JPH0726016A - ポリイミドおよびその製造法 - Google Patents
ポリイミドおよびその製造法Info
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- JPH0726016A JPH0726016A JP17052993A JP17052993A JPH0726016A JP H0726016 A JPH0726016 A JP H0726016A JP 17052993 A JP17052993 A JP 17052993A JP 17052993 A JP17052993 A JP 17052993A JP H0726016 A JPH0726016 A JP H0726016A
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- Japan
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- polyimide
- carbon atoms
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- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ポリイミドが本来有する優れた特性に加えて、
溶解性に優れ、なおかつ低誘電性をも有する新規なポリ
イミドを提供すること。 【構成】一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ6 、Ｒi 、Ｒj はそれぞれ水素原子、
ハロゲン原子、炭素数１〜６の炭化水素基または炭素数
１〜６の含ハロゲン炭化水素基を表し、ａとｂはそれぞ
れ０以上４以下の整数でａ＋ｂ≦４を満たす。またＸは
炭素数２以上の４価の有機基を表し、Ｙは硫黄原子もし
くは炭素数１２以下のアルキリデン基を表す。）で表さ
れるポリイミドおよびその製造方法。
溶解性に優れ、なおかつ低誘電性をも有する新規なポリ
イミドを提供すること。 【構成】一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ6 、Ｒi 、Ｒj はそれぞれ水素原子、
ハロゲン原子、炭素数１〜６の炭化水素基または炭素数
１〜６の含ハロゲン炭化水素基を表し、ａとｂはそれぞ
れ０以上４以下の整数でａ＋ｂ≦４を満たす。またＸは
炭素数２以上の４価の有機基を表し、Ｙは硫黄原子もし
くは炭素数１２以下のアルキリデン基を表す。）で表さ
れるポリイミドおよびその製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、溶解性および低誘電性
に優れた新規なポリイミドに関するものであり、半導体
の各種保護膜や層間絶縁膜、液晶表示素子の配向膜、フ
レキシブルプリント配線板のベースフィルム、ガス透過
膜およびその他各種絶縁膜、電子部品用樹脂、構造材料
用樹脂および耐熱性接着剤等に利用される。
に優れた新規なポリイミドに関するものであり、半導体
の各種保護膜や層間絶縁膜、液晶表示素子の配向膜、フ
レキシブルプリント配線板のベースフィルム、ガス透過
膜およびその他各種絶縁膜、電子部品用樹脂、構造材料
用樹脂および耐熱性接着剤等に利用される。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミドはその高耐熱性に加え、機械
的強度や電気絶縁性に優れた特性を生かして、電気、電
子分野において多用されている。しかし、従来の芳香族
ポリイミドは溶融温度が高く、また溶剤に不溶なため、
イミドの状態でフィルム等に成形することは困難であっ
た。例えば、４，４−ジアミノジフェニルエーテルとピ
ロメリット酸二無水物との縮合で得られる芳香族ポリイ
ミド（Kapton、米国DuPont社商品名）は、融点が５００
℃以上であり、かつイミドの溶解性が悪いため、通常は
前駆体のポリアミド酸の極性溶媒溶液をフィルム状にキ
ャストした後、３００℃以上の高温で加熱してイミド化
閉環させるという方法でフィルムに成形されていた。
的強度や電気絶縁性に優れた特性を生かして、電気、電
子分野において多用されている。しかし、従来の芳香族
ポリイミドは溶融温度が高く、また溶剤に不溶なため、
イミドの状態でフィルム等に成形することは困難であっ
た。例えば、４，４−ジアミノジフェニルエーテルとピ
ロメリット酸二無水物との縮合で得られる芳香族ポリイ
ミド（Kapton、米国DuPont社商品名）は、融点が５００
℃以上であり、かつイミドの溶解性が悪いため、通常は
前駆体のポリアミド酸の極性溶媒溶液をフィルム状にキ
ャストした後、３００℃以上の高温で加熱してイミド化
閉環させるという方法でフィルムに成形されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の芳香
族ポリイミドは、フィルム等に成形するためには３００
℃以上の高温で加熱処理することが必要であり、電子素
子や基板および金属配線などを熱劣化させてしまい信頼
性の低下を招くという問題があった。また、高温で成形
したフィルムは成形後の収縮による歪や応力が残存する
ためカールが発生するという問題点もあり、イミドの状
態で直接比較的低温でフィルム等に成形できる芳香族ポ
リイミドの開発が要望されている。また最近、コンピュ
ーター等の信号の高速電送化の要求から、従来ポリイミ
ドが有していた優れた絶縁性に加えて低誘電率化が要望
されている。
族ポリイミドは、フィルム等に成形するためには３００
℃以上の高温で加熱処理することが必要であり、電子素
子や基板および金属配線などを熱劣化させてしまい信頼
性の低下を招くという問題があった。また、高温で成形
したフィルムは成形後の収縮による歪や応力が残存する
ためカールが発生するという問題点もあり、イミドの状
態で直接比較的低温でフィルム等に成形できる芳香族ポ
リイミドの開発が要望されている。また最近、コンピュ
ーター等の信号の高速電送化の要求から、従来ポリイミ
ドが有していた優れた絶縁性に加えて低誘電率化が要望
されている。
【０００４】そこで、可溶性でありかつ低誘電性を有す
るポリイミドに関して、例えばフッ素を導入したポリイ
ミドが開発されているが（例えば特開平４−２３９０３
７）、価格が非常に高価であり、工業的レベルでの生産
は困難である。また、テフロン樹脂に代表されるよう
に、フッ素を多量に含有すると接着性が低下する等の多
くの問題点があった。
るポリイミドに関して、例えばフッ素を導入したポリイ
ミドが開発されているが（例えば特開平４−２３９０３
７）、価格が非常に高価であり、工業的レベルでの生産
は困難である。また、テフロン樹脂に代表されるよう
に、フッ素を多量に含有すると接着性が低下する等の多
くの問題点があった。
【０００５】本発明の目的は、ポリイミドが本来有する
優れた特性に加えて、溶解性に優れ、なおかつ低誘電性
をも有する新規なポリイミドを提供することにある。
優れた特性に加えて、溶解性に優れ、なおかつ低誘電性
をも有する新規なポリイミドを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
果たすため鋭意検討した結果、特定の構造を有する芳香
族ポリイミドが、ポリイミド固有の諸物性を損なうこと
なく、溶解性に優れ、なおかつ低誘電性をも有すること
を見いだし、本発明を完成した。すなわち、本発明は一
般式（１）
果たすため鋭意検討した結果、特定の構造を有する芳香
族ポリイミドが、ポリイミド固有の諸物性を損なうこと
なく、溶解性に優れ、なおかつ低誘電性をも有すること
を見いだし、本発明を完成した。すなわち、本発明は一
般式（１）
【化４】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ6 、Ｒi 、Ｒj はそれぞれ水素原子、
ハロゲン原子、炭素数１〜６の炭化水素基または炭素数
１〜６の含ハロゲン炭化水素基を表し、ａとｂはそれぞ
れ０以上４以下の整数でａ＋ｂ≦４を満たす。またＸは
炭素数２以上の４価の有機基を表し、Ｙは硫黄原子もし
くは炭素数１２以下のアルキリデン基を表す。）で表さ
れる繰り返し構造単位を有するポリイミド、ならびにそ
れらの製造方法に関するものである。
ハロゲン原子、炭素数１〜６の炭化水素基または炭素数
１〜６の含ハロゲン炭化水素基を表し、ａとｂはそれぞ
れ０以上４以下の整数でａ＋ｂ≦４を満たす。またＸは
炭素数２以上の４価の有機基を表し、Ｙは硫黄原子もし
くは炭素数１２以下のアルキリデン基を表す。）で表さ
れる繰り返し構造単位を有するポリイミド、ならびにそ
れらの製造方法に関するものである。
【０００７】本発明におけるポリイミドは、下記一般式
（２）で表されるジアミノ化合物と、下記一般式（３）
で表されるテトラカルボン酸二無水物を重縮合させるこ
とによって得られる。
（２）で表されるジアミノ化合物と、下記一般式（３）
で表されるテトラカルボン酸二無水物を重縮合させるこ
とによって得られる。
【化５】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ6 、Ｒi 、Ｒj はそれぞれ水素原子、
ハロゲン原子、炭素数１〜６の炭化水素基または炭素数
１〜６の含ハロゲン炭化水素基を表し、ａとｂはそれぞ
れ０以上４以下の整数でａ＋ｂ≦４を満たす。Ｙは硫黄
原子もしくは炭素数１２以下のアルキリデン基を表
す。）
ハロゲン原子、炭素数１〜６の炭化水素基または炭素数
１〜６の含ハロゲン炭化水素基を表し、ａとｂはそれぞ
れ０以上４以下の整数でａ＋ｂ≦４を満たす。Ｙは硫黄
原子もしくは炭素数１２以下のアルキリデン基を表
す。）
【化６】 （式中、Ｘは炭素数２以上の４価の有機基を表す。）
【０００８】一般式（２）において、Ｒ1 〜Ｒ6 、
Ｒi 、Ｒj の具体例としては、水素原子；フッ素、塩
素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子；メチル、エチル、
プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシルの直鎖または分
鎖状のアルキル基；シクロヘキシル基；フェニル基等の
炭素数１〜６の炭化水素基；これらの炭化水素基の水素
原子の一つ以上をハロゲン原子で置換した基が挙げられ
る。
Ｒi 、Ｒj の具体例としては、水素原子；フッ素、塩
素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子；メチル、エチル、
プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシルの直鎖または分
鎖状のアルキル基；シクロヘキシル基；フェニル基等の
炭素数１〜６の炭化水素基；これらの炭化水素基の水素
原子の一つ以上をハロゲン原子で置換した基が挙げられ
る。
【０００９】一般式（２）において、Ｙの代表例として
は、硫黄原子、ブチリデン基、プロピリデン基、エチリ
デン基、メチリデン基等が挙げられる。
は、硫黄原子、ブチリデン基、プロピリデン基、エチリ
デン基、メチリデン基等が挙げられる。
【００１０】一般式（２）で表されるジアミノ化合物類
の代表例を示すと次の通りである。ビス〔４−（４−ア
ミノフェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニ
ル〕スルフィド、ビス〔３−（４−アミノフェノキシ）
−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル〕スルフィド、
１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）−３−ｔ
−ブチル−６−メチルフェニル〕ブタン、１，１−ビス
〔３−（４−アミノフェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６
−メチルフェニル〕ブタン、１，１−ビス〔４−（４−
アミノフェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェ
ニル〕プロパン、１，１−ビス〔３−（４−アミノフェ
ノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル〕プロ
パン、１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）−
３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル〕エタン、１，１
−ビス〔３−（４−アミノフェノキシ）−３−ｔ−ブチ
ル−６−メチルフェニル〕エタン、１，１−ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチ
ルフェニル〕メタン、１，１−ビス〔３−（４−アミノ
フェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル〕
メタン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）−３−ｔ
−ブチル−６−メチルフェニル〕プロパン等が例示され
る。これらの中でも、１，１−ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル〕
ブタンが好ましい。
の代表例を示すと次の通りである。ビス〔４−（４−ア
ミノフェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニ
ル〕スルフィド、ビス〔３−（４−アミノフェノキシ）
−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル〕スルフィド、
１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）−３−ｔ
−ブチル−６−メチルフェニル〕ブタン、１，１−ビス
〔３−（４−アミノフェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６
−メチルフェニル〕ブタン、１，１−ビス〔４−（４−
アミノフェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェ
ニル〕プロパン、１，１−ビス〔３−（４−アミノフェ
ノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル〕プロ
パン、１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）−
３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル〕エタン、１，１
−ビス〔３−（４−アミノフェノキシ）−３−ｔ−ブチ
ル−６−メチルフェニル〕エタン、１，１−ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチ
ルフェニル〕メタン、１，１−ビス〔３−（４−アミノ
フェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル〕
メタン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）−３−ｔ
−ブチル−６−メチルフェニル〕プロパン等が例示され
る。これらの中でも、１，１−ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル〕
ブタンが好ましい。
【００１１】一般式（３）で表されるテトラカルボン酸
二無水物は上記のジアミノ化合物と縮合反応しうるもの
であれば如何なるものも適用可能であるが、代表例とし
ては、以下のものが挙げられる。エチレンテトラカルボ
ン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水
物、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，
３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホン
テトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフ
ェニルヘキサフルオロイソプロパンテトラカルボン酸二
無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、２，
３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、２，３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸
二無水物、１，２，７，８−フェナントラセンテトラカ
ルボン酸二無水物、４−（１，２−ジカルボキシルエチ
ル）−４−メチル−１，２，３，４−テトラヒドロ−
１，２−ナフタレンジカルボン酸二無水物、２，２−ビ
ス〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニ
ル〕プロパン二無水物、５−（１，２−ジカルボキシル
エチル）−３−メチル−１，２，５，６−テトラハイド
ロフタル酸二無水物、６−メチル−トリシクロ（６，
２，２，０2,7 ）−ドデカ−６，１１−ジエン−３，
４，９，１０−テトラカルボン酸二無水物等が例示され
る。これらテトラカルボン酸二無水物は、単独あるいは
２種以上混合して使用される。
二無水物は上記のジアミノ化合物と縮合反応しうるもの
であれば如何なるものも適用可能であるが、代表例とし
ては、以下のものが挙げられる。エチレンテトラカルボ
ン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水
物、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，
３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホン
テトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフ
ェニルヘキサフルオロイソプロパンテトラカルボン酸二
無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、２，
３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、２，３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸
二無水物、１，２，７，８−フェナントラセンテトラカ
ルボン酸二無水物、４−（１，２−ジカルボキシルエチ
ル）−４−メチル−１，２，３，４−テトラヒドロ−
１，２−ナフタレンジカルボン酸二無水物、２，２−ビ
ス〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニ
ル〕プロパン二無水物、５−（１，２−ジカルボキシル
エチル）−３−メチル−１，２，５，６−テトラハイド
ロフタル酸二無水物、６−メチル−トリシクロ（６，
２，２，０2,7 ）−ドデカ−６，１１−ジエン−３，
４，９，１０−テトラカルボン酸二無水物等が例示され
る。これらテトラカルボン酸二無水物は、単独あるいは
２種以上混合して使用される。
【００１２】本発明のポリイミドの製造方法としては、
ポリイミドを製造可能な方法ならいかなる方法でも適用
可能であるが、中でも、ジアミノ化合物とテトラカルボ
ン酸二無水物を適当な溶媒中反応させてポリイミド前駆
体であるポリアミド酸溶液を得た後、溶液中、もしくは
適当な基板上に溶液をキャストした後、熱的あるいは化
学的に閉環させる方法が好ましい。ジアミノ化合物とテ
トラカルボン酸二無水物のモル比は１／０．５から１／
２の範囲から選ばれ、高分子量体を得たい場合には１／
１に近いモル比で反応が行われる。また分子量を制御す
るために、芳香族モノアミンや芳香族ジカルボン酸無水
物を添加して、末端を非反応性にする方法も用いること
ができる。
ポリイミドを製造可能な方法ならいかなる方法でも適用
可能であるが、中でも、ジアミノ化合物とテトラカルボ
ン酸二無水物を適当な溶媒中反応させてポリイミド前駆
体であるポリアミド酸溶液を得た後、溶液中、もしくは
適当な基板上に溶液をキャストした後、熱的あるいは化
学的に閉環させる方法が好ましい。ジアミノ化合物とテ
トラカルボン酸二無水物のモル比は１／０．５から１／
２の範囲から選ばれ、高分子量体を得たい場合には１／
１に近いモル比で反応が行われる。また分子量を制御す
るために、芳香族モノアミンや芳香族ジカルボン酸無水
物を添加して、末端を非反応性にする方法も用いること
ができる。
【００１３】ポリアミド酸およびポリイミドの合成に使
用される溶媒は、上記のジアミノ化合物およびテトラカ
ルボン酸二無水物を溶解させることのできるものであれ
ば如何なるものも適用可能であるが、代表例としては、
以下のものが挙げられる。Ｎ−メチル−２−ピロリドン
（以下、ＮＭＰと略す）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−ε
−カプロラクタム、γ−ブチロラクトン、１，３−ジメ
チル−２−イミダゾリジノン、テトラメチル尿素、ヘキ
サメチルホスホルアミド、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾ
ール、ｏ−クレゾール、キシレノール、ピリジン、１，
２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、１，４−
ジオキサン、ジグライム等が例示される。これらの溶媒
は、単独あるいは２種以上混合して使用しても良い。濃
度は、ジアミノ化合物とテトラカルボン酸二無水物の重
量の和で１〜５０重量％、好ましくは５〜２０重量％程
度となるように調製する。また、イミド化時の共沸脱水
溶媒として、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キ
シレン、メシチレン、クロロベンゼン、Ｎ−シクロヘキ
シル−２−ピロリドン等を添加することも可能である。
用される溶媒は、上記のジアミノ化合物およびテトラカ
ルボン酸二無水物を溶解させることのできるものであれ
ば如何なるものも適用可能であるが、代表例としては、
以下のものが挙げられる。Ｎ−メチル−２−ピロリドン
（以下、ＮＭＰと略す）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−ε
−カプロラクタム、γ−ブチロラクトン、１，３−ジメ
チル−２−イミダゾリジノン、テトラメチル尿素、ヘキ
サメチルホスホルアミド、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾ
ール、ｏ−クレゾール、キシレノール、ピリジン、１，
２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、１，４−
ジオキサン、ジグライム等が例示される。これらの溶媒
は、単独あるいは２種以上混合して使用しても良い。濃
度は、ジアミノ化合物とテトラカルボン酸二無水物の重
量の和で１〜５０重量％、好ましくは５〜２０重量％程
度となるように調製する。また、イミド化時の共沸脱水
溶媒として、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キ
シレン、メシチレン、クロロベンゼン、Ｎ−シクロヘキ
シル−２−ピロリドン等を添加することも可能である。
【００１４】ポリアミド酸合成の反応温度は通常２５０
℃以下、好ましくは６０℃以下である。反応圧力は特に
限定されず、常圧で十分実施できる。反応時間は用いる
ジアミンおよび酸無水物の種類、溶媒、反応温度により
異なるが、通常１０分〜２４時間である。得られたポリ
アミド酸をさらに１００〜４００℃に加熱してイミド化
するか、または触媒の存在下無水酢酸等の脱水剤を用い
て化学的に閉環することにより、ポリイミドが得られ
る。
℃以下、好ましくは６０℃以下である。反応圧力は特に
限定されず、常圧で十分実施できる。反応時間は用いる
ジアミンおよび酸無水物の種類、溶媒、反応温度により
異なるが、通常１０分〜２４時間である。得られたポリ
アミド酸をさらに１００〜４００℃に加熱してイミド化
するか、または触媒の存在下無水酢酸等の脱水剤を用い
て化学的に閉環することにより、ポリイミドが得られ
る。
【００１５】ポリイミドは、溶液中で得た場合、溶液を
濃縮するか、あるいは貧溶媒に注いで沈澱させて粉末と
して得ることができる。また、基板上に溶液をキャスト
した場合には、フィルムの形状で得られる。
濃縮するか、あるいは貧溶媒に注いで沈澱させて粉末と
して得ることができる。また、基板上に溶液をキャスト
した場合には、フィルムの形状で得られる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例により具体
的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限される
ものではない。尚、本実施例および比較例にて用いた測
定方法および装置は次の通りである。 赤外吸収スペクトル：日本分光工業社製、ＩＲ−７００
装置を使用し、粉末はＫＢｒ法、フィルムはそのままで
測定した。 溶解性：各溶媒に対し１０％の樹脂の溶解性を室温時お
よび加熱時（１５０℃）について測定した。 熱分析：セイコー電子工業社製 ＳＳＣ−５２００Ｈシ
ステムを用いた。 熱天秤；ＴＧ／ＤＴＡ２２０装置を用い、10℃/min. 、
30〜600 ℃、N2雰囲気下熱分解温度（Ｔｄ）を測定し
た。 示差走査熱量計；ＤＳＣ２２０Ｃ装置を用い、10℃/mi
n. 、30〜400 ℃、N2雰囲気下ガラス転移温度（Ｔｇ）
を測定した。 誘電率、誘電正接：横河ヒューレットパッカード社製
ＬＣＲメーター４２７５Ａ装置を用い、金電極をサンプ
ル両面に蒸着し、１ＭＨｚにて測定した。
的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限される
ものではない。尚、本実施例および比較例にて用いた測
定方法および装置は次の通りである。 赤外吸収スペクトル：日本分光工業社製、ＩＲ−７００
装置を使用し、粉末はＫＢｒ法、フィルムはそのままで
測定した。 溶解性：各溶媒に対し１０％の樹脂の溶解性を室温時お
よび加熱時（１５０℃）について測定した。 熱分析：セイコー電子工業社製 ＳＳＣ−５２００Ｈシ
ステムを用いた。 熱天秤；ＴＧ／ＤＴＡ２２０装置を用い、10℃/min. 、
30〜600 ℃、N2雰囲気下熱分解温度（Ｔｄ）を測定し
た。 示差走査熱量計；ＤＳＣ２２０Ｃ装置を用い、10℃/mi
n. 、30〜400 ℃、N2雰囲気下ガラス転移温度（Ｔｇ）
を測定した。 誘電率、誘電正接：横河ヒューレットパッカード社製
ＬＣＲメーター４２７５Ａ装置を用い、金電極をサンプ
ル両面に蒸着し、１ＭＨｚにて測定した。
【００１７】実施例１ 窒素ガス導入管、温度計、撹拌装置を備えた１００ｍｌ
４つ口フラスコに、１，１−ビス〔４−（４−アミノフ
ェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル〕ブ
タン５．６４ｇ（０．０１ｍｏｌ）とＮＭＰ４９．５ｇ
を仕込み溶解させたところへ、４，４’−オキシジフタ
ル酸二無水物３．１０ｇ（０．０１ｍｏｌ）を仕込み、
窒素気流下室温で３時間撹拌してポリアミド酸溶液を得
た。ポリアミド酸溶液を一部取り分けた後、１９０℃ま
で昇温し、窒素気流下５時間撹拌した（生成した水は窒
素と共に系外へ除かれる）。反応溶液を激しく撹拌して
いるメタノール中に注ぎ入れ樹脂を析出させて濾取し、
これを減圧下１５０℃で一晩乾燥させて、ポリイミド粉
末を得た。
４つ口フラスコに、１，１−ビス〔４−（４−アミノフ
ェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル〕ブ
タン５．６４ｇ（０．０１ｍｏｌ）とＮＭＰ４９．５ｇ
を仕込み溶解させたところへ、４，４’−オキシジフタ
ル酸二無水物３．１０ｇ（０．０１ｍｏｌ）を仕込み、
窒素気流下室温で３時間撹拌してポリアミド酸溶液を得
た。ポリアミド酸溶液を一部取り分けた後、１９０℃ま
で昇温し、窒素気流下５時間撹拌した（生成した水は窒
素と共に系外へ除かれる）。反応溶液を激しく撹拌して
いるメタノール中に注ぎ入れ樹脂を析出させて濾取し、
これを減圧下１５０℃で一晩乾燥させて、ポリイミド粉
末を得た。
【００１８】実施例２ 実施例１にて取り分けたポリアミド酸溶液を、ガラス板
上にキャストして減圧下１００℃で一晩乾燥させた後、
減圧下２００℃で一時間、さらに通風条件下２５０℃で
一時間加熱して、ポリイミドフィルムを得た。
上にキャストして減圧下１００℃で一晩乾燥させた後、
減圧下２００℃で一時間、さらに通風条件下２５０℃で
一時間加熱して、ポリイミドフィルムを得た。
【００１９】実施例３ 実施例１と同様にして、１，１−ビス〔４−（４−アミ
ノフェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニ
ル〕ブタン５．６４ｇ（０．０１ｍｏｌ）とＮＭＰ５
２．３ｇを仕込み溶解させたところへ、３，３’，４，
４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物
３．５８ｇ（０．０１ｍｏｌ）を仕込み、ポリアミド酸
を経て、ポリイミド粉末を得た。
ノフェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニ
ル〕ブタン５．６４ｇ（０．０１ｍｏｌ）とＮＭＰ５
２．３ｇを仕込み溶解させたところへ、３，３’，４，
４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物
３．５８ｇ（０．０１ｍｏｌ）を仕込み、ポリアミド酸
を経て、ポリイミド粉末を得た。
【００２０】実施例４ 同様にして、１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキ
シ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル〕ブタン
５．６４ｇ（０．０１ｍｏｌ）とＮＭＰ７７．２ｇを仕
込み溶解させたところへ、３，３’，４，４’−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物２．９４ｇ（０．０１ｍ
ｏｌ）を仕込み、ポリアミド酸を経て、ポリイミド粉末
を得た。
シ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル〕ブタン
５．６４ｇ（０．０１ｍｏｌ）とＮＭＰ７７．２ｇを仕
込み溶解させたところへ、３，３’，４，４’−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物２．９４ｇ（０．０１ｍ
ｏｌ）を仕込み、ポリアミド酸を経て、ポリイミド粉末
を得た。
【００２１】実施例５ 同様にして、１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキ
シ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル〕ブタン
５．６４ｇ（０．０１ｍｏｌ）とＮＭＰ７９．７ｇを仕
込み溶解させたところへ、３，３’，４，４’−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物３．２２ｇ（０．０
１ｍｏｌ）を仕込み、ポリアミド酸を経て、ポリイミド
粉末を得た。
シ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル〕ブタン
５．６４ｇ（０．０１ｍｏｌ）とＮＭＰ７９．７ｇを仕
込み溶解させたところへ、３，３’，４，４’−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物３．２２ｇ（０．０
１ｍｏｌ）を仕込み、ポリアミド酸を経て、ポリイミド
粉末を得た。
【００２２】実施例６ 同様にして、１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキ
シ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル〕ブタン
５．６４ｇ（０．０１ｍｏｌ）とＮＭＰ７０．４ｇを仕
込み溶解させたところへ、ピロメリット酸二無水物２．
１８ｇ（０．０１ｍｏｌ）を仕込み、ポリアミド酸を経
て、ポリイミド粉末を得た。
シ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル〕ブタン
５．６４ｇ（０．０１ｍｏｌ）とＮＭＰ７０．４ｇを仕
込み溶解させたところへ、ピロメリット酸二無水物２．
１８ｇ（０．０１ｍｏｌ）を仕込み、ポリアミド酸を経
て、ポリイミド粉末を得た。
【００２３】比較例１ 実施例１と同様にして、２，２−ビス〔４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン５．
１８ｇ（０．０１ｍｏｌ）とＮＭＰ７８．８ｇを仕込み
溶解させたところへ、３，３’，４，４’−ジフェニル
スルホンテトラカルボン酸二無水物３．５８ｇ（０．０
１ｍｏｌ）を仕込み、ポリアミド酸を経て、ポリイミド
粉末を得た。
ノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン５．
１８ｇ（０．０１ｍｏｌ）とＮＭＰ７８．８ｇを仕込み
溶解させたところへ、３，３’，４，４’−ジフェニル
スルホンテトラカルボン酸二無水物３．５８ｇ（０．０
１ｍｏｌ）を仕込み、ポリアミド酸を経て、ポリイミド
粉末を得た。
【００２４】比較例２ 同様にして、ビス（４−アミノフェニル）エーテル２．
００ｇ（０．０１ｍｏｌ）とＮＭＰ２３．７ｇを仕込み
溶解させたところへ、ピロメリット酸二無水物２．１８
ｇ（０．０１ｍｏｌ）を仕込み、得られたポリアミド酸
溶液を、ガラス板上にキャストして減圧下１００℃で一
晩乾燥させた後、減圧下２００℃で一時間、さらに通風
条件下３００℃で一時間加熱して、ポリイミドフィルム
を得た。
００ｇ（０．０１ｍｏｌ）とＮＭＰ２３．７ｇを仕込み
溶解させたところへ、ピロメリット酸二無水物２．１８
ｇ（０．０１ｍｏｌ）を仕込み、得られたポリアミド酸
溶液を、ガラス板上にキャストして減圧下１００℃で一
晩乾燥させた後、減圧下２００℃で一時間、さらに通風
条件下３００℃で一時間加熱して、ポリイミドフィルム
を得た。
【００２５】上記の実施例１〜６および比較例１、２に
て得られたポリイミド粉末およびフィルムの赤外吸収ス
ペクトルの測定結果を図１〜８に示す。それぞれ、５員
環イミド基の特性吸収帯である１７２０ｃｍ-1および１
７８０ｃｍ-1付近の吸収が認められた。
て得られたポリイミド粉末およびフィルムの赤外吸収ス
ペクトルの測定結果を図１〜８に示す。それぞれ、５員
環イミド基の特性吸収帯である１７２０ｃｍ-1および１
７８０ｃｍ-1付近の吸収が認められた。
【００２６】表１に実施例１〜６および比較例１、２の
ポリイミドの各種溶媒に対する溶解性の測定結果を示
す。
ポリイミドの各種溶媒に対する溶解性の測定結果を示
す。
【００２７】
【表１】
【００２８】実施例１、３〜６および比較例１にて得ら
れたポリイミド粉末について、３００℃、５０kg/cm2の
条件にて直径約１．８cm、厚さ約１mmのペレットを圧縮
成形した。これらのペレットを用いて熱的特性および電
気的特性を測定した結果を表２に示す。あわせて、比較
例２にて得られたポリイミドフィルムの両特性の測定結
果を示す。これらの測定結果より、本発明におけるポリ
イミドは低誘電性と各種溶媒に対する優れた溶解性を兼
ね備えていることがわかる。
れたポリイミド粉末について、３００℃、５０kg/cm2の
条件にて直径約１．８cm、厚さ約１mmのペレットを圧縮
成形した。これらのペレットを用いて熱的特性および電
気的特性を測定した結果を表２に示す。あわせて、比較
例２にて得られたポリイミドフィルムの両特性の測定結
果を示す。これらの測定結果より、本発明におけるポリ
イミドは低誘電性と各種溶媒に対する優れた溶解性を兼
ね備えていることがわかる。
【００２９】
【表２】
【００３０】
【発明の効果】以上のように、一般に従来のポリイミド
は有機溶媒への溶解性が低いのに対し、本発明における
ポリイミドは、優れた溶解性を有するのと同時に、低誘
電性をも有している。
は有機溶媒への溶解性が低いのに対し、本発明における
ポリイミドは、優れた溶解性を有するのと同時に、低誘
電性をも有している。
【図１】本発明の実施例１のポリイミドの赤外吸収スペ
クトルを示すものである。
クトルを示すものである。
【図２】本発明の実施例２のポリイミドの赤外吸収スペ
クトルを示すものである。
クトルを示すものである。
【図３】本発明の実施例３のポリイミドの赤外吸収スペ
クトルを示すものである。
クトルを示すものである。
【図４】本発明の実施例４のポリイミドの赤外吸収スペ
クトルを示すものである。
クトルを示すものである。
【図５】本発明の実施例５のポリイミドの赤外吸収スペ
クトルを示すものである。
クトルを示すものである。
【図６】本発明の実施例６のポリイミドの赤外吸収スペ
クトルを示すものである。
クトルを示すものである。
【図７】本発明の比較例１のポリイミドの赤外吸収スペ
クトルを示すものである。
クトルを示すものである。
【図８】本発明の比較例２のポリイミドの赤外吸収スペ
クトルを示すものである。
クトルを示すものである。
Claims (4)
- 【請求項１】一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ6 、Ｒi 、Ｒj はそれぞれ水素原子、
ハロゲン原子、炭素数１〜６の炭化水素基または炭素数
１〜６の含ハロゲン炭化水素基を表し、ａとｂはそれぞ
れ０以上４以下の整数でａ＋ｂ≦４を満たす。またＸは
炭素数２以上の４価の有機基を表し、Ｙは硫黄原子もし
くは炭素数１２以下のアルキリデン基を表す。）で表さ
れるポリイミド。 - 【請求項２】一般式（１）において、Ｒ2 およびＲ4 は
ターシャリーブチル基、Ｒ1 、Ｒ3、Ｒ5 およびＲ6 は
水素原子、Ｙはブチリデン基である請求項１記載のポリ
イミド。 - 【請求項３】一般式（１）中のエーテル酸素原子の置換
位置に対するイミド基のそれがパラ位である請求項２記
載のポリイミド。 - 【請求項４】一般式（２） 【化２】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ6 、Ｒi 、Ｒj はそれぞれ水素原子、
ハロゲン原子、炭素数１〜６の炭化水素基または炭素数
１〜６の含ハロゲン炭化水素基を表し、ａとｂはそれぞ
れ０以上４以下の整数でａ＋ｂ≦４を満たす。Ｙは硫黄
原子もしくは炭素数１２以下のアルキリデン基を表
す。）で表される芳香族ジアミノ化合物と、一般式
（３） 【化３】 （式中、Ｘは炭素数２以上の４価の有機基を表す。）で
表されるテトラカルボン酸二無水物を、有機溶媒中で反
応させた後、得られるポリアミド酸を熱的または化学的
にイミド化することを特徴とするポリイミドの製造方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17052993A JPH0726016A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | ポリイミドおよびその製造法 |
| EP94110007A EP0633282A1 (en) | 1993-07-09 | 1994-06-28 | Polyimide and process for producing the same |
| US08/269,390 US5489669A (en) | 1993-07-09 | 1994-06-30 | Polyimide and process for producing the same |
| KR1019940016501A KR960014212A (ko) | 1993-07-09 | 1994-07-08 | 폴리이미드 및 그의 제조법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17052993A JPH0726016A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | ポリイミドおよびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0726016A true JPH0726016A (ja) | 1995-01-27 |
Family
ID=15906624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17052993A Pending JPH0726016A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | ポリイミドおよびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0726016A (ja) |
-
1993
- 1993-07-09 JP JP17052993A patent/JPH0726016A/ja active Pending
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