JPH0726194B2 - 耐腐食性薄膜およびその製造方法 - Google Patents
耐腐食性薄膜およびその製造方法Info
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- JPH0726194B2 JPH0726194B2 JP59091551A JP9155184A JPH0726194B2 JP H0726194 B2 JPH0726194 B2 JP H0726194B2 JP 59091551 A JP59091551 A JP 59091551A JP 9155184 A JP9155184 A JP 9155184A JP H0726194 B2 JPH0726194 B2 JP H0726194B2
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- thin film
- nitrogen
- corrosion
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0641—Nitrides
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、耐腐食性薄膜およびその形成方法に関し、さ
らに詳しくは優れた耐腐食性を有するFe系耐腐食性薄膜
およびその形成方法に関する。
らに詳しくは優れた耐腐食性を有するFe系耐腐食性薄膜
およびその形成方法に関する。
発明の技術的背景ならびにその問題点 近年、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティン
グなどのドライコーティング技術の進歩により、金属、
セラミック、プラスチックなどからなるフイルムあるい
は成型物品の表面に、金属、半導体、金属酸化物、セラ
ミックなどの薄膜を形成することが可能となってきた。
このようなドライコーティング技術による薄膜の形成
は、従来のメッキ法に代表されるウェットコーティング
技術に比べ、一般に工程数が少なく、また不純物の混入
が制御でき、しかも環境汚染の心配がないなどの利点を
有するため、薄膜の特性に応じて、耐腐食用、耐熱用、
装飾用、表面硬化用、メタライズ用などの多種多様な目
的に利用されつつある。
グなどのドライコーティング技術の進歩により、金属、
セラミック、プラスチックなどからなるフイルムあるい
は成型物品の表面に、金属、半導体、金属酸化物、セラ
ミックなどの薄膜を形成することが可能となってきた。
このようなドライコーティング技術による薄膜の形成
は、従来のメッキ法に代表されるウェットコーティング
技術に比べ、一般に工程数が少なく、また不純物の混入
が制御でき、しかも環境汚染の心配がないなどの利点を
有するため、薄膜の特性に応じて、耐腐食用、耐熱用、
装飾用、表面硬化用、メタライズ用などの多種多様な目
的に利用されつつある。
ところでFe薄膜は、光沢、導電性、磁気的特性などの面
で優れた性質を有していることに加えて、材料コストが
安いという有点がある。ところがFe薄膜は耐腐食性をほ
とんど有していないため、その使用は著しく制限されて
いた。
で優れた性質を有していることに加えて、材料コストが
安いという有点がある。ところがFe薄膜は耐腐食性をほ
とんど有していないため、その使用は著しく制限されて
いた。
本発明者らは、Fe薄膜の耐腐食性の向上を目的として鋭
意研究した結果、以下の事実を見出した。
意研究した結果、以下の事実を見出した。
（ａ）N2、NH3などの含窒素ガス中で、Feをイオンプレ
ーティング、スパッタリングなどの方法により基材上に
成膜すると、Fe2N、Fe3N、Fe4Nなどの窒化鉄を含むFe系
薄膜が得られること。
ーティング、スパッタリングなどの方法により基材上に
成膜すると、Fe2N、Fe3N、Fe4Nなどの窒化鉄を含むFe系
薄膜が得られること。
（ｂ）このような窒化鉄を含むFe系薄膜は、Feをアルゴ
ンなどの不活性ガス中での真空蒸着法などにより基材上
に成膜した窒化鉄を含まないFe系薄膜と比べて、耐腐食
性が大幅に向上していること。
ンなどの不活性ガス中での真空蒸着法などにより基材上
に成膜した窒化鉄を含まないFe系薄膜と比べて、耐腐食
性が大幅に向上していること。
発明の目的ならびにその概要 本発明は、上記のような知見に基づいて完成されたもの
であって、Fe系薄膜でありながら、優れた耐腐食性を有
するFe系薄膜およびその製造方法を提供することを目的
としている。
であって、Fe系薄膜でありながら、優れた耐腐食性を有
するFe系薄膜およびその製造方法を提供することを目的
としている。
本発明に係る耐腐食性薄膜は、基材上に設けられたFe系
薄膜であって、このFe系薄膜はFexN（式中ｘは２〜８で
ある）で示される窒化鉄を５％以上好ましくは20％以上
さらに好ましくは50％含んでいることを特徴としてい
る。
薄膜であって、このFe系薄膜はFexN（式中ｘは２〜８で
ある）で示される窒化鉄を５％以上好ましくは20％以上
さらに好ましくは50％含んでいることを特徴としてい
る。
また本発明に係る耐腐食性薄膜の製造方法は、チャンバ
ー内でFeまたはFe系合金を蒸着源またはターゲットとし
て、反応性イオンプレーティング法または反応性スパッ
タリング法により、以下の条件（ａ）〜（ｂ）下でFexN
（ｘは２〜８である）で示される窒化鉄を５％以上含む
Fe系金属薄膜を基材上に成膜することを特徴としてい
る。
ー内でFeまたはFe系合金を蒸着源またはターゲットとし
て、反応性イオンプレーティング法または反応性スパッ
タリング法により、以下の条件（ａ）〜（ｂ）下でFexN
（ｘは２〜８である）で示される窒化鉄を５％以上含む
Fe系金属薄膜を基材上に成膜することを特徴としてい
る。
（ａ）チャンバー内の含窒素ガス圧を反応性イオンプレ
ーティング法の場合には２×10-4〜1.0×10-2Torrの範
囲に、また反応性スパッタリング法の場合には１×10-3
〜1.0×10-1Torrの範囲に保つこと、 （ｂ）薄膜の成膜速度を反応性イオンプレーティング法
の場合には0.5〜200Å/secの範囲に、また反応性スパッ
タリング法の場合には0.1〜200Å/secの範囲に保つこ
と。
ーティング法の場合には２×10-4〜1.0×10-2Torrの範
囲に、また反応性スパッタリング法の場合には１×10-3
〜1.0×10-1Torrの範囲に保つこと、 （ｂ）薄膜の成膜速度を反応性イオンプレーティング法
の場合には0.5〜200Å/secの範囲に、また反応性スパッ
タリング法の場合には0.1〜200Å/secの範囲に保つこ
と。
発明の具体的説明 以下本発明を図面により説明する。
本発明に係るFe系耐腐食性薄膜１は、第１図に示される
ように、基材２上に設けられている。
ように、基材２上に設けられている。
Fe系耐腐食性薄膜１は、FexN（式中ｘは２〜８である）
で示される窒化鉄を５％以上、好ましくは20％以上、さ
らに好ましく50％以上含んでいる。
で示される窒化鉄を５％以上、好ましくは20％以上、さ
らに好ましく50％以上含んでいる。
Fe系薄膜における窒化鉄の量が５％未満であると、充分
な耐腐食性が得られないため好ましくない。
な耐腐食性が得られないため好ましくない。
なおFe系薄膜３におけるFexNで示される窒化鉄の量が５
〜20％である場合には、40℃湿度90％の室内に１週間放
置しても腐蝕が認められない程度の耐腐蝕性を有してお
り、また前記窒化鉄の量が20〜50％である場合には、Na
Clを含む蒸気に１週間接触させても腐蝕が認められない
程度の耐腐蝕性を有しており、さらに前記窒化鉄の量が
50％以上である場合には、５％NaCl水溶液に１週間浸漬
しても腐蝕が認められない程度の腐蝕性を有している。
〜20％である場合には、40℃湿度90％の室内に１週間放
置しても腐蝕が認められない程度の耐腐蝕性を有してお
り、また前記窒化鉄の量が20〜50％である場合には、Na
Clを含む蒸気に１週間接触させても腐蝕が認められない
程度の耐腐蝕性を有しており、さらに前記窒化鉄の量が
50％以上である場合には、５％NaCl水溶液に１週間浸漬
しても腐蝕が認められない程度の腐蝕性を有している。
基材２としては、あらゆるタイプの物体が基材２となり
うるが、具体的には、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、
ポリ塩化ビニリデン、セルロースアセテート、ポリスチ
レン、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポ
リエチレンテレフタレート、メチルペンテン樹脂、ポリ
アミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンオキシド、
ポリサルホン、ポリフッ化エチレン、ポリフッ化エチレ
ンプロピレン、ポリエーテルイミド、ポリイミド、アク
リル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂など
のプラスチック類、鉄、銅、アルミニウムなどの金属
類、ガラス、セラミック類などが用いられうる。これら
の基材は、フィルム状、シート状、箔状、成型体などの
あらゆる形状をとりうる。また場合によっては、本発明
に係るFe系耐腐食性薄膜を、半導体または磁性体上に直
接設けることもできる。
うるが、具体的には、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、
ポリ塩化ビニリデン、セルロースアセテート、ポリスチ
レン、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポ
リエチレンテレフタレート、メチルペンテン樹脂、ポリ
アミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンオキシド、
ポリサルホン、ポリフッ化エチレン、ポリフッ化エチレ
ンプロピレン、ポリエーテルイミド、ポリイミド、アク
リル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂など
のプラスチック類、鉄、銅、アルミニウムなどの金属
類、ガラス、セラミック類などが用いられうる。これら
の基材は、フィルム状、シート状、箔状、成型体などの
あらゆる形状をとりうる。また場合によっては、本発明
に係るFe系耐腐食性薄膜を、半導体または磁性体上に直
接設けることもできる。
次に本発明に係るFe系耐腐食性薄膜１の形成方法につい
て説明する。
て説明する。
Fe系耐腐食性薄膜１を基材２上に設けるには、従来のイ
オンプレーティング装置またはスパッタリング装置を用
い、この装置内にアルゴンなどの不活性ガスの代わりに
窒素、アンモニウムなどの含窒素ガスを導入し、Feまた
はFe系合金をターゲットとして、反応性イオンプレーテ
ィング法または反応性スパッタリング法によりFe系耐腐
食性薄膜を基材上に被着させればよい。
オンプレーティング装置またはスパッタリング装置を用
い、この装置内にアルゴンなどの不活性ガスの代わりに
窒素、アンモニウムなどの含窒素ガスを導入し、Feまた
はFe系合金をターゲットとして、反応性イオンプレーテ
ィング法または反応性スパッタリング法によりFe系耐腐
食性薄膜を基材上に被着させればよい。
あるいはまた、第２図に示されるようなイオンプレーテ
ィング装置を用いてもよい。このイオンプレーティング
装置３は、底部にバルブ５を有する真空ライン４を具備
しており、また側部にバルブ７を有する含窒素ガスの導
入ライン６を具備している。イオンプレーティング装置
３の内部すなわちチャンバー８の下部には、蒸着源であ
るFeまたはFe系合金９を入れるためのルツボ10が設けら
れており、このルツボ10の下部には、電子銃または抵抗
加熱装置を含んで構成される電子ビーム加熱装置11が設
けられている。またチャンバー８内の前記ガス導入ライ
ン６とほぼ水平位置であり、しかもルツボ10の上方に、
イオン化電極12およびフィラメント13が設けられてい
る。さらに、チャンバー８内のイオン化電極12のほぼ真
上位置には、ホルダー14が設けられており、このホルダ
ー14は耐腐食性薄膜が被着される基材２を保持する役割
を果たしている。
ィング装置を用いてもよい。このイオンプレーティング
装置３は、底部にバルブ５を有する真空ライン４を具備
しており、また側部にバルブ７を有する含窒素ガスの導
入ライン６を具備している。イオンプレーティング装置
３の内部すなわちチャンバー８の下部には、蒸着源であ
るFeまたはFe系合金９を入れるためのルツボ10が設けら
れており、このルツボ10の下部には、電子銃または抵抗
加熱装置を含んで構成される電子ビーム加熱装置11が設
けられている。またチャンバー８内の前記ガス導入ライ
ン６とほぼ水平位置であり、しかもルツボ10の上方に、
イオン化電極12およびフィラメント13が設けられてい
る。さらに、チャンバー８内のイオン化電極12のほぼ真
上位置には、ホルダー14が設けられており、このホルダ
ー14は耐腐食性薄膜が被着される基材２を保持する役割
を果たしている。
このようなイオンプレーティング装置においては、ルツ
ボ10内のFeまたはFe系合金９は、電子ビーム加熱装置11
から放出されるとともに加速集束された電子ビーム15に
より加熱され、FeまたはFe系合金の蒸着流16が上方に向
けて発生する。一方前記イオン化電極12は、フィラメン
ト13に対して正電位にバイアスされており、このイオン
化電極12とフィラメント13との間には、フィラメント13
からイオン化電極12に向けて熱電子流17が発生する。ま
た、前記の含窒素ガスの導入ライン６からは、含窒素ガ
ス18がチャンバー８内に導入される。そしてFeまたはFe
系合金の蒸気流16および含窒素ガス18は、前記の熱電子
流17と衝突してイオン化され、FeまたはFe系合金の蒸気
流16と含窒素ガス18とは反応して、FeまたはFe系合金の
一部は窒化鉄となり、基材２上に被着される。
ボ10内のFeまたはFe系合金９は、電子ビーム加熱装置11
から放出されるとともに加速集束された電子ビーム15に
より加熱され、FeまたはFe系合金の蒸着流16が上方に向
けて発生する。一方前記イオン化電極12は、フィラメン
ト13に対して正電位にバイアスされており、このイオン
化電極12とフィラメント13との間には、フィラメント13
からイオン化電極12に向けて熱電子流17が発生する。ま
た、前記の含窒素ガスの導入ライン６からは、含窒素ガ
ス18がチャンバー８内に導入される。そしてFeまたはFe
系合金の蒸気流16および含窒素ガス18は、前記の熱電子
流17と衝突してイオン化され、FeまたはFe系合金の蒸気
流16と含窒素ガス18とは反応して、FeまたはFe系合金の
一部は窒化鉄となり、基材２上に被着される。
上記の操作の手順ならびに条件について説明すると、ま
ずチャンバー８内を10-6Torr程度の高真空にまで排気す
る。次に含窒素ガス18をガス導入ライン６から数10Torr
まで導入してチャンバー８内を含窒素ガスで満たし、こ
の含窒素ガスの流量をバルブ７によりコントロールしな
がら再び排気を行なって、チャンバー内の含窒素ガス圧
を２×10-4〜1.0×10-2Torrの範囲に保つ。チャンバー
８内の含窒素ガス圧は、得られるFe系薄膜中での窒化鉄
の組成ならびに量に対して大きな影響を与える。チャン
バー内の含窒素ガス圧が２×10-4Torr未満では、窒化鉄
の生成が不充分となり、耐腐食性に優れた薄膜が得られ
ないため好ましくない。また含窒素ガス圧が1.0×10-2T
orrを超えると、成膜性が悪くなり、得られる薄膜表面
が粗面化するとともに基材と薄膜との密着性が低下する
ため好ましくない。
ずチャンバー８内を10-6Torr程度の高真空にまで排気す
る。次に含窒素ガス18をガス導入ライン６から数10Torr
まで導入してチャンバー８内を含窒素ガスで満たし、こ
の含窒素ガスの流量をバルブ７によりコントロールしな
がら再び排気を行なって、チャンバー内の含窒素ガス圧
を２×10-4〜1.0×10-2Torrの範囲に保つ。チャンバー
８内の含窒素ガス圧は、得られるFe系薄膜中での窒化鉄
の組成ならびに量に対して大きな影響を与える。チャン
バー内の含窒素ガス圧が２×10-4Torr未満では、窒化鉄
の生成が不充分となり、耐腐食性に優れた薄膜が得られ
ないため好ましくない。また含窒素ガス圧が1.0×10-2T
orrを超えると、成膜性が悪くなり、得られる薄膜表面
が粗面化するとともに基材と薄膜との密着性が低下する
ため好ましくない。
ルツボ10内のFeまたはFe系合金９に照射される電子ビー
ム15の量は、電子銃を含んで構成される電子ビーム加熱
装置11に加えられる電力によりコントロールされるが、
この電子ビーム加熱装置11に加えられる電力に応じてFe
系薄膜の成膜速度が決定される。Fe系薄膜の成膜速度は
0.5〜200Å/secの範囲に保つことが好ましい。成膜速度
もまた得られるFe系薄膜中での窒化鉄の組成ならびに量
に対して大きな影響を与え、この成膜速度が200Å/sec
を超えると、FeまたはFe系合金の窒化が充分に行なえな
いため好ましくない。また成膜速度が0.5Å/sec未満で
あると、成膜が安定化しないため好ましくない。
ム15の量は、電子銃を含んで構成される電子ビーム加熱
装置11に加えられる電力によりコントロールされるが、
この電子ビーム加熱装置11に加えられる電力に応じてFe
系薄膜の成膜速度が決定される。Fe系薄膜の成膜速度は
0.5〜200Å/secの範囲に保つことが好ましい。成膜速度
もまた得られるFe系薄膜中での窒化鉄の組成ならびに量
に対して大きな影響を与え、この成膜速度が200Å/sec
を超えると、FeまたはFe系合金の窒化が充分に行なえな
いため好ましくない。また成膜速度が0.5Å/sec未満で
あると、成膜が安定化しないため好ましくない。
フィラメント13に電圧が印加されて熱電子流17が発生す
るが、この印加電圧はフィラメント13の大きさによって
変化するが、一般にフィラメント13が白色光を放つ程度
に加熱すれば充分である。この際フィラメント13の一方
端は接地しておくことが好ましい。またイオン電極12に
印加する電圧は、FeまたはFe系合金の蒸気流16および含
窒素ガス18のイオン化状態を良好に保つため、フィラメ
ント13に対して正に数10V程度印加することが好まし
い。
るが、この印加電圧はフィラメント13の大きさによって
変化するが、一般にフィラメント13が白色光を放つ程度
に加熱すれば充分である。この際フィラメント13の一方
端は接地しておくことが好ましい。またイオン電極12に
印加する電圧は、FeまたはFe系合金の蒸気流16および含
窒素ガス18のイオン化状態を良好に保つため、フィラメ
ント13に対して正に数10V程度印加することが好まし
い。
なお、ルツボ10およびホルダー14は、一般には接地する
ことが好ましいが、ホルダー14には関しては大地に対し
て負の電圧を印加してもよい。
ことが好ましいが、ホルダー14には関しては大地に対し
て負の電圧を印加してもよい。
一方、スパッタリング法によりFe系薄膜１を基材２上に
成膜するには、チャンバー内の圧力を１×10-3〜１×10
-1Torrの範囲に保ち、成膜速度を0.1〜200Å/secの範囲
に保つことが好ましい。
成膜するには、チャンバー内の圧力を１×10-3〜１×10
-1Torrの範囲に保ち、成膜速度を0.1〜200Å/secの範囲
に保つことが好ましい。
蒸着源であるFe系合金としてはFeを主体とした合金たと
えばFe−Ni、Fe−Co、Fe−Ni−Co、Fe−Rh、Fe−Cr、Fe
−Sm、Fe−Cr、Fe−Siなどが用いられうる。
えばFe−Ni、Fe−Co、Fe−Ni−Co、Fe−Rh、Fe−Cr、Fe
−Sm、Fe−Cr、Fe−Siなどが用いられうる。
なおFe系薄膜の膜厚は、広い範囲で変化しうるが、一般
に500Å〜10μｍ好ましくは1000Å〜２μｍであること
が好ましい。ただし、磁性体を基材として用いる場合に
は、Fe系薄膜の膜厚は500Å〜1500Åであることが好ま
しい。
に500Å〜10μｍ好ましくは1000Å〜２μｍであること
が好ましい。ただし、磁性体を基材として用いる場合に
は、Fe系薄膜の膜厚は500Å〜1500Åであることが好ま
しい。
含窒素ガスとしては、窒素ガス、アンモニアガス、また
はこれらの混合物あるいはこれらのガスとヘリウム、ネ
オン、アルゴンなどの不治性ガスとの混合物などが用い
られうるが、特に窒素ガスが好ましい。
はこれらの混合物あるいはこれらのガスとヘリウム、ネ
オン、アルゴンなどの不治性ガスとの混合物などが用い
られうるが、特に窒素ガスが好ましい。
なお本明細書においてFe系薄膜中の窒化鉄の％は、メス
バウァー法に基づいて決定された値である。
バウァー法に基づいて決定された値である。
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
の実施例に限定されるものではない。
の実施例に限定されるものではない。
実施例１ 基材として厚さ50μｍのポリイミドフイルムを用い、そ
の表面にFeを蒸着源として第２図に示したイオンプレー
ティング装置により以下の条件でFe系金属薄膜を形成し
た。
の表面にFeを蒸着源として第２図に示したイオンプレー
ティング装置により以下の条件でFe系金属薄膜を形成し
た。
比較例１ 実施例１において、N2ガスを導入せず真空度を５×10-5
Torrに保った以外は、実施例１と同様にしてFe金属薄膜
を形成した。
Torrに保った以外は、実施例１と同様にしてFe金属薄膜
を形成した。
上記実施例１および比較例１で得られたFe系金属薄膜の
組成および耐腐食性を表に示す。なお膜の組成はメスバ
ウアー分光法により分析した。
組成および耐腐食性を表に示す。なお膜の組成はメスバ
ウアー分光法により分析した。
実施例２ 実施例１において、N2ガスを導入しながら真空度をそれ
ぞれ４×10-4Torr、６×10-4Torr、８×10-4Torr、1.5
×10-3Torrに保った以外は実施例１と同様にしてFe系金
属薄膜を形成した。得られたFe系金属薄膜におけるFe
2〜3Ｎの含量はそれぞれ25％、25％、47％、57％であっ
た。また５％NaCl水溶液中に４日間放置しても、腐食は
全く認められなかった。
ぞれ４×10-4Torr、６×10-4Torr、８×10-4Torr、1.5
×10-3Torrに保った以外は実施例１と同様にしてFe系金
属薄膜を形成した。得られたFe系金属薄膜におけるFe
2〜3Ｎの含量はそれぞれ25％、25％、47％、57％であっ
た。また５％NaCl水溶液中に４日間放置しても、腐食は
全く認められなかった。
第１図は本発明に係るFe系金属薄膜の断面図であり、第
２図はFe系金属薄膜を形成する差異に用いられるイオン
プレーティング装置の断面図である。 １……Fe系金属薄膜、２……基材、３……イオンプレー
ティング装置。
２図はFe系金属薄膜を形成する差異に用いられるイオン
プレーティング装置の断面図である。 １……Fe系金属薄膜、２……基材、３……イオンプレー
ティング装置。
Claims (4)
- 【請求項１】基材上に設けられたFe系薄膜であって、こ
のFe系薄膜はFe2−3Nで示される窒化鉄を25％以上含ん
でいることを特徴とする、耐腐食性薄膜。 - 【請求項２】チャンバー内でFeまたはFe系合金を蒸着源
として、反応性イオンプレーティング法により、以下の
条件下でFe2−3Nで示される窒化鉄を25％以上含むFe系
薄膜を基材上に成膜することを特徴とする、耐腐食性薄
膜の製造方法：（ａ）チャンバー内の含窒素ガス圧を２
×10-4〜1.0×10-2Torrの範囲に保つこと、（ｂ）薄膜
の成膜速度を0.5〜200Å/secの範囲に保つこと。 - 【請求項３】チャンバー内でFeまたはFe系合金をターゲ
ットとして、反応性スパッタリング法により、以下の条
件下でFe2−3Nで示される窒化鉄を25％以上含むFe系薄
膜を基材上に成膜することを特徴とする、耐腐食性薄膜
の製造方法： （ａ）チャンバー内の含窒素ガス圧を１×10-3〜１×10
-1Torrの範囲に保つこと、 （ｂ）薄膜の成膜速度を0.1〜200Å/secの範囲に保つこ
と。 - 【請求項４】含窒素ガスが、窒素ガスまたはアンモニア
あるいはこれらの混合物もしくはこれらのガスとヘリウ
ム、ネオンまたはアルゴンとの混合物である特許請求の
範囲第２項または第３項に記載の耐腐食性薄膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59091551A JPH0726194B2 (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 耐腐食性薄膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59091551A JPH0726194B2 (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 耐腐食性薄膜およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60234962A JPS60234962A (ja) | 1985-11-21 |
| JPH0726194B2 true JPH0726194B2 (ja) | 1995-03-22 |
Family
ID=14029631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59091551A Expired - Lifetime JPH0726194B2 (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 耐腐食性薄膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0726194B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5836671B2 (ja) * | 1976-06-07 | 1983-08-10 | シチズン時計株式会社 | 表面処理方法 |
| JPS52149281A (en) * | 1976-06-07 | 1977-12-12 | Tsuneo Nishida | Deposition process for titanium nitride coating film |
| JPH0227806B2 (ja) * | 1982-03-09 | 1990-06-20 | Nippon Mining Co | Kohowajikajiseizairyooyobisonoseizohoho |
-
1984
- 1984-05-08 JP JP59091551A patent/JPH0726194B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60234962A (ja) | 1985-11-21 |
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