JPH0725700A - 超伝導体および薄膜超伝導体の製造方法 - Google Patents

超伝導体および薄膜超伝導体の製造方法

Info

Publication number
JPH0725700A
JPH0725700A JP5258163A JP25816393A JPH0725700A JP H0725700 A JPH0725700 A JP H0725700A JP 5258163 A JP5258163 A JP 5258163A JP 25816393 A JP25816393 A JP 25816393A JP H0725700 A JPH0725700 A JP H0725700A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
mercury
alkaline earth
superconductor
earth element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5258163A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideaki Adachi
秀明 足立
Kentaro Setsune
謙太郎 瀬恒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP5258163A priority Critical patent/JPH0725700A/ja
Priority to US08/239,963 priority patent/US5462921A/en
Priority to EP94303459A priority patent/EP0624910B1/en
Priority to DE69404214T priority patent/DE69404214T2/de
Publication of JPH0725700A publication Critical patent/JPH0725700A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

Landscapes

  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 臨界温度が１００Ｋを越える新規の水銀系酸
化物超伝導体と薄膜作製方法の提供。 【構成】 基体上に水銀、アルカリ土類元素(Ba,Ca)、
銅を主成分とする被膜を設けた後、基体及び薄膜を熱処
理して、アルカリ土類元素のCa元素１原子層11を介して
向かい合った２つのCuO5ピラミッド12を含む酸素欠損ペ
ロブスカイト層14が、水銀を主成分とする１原子層15で
挟まれた結晶構造を持つ、化学式HgBa2CaCu2O6+x(-1<x<
1)の物質を得た。また、水銀系薄膜超伝導体は、基体上
に水銀、アルカリ土類元素、銅を主体成分とする被膜を
設け、基体および被膜を低温かつ低酸化雰囲気で熱処理
することによって、低蒸気圧を有するＨｇ系でも製造で
きる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、１００Ｋ以上の臨界温
度を持つ新規の銅酸化物超電導体、および薄膜製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高温超伝導体として、ミュラー等により
ペロブスカイト類型構造の酸化物超伝導体が発見された
後、種々の化学組成を持つペロブスカイト類型構造の酸
化物系で超伝導性の確認が為された。
【０００３】その後、主体成分に水銀を含むペロブスカ
イト類型構造のＨｇＢａ2ＣｕＯ4+x化合物が、臨界温度
９４Ｋの超伝導性を示すことが発見された（ネイチャー
第３６２巻第２２６頁(S. N. Putilin他, Nature, Vol.
362, p.226 (1993))。この物質は、ＣｕＯ6八面体を含
むペロブスカイト層Ｂａ2ＣｕＯ4が、水銀元素を主成分
とする１原子層で挟まれた結晶構造を持つ考えられてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この水銀を含む超伝導
体を、液体窒素温度（７７Ｋ）で使おうとした場合、温
度マージンを見込むと、ちょうど限界の臨界温度であ
り、液体窒素温度で安定に使用するにはさらに臨界温度
の向上が必要とされる。
【０００５】また、従来この系の物質は、セラミックス
の形態でしか得られておらず、電子デバイス等に工業的
応用を行なうには、薄膜の形態に加工することが必須で
あるが、この水銀系超伝導体は、水銀元素の蒸気圧が高
いこともあって未だ薄膜が得られていない。
【０００６】本発明は、臨界温度が液体窒素を充分に越
える超伝導体の提供と、薄膜化が可能な製造方法とを提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題点を克服する本
発明の超伝導体は、水銀、アルカリ土類元素、銅の酸素
物からなり、アルカリ土類元素の１原子層を介して向か
い合った２つのＣｕＯ 5ピラミッドを含む酸素欠損ペロ
ブスカイト層が、水銀を主成分とする１原子層で挟まれ
た結晶構造の、化学式ＨｇＡ3Ｃｕ2Ｏ6+x(-1<x<1)で表
される物質で構成するというものである。
【０００８】また、本発明の他の超伝導体は、水銀、ア
ルカリ土類元素、銅の酸素物からなり、１枚のＣｕＯ2
面および両側の１原子層のアルカリ土類元素を介して向
かい合った２つのＣｕＯ5ピラミッドを含む酸素欠損ペ
ロブスカイトト層が、水銀を主成分とする１原子層で挟
まれた結晶構造の、化学式ＨｇＡ4Ｃｕ3Ｏ8+x(-1<x<1)
で表される物質で構成するというものである。
【０００９】また、本発明における超伝導体の薄膜製造
方法としては、基体上に水銀、アルカリ土類元素、銅を
主体成分とする被膜を設け、前記基体および被膜を熱処
理をして作製するというものである。特に従来の酸化物
超伝導体に比べて比較的低温かつ低酸化雰囲気で熱処理
を行うものである。
【００１０】
【作用】本発明の超伝導体の臨界温度が高くなった理由
は、超伝導理論が未だ確立していないため定かではない
が、従来の水銀を含む超伝導体が、単位格子当り１枚の
ＣｕＯ2面を有するのに対し、本発明の超伝導体は、２
枚あるいは３枚を持つことが関係していると推定され
る。
【００１１】この場合、一般にＣｕＯ2面数が増えれば
臨界温度が必ず増すというものではなく、実際に物質の
合成を行うことにより初めて判断されるものである。
【００１２】しかし、これまで水銀、アルカリ土類元
素、銅からなる酸化物において、ＣｕＯ2面が２枚以上
持つ物質は合成されていなかった。そこで本発明者ら
は、この合成方法を発見することにより、本発明の超伝
導体を見い出すことが出来た。
【００１３】また、本発明の製造方法によりＣｕＯ2面
を２枚以上有する物質が合成できたのは、薄膜製造プロ
セスを応用したことにより、従来得られなかった非熱平
衡相の出現が可能になったためと考えられる。
【００１４】同時に本製造方法は、蒸気圧の高い水銀元
素を含むため、従来得られていなかったこの系の薄膜
を、実現可能なものにした。
【００１５】薄膜製造プロセスは数多くあり、通常は成
膜時に基体を加熱して、結晶化した薄膜を形成するが、
水銀を含む系の物質では、基体に被膜を堆積した後、熱
処理時に結晶化させる方法をとることで、安定に薄膜合
成が出来ることを本発明者らは見い出した。
【００１６】従来の酸化物超伝導薄膜を熱処理して得る
方法から類推すると、水銀系超伝導薄膜の場合にも、被
膜をセラミックスの焼成温度と同じ８００℃程度で熱処
理すれば得られると考えられるが、本薄膜の場合には意
外にも従来では考えられない低い温度の６５０以上７０
０℃以下の熱処理が適していることを見いだした。
【００１７】また、水銀系セラミックスの焼成時の様
に、例えばカプセルに封入して水銀蒸気を供給する必要
もなく、酸素を１／５００から１／１０気圧含む雰囲気
中で熱処理するだけで簡単に超伝導薄膜が得られること
も併せて確認した。
【００１８】さらに、従来の酸化物超伝導薄膜を熱処理
で作製する場合、酸化を促進させるのがよいとされてき
たが、本発明の水銀系超伝導薄膜では酸素分圧の低いと
きのみ作製が可能であることも見いだした。
【００１９】
【実施例】以下具体的実施例を挙げ、本発明をより詳細
に説明する。
【００２０】（実施例１）酸化マグネシウムＭｇＯ単結
晶（１００）面基体上に、スパッタリング法を用いてＨ
ｇ-Ｂａ-Ｃａ-Ｃｕ-Ｏ薄膜を１μｍ形成した。スパッタ
ターゲットは、Ｂａ2ＣｕＯ3、Ｃａ2ＣｕＯ3、ＣｕＯお
よびＨｇＯの各粉末を、金属組成Ｈｇ:Ｂａ:Ｃａ:Ｃｕ
＝２:２:１:２となるように混合し、円盤状に成形した
ものを用い、アルゴン雰囲気３Ｐａのガス圧で５０Ｗの
スパッタリングを行い成膜した。
【００２１】形成温度を室温とした場合、薄膜は非晶質
状態であり、膜組成はＨｇ:Ｂａ:Ｃａ:Ｃｕ＝２.５:２:
０.７:１.７であった。
【００２２】このようにして形成した被膜の熱処理を行
い、薄膜の特性を評価した。但し、熱処理は、ガラス製
のカプセルに被膜の付いた基体を入れ蓋をして、１０％
酸素を含む窒素流中で赤外線ランプにより加熱して行っ
た。
【００２３】６５０℃で２０分間熱処理を行った場合、
膜組成はＨｇ:Ｂａ:Ｃａ:Ｃｕ＝０.８:２:０.４:１.５
となり、軸長９.５Åの配向した薄膜が得られた。
【００２４】詳細な分析の結果、この薄膜は、これまで
知られている水銀を含む超伝導体、すなわち、ＣｕＯ6
八面体を含むペロブスカイト層が、水銀元素を主成分と
する１原子層で挟まれた結晶構造を持つＨｇＢａ2Ｃｕ
Ｏ4+x(但し、-1<x<1)化合物のｃ軸配向膜であった。こ
の種の水銀を含む化合物の薄膜が、この方法で作製可能
であることが判った。
【００２５】この薄膜の電気抵抗率は、室温で１ｍΩcm
と低く、低温の９０Ｋで超伝導転移による抵抗ドロップ
をみせた。
【００２６】熱処理をやや低い温度、すなわち６２０℃
で２０分間行った際には、膜組成Ｈｇ:Ｂａ:Ｃａ:Ｃｕ
＝１:２:０.８:１.７で、軸長１２.７Åの配向した薄膜
が得られた。
【００２７】得られた物質は、分析の結果図１に示す結
晶構造すなわち、Ｃａ元素の１原子層１１を介して向か
い合った２つのＣｕＯ5ピラミッド１２、およびＢａ元
素１３からなる酸素欠損ペロブスカイト層１４が、水銀
を主成分とする１原子層１５で挟まれた構造を持つ、Ｈ
ｇＢａ2ＣａＣｕ2Ｏ6+x(但し、-1<x<1)化合物のｃ軸配
向膜であった。
【００２８】この薄膜は、従来の水銀を含む超伝導体の
臨界温度よりも高い１０２Ｋで、超伝導転移による抵抗
ドロップをみせた。すなわち、ＨｇＢａ2ＣａＣｕ2Ｏ
6+xは新しい超伝導体であることが確認された。
【００２９】なお、本実施例ではアルカリ土類元素の組
合せとしてＢａとＣａを用いたが、これ以外のアルカリ
土類元素の組合せでも、超伝導体が作製できること勿論
である。
【００３０】また、熱処理時に、被膜の付いた基体と一
緒に、水銀を含む化合物の粉体あるいはセラミックペレ
ットを入れておくと、被膜からの水銀元素の蒸発が抑え
られて超伝導体作製の再現性向上に有効であることも確
認した。
【００３１】さらに、熱処理後の冷却は、毎時５００℃
以上の急冷にした方が超伝導特性がよいことも併せて確
認した。
【００３２】（実施例２）酸化マグネシウムＭｇＯ単結
晶（１００）面基体上に、金属組成Ｈｇ:Ｂａ:Ｃａ:Ｃ
ｕ＝２:２:２.２:３.２のターゲットを用いて、スパッ
タリング成膜を行った。膜組成は、Ｈｇ:Ｂａ:Ｃａ:Ｃ
ｕ＝２.５:２:１.８:３.２であった。
【００３３】この被膜をガラス製のカプセルに入れ蓋を
して、６２０℃で２０分間熱処理を行った。その結果、
膜組成Ｈｇ:Ｂａ:Ｃａ:Ｃｕ＝１:２:２:３で、軸長１
５.９Åの配向した薄膜が得られた。
【００３４】得られた物質は、分析の結果図２に示す結
晶構造すなわち、１枚のＣｕＯ2面２１および両側の１
原子層のＣａ元素２２を介して向かい合った２つのＣｕ
Ｏ5ピラミッド２３、およびＢａ元素２４からなる酸素
欠損ペロブスカイトト層２５が、水銀を主成分とする１
原子層２６で挟まれた構造を持つ、ＨｇＢａ2Ｃａ2Ｃｕ
3Ｏ8+x(但し、-1<x<1)化合物のｃ軸配向膜であった。
【００３５】この薄膜は、従来の水銀を含む超伝導体の
臨界温度よりも高い１０５Ｋで、超伝導転移による抵抗
ドロップをみせた。すなわち、ＨｇＢａ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏ
8+xは新しい超伝導体であることが確認された。
【００３６】なお、薄膜の組成として、主体成分の水
銀、アルカリ土類元素、銅以外に微量成分として、例え
ば鉛などの他の成分が入った場合にも、本発明の薄膜製
造方法により超伝導薄膜が作製できること勿論である。
【００３７】（実施例３）チタン酸ストロンチウムＳｒ
ＴｉＯ3単結晶（１００）面基体上に、スパッタリング
法を用いてＨｇ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ薄膜を５０００Å形成し
た。スパッタターゲットの金属組成はＨｇ:Ｂａ:Ｃｕ＝
２.５:２:１とし、アルゴン雰囲気０.５Ｐａのガス圧で
スパッタリングを行った。基板加熱を行わずに室温で形
成した被膜の組成は条件により多少変動したが、およそ
Ｈｇ:Ｂａ:Ｃｕ＝（１−ｙ）：２:（１＋ｙ）（但し、
０≦ｙ≦０.７）程度の非晶質膜であった。
【００３８】被膜の熱処理条件を変えた場合の薄膜超伝
導体の特性について検討した。まず、１％酸素を含む窒
素雰囲気中で加熱した。加熱温度が６００℃以上の際に
水銀系超伝導体ＨｇＢａ2ＣｕＯ4+xの構造が結晶化する
ことを確認した。しかし７５０℃以上では水銀元素が膜
中から離脱して、もはや構造を作ることが出来なかっ
た。この結果、薄膜において良質のＨｇＢａ2ＣｕＯ4+x
構造を作るには、従来の酸化物超伝導体の熱処理法に比
べて低温の６５０℃から７００℃の間が適していること
を見いだした。
【００３９】次に、熱処理の昇温速度について検討し
た。従来の酸化物超伝導薄膜の熱処理では毎時１００℃
以下の遅い昇降速度がよいとされていたが、水銀系超伝
導薄膜の場合、毎時５００℃以上の急速な昇降が結晶構
造形成に良いことも併せて見いだした。図３は、熱処理
温度６７０℃で４５分間加熱して作製した膜のＸ線回折
パターンを示す。軸長９.５Åのｃ軸配向した良質な薄
膜が得られていることが判る。
【００４０】次に熱処理雰囲気中の酸素の含有量を変え
てその影響を調べた。熱処理条件を６７０℃４５分と
し、窒素中の酸素量を０％〜５０％まで変化させてＸ線
回折パターンの００４回折ピーク強度を測定した。
【００４１】図４は、その相対強度と酸素分圧の関係の
結果である。従来の酸化物超伝導薄膜を熱処理して作製
する場合、酸化を促進させるために酸素量が多い方がよ
いとされていたが、水銀系超伝導薄膜の場合逆に酸素量
が多いと結晶性が悪くなるという意外な結果であった。
【００４２】また、図４より、酸素分圧が１／５００〜
１／１０気圧の範囲において良好な結晶性の薄膜が得ら
れることが判明した。この酸素量で熱処理して作られた
膜において、超伝導転移温度９０Ｋ以上の特性が得られ
た。
【００４３】この薄膜をさらに酸素中で３００〜５００
℃程度の低温熱処理を施すと、超伝導特性の再現性の向
上がみられることも併せて確認した。
【００４４】なお、本実施例ではアルカリ土類元素とし
てＢａを用いたが、水銀系超伝導薄膜はこれ以外のアル
カリ土類元素の組合せでも構成できること勿論である。
【００４５】また、本実施例では熱処理時に酸素と窒素
の混合ガスを用いたが、酸素さえ所定の量含まれていれ
ば、例えばアルゴンなどの不活性ガスと酸素の混合ガス
でも同様である。
【００４６】
【発明の効果】以上のように本発明の超伝導体は、水銀
（Ｈｇ）、アルカリ土類元素（Ａ）、銅（Ｃｕ）からな
る酸素物で、前記アルカリ土類元素の１原子層を介して
向かい合った２つのＣｕＯ5ピラミッドを含む酸素欠損
ペロブスカイト層Ａ3Ｃｕ2Ｏ6が、水銀を主成分とする
１原子層で挟まれた結晶構造を持ち、化学式ＨｇＡ3Ｃ
ｕ2Ｏ6+x(但し、-1<ｘ<1)の物質、または、水銀（Ｈ
ｇ）、アルカリ土類元素（Ａ）、銅（Ｃｕ）からなる酸
素物で、１枚のＣｕＯ2面および両側の１原子層の前記
アルカリ土類元素を介して向かい合った２つのＣｕＯ5
ピラミッドを含む酸素欠損ペロブスカイトト層Ａ4Ｃｕ3
Ｏ8が、水銀を主成分とする１原子層で挟まれた結晶構
造を持ち、化学式ＨｇＡ4Ｃｕ3Ｏ8+x(但し、-1<ｘ<1)の
物質であるため、１００Ｋを越える臨界温度を持つ新規
の水銀を含む酸化物超伝導体である。
【００４７】本発明の超伝導体は、１００Ｋを越えるた
め、安価で大量供給の可能な液体窒素を冷媒とした７７
Ｋでの安定な使用が可能となり、この結果水銀を含む酸
化物超伝導体の実用化も期待できるようになった。
【００４８】また、本発明は基体上に水銀、アルカリ土
類元素、銅を主体成分とする被膜を設け、前記基体およ
び被膜を熱処理する製造方法であり、薄膜化によるこの
系の電子デバイス応用を可能ならしめるものであり、本
発明の工業的価値は大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例で作製されたＨｇＢａ2Ｃａ
Ｃｕ2Ｏ6+x薄膜の結晶構造図
【図２】本発明の一実施例で作製されたＨｇＢａ2Ｃａ2
Ｃｕ3Ｏ8+x薄膜の結晶構造図
【図３】本発明の一実施例で作製されたＨｇＢａ2Ｃｕ
Ｏ4+x薄膜のＸ線回折パターン
【図４】本発明の一実施例で作製されたＨｇ−Ｂａ−Ｃ
ｕ−Ｏ薄膜の結晶性と熱処理中の酸素量の間系図
【符号の説明】 １１ Ｃａ元素１原子層 １２ ＣｕＯ5ピラミッド １３ Ｂａ元素 １４ 酸素欠損ペロブスカイト層 １５ 水銀元素１原子層 ２１ ＣｕＯ2面 ２２ Ｃａ元素１原子層 ２３ ＣｕＯ5ピラミッド ２４ Ｂａ元素 ２５ 酸素欠損ペロブスカイト層 ２６ 水銀元素１原子層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 12/00 ＺＡＡ 7244−5Ｇ Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡ Ｂ 9276−4Ｍ

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】水銀（Ｈｇ）、アルカリ土類元素（Ａ）、
    銅（Ｃｕ）からなる酸素物で、前記アルカリ土類元素の
    １原子層を介して向かい合った２つのＣｕＯ5ピラミッ
    ドを含む酸素欠損ペロブスカイト層Ａ3Ｃｕ2Ｏ6が、水
    銀を主成分とする１原子層で挟まれた結晶構造を持ち、
    化学式ＨｇＡ3Ｃｕ2Ｏ6+xの物質であることを特徴とす
    る超伝導体。ここでｘは、−１＜ｘ＜１の範囲の数値で
    ある。
  2. 【請求項２】アルカリ土類元素Ａが、バリウム（Ｂａ）
    とカルシウム（Ｃａ）の組合せで構成され、ＨｇＢａ2
    ＣａＣｕ2Ｏ6+xなる化学式の物質であることを特徴とす
    る、請求項１記載の超伝導体。
  3. 【請求項３】水銀（Ｈｇ）、アルカリ土類元素（Ａ）、
    銅（Ｃｕ）からなる酸素物で、１枚のＣｕＯ2面および
    両側の１原子層の前記アルカリ土類元素を介して向かい
    合った２つのＣｕＯ5ピラミッドを含む酸素欠損ペロブ
    スカイト層Ａ4Ｃｕ3Ｏ8が、水銀を主成分とする１原子
    層で挟まれた結晶構造を持ち、化学式ＨｇＡ4Ｃｕ3Ｏ
    8+xの物質であることを特徴とする超伝導体。ここでｘ
    は、−１＜ｘ＜１の範囲の数値である。
  4. 【請求項４】アルカリ土類元素Ａが、バリウム（Ｂａ）
    とカルシウム（Ｃａ）の組合せで構成され、ＨｇＢａ2
    Ｃａ2Ｃｕ3Ｏ8+xなる化学式の物質であることを特徴と
    する、請求項３記載の超伝導体。
  5. 【請求項５】基体上に水銀、アルカリ土類元素、銅を主
    体成分とする被膜を設け、前記基体および被膜を熱処理
    することを特徴とする薄膜超伝導体の製造方法。
  6. 【請求項６】熱処理の温度が６５０以上７００℃以下の
    範囲であることを特徴とする、請求項５記載の薄膜超伝
    導体の製造方法。
  7. 【請求項７】熱処理の昇降速度が、毎時５００℃以上で
    あることを特徴とする、請求項５または６何れかに記載
    の薄膜超伝導体の製造方法。
  8. 【請求項８】熱処理を１／５００気圧以上１／１０気圧
    以下の範囲の酸素含有雰囲気で行うことを特徴とする、
    請求項５〜７何れかに記載の薄膜超伝導体の製造方法。
  9. 【請求項９】熱処理の後、さらに酸素中で３００以上５
    ００℃以下の低温熱処理を加えることを特徴とする、請
    求項５〜８何れかに記載の薄膜超伝導体の製造方法。
  10. 【請求項１０】薄膜超伝導体の組成比が、水銀（Ｈ
    ｇ）、アルカリ土類元素（Ａ）、銅（Ｃｕ）とし、Ｈｇ
    (1-y)Ａ2Ｃｕ(1+y)で表わすと、ｙが０≦ｙ≦０．７の
    値を主成分とすることを特徴とする、請求項５記載の薄
    膜超伝導体の製造方法。
  11. 【請求項１１】アルカリ土類元素（Ａ）が、バリウム元
    素であることを特徴とする、請求項５または１０何れか
    に記載の薄膜超伝導体の製造方法。
JP5258163A 1993-05-14 1993-10-15 超伝導体および薄膜超伝導体の製造方法 Pending JPH0725700A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5258163A JPH0725700A (ja) 1993-05-14 1993-10-15 超伝導体および薄膜超伝導体の製造方法
US08/239,963 US5462921A (en) 1993-05-14 1994-05-09 Method of forming Hg-containing oxide superconducting films
EP94303459A EP0624910B1 (en) 1993-05-14 1994-05-13 Method of fabricating a Hg-based superconducting thin film
DE69404214T DE69404214T2 (de) 1993-05-14 1994-05-13 Verfahren zur Herstellung einer supraleitenden dünnen Schicht vom Hg-Typ

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11284893 1993-05-14
JP5-112848 1993-05-14
JP5258163A JPH0725700A (ja) 1993-05-14 1993-10-15 超伝導体および薄膜超伝導体の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0725700A true JPH0725700A (ja) 1995-01-27

Family

ID=26451919

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5258163A Pending JPH0725700A (ja) 1993-05-14 1993-10-15 超伝導体および薄膜超伝導体の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0725700A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0753212A (ja) * 1993-08-13 1995-02-28 Agency Of Ind Science & Technol 高温超伝導体およびその作製法
CN110670045A (zh) * 2019-11-12 2020-01-10 复旦大学 一种原子层沉积制备有机无机杂化卤素钙钛矿材料的方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0753212A (ja) * 1993-08-13 1995-02-28 Agency Of Ind Science & Technol 高温超伝導体およびその作製法
CN110670045A (zh) * 2019-11-12 2020-01-10 复旦大学 一种原子层沉积制备有机无机杂化卤素钙钛矿材料的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5578551A (en) Method for synthesis of high-temperature Hg-Ba-Ca-Cu-O (HBCCO) superconductors
JPH0725700A (ja) 超伝導体および薄膜超伝導体の製造方法
US5049542A (en) La123 superconductor materials
US5462921A (en) Method of forming Hg-containing oxide superconducting films
US5545610A (en) Oxide-based superconductor, a process for preparing the same and a wire material of comprising the same
KR900004047A (ko) Bi계 복합 산화물 초전도 박막의 성막방법
US5439878A (en) Method for preparing copper oxide superconductor containing carbonate radicals
JP2803823B2 (ja) Ｔ１系酸化物超電導体の製造方法
JP2832002B2 (ja) Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｉ−Ｏ系超伝導薄膜の製造方法
JP3251093B2 (ja) 超伝導体およびその製造方法
JPH03295810A (ja) 酸化物超伝導体
US5153170A (en) La123 Superconductor materials
JP2781331B2 (ja) 薄膜超伝導体の製造方法
JP2648524B2 (ja) セラミックス及びその製法
JPH01278449A (ja) 酸化物超電導体の製造方法
JPH02311396A (ja) 薄膜超伝導体とその製造方法
JPH026366A (ja) 酸化物系セラミックス、超電導セラミックス膜製造用基板及び超電導セラミックス膜の製法
JP2847769B2 (ja) Ｂｉ系超伝導体薄膜の製造方法
JP2814404B2 (ja) 超伝導薄膜の熱処理方法
JPH01203258A (ja) 酸化物超電導焼結体の製造方法
JP2822328B2 (ja) 超伝導体の製造方法
JPH01290530A (ja) 複合酸化物系超電導材料およびその製造方法
JPS63307614A (ja) 高温酸化物超電導体薄膜
JPH0464266A (ja) 酸化物超伝導体および酸化物超伝導薄膜の製造方法
JPH0848520A (ja) 酸化物超電導体及び製造方法