 反応［13］ ［Ｄ］にかえて［Ｌ］を用い、アルミナカラムクロマト
グラフィーにかえてシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーにて分離し、更に、メタノールにより再結晶し精製し
た以外は反応［５］と同様にして［Ｍ］を得た。 反応［14］ ［Ｂ］にかえて［Ｍ］を用いた以外は反応［３］と同様
にして（３−Ｏ−アセチル）β−ＣＤ［Ｎ］を得た。
【００５３】
【化１２】
【００５４】
【化１３】
【００５５】＜実施例１９＞ <<（３，６−ジ−Ｏ−アセチル）β−ＣＤの合成>> 反応［15］−１ ［Ｃ］を脱水ピリジンに溶解し、室温で無水酢酸を滴下
する。滴下終了後１００℃で４時間反応させる。反応終
了後ピリジンを減圧下濃縮し、残渣に少量のエタノール
を加え、大量の氷冷水より再沈殿を行う。沈殿物を濾別
し、よく乾燥後シリカゲルカラムクロマトグラフィーに
て分離・精製し［Ｏ］を得た。 反応［16］−１ ［Ｏ］をエタノール／酢酸＝２／１溶液に溶解し、１０
％Ｐｄ／Ｃを触媒として添加後、水素添加を行う（４０
℃，５Kg／cm2 ）。水素圧が減少しなくなった時点で反
応を終了させ、Ｐｄ／Ｃを濾別、濾液を減圧下で濃縮
し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
分離・精製し（３，６−ジ−Ｏ−アセチル）β−ＣＤ
［Ｐ］を得た。
する。滴下終了後１００℃で４時間反応させる。反応終
了後ピリジンを減圧下濃縮し、残渣に少量のエタノール
を加え、大量の氷冷水より再沈殿を行う。沈殿物を濾別
し、よく乾燥後シリカゲルカラムクロマトグラフィーに
て分離・精製し［Ｏ］を得た。 反応［16］−１ ［Ｏ］をエタノール／酢酸＝２／１溶液に溶解し、１０
％Ｐｄ／Ｃを触媒として添加後、水素添加を行う（４０
℃，５Kg／cm2 ）。水素圧が減少しなくなった時点で反
応を終了させ、Ｐｄ／Ｃを濾別、濾液を減圧下で濃縮
し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
分離・精製し（３，６−ジ−Ｏ−アセチル）β−ＣＤ
［Ｐ］を得た。
【００５６】＜実施例２０＞ <<（３，６−ジ−Ｏ−メチル）β−ＣＤの合成>> 反応［15］−２ ［Ｃ］（Ｒ＝−Ｓｉ（iso −Ｃ3 Ｈ7 ）3 ）を脱水ジク
ロルメタン（またはクロロホルム）に溶解し、室温下で
その系にトリエチルアミンを加え、次いでメチル化剤で
あるトリメチルシリルジアゾメタンをすばやく添加す
る。添加後約１時間撹拌、反応終了後有機層を希硫酸で
洗浄、次いで水、ＮａＨＣＯ3 水溶液で洗い、硫酸ナト
リウムで乾燥する。硫酸ナトリウムを濾別後、濾液を減
圧下留去する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにより精製し［Ｏ］を得る。 反応［16］−２ ［Ｏ］をエタノール／酢酸＝２／１溶液に溶解し、１０
％Ｐｄ／Ｃを触媒として添加後、水素添加を行う（４０
℃，５Kg／cm2 ）。水素圧が減少しなくなった時点で反
応を終了させ、Ｐｄ／Ｃを濾別、濾液を減圧下で濃縮
し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
分離・精製し（３，６−ジ−Ｏ−メチル）β−ＣＤ
［Ｐ］を得た。
ロルメタン（またはクロロホルム）に溶解し、室温下で
その系にトリエチルアミンを加え、次いでメチル化剤で
あるトリメチルシリルジアゾメタンをすばやく添加す
る。添加後約１時間撹拌、反応終了後有機層を希硫酸で
洗浄、次いで水、ＮａＨＣＯ3 水溶液で洗い、硫酸ナト
リウムで乾燥する。硫酸ナトリウムを濾別後、濾液を減
圧下留去する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにより精製し［Ｏ］を得る。 反応［16］−２ ［Ｏ］をエタノール／酢酸＝２／１溶液に溶解し、１０
％Ｐｄ／Ｃを触媒として添加後、水素添加を行う（４０
℃，５Kg／cm2 ）。水素圧が減少しなくなった時点で反
応を終了させ、Ｐｄ／Ｃを濾別、濾液を減圧下で濃縮
し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
分離・精製し（３，６−ジ−Ｏ−メチル）β−ＣＤ
［Ｐ］を得た。
【００５７】
【化１４】
【００５８】
【化１５】
【００５９】＜実施例２１＞ <<（２，６−ジ−Ｏ−アセチル）β−ＣＤの合成>> 反応［17］ ［Ｂ］をＴＨＦに溶解し、３，４−ジヒドロ−２Ｈピラ
ンを滴下する。その系に塩酸１〜２滴添加し、室温で１
２時間撹拌する。反応終了後、その系にＫＯＨを加え、
室温で３０分撹拌する。ＫＯＨを濾別後、溶液を減圧下
濃縮する。残渣はアルミナカラムクロマトグラフィーに
より分離・精製し［Ｑ］を得た。 反応［18］ ［Ｂ］にかえて［Ｑ］を用い、得られた化合物について
再結晶を行わない以外は反応［３］と同様にして［Ｒ］
を得た。 反応［19］ ［Ｏ］にかえて［Ｒ］を用いた以外は反応［16］−１と
同様にして［Ｓ］を得た。 反応［20］ ［Ｃ］にかえて［Ｓ］を用いた以外は反応［15］−１と
同様にして［Ｔ］を得た。 反応［21］ ［Ｔ］をＴＨＦに溶解し、そこに塩酸を加え４０℃で３
０分撹拌させる。反応終了後放冷し、室温でＫＯＨを加
え３０分撹拌する。ＫＯＨを濾別後ＴＨＦを減圧下濃縮
し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
分離・精製し（２，６−ジ−Ｏ−アセチル）β−ＣＤ
［Ｕ］を得た。
ンを滴下する。その系に塩酸１〜２滴添加し、室温で１
２時間撹拌する。反応終了後、その系にＫＯＨを加え、
室温で３０分撹拌する。ＫＯＨを濾別後、溶液を減圧下
濃縮する。残渣はアルミナカラムクロマトグラフィーに
より分離・精製し［Ｑ］を得た。 反応［18］ ［Ｂ］にかえて［Ｑ］を用い、得られた化合物について
再結晶を行わない以外は反応［３］と同様にして［Ｒ］
を得た。 反応［19］ ［Ｏ］にかえて［Ｒ］を用いた以外は反応［16］−１と
同様にして［Ｓ］を得た。 反応［20］ ［Ｃ］にかえて［Ｓ］を用いた以外は反応［15］−１と
同様にして［Ｔ］を得た。 反応［21］ ［Ｔ］をＴＨＦに溶解し、そこに塩酸を加え４０℃で３
０分撹拌させる。反応終了後放冷し、室温でＫＯＨを加
え３０分撹拌する。ＫＯＨを濾別後ＴＨＦを減圧下濃縮
し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
分離・精製し（２，６−ジ−Ｏ−アセチル）β−ＣＤ
［Ｕ］を得た。
【００６０】
【化１６】
【００６１】
【化１７】
【００６２】＜実施例２２＞ <<（２，３−ジ−Ｏ−メチル）β−ＣＤの合成>> 反応［22］ ［Ａ］を脱水したジクロルメタン（またはクロロホル
ム）に溶解させ、室温下でその系にトリエチルアミンを
加え、次いでメチル化剤であるトリメチルシリルジアゾ
メタンをすばやく添加する。添加後約１時間撹拌する。
反応終了後、有機層を希硫酸で洗浄、次いで水、ＮａＨ
ＣＯ3 水溶液で洗い、硫酸ナトリウムで乾燥する。硫酸
ナトリウムを濾別後濾液を減圧下留去する。残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、［Ｖ］を
得る。 反応［23］ ［Ｖ］を脱水ＴＨＦに溶解し、室温下１Ｍ−（ｎ−Ｃ4
Ｈ9 ）4 Ｎ+ Ｆ- のＴＨＦ溶液を滴下し、滴下終了後ゆ
っくり加温し還流下６時間反応させる。反応終了後放冷
し、減圧下ＴＨＦを留去、残渣をジクロルメタンに溶
解、飽和食塩水で洗浄する。ジクロルメタン層は乾燥後
濾過し、濾液は減圧下濃縮、残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにて精製し、（２，３−ジ−Ｏ−メチ
ル）β−ＣＤ［Ｗ］を得る。
ム）に溶解させ、室温下でその系にトリエチルアミンを
加え、次いでメチル化剤であるトリメチルシリルジアゾ
メタンをすばやく添加する。添加後約１時間撹拌する。
反応終了後、有機層を希硫酸で洗浄、次いで水、ＮａＨ
ＣＯ3 水溶液で洗い、硫酸ナトリウムで乾燥する。硫酸
ナトリウムを濾別後濾液を減圧下留去する。残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、［Ｖ］を
得る。 反応［23］ ［Ｖ］を脱水ＴＨＦに溶解し、室温下１Ｍ−（ｎ−Ｃ4
Ｈ9 ）4 Ｎ+ Ｆ- のＴＨＦ溶液を滴下し、滴下終了後ゆ
っくり加温し還流下６時間反応させる。反応終了後放冷
し、減圧下ＴＨＦを留去、残渣をジクロルメタンに溶
解、飽和食塩水で洗浄する。ジクロルメタン層は乾燥後
濾過し、濾液は減圧下濃縮、残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにて精製し、（２，３−ジ−Ｏ−メチ
ル）β−ＣＤ［Ｗ］を得る。
【００６３】
【化１８】
【００６４】
【化１９】
【００６５】＜実施例２３＞ <<（２−Ｏ−ベンゾイル）β−ＣＤの合成>> 反応［24］ （６−Ｏ−トリイソプロピルシリル）β−ＣＤ（Ｒ＝−
Ｓｉ（iso −Ｃ3 Ｈ7）3 ）［Ａ］を窒素雰囲気下室温
で脱水ベンゼンに溶解する。その系に酸化ジブチルスズ
を加え加熱していく。反応が進行するにつれて発生する
水を共沸で除き、７０〜８０℃で約２４時間反応させ
る。反応終了後その温度のまま熱時濾過し不溶物を除
く。濾液を減圧下濃縮し、約半分程度になった残渣を大
量のアセトン中に加え再沈殿させる。沈殿物はよくアセ
トンで洗浄し乾燥させることにより［Ｘ］を得る。 反応［25］ 次に得られた［Ｘ］を脱水ジオキサン中に分散させ、そ
の系にトリエチルアミンを加え窒素雰囲気下０〜５℃に
冷却する。そして塩化ベンゾイルを［Ｘ］とほぼ同等量
滴下し、滴下後０〜５℃で１時間、室温で２４時間反応
させる。反応が進行するに従い系は均一溶液になってい
く。反応終了後沈殿物を濾別し、濾液は減圧下留去、残
渣は大量の水より再沈殿させる。沈殿物はよく水、メタ
ノールで洗浄し、乾燥後シリカゲルカラムクロマトグラ
フィーにて分離、精製し［Ｙ］を得る。 反応［26］ ［Ｙ］を脱水塩化メチレンに溶解し、窒素雰囲気下０〜
５℃に冷却する。そこへ三フッ化ホウ素のジエチルエー
テル錯体をゆっくりと滴下、滴下後０〜５℃で１時間、
室温で２時間撹拌する。反応終了後氷冷水中に加え、分
液後塩化メチレン層をＮａＨＣＯ3 水溶液で洗浄、乾燥
後、減圧下濃縮する。残渣はシリカゲルカラムクロマト
グラフィーにて分離、精製し（２−Ｏ−ベンゾイル）β
−ＣＤ［Ｚ］を得る。
Ｓｉ（iso −Ｃ3 Ｈ7）3 ）［Ａ］を窒素雰囲気下室温
で脱水ベンゼンに溶解する。その系に酸化ジブチルスズ
を加え加熱していく。反応が進行するにつれて発生する
水を共沸で除き、７０〜８０℃で約２４時間反応させ
る。反応終了後その温度のまま熱時濾過し不溶物を除
く。濾液を減圧下濃縮し、約半分程度になった残渣を大
量のアセトン中に加え再沈殿させる。沈殿物はよくアセ
トンで洗浄し乾燥させることにより［Ｘ］を得る。 反応［25］ 次に得られた［Ｘ］を脱水ジオキサン中に分散させ、そ
の系にトリエチルアミンを加え窒素雰囲気下０〜５℃に
冷却する。そして塩化ベンゾイルを［Ｘ］とほぼ同等量
滴下し、滴下後０〜５℃で１時間、室温で２４時間反応
させる。反応が進行するに従い系は均一溶液になってい
く。反応終了後沈殿物を濾別し、濾液は減圧下留去、残
渣は大量の水より再沈殿させる。沈殿物はよく水、メタ
ノールで洗浄し、乾燥後シリカゲルカラムクロマトグラ
フィーにて分離、精製し［Ｙ］を得る。 反応［26］ ［Ｙ］を脱水塩化メチレンに溶解し、窒素雰囲気下０〜
５℃に冷却する。そこへ三フッ化ホウ素のジエチルエー
テル錯体をゆっくりと滴下、滴下後０〜５℃で１時間、
室温で２時間撹拌する。反応終了後氷冷水中に加え、分
液後塩化メチレン層をＮａＨＣＯ3 水溶液で洗浄、乾燥
後、減圧下濃縮する。残渣はシリカゲルカラムクロマト
グラフィーにて分離、精製し（２−Ｏ−ベンゾイル）β
−ＣＤ［Ｚ］を得る。
【００６６】次に、上記式〔II〕に示される、本発明の
ＣＤ誘導体の具体的な合成例を示す。
ＣＤ誘導体の具体的な合成例を示す。
【００６７】
【化２０】
【００６８】＜実施例２４＞ <<（２，６−ジ−Ｏ−トリイソプロピルシリル）β−Ｃ
Ｄの合成>> 反応［27］−１ β−ＣＤを脱水ＤＭＦに溶解し、室温でイミダゾールを
添加する。次いでアルゴン雰囲気下トリイソプロピルシ
リルクロライドを加え溶解させる。その系をゆっくりと
加熱し９０〜１００℃で２４時間反応させる。反応終了
後放冷し、減圧下ＤＭＦを留去し残渣を塩化メチレン／
水系で抽出し、有機相は１Ｍ−Ｈ2 ＳＯ 4 、水、ＮａＨ
ＣＯ3 水溶液で洗浄後乾燥する。有機相は減圧下濃縮
し、残渣を塩化メチレン／メタノール系より再結晶し精
製し（２，６−ジ−Ｏ−トリイソプロピルシリル）β−
ＣＤ［ＡＡ］を得た（収率：約６５％）。
Ｄの合成>> 反応［27］−１ β−ＣＤを脱水ＤＭＦに溶解し、室温でイミダゾールを
添加する。次いでアルゴン雰囲気下トリイソプロピルシ
リルクロライドを加え溶解させる。その系をゆっくりと
加熱し９０〜１００℃で２４時間反応させる。反応終了
後放冷し、減圧下ＤＭＦを留去し残渣を塩化メチレン／
水系で抽出し、有機相は１Ｍ−Ｈ2 ＳＯ 4 、水、ＮａＨ
ＣＯ3 水溶液で洗浄後乾燥する。有機相は減圧下濃縮
し、残渣を塩化メチレン／メタノール系より再結晶し精
製し（２，６−ジ−Ｏ−トリイソプロピルシリル）β−
ＣＤ［ＡＡ］を得た（収率：約６５％）。
【００６９】＜実施例２５＞ <<（２，６−ジ−Ｏ−ジメチルプロピルシリル）β−Ｃ
Ｄの合成>> 反応［27］−２ トリイソプロピルシリルクロライドをジメチルプロピル
シリルクロライドとした以外は反応［27］−１と同様に
して（２，６−ジ−Ｏ−ジメチルプロピルシリル）β−
ＣＤ［ＡＡ］を得た（収率：約７０％）。
Ｄの合成>> 反応［27］−２ トリイソプロピルシリルクロライドをジメチルプロピル
シリルクロライドとした以外は反応［27］−１と同様に
して（２，６−ジ−Ｏ−ジメチルプロピルシリル）β−
ＣＤ［ＡＡ］を得た（収率：約７０％）。
【００７０】＜実施例２６＞ <<（２，６−ジ−Ｏ−ジメチルベンジルシリル）β−Ｃ
Ｄの合成>> 反応［27］−３ トリイソプロピルシリルクロライドをジメチルベンジル
シリルクロライドとした以外は反応［27］−１と同様に
して（２，６−ジ−Ｏ−ジメチルベンジルシリル）β−
ＣＤ［ＡＡ］を得た（収率：約６０％）。
Ｄの合成>> 反応［27］−３ トリイソプロピルシリルクロライドをジメチルベンジル
シリルクロライドとした以外は反応［27］−１と同様に
して（２，６−ジ−Ｏ−ジメチルベンジルシリル）β−
ＣＤ［ＡＡ］を得た（収率：約６０％）。
【００７１】＜実施例２７＞ <<（２，６−ジ−Ｏ−ジメチルフェニルシリル）β−Ｃ
Ｄの合成>> 反応［27］−４ β−ＣＤを脱水ＤＭＦ（あるいはＤＭＳＯ）に溶解し、
アルゴン雰囲気下室温でジメチルフェニルシリルイミダ
ゾールを添加する。添加後９０〜１００℃で２４時間反
応させる。反応終了後減圧下溶媒を留去し、残渣を塩化
メチレン／メタノールより再結晶を繰り返すことで精製
し（２，６−ジ−Ｏ−ジメチルフェニルシリル）β−Ｃ
Ｄ［ＡＡ］を得た（収率：約７０％）。
Ｄの合成>> 反応［27］−４ β−ＣＤを脱水ＤＭＦ（あるいはＤＭＳＯ）に溶解し、
アルゴン雰囲気下室温でジメチルフェニルシリルイミダ
ゾールを添加する。添加後９０〜１００℃で２４時間反
応させる。反応終了後減圧下溶媒を留去し、残渣を塩化
メチレン／メタノールより再結晶を繰り返すことで精製
し（２，６−ジ−Ｏ−ジメチルフェニルシリル）β−Ｃ
Ｄ［ＡＡ］を得た（収率：約７０％）。
【００７２】＜実施例２８＞ <<（２，６−ジ−Ｏ−ジメチルフェニルシリル）α−Ｃ
Ｄの合成>> 反応［27］−５ β−ＣＤをα−ＣＤとした以外は反応［27］−４と同様
にして（２，６−ジ−Ｏ−ジメチルフェニルシリル）α
−ＣＤ［ＡＡ］を得る（収率：約７０％）。
Ｄの合成>> 反応［27］−５ β−ＣＤをα−ＣＤとした以外は反応［27］−４と同様
にして（２，６−ジ−Ｏ−ジメチルフェニルシリル）α
−ＣＤ［ＡＡ］を得る（収率：約７０％）。
【００７３】＜実施例２９＞ <<（６−Ｏ−ジメチルフェニルシリル）γ−ＣＤの合成
>> 反応［27］−６ β−ＣＤをγ−ＣＤとした以外は反応［27］−４と同様
にして（２，６−ジ−Ｏ−ジメチルフェニルシリル）γ
−ＣＤ［ＡＡ］を得る（収率：約７０％）。
>> 反応［27］−６ β−ＣＤをγ−ＣＤとした以外は反応［27］−４と同様
にして（２，６−ジ−Ｏ−ジメチルフェニルシリル）γ
−ＣＤ［ＡＡ］を得る（収率：約７０％）。
【００７４】＜実施例３０＞ <<（２，６−ジ−Ｏ−ターシャルブチルジメチルシリ
ル）β−ＣＤの合成>> 反応［27］−７ β−ＣＤを脱水ＤＭＦ（あるいはＤＭＳＯ）に溶解し、
アルゴン雰囲気下室温でターシャルブチルジメチルシリ
ルイミダゾールを添加する。添加後９０〜１００℃で２
４時間反応させる。反応終了後減圧下溶媒を留去し、残
渣をクロロホルム／メタノールより再結晶を繰り返すこ
とで精製し（２，６−ジ−Ｏ−ターシャルブチルジメチ
ルシリル）β−ＣＤ［ＡＡ］を得た（収率：約７５
％）。
ル）β−ＣＤの合成>> 反応［27］−７ β−ＣＤを脱水ＤＭＦ（あるいはＤＭＳＯ）に溶解し、
アルゴン雰囲気下室温でターシャルブチルジメチルシリ
ルイミダゾールを添加する。添加後９０〜１００℃で２
４時間反応させる。反応終了後減圧下溶媒を留去し、残
渣をクロロホルム／メタノールより再結晶を繰り返すこ
とで精製し（２，６−ジ−Ｏ−ターシャルブチルジメチ
ルシリル）β−ＣＤ［ＡＡ］を得た（収率：約７５
％）。
【００７５】＜実施例３１＞ <<（２，６−ジ−Ｏ−ターシャルブチルジメチルシリ
ル）α−ＣＤの合成>> 反応［27］−８ β−ＣＤをα−ＣＤとした以外は反応［27］−７と同様
にして（２，６−ジ−Ｏ−ターシャルブチルジメチルシ
リル）α−ＣＤ［ＡＡ］を得る（収率：約７５％）。
ル）α−ＣＤの合成>> 反応［27］−８ β−ＣＤをα−ＣＤとした以外は反応［27］−７と同様
にして（２，６−ジ−Ｏ−ターシャルブチルジメチルシ
リル）α−ＣＤ［ＡＡ］を得る（収率：約７５％）。
【００７６】＜実施例３２＞ <<（２，６−ジ−Ｏ−ターシャルブチルジメチルシリ
ル）γ−ＣＤの合成>> 反応［27］−９ β−ＣＤをγ−ＣＤとした以外は反応［27］−７と同様
にして（２，６−ジ−Ｏ−ターシャルブチルジメチルシ
リル）γ−ＣＤ［ＡＡ］を得る（収率：約７５％）。
ル）γ−ＣＤの合成>> 反応［27］−９ β−ＣＤをγ−ＣＤとした以外は反応［27］−７と同様
にして（２，６−ジ−Ｏ−ターシャルブチルジメチルシ
リル）γ−ＣＤ［ＡＡ］を得る（収率：約７５％）。
【００７７】＜実施例３３＞ <<（２，６−ジ−Ｏ−ジメチルベンジルシリル）β−Ｃ
Ｄの合成>> 反応［27］−１０ β−ＣＤを脱水ＤＭＦ（あるいはＤＭＳＯ）に溶解し、
アルゴン雰囲気下室温でジメチルベンジルシリルイミダ
ゾールを添加する。添加後９０〜１００℃で２４時間反
応させる。反応終了後減圧下溶媒を留去し、残渣をジク
ロロメタン／エタノールより再結晶を繰り返すことで精
製し（２，６−ジ−Ｏ−ジメチルベンジルシリル）β−
ＣＤ［ＡＡ］を得た（収率：約６５％）。
Ｄの合成>> 反応［27］−１０ β−ＣＤを脱水ＤＭＦ（あるいはＤＭＳＯ）に溶解し、
アルゴン雰囲気下室温でジメチルベンジルシリルイミダ
ゾールを添加する。添加後９０〜１００℃で２４時間反
応させる。反応終了後減圧下溶媒を留去し、残渣をジク
ロロメタン／エタノールより再結晶を繰り返すことで精
製し（２，６−ジ−Ｏ−ジメチルベンジルシリル）β−
ＣＤ［ＡＡ］を得た（収率：約６５％）。
【００７８】次に、上記式〔II〕に示される本発明のＣ
Ｄ誘導体を用いて、種々のＣＤ誘導体を合成する具体的
反応例を示す。
Ｄ誘導体を用いて、種々のＣＤ誘導体を合成する具体的
反応例を示す。
【００７９】
【化２１】
【００８０】
【化２２】
【００８１】＜実施例３４＞ <<（３−Ｏ−アセチル）β−ＣＤの合成>> 反応［28］−１ （２，６−ジ−Ｏ−トリイソプロピルシリル）β−ＣＤ
（Ｒ＝−Ｓｉ（iso −Ｃ3 Ｈ7 ）3 ）［ＡＡ］を脱水Ｄ
ＭＦ（あるいはＴＨＦ）、ピリジン混合溶媒（あるいは
トリエチルアミンのみ）に溶解し窒素雰囲気下０〜５℃
でＤＭＦまたはＴＨＦに溶解した塩化アセチル（または
臭化アセチル）を滴下する。滴下終了後０〜５℃で２時
間、室温で１２時間反応させる。反応終了後溶媒を減圧
下濃縮し、残渣に少量のアセトンを加え、大量の氷冷水
により再沈殿を行う。沈殿物を濾別、乾燥後シリカゲル
カラムクロマトグラフィーにより分離精製し［ＡＢ］を
得た。 反応［29］−１ ［ＡＢ］を脱水塩化メチレン／メタノール＝２／１混合
溶媒に溶解し、窒素雰囲気下０〜５℃に冷却する。次い
でその系に三フッ化ホウ素のジエチルエーテル錯体を滴
下し、滴下終了後０〜５℃で２時間、室温で１２時間反
応させる。反応終了後、減圧下濃縮し、残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにより精製し（３−Ｏ−ア
セチル）β−ＣＤ［ＡＣ］を得た。
（Ｒ＝−Ｓｉ（iso −Ｃ3 Ｈ7 ）3 ）［ＡＡ］を脱水Ｄ
ＭＦ（あるいはＴＨＦ）、ピリジン混合溶媒（あるいは
トリエチルアミンのみ）に溶解し窒素雰囲気下０〜５℃
でＤＭＦまたはＴＨＦに溶解した塩化アセチル（または
臭化アセチル）を滴下する。滴下終了後０〜５℃で２時
間、室温で１２時間反応させる。反応終了後溶媒を減圧
下濃縮し、残渣に少量のアセトンを加え、大量の氷冷水
により再沈殿を行う。沈殿物を濾別、乾燥後シリカゲル
カラムクロマトグラフィーにより分離精製し［ＡＢ］を
得た。 反応［29］−１ ［ＡＢ］を脱水塩化メチレン／メタノール＝２／１混合
溶媒に溶解し、窒素雰囲気下０〜５℃に冷却する。次い
でその系に三フッ化ホウ素のジエチルエーテル錯体を滴
下し、滴下終了後０〜５℃で２時間、室温で１２時間反
応させる。反応終了後、減圧下濃縮し、残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにより精製し（３−Ｏ−ア
セチル）β−ＣＤ［ＡＣ］を得た。
【００８２】＜実施例３５＞ <<（３−Ｏ−メチル）β−ＣＤの合成>> 反応［28］−２ （２，６−ジ−Ｏ−トリイソプロピルシリル）β−ＣＤ
（Ｒ＝−Ｓｉ（iso −Ｃ3 Ｈ7 ）3 ）［ＡＡ］を脱水し
たジクロルメタン（またはクロロホルム）に溶解させ、
室温下でその系にトリエチルアミンを加え、次いでトリ
メチルシリルジアゾメタンをすばやく添加する。添加後
約１時間撹拌する。反応終了後、有機層を希硫酸で洗
浄、次いで水、ＮａＨＣＯ3 水溶液で洗い、硫酸ナトリ
ウムで乾燥する。硫酸ナトリウムを濾別後減圧下留去す
る。残渣をシリカゲルからムクロマトグラフィーにて精
製し［ＡＢ］を得る。 反応［29］−２ ［ＡＢ］を脱水ＴＨＦ／メタノール＝２／１混合溶媒に
溶解し、室温下１Ｍ−（ｎ−Ｃ4 Ｈ9 ）4 Ｎ+ Ｆ- のＴ
ＨＦ溶液を滴下し、滴下終了後ゆっくり加温し還流下２
４時間反応させる。反応終了後放冷し、減圧下ＴＨＦお
よびメタノールを留去、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーにて精製し（３−Ｏ−メチル）β−ＣＤ
［ＡＣ］を得る。
（Ｒ＝−Ｓｉ（iso −Ｃ3 Ｈ7 ）3 ）［ＡＡ］を脱水し
たジクロルメタン（またはクロロホルム）に溶解させ、
室温下でその系にトリエチルアミンを加え、次いでトリ
メチルシリルジアゾメタンをすばやく添加する。添加後
約１時間撹拌する。反応終了後、有機層を希硫酸で洗
浄、次いで水、ＮａＨＣＯ3 水溶液で洗い、硫酸ナトリ
ウムで乾燥する。硫酸ナトリウムを濾別後減圧下留去す
る。残渣をシリカゲルからムクロマトグラフィーにて精
製し［ＡＢ］を得る。 反応［29］−２ ［ＡＢ］を脱水ＴＨＦ／メタノール＝２／１混合溶媒に
溶解し、室温下１Ｍ−（ｎ−Ｃ4 Ｈ9 ）4 Ｎ+ Ｆ- のＴ
ＨＦ溶液を滴下し、滴下終了後ゆっくり加温し還流下２
４時間反応させる。反応終了後放冷し、減圧下ＴＨＦお
よびメタノールを留去、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーにて精製し（３−Ｏ−メチル）β−ＣＤ
［ＡＣ］を得る。
【００８３】
【化２３】
【００８４】
【化２４】
【００８５】＜実施例３６＞ <<（２，６−ジ−Ｏ−アセチル）β−ＣＤの合成>> 反応［30］ （２，６−ジ−Ｏ−トリイソプロピルシリル）β−ＣＤ
（Ｒ＝−Ｓｉ（iso −Ｃ3 Ｈ7 ）3 ）［ＡＡ］をＴＨＦ
に溶解し、３，４−ジヒドロ−２Ｈピランを滴下する。
その系に塩酸を１〜２滴添加し、室温で１２時間撹拌す
る。反応終了後、その系にＫＯＨを加え、室温で３０分
撹拌する。ＫＯＨを濾別後、溶液を減圧下濃縮する。残
渣はアルミナカラムクロマトグラフィーにより分離、精
製し［ＡＤ］を得た。 反応［31］ ［ＡＤ］を脱水塩化メチレンに溶解し、窒素雰囲気下０
〜５℃に冷却する。次いで三フッ化ホウ素のジエチルエ
ーテル錯体を滴下し、滴下終了後０〜５℃で２時間、室
温で２４時間反応させる。反応終了後、有機相を氷冷水
で洗浄し有機相は乾燥後減圧下濃縮し、残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにより精製し［ＡＥ］を得
る。 反応［32］ ［ＡＥ］を脱水ピリジンに溶解し、室温で無水酢酸を滴
下する。滴下終了後６０℃で１２時間反応させる。反応
終了後ピリジンを減圧下濃縮し、残渣に少量のエタノー
ルを加え、大量の氷冷水より再沈殿を行う。沈殿物を濾
別し、よく乾燥後シリカゲルカラムクロマトグラフィー
により分離、精製し［ＡＦ］を得た。 反応［33］ ［ＡＦ］をＴＨＦに溶解し、そこに塩酸を加え４０℃で
３０分撹拌させる。反応終了後放冷し、室温でＫＯＨを
加え３０分間撹拌する。ＫＯＨを濾別後ＴＨＦを減圧下
濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より分離精製し（２，６−ジ−Ｏ−アセチル）β−ＣＤ
［ＡＧ］を得た。
（Ｒ＝−Ｓｉ（iso −Ｃ3 Ｈ7 ）3 ）［ＡＡ］をＴＨＦ
に溶解し、３，４−ジヒドロ−２Ｈピランを滴下する。
その系に塩酸を１〜２滴添加し、室温で１２時間撹拌す
る。反応終了後、その系にＫＯＨを加え、室温で３０分
撹拌する。ＫＯＨを濾別後、溶液を減圧下濃縮する。残
渣はアルミナカラムクロマトグラフィーにより分離、精
製し［ＡＤ］を得た。 反応［31］ ［ＡＤ］を脱水塩化メチレンに溶解し、窒素雰囲気下０
〜５℃に冷却する。次いで三フッ化ホウ素のジエチルエ
ーテル錯体を滴下し、滴下終了後０〜５℃で２時間、室
温で２４時間反応させる。反応終了後、有機相を氷冷水
で洗浄し有機相は乾燥後減圧下濃縮し、残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにより精製し［ＡＥ］を得
る。 反応［32］ ［ＡＥ］を脱水ピリジンに溶解し、室温で無水酢酸を滴
下する。滴下終了後６０℃で１２時間反応させる。反応
終了後ピリジンを減圧下濃縮し、残渣に少量のエタノー
ルを加え、大量の氷冷水より再沈殿を行う。沈殿物を濾
別し、よく乾燥後シリカゲルカラムクロマトグラフィー
により分離、精製し［ＡＦ］を得た。 反応［33］ ［ＡＦ］をＴＨＦに溶解し、そこに塩酸を加え４０℃で
３０分撹拌させる。反応終了後放冷し、室温でＫＯＨを
加え３０分間撹拌する。ＫＯＨを濾別後ＴＨＦを減圧下
濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より分離精製し（２，６−ジ−Ｏ−アセチル）β−ＣＤ
［ＡＧ］を得た。
【００８６】上記本発明の具体的反応例では、アルキル
シリル基としてトリイソプロピルシリル基が導入された
ＣＤ誘導体を使用したが、前記式〔Ｉ〕、式〔II〕に示
されるような、ジメチルアルキルシリル基が導入された
ＣＤ誘導体を使用しても、上記と同様な反応生成物が得
られる。
シリル基としてトリイソプロピルシリル基が導入された
ＣＤ誘導体を使用したが、前記式〔Ｉ〕、式〔II〕に示
されるような、ジメチルアルキルシリル基が導入された
ＣＤ誘導体を使用しても、上記と同様な反応生成物が得
られる。
【００８７】また、本発明により製造したＣＤのアルキ
ルシリル化誘導体からは、上記の化合物以外にも、アミ
ノ化物、アミド化物、シアノ化物、ホルミル化物等のＣ
Ｄ誘導体を合成することができる。
ルシリル化誘導体からは、上記の化合物以外にも、アミ
ノ化物、アミド化物、シアノ化物、ホルミル化物等のＣ
Ｄ誘導体を合成することができる。
【００８８】
【発明の効果】アルキルシリル化剤として、前記式〔II
I〕に示したハロゲン化アルキルシランまたはアルキル
シリルイミダゾールを用いることで塩基を別途用意する
ことなくＣＤ誘導体を合成することができた。また、Ｃ
Ｄの一級水酸基（６位の水酸基）のみ、または、２位と
６位の水酸基のみすべてを選択的に保護することができ
た。そして、分離して確認すると副生成物も殆ど見られ
ず、高収率で目的物を得ることができた。また、このＣ
Ｄ誘導体は種々のＣＤ誘導体の合成における出発原料と
して非常に有用な化合物であり、最終目的物を得るにも
高収率で得ることができる。
I〕に示したハロゲン化アルキルシランまたはアルキル
シリルイミダゾールを用いることで塩基を別途用意する
ことなくＣＤ誘導体を合成することができた。また、Ｃ
Ｄの一級水酸基（６位の水酸基）のみ、または、２位と
６位の水酸基のみすべてを選択的に保護することができ
た。そして、分離して確認すると副生成物も殆ど見られ
ず、高収率で目的物を得ることができた。また、このＣ
Ｄ誘導体は種々のＣＤ誘導体の合成における出発原料と
して非常に有用な化合物であり、最終目的物を得るにも
高収率で得ることができる。
Claims (4)
- 【請求項１】下記式〔Ｉ〕または式〔II〕で表されるシ
クロデキストリン誘導体。 【化１】 - 【請求項２】シクロデキストリンと下記式〔III〕で表
される化合物とを反応させることを特徴とするシクロデ
キストリン誘導体の製造方法。 【化２】 - 【請求項３】０〜４０℃の雰囲気下で反応させることを
特徴とする請求項２に記載のシクロデキストリン誘導体
の製造方法。 - 【請求項４】７０〜１２０℃の雰囲気下で反応させるこ
とを特徴とする請求項２に記載のシクロデキストリン誘
導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5564394A JPH07252303A (ja) | 1994-01-26 | 1994-03-25 | シクロデキストリン誘導体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-6982 | 1994-01-26 | ||
| JP698294 | 1994-01-26 | ||
| JP5564394A JPH07252303A (ja) | 1994-01-26 | 1994-03-25 | シクロデキストリン誘導体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07252303A true JPH07252303A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=26341202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5564394A Pending JPH07252303A (ja) | 1994-01-26 | 1994-03-25 | シクロデキストリン誘導体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07252303A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004018547A1 (de) * | 2002-08-23 | 2004-03-04 | Wacker-Chemie Gmbh | Cyclodextrinreste aufweisende organosiliciumverbindungen |
| JP2024508991A (ja) * | 2021-03-22 | 2024-02-28 | ダウ シリコーンズ コーポレーション | 末端アルケニル官能性シリル化多糖類 |
| JP2024162026A (ja) * | 2023-05-09 | 2024-11-21 | 信越化学工業株式会社 | 環状オリゴ糖変性オルガノポリシロキサンの製造方法 |
| JP2025513604A (ja) * | 2022-04-25 | 2025-04-24 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト | シクロデキストリンが組み込まれたシリコーン材料および活性物質のキャリアとしてのその使用 |
-
1994
- 1994-03-25 JP JP5564394A patent/JPH07252303A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004018547A1 (de) * | 2002-08-23 | 2004-03-04 | Wacker-Chemie Gmbh | Cyclodextrinreste aufweisende organosiliciumverbindungen |
| JP2024508991A (ja) * | 2021-03-22 | 2024-02-28 | ダウ シリコーンズ コーポレーション | 末端アルケニル官能性シリル化多糖類 |
| JP2025513604A (ja) * | 2022-04-25 | 2025-04-24 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト | シクロデキストリンが組み込まれたシリコーン材料および活性物質のキャリアとしてのその使用 |
| JP2024162026A (ja) * | 2023-05-09 | 2024-11-21 | 信越化学工業株式会社 | 環状オリゴ糖変性オルガノポリシロキサンの製造方法 |
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