JPH07262604A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPH07262604A JPH07262604A JP6055751A JP5575194A JPH07262604A JP H07262604 A JPH07262604 A JP H07262604A JP 6055751 A JP6055751 A JP 6055751A JP 5575194 A JP5575194 A JP 5575194A JP H07262604 A JPH07262604 A JP H07262604A
- Authority
- JP
- Japan
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- group
- substituted
- recording medium
- ring
- optical recording
- Prior art date
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- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板上に記録層、反射層を有する光記録媒体
において、記録層がトリメチンシアニン色素からなるこ
とを特徴とする光記録媒体。 【効果】 本発明の光記録媒体は、近年移行しつつあ
る、記録再生波長が６８０ｎｍの赤色レーザで記録再生
が可能であるばかりでなく、従来より使用されている７
３０ｎｍの近赤外レーザで再生が可能である。
において、記録層がトリメチンシアニン色素からなるこ
とを特徴とする光記録媒体。 【効果】 本発明の光記録媒体は、近年移行しつつあ
る、記録再生波長が６８０ｎｍの赤色レーザで記録再生
が可能であるばかりでなく、従来より使用されている７
３０ｎｍの近赤外レーザで再生が可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光記録媒体、特に波長
６３０〜６９０ｎｍの赤色レーザーで記録再生可能で、
且つ、波長７７０〜８３０ｎｍの近赤外レーザーで再生
可能である光記録媒体に関するものである。
６３０〜６９０ｎｍの赤色レーザーで記録再生可能で、
且つ、波長７７０〜８３０ｎｍの近赤外レーザーで再生
可能である光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】基板上に反射層を有する光記録媒体とし
てコンパクトディスク（以下、ＣＤと略す）規格に対応
した追記または記録可能なＣＤが提案されている［例え
ば、日経エレクトロニクス、Ｎｏ．４６５，Ｐ．１０
７，１９８９年１月２３日号］。この光記録媒体は図１
に示すように基板１上に記録層２、反射層３、保護層４
をこの順に形成されるものである。この光記録媒体の記
録層に半導体レーザー等のレーザー光を高パワーで照射
すると、記録層が物理的あるいは化学的変化を起こし、
ピットの形で情報を記録する。形成されたピットに低パ
ワーのレーザー光を照射し、反射光を検出することによ
りピットの情報を再生することができる。このような光
記録媒体の記録再生には一般に波長７７０〜８３０ｎｍ
の近赤外半導体レーザーが用いられている。
てコンパクトディスク（以下、ＣＤと略す）規格に対応
した追記または記録可能なＣＤが提案されている［例え
ば、日経エレクトロニクス、Ｎｏ．４６５，Ｐ．１０
７，１９８９年１月２３日号］。この光記録媒体は図１
に示すように基板１上に記録層２、反射層３、保護層４
をこの順に形成されるものである。この光記録媒体の記
録層に半導体レーザー等のレーザー光を高パワーで照射
すると、記録層が物理的あるいは化学的変化を起こし、
ピットの形で情報を記録する。形成されたピットに低パ
ワーのレーザー光を照射し、反射光を検出することによ
りピットの情報を再生することができる。このような光
記録媒体の記録再生には一般に波長７７０〜８３０ｎｍ
の近赤外半導体レーザーが用いられている。
【０００３】最近、７７０ｎｍよりも短波長の半導体レ
ーザーの開発が進み、波長６８０ｎｍの赤色半導体レー
ザーが実用化されている［例えば、日経エレクトロニク
ス、Ｎｏ．５９２、Ｐ．６５、１９９３年１０月１１日
号］。記録再生用レーザーの短波長化によりビームスポ
ットを小さくすることで、高密度な光記録媒体が可能に
なる。半導体レーザーの短波長化とデータ圧縮技術など
により動画を記憶できる大容量の光記録媒体が開発され
てきている［例えば、日経エレクトロニクス、Ｎｏ．５
８９、Ｐ．５５、１９９３年８月３０日号］。このよう
な高密度の光記録媒体は動画のような大容量のデータを
記録することができ、ビデオＣＤなどの用途に期待され
ている［例えば、日経エレクトロニクス、Ｎｏ．５９
４、Ｐ．１６９、１９９３年１１月８日号］。また、特
開平２−２７８５１９号公報では、６８０ｎｍの短波長
レーザーで高感度に記録して７８０ｎｍで再生する方法
により高感度高速記録が提案されている。しかしなが
ら、７８０ｎｍで再生するのでは高密度化は困難なた
め、記録した波長６８０ｎｍで再生できることが望まれ
ている。
ーザーの開発が進み、波長６８０ｎｍの赤色半導体レー
ザーが実用化されている［例えば、日経エレクトロニク
ス、Ｎｏ．５９２、Ｐ．６５、１９９３年１０月１１日
号］。記録再生用レーザーの短波長化によりビームスポ
ットを小さくすることで、高密度な光記録媒体が可能に
なる。半導体レーザーの短波長化とデータ圧縮技術など
により動画を記憶できる大容量の光記録媒体が開発され
てきている［例えば、日経エレクトロニクス、Ｎｏ．５
８９、Ｐ．５５、１９９３年８月３０日号］。このよう
な高密度の光記録媒体は動画のような大容量のデータを
記録することができ、ビデオＣＤなどの用途に期待され
ている［例えば、日経エレクトロニクス、Ｎｏ．５９
４、Ｐ．１６９、１９９３年１１月８日号］。また、特
開平２−２７８５１９号公報では、６８０ｎｍの短波長
レーザーで高感度に記録して７８０ｎｍで再生する方法
により高感度高速記録が提案されている。しかしなが
ら、７８０ｎｍで再生するのでは高密度化は困難なた
め、記録した波長６８０ｎｍで再生できることが望まれ
ている。
【０００４】一方、特開平６−４０１６２号公報には短
波長レーザーで記録再生が可能な光記録媒体が提案され
ている。この媒体は、記録層にインドカルボシアニン色
素を用いている。この色素の最大吸収波長は６００ｎｍ
台前半となり、６３０ｎｍの半導体レーザーやＨｅ・Ｎ
ｅレーザーで記録可能であるが、６７０〜６９０ｎｍに
は殆ど吸収を有さず、最近実用化された６７０〜６９０
ｎｍの赤色半導体レーザーでは感度が不足している。６
８０ｎｍよりさらに短波長の４９０ｎｍの青／緑色半導
体レーザーも研究されているが、まだ実用化の段階まで
至っていない［例えば、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ Ｌｅｔｔｅｒ，Ｐ．１２７２−１２７４，Ｖｏｌ．
５９（１９９１）や『日経エレクトロニクス』Ｎｏ．５
５２，Ｐ．９０，１９９２年４月２７日号］。こうした
背景から光記録媒体の記録再生波長が６８０ｎｍ付近に
変わりつつある。従って、これに対応した光記録媒体の
開発が必要となり、さらに従来からある７８０ｎｍにも
対応した互換性のある光記録媒体が望まれている。
波長レーザーで記録再生が可能な光記録媒体が提案され
ている。この媒体は、記録層にインドカルボシアニン色
素を用いている。この色素の最大吸収波長は６００ｎｍ
台前半となり、６３０ｎｍの半導体レーザーやＨｅ・Ｎ
ｅレーザーで記録可能であるが、６７０〜６９０ｎｍに
は殆ど吸収を有さず、最近実用化された６７０〜６９０
ｎｍの赤色半導体レーザーでは感度が不足している。６
８０ｎｍよりさらに短波長の４９０ｎｍの青／緑色半導
体レーザーも研究されているが、まだ実用化の段階まで
至っていない［例えば、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ Ｌｅｔｔｅｒ，Ｐ．１２７２−１２７４，Ｖｏｌ．
５９（１９９１）や『日経エレクトロニクス』Ｎｏ．５
５２，Ｐ．９０，１９９２年４月２７日号］。こうした
背景から光記録媒体の記録再生波長が６８０ｎｍ付近に
変わりつつある。従って、これに対応した光記録媒体の
開発が必要となり、さらに従来からある７８０ｎｍにも
対応した互換性のある光記録媒体が望まれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光記録媒体では記録層に用いている有機色素が、波長６
３０〜６９０ｎｍで吸収が大きく屈折率が小さいため反
射率が低く、波長６８０ｎｍの赤色レーザーでの再生が
不可能であることがわかった。本発明の目的は、波長６
８０ｎｍの赤色レーザーで記録再生可能で、且つ、７８
０ｎｍの近赤外レーザー（従来より市販のＣＤプレーヤ
ーなど）でも再生可能な光記録媒体を提供することにあ
る。
光記録媒体では記録層に用いている有機色素が、波長６
３０〜６９０ｎｍで吸収が大きく屈折率が小さいため反
射率が低く、波長６８０ｎｍの赤色レーザーでの再生が
不可能であることがわかった。本発明の目的は、波長６
８０ｎｍの赤色レーザーで記録再生可能で、且つ、７８
０ｎｍの近赤外レーザー（従来より市販のＣＤプレーヤ
ーなど）でも再生可能な光記録媒体を提供することにあ
る。
【０００６】
【問題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を提案する
に至ったのである。即ち、この問題は以下の発明によっ
て解決される。 （１） 基板上に記録層、反射層を有する光記録媒体に
おいて、記録層がトリメチンシアニン色素からなること
を特徴とする光記録媒体。 （２） 記録層を形成するトリメチンシアニン色素が、
一般式（１）（化５）で示される化合物である（１）記
載の光記録媒体。
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を提案する
に至ったのである。即ち、この問題は以下の発明によっ
て解決される。 （１） 基板上に記録層、反射層を有する光記録媒体に
おいて、記録層がトリメチンシアニン色素からなること
を特徴とする光記録媒体。 （２） 記録層を形成するトリメチンシアニン色素が、
一般式（１）（化５）で示される化合物である（１）記
載の光記録媒体。
【０００７】
【化５】 〔但し、Ｐは一般式（２）〜（６）（化６）に表される
ような少なくとも窒素原子を１個含む置換または非置換
の５員環または６員環からなる原子群である。
ような少なくとも窒素原子を１個含む置換または非置換
の５員環または６員環からなる原子群である。
【０００８】
【化６】 また、Ｑは一般式（７）〜（１１）（化７）に表される
ような少なくとも窒素原子を１個含む置換または非置換
の５員環または６員環からなる原子群である。
ような少なくとも窒素原子を１個含む置換または非置換
の５員環または６員環からなる原子群である。
【０００９】
【化７】 Ａ1 、Ａ1'は置換ベンゼン環を形成するか、またはナフ
タレン環あるいは置換ナフタレン環を形成する原子群で
あり、同種であっても異種であっても良い。Ａ2，
Ａ3 ，Ａ4 ，Ａ5 ，Ａ2'，Ａ3'，Ａ4'及びＡ5'はベンゼ
ン環あるいは置換ベンゼン環を形成するか、またはナフ
タレン環あるいは置換ナフタレン環を形成する原子群で
あり、同種であっても異種であっても良い。Ｒ1 及び
Ｒ'1は置換または非置換のアルキル基、アルコキシ基、
アルキルヒドロキシ基、アラルキル基、アルケニル基、
アルキルカルボキシル基、アルキルスルホニル基または
アルカリ金属イオンもしくはアルキル基と結合したアル
キルカルボキシル基もしくはアルキルスルホニル基であ
り同種でも異種でも良い。Ｒ2 〜Ｒ8 は水素原子、ハロ
ゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ジフェニルアミ
ノ基等であり、Ｒ6 〜Ｒ8 は複数の炭素間にわたる置換
または未置換の環状側鎖であってもよい。Ｘはハロゲン
原子、過塩素酸、ホウ弗化水素酸、ベンゼンスルホン
酸、トルエンスルホン酸、アルキルスルホン酸、ベンゼ
ンカルボン酸、アルキルカルボン酸またはトリフルオロ
メチルカルボン酸等の陰イオン、或いは一般式（１２）
〜（１８）（化８）に示された化合物の陰イオン残基を
表す。
タレン環あるいは置換ナフタレン環を形成する原子群で
あり、同種であっても異種であっても良い。Ａ2，
Ａ3 ，Ａ4 ，Ａ5 ，Ａ2'，Ａ3'，Ａ4'及びＡ5'はベンゼ
ン環あるいは置換ベンゼン環を形成するか、またはナフ
タレン環あるいは置換ナフタレン環を形成する原子群で
あり、同種であっても異種であっても良い。Ｒ1 及び
Ｒ'1は置換または非置換のアルキル基、アルコキシ基、
アルキルヒドロキシ基、アラルキル基、アルケニル基、
アルキルカルボキシル基、アルキルスルホニル基または
アルカリ金属イオンもしくはアルキル基と結合したアル
キルカルボキシル基もしくはアルキルスルホニル基であ
り同種でも異種でも良い。Ｒ2 〜Ｒ8 は水素原子、ハロ
ゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ジフェニルアミ
ノ基等であり、Ｒ6 〜Ｒ8 は複数の炭素間にわたる置換
または未置換の環状側鎖であってもよい。Ｘはハロゲン
原子、過塩素酸、ホウ弗化水素酸、ベンゼンスルホン
酸、トルエンスルホン酸、アルキルスルホン酸、ベンゼ
ンカルボン酸、アルキルカルボン酸またはトリフルオロ
メチルカルボン酸等の陰イオン、或いは一般式（１２）
〜（１８）（化８）に示された化合物の陰イオン残基を
表す。
【００１０】
【化８】 （Ａ、Ａ' はベンゼン環あるいは置換ベンゼン環を形成
するか、またはナフタレン環あるいは置換ナフタレン環
を形成する原子群であり、同種であっても異種であって
も良い。Ｒ9 〜Ｒ31は置換または未置換のアルキル基、
アルコキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ハロゲ
ン原子、アリル基、アルキルカルボキシル基、アルキル
アルコキシル基、アラルキル基、アルキルカルボニル
基、金属イオンと結合したスルホネートアルキル基、ニ
トロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、フェニル基、フ
ェニルエチレン基等がある。Ｍは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、
Ｃｕ、Ｐｄ及びＰｔなどの遷移金属を示している。Ｍは
電荷を持ち、カチオンと塩構造をとっても良い。ａ’は
イオン体の電価数を表し、０を含む正の整数である。Ｚ
はカチオンを示し、ａ’＝ｂ’・ｃ’であり、ａ’＝０
のときは、ｂ’・ｃ’＝０でＺは存在せず、化合物は中
性体となる。） Ｒ1 及びＲ'1がアルカリ金属イオンを結合した基を有す
る場合にはＸは存在しなくても良い。Ｙ、Ｙ’はＯ、
Ｓ、Ｓｅ、ＮＨ、−ＣＨ＝ＣＨ−等である。ａはモル数
であり、Ｘの電価数により決まる正の整数で表され
る。〕 （３） 波長６３０〜６９０ｎｍの赤色レーザーから選
ばれた光に対する基板側から測定した反射率が４０％以
上であり、波長６３０〜６９０ｎｍの赤色レーザーで記
録再生可能で、且つ、波長７７０〜８３０ｎｍの近赤外
レーザーから選ばれた光に対する基板側から測定した反
射率が６５％以上であり、７７０〜８３０ｎｍから選ば
れた近赤外レーザーで再生可能であることを特徴とする
（１）又は（２）に記載の光記録媒体。 （４） 基板上に記録層、反射層及び保護層の順に設け
られた（１）〜（３）の何れかに記載の光記録媒体。
するか、またはナフタレン環あるいは置換ナフタレン環
を形成する原子群であり、同種であっても異種であって
も良い。Ｒ9 〜Ｒ31は置換または未置換のアルキル基、
アルコキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ハロゲ
ン原子、アリル基、アルキルカルボキシル基、アルキル
アルコキシル基、アラルキル基、アルキルカルボニル
基、金属イオンと結合したスルホネートアルキル基、ニ
トロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、フェニル基、フ
ェニルエチレン基等がある。Ｍは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、
Ｃｕ、Ｐｄ及びＰｔなどの遷移金属を示している。Ｍは
電荷を持ち、カチオンと塩構造をとっても良い。ａ’は
イオン体の電価数を表し、０を含む正の整数である。Ｚ
はカチオンを示し、ａ’＝ｂ’・ｃ’であり、ａ’＝０
のときは、ｂ’・ｃ’＝０でＺは存在せず、化合物は中
性体となる。） Ｒ1 及びＲ'1がアルカリ金属イオンを結合した基を有す
る場合にはＸは存在しなくても良い。Ｙ、Ｙ’はＯ、
Ｓ、Ｓｅ、ＮＨ、−ＣＨ＝ＣＨ−等である。ａはモル数
であり、Ｘの電価数により決まる正の整数で表され
る。〕 （３） 波長６３０〜６９０ｎｍの赤色レーザーから選
ばれた光に対する基板側から測定した反射率が４０％以
上であり、波長６３０〜６９０ｎｍの赤色レーザーで記
録再生可能で、且つ、波長７７０〜８３０ｎｍの近赤外
レーザーから選ばれた光に対する基板側から測定した反
射率が６５％以上であり、７７０〜８３０ｎｍから選ば
れた近赤外レーザーで再生可能であることを特徴とする
（１）又は（２）に記載の光記録媒体。 （４） 基板上に記録層、反射層及び保護層の順に設け
られた（１）〜（３）の何れかに記載の光記録媒体。
【００１１】本発明に従えば、上記したようなトリメチ
ンシアニン色素を記録層に用いることにより、波長６３
０〜６９０ｎｍの赤色レーザーから選ばれた光に対する
基板側から測定した反射率が４０％以上であるため、波
長６３０〜６９０ｎｍの赤色レーザーで記録再生可能
で、且つ、波長７７０〜８３０ｎｍの近赤外レーザーか
ら選ばれた光に対する基板側から測定した反射率が６５
％以上であることによって、７７０〜８３０ｎｍから選
ばれたレーザーで再生可能な光記録媒体が実現される。
ンシアニン色素を記録層に用いることにより、波長６３
０〜６９０ｎｍの赤色レーザーから選ばれた光に対する
基板側から測定した反射率が４０％以上であるため、波
長６３０〜６９０ｎｍの赤色レーザーで記録再生可能
で、且つ、波長７７０〜８３０ｎｍの近赤外レーザーか
ら選ばれた光に対する基板側から測定した反射率が６５
％以上であることによって、７７０〜８３０ｎｍから選
ばれたレーザーで再生可能な光記録媒体が実現される。
【００１２】本発明の具体的構成について以下に説明す
る。本発明の光記録媒体は基板上に反射層を有する。光
記録媒体とは予め情報を記録されている再生専用の光再
生専用媒体及び情報を記録して再生することのできる光
記録媒体の両方を示すものである。但し、ここでは適例
として後者の情報を記録して再生のできる光記録媒体、
特に基板上に記録層、反射層及び保護層をこの順で形成
した光記録媒体に関して説明する。この光記録媒体は図
１に示すような４層構造を有している。即ち、基板１上
に記録層２が形成されており、その上に密着して反射層
３が設けられており、さらにその上に保護層４が反射層
３を覆っている。
る。本発明の光記録媒体は基板上に反射層を有する。光
記録媒体とは予め情報を記録されている再生専用の光再
生専用媒体及び情報を記録して再生することのできる光
記録媒体の両方を示すものである。但し、ここでは適例
として後者の情報を記録して再生のできる光記録媒体、
特に基板上に記録層、反射層及び保護層をこの順で形成
した光記録媒体に関して説明する。この光記録媒体は図
１に示すような４層構造を有している。即ち、基板１上
に記録層２が形成されており、その上に密着して反射層
３が設けられており、さらにその上に保護層４が反射層
３を覆っている。
【００１３】基板の材質としては、基本的には記録光及
び再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカー
ボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチ
ル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂
等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。こ
れらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成
形される。必要に応じて、基板表面に溝を形成すること
もある。
び再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカー
ボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチ
ル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂
等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。こ
れらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成
形される。必要に応じて、基板表面に溝を形成すること
もある。
【００１４】基板の上に記録層を形成する。現在、市販
されている７７０〜８３０ｎｍ記録再生機用にはメチン
基が５つのペンタメチンシアニン色素が用いられている
（例えば、特開平２−２９２７４７号公報）が、これは
７００ｎｍ付近に大きな吸収があり、６３０〜６９０ｎ
ｍでの記録は可能であるが、屈折率が小さく吸収が大き
いことにより反射率が低く、６３０〜６９０ｎｍでの再
生は非常に困難となる。従って、本発明においては、メ
チン基を３つ有するトリメチンシアニン色素を用いてい
る。トリメチンシアニン色素は６３０〜６９０ｎｍに適
度に吸収を有し、６３０〜６９０ｎｍでの屈折率が大き
く、反射率が大きくとれる。又、７７０〜８３０ｎｍで
の屈折率も大きく吸収も小さいため、現在使用されてい
る７７０〜８３０ｎｍの近赤外半導体レーザーを搭載し
たＣＤプレーヤーやＣＤ−ＲＯＭプレーヤーでも再生が
可能となる。
されている７７０〜８３０ｎｍ記録再生機用にはメチン
基が５つのペンタメチンシアニン色素が用いられている
（例えば、特開平２−２９２７４７号公報）が、これは
７００ｎｍ付近に大きな吸収があり、６３０〜６９０ｎ
ｍでの記録は可能であるが、屈折率が小さく吸収が大き
いことにより反射率が低く、６３０〜６９０ｎｍでの再
生は非常に困難となる。従って、本発明においては、メ
チン基を３つ有するトリメチンシアニン色素を用いてい
る。トリメチンシアニン色素は６３０〜６９０ｎｍに適
度に吸収を有し、６３０〜６９０ｎｍでの屈折率が大き
く、反射率が大きくとれる。又、７７０〜８３０ｎｍで
の屈折率も大きく吸収も小さいため、現在使用されてい
る７７０〜８３０ｎｍの近赤外半導体レーザーを搭載し
たＣＤプレーヤーやＣＤ−ＲＯＭプレーヤーでも再生が
可能となる。
【００１５】具体的には、上記トリメチンシアニン色素
としては、インドカルボシアニン色素、チアカルボシア
ニン色素、キノオキサカルボシアニン色素、キノカルボ
シアニン色素、キノチアカルボシアニン色素、セレナカ
ルボシアニン色素、イミダカルボシアニン色素、オキサ
カルボシアニン色素などに溶解性を上げるために置換基
をつけたものが挙げられる。これらの置換基としては単
数である場合も複数である場合もあるが、アルキル基、
アルコキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ハロゲ
ン原子、アリル基、アルキルカルボキシル基、アルキル
アルコキシル基、アラルキル基、アルキルカルボニル
基、金属イオンと結合したスルホネートアルキル基、ニ
トロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリール基、フ
ェニルエチレン基等がある。
としては、インドカルボシアニン色素、チアカルボシア
ニン色素、キノオキサカルボシアニン色素、キノカルボ
シアニン色素、キノチアカルボシアニン色素、セレナカ
ルボシアニン色素、イミダカルボシアニン色素、オキサ
カルボシアニン色素などに溶解性を上げるために置換基
をつけたものが挙げられる。これらの置換基としては単
数である場合も複数である場合もあるが、アルキル基、
アルコキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ハロゲ
ン原子、アリル基、アルキルカルボキシル基、アルキル
アルコキシル基、アラルキル基、アルキルカルボニル
基、金属イオンと結合したスルホネートアルキル基、ニ
トロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリール基、フ
ェニルエチレン基等がある。
【００１６】これらの色素の中でも、特に６７０〜６９
０ｎｍの赤色半導体レーザーに対する記録感度の向上の
点からは、一般式（１）で表されるトリメチンシアニン
色素のＰ及びＱにおいて、Ａ1 、Ａ1'がナフタレン環あ
るいは置換ナフタレン環を形成する原子群であるか、Ａ
2 ，Ａ3 ，Ａ4 ，Ａ5 ，Ａ2'，Ａ3'，Ａ4'及びＡ5'がベ
ンゼン環あるいは置換ベンゼン環を形成するか、または
ナフタレン環あるいは置換ナフタレン環を形成する原子
群であるトリメチンシアニン色素が好ましい。中でも、
１，３，３，１’，３’，３’−ヘキサメチル−２，
２’−（４，５，４’，５’−ジベンゾ）インドカルボ
シアニンパークロレート、３，３’−ジエチル−２，
２’−（６，７，６’，７’−ジベンゾ）チアカルボシ
アニンアイオダイド、３，３’−ジエチル−２，２’−
チアカルボシアニンアイオダイド、１，１’−ジエチル
−２，２’−キノカルボシアニンアイオダイド、３，
３’−ジエチル−２，２’−セレナカルボシアニンアイ
オダイド、１，３’−ジエチル−４，２’−キノオキサ
カルボシアニンアイオダイド、３，３’，９−トリエチ
ル−２，２’−（４，５，４’，５’−ジベンゾ）チア
カルボシアニンブロマイド、１，１’−ジエチル−２，
４’−キノカルボシアニンアイオダイド、１，３’−ジ
エチル−４，２’−キノチアカルボシアニンアイオダイ
ドなどは、好適である。
０ｎｍの赤色半導体レーザーに対する記録感度の向上の
点からは、一般式（１）で表されるトリメチンシアニン
色素のＰ及びＱにおいて、Ａ1 、Ａ1'がナフタレン環あ
るいは置換ナフタレン環を形成する原子群であるか、Ａ
2 ，Ａ3 ，Ａ4 ，Ａ5 ，Ａ2'，Ａ3'，Ａ4'及びＡ5'がベ
ンゼン環あるいは置換ベンゼン環を形成するか、または
ナフタレン環あるいは置換ナフタレン環を形成する原子
群であるトリメチンシアニン色素が好ましい。中でも、
１，３，３，１’，３’，３’−ヘキサメチル−２，
２’−（４，５，４’，５’−ジベンゾ）インドカルボ
シアニンパークロレート、３，３’−ジエチル−２，
２’−（６，７，６’，７’−ジベンゾ）チアカルボシ
アニンアイオダイド、３，３’−ジエチル−２，２’−
チアカルボシアニンアイオダイド、１，１’−ジエチル
−２，２’−キノカルボシアニンアイオダイド、３，
３’−ジエチル−２，２’−セレナカルボシアニンアイ
オダイド、１，３’−ジエチル−４，２’−キノオキサ
カルボシアニンアイオダイド、３，３’，９−トリエチ
ル−２，２’−（４，５，４’，５’−ジベンゾ）チア
カルボシアニンブロマイド、１，１’−ジエチル−２，
４’−キノカルボシアニンアイオダイド、１，３’−ジ
エチル−４，２’−キノチアカルボシアニンアイオダイ
ドなどは、好適である。
【００１７】また、更に記録感度を上げるために、ペン
タメチンシアニン系色素、ヘプタメチンシアニン系色
素、スクアリリウム系色素、アゾ系色素、ナフトキノン
系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系色
素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素を
混合して用いてもよい。この色素に必要に応じて、消光
剤や紫外線吸収剤等の添加剤を混合あるいは置換基とし
て導入することも可能である。例えば、添加剤としては
以下の一般式（１２）〜（１８）（化９）で示されるも
のが挙げられる。
タメチンシアニン系色素、ヘプタメチンシアニン系色
素、スクアリリウム系色素、アゾ系色素、ナフトキノン
系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系色
素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素を
混合して用いてもよい。この色素に必要に応じて、消光
剤や紫外線吸収剤等の添加剤を混合あるいは置換基とし
て導入することも可能である。例えば、添加剤としては
以下の一般式（１２）〜（１８）（化９）で示されるも
のが挙げられる。
【００１８】
【化９】 （但し、Ａ、Ａ’はベンゼン環あるいは置換ベンゼン環
を形成するか、またはナフタレン環あるいは置換ナフタ
レン環を形成する原子群であり、同種であっても異種で
あっても良い。これらの置換基としては単数である場合
も複数である場合もあるが、アルキル基、アルコキシ
基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ハロゲン原子、ア
リル基、アルキルカルボキシル基、アルキルアルコキシ
ル基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、金属イオ
ンと結合したスルホネートアルキル基、ニトロ基、アミ
ノ基、アルキルアミノ基、フェニル基、フェニルエチレ
ン基等がある。Ｒ9 〜Ｒ31は置換または未置換のアルキ
ル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、
ハロゲン原子、アリル基、アルキルカルボキシル基、ア
ルキルアルコキシル基、アラルキル基、アルキルカルボ
ニル基、金属イオンと結合したスルホネートアルキル
基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、フェニル
基、フェニルエチレン基等がある。Ｍは、Ｎｉ、Ｃｏ、
Ｍｎ、Ｃｕ、Ｐｄ及びＰｔなどの遷移金属を示してい
る。Ｍは電荷を持ち、カチオンと塩構造をとっても良
い。ａ’はイオン体の電価数を表し、０を含む正の整数
である。Ｚはカチオンを示し、ａ’＝ｂ’・ｃ’であ
り、ａ’＝０のときは、ｂ’・ｃ’＝０でＺは存在せ
ず、化合物は中性体となる。） これらの色素はスピンコート法やキャスト法等の塗布法
やスパッタ法や化学蒸着法、真空蒸着法等によって基板
上に厚さ５０〜５００ｎｍ、好ましくは１００〜１５０
ｎｍの記録層を形成する。特に塗布法においては色素を
溶解あるいは分散させた塗布溶媒を用いるが、この際溶
媒は基板にダメージを与えないものを選ぶことが好まし
い。例えば、メタノール等のアルコール系溶媒、ヘキサ
ンやオクタン等の脂肪族炭化水素系溶媒、シクロヘキサ
ン等の環状炭化水素系溶媒、ベンゼン等の芳香族炭化水
素系溶媒、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶
媒、ジオキサン等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ
等のセロソルブ系溶媒、アセトン等のケトン系溶媒、酢
酸エチル等のエステル系溶媒などが１種あるいは複数混
合して用いられる。また、記録層は１層だけでなく複数
の色素を多層形成させたり、色素を高分子薄膜などに例
えば好ましくは５０％程度以上分散して用いたりするこ
ともできる。また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合はスパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着法
などが有効である。
を形成するか、またはナフタレン環あるいは置換ナフタ
レン環を形成する原子群であり、同種であっても異種で
あっても良い。これらの置換基としては単数である場合
も複数である場合もあるが、アルキル基、アルコキシ
基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ハロゲン原子、ア
リル基、アルキルカルボキシル基、アルキルアルコキシ
ル基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、金属イオ
ンと結合したスルホネートアルキル基、ニトロ基、アミ
ノ基、アルキルアミノ基、フェニル基、フェニルエチレ
ン基等がある。Ｒ9 〜Ｒ31は置換または未置換のアルキ
ル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、
ハロゲン原子、アリル基、アルキルカルボキシル基、ア
ルキルアルコキシル基、アラルキル基、アルキルカルボ
ニル基、金属イオンと結合したスルホネートアルキル
基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、フェニル
基、フェニルエチレン基等がある。Ｍは、Ｎｉ、Ｃｏ、
Ｍｎ、Ｃｕ、Ｐｄ及びＰｔなどの遷移金属を示してい
る。Ｍは電荷を持ち、カチオンと塩構造をとっても良
い。ａ’はイオン体の電価数を表し、０を含む正の整数
である。Ｚはカチオンを示し、ａ’＝ｂ’・ｃ’であ
り、ａ’＝０のときは、ｂ’・ｃ’＝０でＺは存在せ
ず、化合物は中性体となる。） これらの色素はスピンコート法やキャスト法等の塗布法
やスパッタ法や化学蒸着法、真空蒸着法等によって基板
上に厚さ５０〜５００ｎｍ、好ましくは１００〜１５０
ｎｍの記録層を形成する。特に塗布法においては色素を
溶解あるいは分散させた塗布溶媒を用いるが、この際溶
媒は基板にダメージを与えないものを選ぶことが好まし
い。例えば、メタノール等のアルコール系溶媒、ヘキサ
ンやオクタン等の脂肪族炭化水素系溶媒、シクロヘキサ
ン等の環状炭化水素系溶媒、ベンゼン等の芳香族炭化水
素系溶媒、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶
媒、ジオキサン等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ
等のセロソルブ系溶媒、アセトン等のケトン系溶媒、酢
酸エチル等のエステル系溶媒などが１種あるいは複数混
合して用いられる。また、記録層は１層だけでなく複数
の色素を多層形成させたり、色素を高分子薄膜などに例
えば好ましくは５０％程度以上分散して用いたりするこ
ともできる。また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合はスパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着法
などが有効である。
【００１９】次に記録層の上に厚さ５０〜３００ｎｍ、
好ましくは１００〜１５０ｎｍの反射層を形成する。反
射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高い
もの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、
Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｃｒ及びＰｄの金属を単独あるいは
合金にして用いることが可能である。このなかでもＡｕ
やＡｌは反射率が高く反射層の材料として適している。
これ以外でも下記のものを含んでいてもよい。例えば、
Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの
金属及び半金属を挙げることができる。また、Ａｕを主
成分としているものは反射率の高い反射層が容易に得ら
れるため好適である。ここで主成分というのは含有率が
５０％以上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄
膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、
反射層として用いることも可能である。反射層を形成す
る方法としては、例えば、スパッタ法、化学蒸着法、真
空蒸着法等が挙げられる。また、反射率を高めるためや
密着性をよくするために記録層と反射層の間にそれぞれ
反射増幅層や接着層を設けることもできる。
好ましくは１００〜１５０ｎｍの反射層を形成する。反
射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高い
もの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、
Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｃｒ及びＰｄの金属を単独あるいは
合金にして用いることが可能である。このなかでもＡｕ
やＡｌは反射率が高く反射層の材料として適している。
これ以外でも下記のものを含んでいてもよい。例えば、
Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの
金属及び半金属を挙げることができる。また、Ａｕを主
成分としているものは反射率の高い反射層が容易に得ら
れるため好適である。ここで主成分というのは含有率が
５０％以上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄
膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、
反射層として用いることも可能である。反射層を形成す
る方法としては、例えば、スパッタ法、化学蒸着法、真
空蒸着法等が挙げられる。また、反射率を高めるためや
密着性をよくするために記録層と反射層の間にそれぞれ
反射増幅層や接着層を設けることもできる。
【００２０】このようにして得られる本発明は、基板上
に記録層及び反射層が形成された媒体で、６３０〜６９
０ｎｍの範囲から選ばれた波長の光に対する基板側から
の反射率が４０％以上、好ましくは５０％以上あり、ま
た、７７０ｎｍ〜８３０ｎｍの範囲から選ばれた波長の
光に対する基板側からの反射率が６５％以上、好ましく
は７０％以上有するもので、レッドブック（ＣＤ）規格
及びオレンジブック（ＣＤ−Ｒ）規格の反射率に満足す
るものである。これらの規格を満足すれば、従来より市
販されているＣＤプレーヤーでも良好に再生することが
できる。
に記録層及び反射層が形成された媒体で、６３０〜６９
０ｎｍの範囲から選ばれた波長の光に対する基板側から
の反射率が４０％以上、好ましくは５０％以上あり、ま
た、７７０ｎｍ〜８３０ｎｍの範囲から選ばれた波長の
光に対する基板側からの反射率が６５％以上、好ましく
は７０％以上有するもので、レッドブック（ＣＤ）規格
及びオレンジブック（ＣＤ−Ｒ）規格の反射率に満足す
るものである。これらの規格を満足すれば、従来より市
販されているＣＤプレーヤーでも良好に再生することが
できる。
【００２１】さらに、反射層の上に保護層を形成させる
こともできる。保護層の材料としては反射層を外力から
保護するものであれば特に限定しない。有機物質として
は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を
挙げることができる。ＵＶ硬化性樹脂が好ましい。又、
無機物質としては、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ4 、ＭｇＦ2 、Ｓ
ｎＯ2 等が挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂な
どは適当な溶剤に溶解して塗布液を塗布し、乾燥するこ
とによって形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂は、
そのままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し
た後にこの塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させ
ることによって形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂
としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシア
クリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレ
ート樹脂を用いることができる。これらの材料は単独で
あるいは混合して用いても良いし、１層だけでなく多層
膜にして用いてもいっこうに差し支えない。保護層の形
成の方法としては、記録層と同様にスピンコート法やキ
ャスト法などの塗布法やスパッタ法や化学蒸着法等の方
法が用いられるが、このなかでもスピンコート法が好ま
しい。
こともできる。保護層の材料としては反射層を外力から
保護するものであれば特に限定しない。有機物質として
は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を
挙げることができる。ＵＶ硬化性樹脂が好ましい。又、
無機物質としては、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ4 、ＭｇＦ2 、Ｓ
ｎＯ2 等が挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂な
どは適当な溶剤に溶解して塗布液を塗布し、乾燥するこ
とによって形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂は、
そのままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し
た後にこの塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させ
ることによって形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂
としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシア
クリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレ
ート樹脂を用いることができる。これらの材料は単独で
あるいは混合して用いても良いし、１層だけでなく多層
膜にして用いてもいっこうに差し支えない。保護層の形
成の方法としては、記録層と同様にスピンコート法やキ
ャスト法などの塗布法やスパッタ法や化学蒸着法等の方
法が用いられるが、このなかでもスピンコート法が好ま
しい。
【００２２】本発明における赤色レーザーは、６３０〜
６９０ｎｍの波長のレーザーであれば何でも良い。例え
ば、可視領域の広範囲で波長選択のできる色素レーザー
や波長６３３ｎｍのヘリウムネオンレーザー、最近開発
されている波長６８０ｎｍの高出力半導体レーザーなど
があるが、装置に搭載することを考えると半導体レーザ
ーが好適である。また、近赤外レーザーは、７７０〜８
３０ｎｍの波長のレーザーであれば何でも良いが、市販
のＣＤプレーヤーやＣＤレコーダーに用いられている半
導体レーザーが適している。
６９０ｎｍの波長のレーザーであれば何でも良い。例え
ば、可視領域の広範囲で波長選択のできる色素レーザー
や波長６３３ｎｍのヘリウムネオンレーザー、最近開発
されている波長６８０ｎｍの高出力半導体レーザーなど
があるが、装置に搭載することを考えると半導体レーザ
ーが好適である。また、近赤外レーザーは、７７０〜８
３０ｎｍの波長のレーザーであれば何でも良いが、市販
のＣＤプレーヤーやＣＤレコーダーに用いられている半
導体レーザーが適している。
【００２３】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。 〔実施例１〕トリメチンシアニン色素ＮＫ３２３９
（１，３，３，１’，３’，３’−ヘキサメチル−２，
２’−（４，５，４’，５’−ジベンゾ）インドカルボ
シアニンパークロレート）〔日本感光色素研究所製〕
０．２ｇを２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロ
パノール（東京化成品）１０ｍｌに溶解し、色素溶液を
調製する。基板は、ポリカーボネート樹脂製で連続した
案内溝（トラックピッチ：１．６μｍ）を有する直径１
２０ｍｍφ、厚さ１．２ｍｍの円盤状のものを用いた。
この基板上に色素溶液を回転数１５００ｒｐｍでスピン
コートし、７０℃２時間乾燥して、記録層を形成した。
この記録層の上にバルザース社製スパッタ装置（ＣＤＩ
−９００）を用いてＡｕをスパッタし、厚さ１００ｎｍ
の反射層を形成した。スパッタガスには、アルゴンガス
を用いた。スパッタ条件は、スパッタパワー２．５ｋ
Ｗ、スパッタガス圧１．０×１０-2Ｔｏｒｒで行った。
さらに反射層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−１７（大日本
インキ化学工業製）をスピンコートした後、紫外線照射
して厚さ６μｍの保護層を形成した。サンプルを６８０
ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック
工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮ
ＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度５．６
ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、
同評価装置を用いて信号を再生した結果、図２に示すよ
うにきれいなアイパターンが観測された。このときの反
射率は６２％であった。また、この記録したサンプルを
再生波長が７８０ｎｍの市販ＣＤプレーヤーで再生評価
した結果、エラー率が５ｃｐｓで良好に再生可能であ
り、近赤外半導体レーザーヘッドを用いた再生機でも再
生可能であることが確認された。
れによりなんら限定されるものではない。 〔実施例１〕トリメチンシアニン色素ＮＫ３２３９
（１，３，３，１’，３’，３’−ヘキサメチル−２，
２’−（４，５，４’，５’−ジベンゾ）インドカルボ
シアニンパークロレート）〔日本感光色素研究所製〕
０．２ｇを２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロ
パノール（東京化成品）１０ｍｌに溶解し、色素溶液を
調製する。基板は、ポリカーボネート樹脂製で連続した
案内溝（トラックピッチ：１．６μｍ）を有する直径１
２０ｍｍφ、厚さ１．２ｍｍの円盤状のものを用いた。
この基板上に色素溶液を回転数１５００ｒｐｍでスピン
コートし、７０℃２時間乾燥して、記録層を形成した。
この記録層の上にバルザース社製スパッタ装置（ＣＤＩ
−９００）を用いてＡｕをスパッタし、厚さ１００ｎｍ
の反射層を形成した。スパッタガスには、アルゴンガス
を用いた。スパッタ条件は、スパッタパワー２．５ｋ
Ｗ、スパッタガス圧１．０×１０-2Ｔｏｒｒで行った。
さらに反射層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−１７（大日本
インキ化学工業製）をスピンコートした後、紫外線照射
して厚さ６μｍの保護層を形成した。サンプルを６８０
ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック
工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮ
ＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度５．６
ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、
同評価装置を用いて信号を再生した結果、図２に示すよ
うにきれいなアイパターンが観測された。このときの反
射率は６２％であった。また、この記録したサンプルを
再生波長が７８０ｎｍの市販ＣＤプレーヤーで再生評価
した結果、エラー率が５ｃｐｓで良好に再生可能であ
り、近赤外半導体レーザーヘッドを用いた再生機でも再
生可能であることが確認された。
【００２４】〔実施例２〕実施例１において色素にトリ
メチンシアニン色素ＮＫ４６７（３，３’−ジエチル−
２，２’−（６，７，６’，７’−ジベンゾ）チアカル
ボシアニンアイオダイド）〔日本感光色素研究所製〕を
用いること以外は同様にして光記録媒体を作製した。作
製した媒体を実施例１と同様に６８０ｎｍ赤色半導体レ
ーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光ディスク
評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭ
エンコーダーを用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レーザー
パワー１０ｍＷで記録した。記録後、同評価装置を用い
て信号を再生した結果、反射率は５８％であった。ま
た、この記録したサンプルを再生波長が７８０ｎｍの市
販ＣＤプレーヤーで再生評価した結果、エラー率が３ｃ
ｐｓで良好に再生できた。
メチンシアニン色素ＮＫ４６７（３，３’−ジエチル−
２，２’−（６，７，６’，７’−ジベンゾ）チアカル
ボシアニンアイオダイド）〔日本感光色素研究所製〕を
用いること以外は同様にして光記録媒体を作製した。作
製した媒体を実施例１と同様に６８０ｎｍ赤色半導体レ
ーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光ディスク
評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭ
エンコーダーを用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レーザー
パワー１０ｍＷで記録した。記録後、同評価装置を用い
て信号を再生した結果、反射率は５８％であった。ま
た、この記録したサンプルを再生波長が７８０ｎｍの市
販ＣＤプレーヤーで再生評価した結果、エラー率が３ｃ
ｐｓで良好に再生できた。
【００２５】〔実施例３〕実施例１において色素にトリ
メチンシアニン色素ＮＫ１７６（３，３’−ジエチル−
２，２’−チアカルボシアニンアイオダイド）〔日本感
光色素研究所製〕を用いること以外は同様にして光記録
媒体を作製した。作製した媒体を実施例１と同様に６８
０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルステッ
ク工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥ
ＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度５．
６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録した。記録
後、同評価装置を用いて信号を再生した結果、反射率は
６３％であった。また、この記録したサンプルを再生波
長が７８０ｎｍの市販ＣＤプレーヤーで再生評価した結
果、エラー率が５ｃｐｓで良好に再生できた。
メチンシアニン色素ＮＫ１７６（３，３’−ジエチル−
２，２’−チアカルボシアニンアイオダイド）〔日本感
光色素研究所製〕を用いること以外は同様にして光記録
媒体を作製した。作製した媒体を実施例１と同様に６８
０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルステッ
ク工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥ
ＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度５．
６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録した。記録
後、同評価装置を用いて信号を再生した結果、反射率は
６３％であった。また、この記録したサンプルを再生波
長が７８０ｎｍの市販ＣＤプレーヤーで再生評価した結
果、エラー率が５ｃｐｓで良好に再生できた。
【００２６】〔実施例４〕実施例１において色素にトリ
メチンシアニン色素ＮＫ３（１，１’−ジエチル−２，
２’−キノカルボシアニンアイオダイド）〔日本感光色
素研究所製〕を用いること以外は同様にして光記録媒体
を作製した。作製した媒体を実施例１と同様に６８０ｎ
ｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工
業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷ
ＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度５．６ｍ
／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、同
評価装置を用いて信号を再生した結果、反射率は５５％
であった。また、この記録したサンプルを再生波長が７
８０ｎｍの市販ＣＤプレーヤーで再生評価した結果、エ
ラー率が２ｃｐｓで良好に再生できた。
メチンシアニン色素ＮＫ３（１，１’−ジエチル−２，
２’−キノカルボシアニンアイオダイド）〔日本感光色
素研究所製〕を用いること以外は同様にして光記録媒体
を作製した。作製した媒体を実施例１と同様に６８０ｎ
ｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工
業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷ
ＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度５．６ｍ
／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、同
評価装置を用いて信号を再生した結果、反射率は５５％
であった。また、この記録したサンプルを再生波長が７
８０ｎｍの市販ＣＤプレーヤーで再生評価した結果、エ
ラー率が２ｃｐｓで良好に再生できた。
【００２７】〔実施例５〕実施例１において色素にトリ
メチンシアニン色素ＮＫ６１６（３，３’−ジエチル−
２，２’−セレナカルボシアニンアイオダイド）〔日本
感光色素研究所製〕を用いること以外は同様にして光記
録媒体を作製した。作製した媒体を実施例１と同様に６
８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルステ
ック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫ
ＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度
５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録した。記
録後、同評価装置を用いて信号を再生した結果、反射率
は６０％であった。また、この記録したサンプルを再生
波長が７８０ｎｍの市販ＣＤプレーヤーで再生評価した
結果、エラー率が５ｃｐｓで良好に再生できた。
メチンシアニン色素ＮＫ６１６（３，３’−ジエチル−
２，２’−セレナカルボシアニンアイオダイド）〔日本
感光色素研究所製〕を用いること以外は同様にして光記
録媒体を作製した。作製した媒体を実施例１と同様に６
８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルステ
ック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫ
ＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度
５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録した。記
録後、同評価装置を用いて信号を再生した結果、反射率
は６０％であった。また、この記録したサンプルを再生
波長が７８０ｎｍの市販ＣＤプレーヤーで再生評価した
結果、エラー率が５ｃｐｓで良好に再生できた。
【００２８】〔実施例６〕実施例１において色素にトリ
メチンシアニン色素ＮＫ７４１（１，３’−ジエチル−
４，２’−キノオキサカルボシアニンアイオダイド）
〔日本感光色素研究所製〕を用いること以外は同様にし
て光記録媒体を作製した。作製した媒体を実施例１と同
様に６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパ
ルステック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００
及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線
速度５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録し
た。記録後、同評価装置を用いて信号を再生した結果、
反射率は５８％であった。また、この記録したサンプル
を再生波長が７８０ｎｍの市販ＣＤプレーヤーで再生評
価した結果、エラー率が４ｃｐｓで良好に再生できた。
メチンシアニン色素ＮＫ７４１（１，３’−ジエチル−
４，２’−キノオキサカルボシアニンアイオダイド）
〔日本感光色素研究所製〕を用いること以外は同様にし
て光記録媒体を作製した。作製した媒体を実施例１と同
様に６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパ
ルステック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００
及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線
速度５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録し
た。記録後、同評価装置を用いて信号を再生した結果、
反射率は５８％であった。また、この記録したサンプル
を再生波長が７８０ｎｍの市販ＣＤプレーヤーで再生評
価した結果、エラー率が４ｃｐｓで良好に再生できた。
【００２９】〔実施例７〕実施例１において色素にトリ
メチンシアニン色素ＮＫ７１６（３，３’，９−トリエ
チル−２，２’−（４，５，４’，５’−ジベンゾ）チ
アカルボシアニンブロマイド）〔日本感光色素研究所
製〕を用いること以外は同様にして光記録媒体を作製し
た。作製した媒体を実施例１と同様に６８０ｎｍ赤色半
導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光デ
ィスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製
ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レ
ーザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、同評価装置
を用いて信号を再生した結果、反射率は６３％であっ
た。また、この記録したサンプルを再生波長が７８０ｎ
ｍの市販ＣＤプレーヤーで再生評価した結果、エラー率
が６ｃｐｓで良好に再生できた。
メチンシアニン色素ＮＫ７１６（３，３’，９−トリエ
チル−２，２’−（４，５，４’，５’−ジベンゾ）チ
アカルボシアニンブロマイド）〔日本感光色素研究所
製〕を用いること以外は同様にして光記録媒体を作製し
た。作製した媒体を実施例１と同様に６８０ｎｍ赤色半
導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光デ
ィスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製
ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レ
ーザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、同評価装置
を用いて信号を再生した結果、反射率は６３％であっ
た。また、この記録したサンプルを再生波長が７８０ｎ
ｍの市販ＣＤプレーヤーで再生評価した結果、エラー率
が６ｃｐｓで良好に再生できた。
【００３０】〔実施例８〕実施例１において色素にトリ
メチンシアニン色素ＮＫ１３８（１，１’−ジエチル−
２，４’−キノカルボシアニンアイオダイド）〔日本感
光色素研究所製〕を用いること以外は同様にして光記録
媒体を作製した。作製した媒体を実施例１と同様に６８
０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルステッ
ク工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥ
ＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度５．
６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録した。記録
後、同評価装置を用いて信号を再生した結果、反射率は
４８％であった。また、この記録したサンプルを再生波
長が７８０ｎｍの市販ＣＤプレーヤーで再生評価した結
果、エラー率が８ｃｐｓで良好に再生できた。
メチンシアニン色素ＮＫ１３８（１，１’−ジエチル−
２，４’−キノカルボシアニンアイオダイド）〔日本感
光色素研究所製〕を用いること以外は同様にして光記録
媒体を作製した。作製した媒体を実施例１と同様に６８
０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルステッ
ク工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥ
ＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度５．
６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録した。記録
後、同評価装置を用いて信号を再生した結果、反射率は
４８％であった。また、この記録したサンプルを再生波
長が７８０ｎｍの市販ＣＤプレーヤーで再生評価した結
果、エラー率が８ｃｐｓで良好に再生できた。
【００３１】〔実施例９〕実施例１において色素にトリ
メチンシアニン色素ＮＫ３２１（１，３’−ジエチル−
４，２’−キノチアカルボシアニンアイオダイド）〔日
本感光色素研究所製〕を用いること以外は同様にして光
記録媒体を作製した。作製した媒体を実施例１と同様に
６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルス
テック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及び
ＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度
５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録した。記
録後、同評価装置を用いて信号を再生した結果、反射率
は５９％であった。また、この記録したサンプルを再生
波長が７８０ｎｍの市販ＣＤプレーヤーで再生評価した
結果、エラー率が６ｃｐｓで良好に再生できた。
メチンシアニン色素ＮＫ３２１（１，３’−ジエチル−
４，２’−キノチアカルボシアニンアイオダイド）〔日
本感光色素研究所製〕を用いること以外は同様にして光
記録媒体を作製した。作製した媒体を実施例１と同様に
６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルス
テック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及び
ＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度
５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録した。記
録後、同評価装置を用いて信号を再生した結果、反射率
は５９％であった。また、この記録したサンプルを再生
波長が７８０ｎｍの市販ＣＤプレーヤーで再生評価した
結果、エラー率が６ｃｐｓで良好に再生できた。
【００３２】〔比較例１〕実施例１において色素をペン
タメチンシアニン色素ＮＫ２９２９（１，３，３，
１’，３’，３’−ヘキサメチル−２，２’−（４，
５，４’，５’−ジベンゾ）インドジカルボシアニンパ
ークロレート）〔日本感光色素研究所製〕を用いること
以外は同様にして光記録媒体を作製した。作製した媒体
を実施例１と同様に６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッ
ドを搭載したパルステック工業製光ディスク評価装置Ｄ
ＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダ
ーを用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０
ｍＷで記録した。記録後、同評価装置を用いて信号を再
生した結果、信号パターンも図３に示すように反射率が
９％程度と低く、波形も歪んでいた。しかも長時間再生
していると信号が劣化した。また、この記録した媒体を
再生波長７８０ｎｍの市販のＣＤプレーヤーで評価した
結果、エラー率が２９８０ｃｐｓで再生不良であった。
タメチンシアニン色素ＮＫ２９２９（１，３，３，
１’，３’，３’−ヘキサメチル−２，２’−（４，
５，４’，５’−ジベンゾ）インドジカルボシアニンパ
ークロレート）〔日本感光色素研究所製〕を用いること
以外は同様にして光記録媒体を作製した。作製した媒体
を実施例１と同様に６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッ
ドを搭載したパルステック工業製光ディスク評価装置Ｄ
ＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダ
ーを用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０
ｍＷで記録した。記録後、同評価装置を用いて信号を再
生した結果、信号パターンも図３に示すように反射率が
９％程度と低く、波形も歪んでいた。しかも長時間再生
していると信号が劣化した。また、この記録した媒体を
再生波長７８０ｎｍの市販のＣＤプレーヤーで評価した
結果、エラー率が２９８０ｃｐｓで再生不良であった。
【００３３】〔比較例２〕実施例１において色素をペン
タメチンシアニン色素ＮＫ２６２７（３，３’−ジエチ
ル−２，２’−（６，７，６’，７’−ジベンゾ）チア
ジカルボシアニンアイオダイド）〔日本感光色素研究所
製〕を用いること以外は同様にして光記録媒体を作製し
た。作製した媒体を実施例１と同様に６８０ｎｍ赤色半
導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光デ
ィスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製
ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レ
ーザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、同評価装置
を用いて信号を再生した結果、反射率が８％と低く、波
形も歪んでいた。しかも長時間再生していると信号が劣
化した。また、この記録した媒体を再生波長７８０ｎｍ
の市販のＣＤプレーヤーで評価した結果、エラー率が３
３２０ｃｐｓで再生不良であった。
タメチンシアニン色素ＮＫ２６２７（３，３’−ジエチ
ル−２，２’−（６，７，６’，７’−ジベンゾ）チア
ジカルボシアニンアイオダイド）〔日本感光色素研究所
製〕を用いること以外は同様にして光記録媒体を作製し
た。作製した媒体を実施例１と同様に６８０ｎｍ赤色半
導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光デ
ィスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製
ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レ
ーザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、同評価装置
を用いて信号を再生した結果、反射率が８％と低く、波
形も歪んでいた。しかも長時間再生していると信号が劣
化した。また、この記録した媒体を再生波長７８０ｎｍ
の市販のＣＤプレーヤーで評価した結果、エラー率が３
３２０ｃｐｓで再生不良であった。
【００３４】〔比較例３〕実施例１において色素をペン
タメチンシアニン色素ＮＫ１４５６（１，１’−ジエチ
ル−２，２’−キノジカルボシアニンアイオダイド）
〔日本感光色素研究所製〕を用いること以外は同様にし
て光記録媒体を作製した。作製した媒体を実施例１と同
様に６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパ
ルステック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００
及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線
速度５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録し
た。記録後、同評価装置を用いて信号を再生した結果、
反射率が６％程度と低く、波形も歪んでいた。しかも長
時間再生していると信号が劣化した。また、この記録し
た媒体を再生波長７８０ｎｍの市販のＣＤプレーヤーで
評価した結果、エラー率が３５７０ｃｐｓで再生不良で
あった。
タメチンシアニン色素ＮＫ１４５６（１，１’−ジエチ
ル−２，２’−キノジカルボシアニンアイオダイド）
〔日本感光色素研究所製〕を用いること以外は同様にし
て光記録媒体を作製した。作製した媒体を実施例１と同
様に６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパ
ルステック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００
及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線
速度５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録し
た。記録後、同評価装置を用いて信号を再生した結果、
反射率が６％程度と低く、波形も歪んでいた。しかも長
時間再生していると信号が劣化した。また、この記録し
た媒体を再生波長７８０ｎｍの市販のＣＤプレーヤーで
評価した結果、エラー率が３５７０ｃｐｓで再生不良で
あった。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、トリメチンシアニン色
素を記録層として用いることにより、近年移行しつつあ
る、記録再生波長が６８０ｎｍの赤色レーザーで記録再
生が可能でなるのみならず、従来より使用されている７
８０ｎｍの近赤外レーザーでも再生が可能な、互換性の
ある光記録媒体を提供することが可能となる。
素を記録層として用いることにより、近年移行しつつあ
る、記録再生波長が６８０ｎｍの赤色レーザーで記録再
生が可能でなるのみならず、従来より使用されている７
８０ｎｍの近赤外レーザーでも再生が可能な、互換性の
ある光記録媒体を提供することが可能となる。
【図１】光記録媒体の断面構造図
【図２】トリメチンシアニン色素媒体の再生波長６８０
ｎｍでのＥＦＭ信号パターン
ｎｍでのＥＦＭ信号パターン
【図３】ペンタメチンシアニン色素媒体の再生波長６８
０ｎｍでのＥＦＭ信号パターン
０ｎｍでのＥＦＭ信号パターン
１ 基板 ２ 記録層 ３ 反射層 ４ 保護層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年４月６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
【化１】 〔但し、Ｐは一般式（２）〜（６）（化２）に表される
ような少なくとも窒素原子を１個含む置換または非置換
の５員環または６員環からなる原子群である。
ような少なくとも窒素原子を１個含む置換または非置換
の５員環または６員環からなる原子群である。
【化２】 また、Ｑは一般式（７）〜（１１）（化３）に表される
ような少なくとも窒素原子を１個含む置換または非置換
の５員環または６員環からなる原子群である。
ような少なくとも窒素原子を１個含む置換または非置換
の５員環または６員環からなる原子群である。
【化３】 Ａ1 、Ａ1'は置換ベンゼン環を形成するか、またはナフ
タレン環あるいは置換ナフタレン環を形成する原子群で
あり、同種であっても異種であっても良い。Ａ2，
Ａ3 ，Ａ4 ，Ａ5 ，Ａ2'，Ａ3'，Ａ4'及びＡ5'はベンゼ
ン環あるいは置換ベンゼン環を形成するか、またはナフ
タレン環あるいは置換ナフタレン環を形成する原子群で
あり、同種であっても異種であっても良い。Ｒ1 及びＲ
1'は置換または非置換のアルキル基、アルコキシ基、ア
ルキルヒドロキシ基、アラルキル基、アルケニル基、ア
ルキルカルボキシル基、アルキルスルホニル基またはア
ルカリ金属イオンもしくはアルキル基と結合したアルキ
ルカルボキシル基もしくはアルキルスルホニル基であり
同種でも異種でも良い。Ｒ2 〜Ｒ8 は水素原子、ハロゲ
ン原子、アルキル基、アルコキシ基、ジフェニルアミノ
基から選択され、Ｒ6 〜Ｒ 8 は複数の炭素間にわたる置
換または未置換の環状側鎖であってもよい。Ｘはハロゲ
ン原子、過塩素酸、ホウ弗化水素酸、ベンゼンスルホン
酸、トルエンスルホン酸、アルキルスルホン酸、ベンゼ
ンカルボン酸、アルキルカルボン酸またはトリフルオロ
メチルカルボン酸から選択される陰イオン、或いは一般
式（１２）〜（１８）（化４）に示された化合物の陰イ
オン残基を表す。
タレン環あるいは置換ナフタレン環を形成する原子群で
あり、同種であっても異種であっても良い。Ａ2，
Ａ3 ，Ａ4 ，Ａ5 ，Ａ2'，Ａ3'，Ａ4'及びＡ5'はベンゼ
ン環あるいは置換ベンゼン環を形成するか、またはナフ
タレン環あるいは置換ナフタレン環を形成する原子群で
あり、同種であっても異種であっても良い。Ｒ1 及びＲ
1'は置換または非置換のアルキル基、アルコキシ基、ア
ルキルヒドロキシ基、アラルキル基、アルケニル基、ア
ルキルカルボキシル基、アルキルスルホニル基またはア
ルカリ金属イオンもしくはアルキル基と結合したアルキ
ルカルボキシル基もしくはアルキルスルホニル基であり
同種でも異種でも良い。Ｒ2 〜Ｒ8 は水素原子、ハロゲ
ン原子、アルキル基、アルコキシ基、ジフェニルアミノ
基から選択され、Ｒ6 〜Ｒ 8 は複数の炭素間にわたる置
換または未置換の環状側鎖であってもよい。Ｘはハロゲ
ン原子、過塩素酸、ホウ弗化水素酸、ベンゼンスルホン
酸、トルエンスルホン酸、アルキルスルホン酸、ベンゼ
ンカルボン酸、アルキルカルボン酸またはトリフルオロ
メチルカルボン酸から選択される陰イオン、或いは一般
式（１２）〜（１８）（化４）に示された化合物の陰イ
オン残基を表す。
【化４】 （Ａ、Ａ' はベンゼン環あるいは置換ベンゼン環を形成
するか、またはナフタレン環あるいは置換ナフタレン環
を形成する原子群であり、同種であっても異種であって
も良い。Ｒ9 〜Ｒ31は置換または未置換のアルキル基、
アルコキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ハロゲ
ン原子、アリル基、アルキルカルボキシル基、アルキル
アルコキシル基、アラルキル基、アルキルカルボニル
基、金属イオンと結合したスルホネートアルキル基、ニ
トロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、フェニル基、フ
ェニルエチレン基から選択される。Ｍは、Ｎｉ、Ｃｏ、
Ｍｎ、Ｃｕ、Ｐｄ及びＰｔから選択される遷移金属を示
している。Ｍは、電荷を持ち、カチオンと塩構造をとっ
ても良い。ａ’はイオン体の電価数を表し、０を含む正
の整数である。Ｚはカチオンを示し、ａ’＝ｂ’・ｃ’
であり、ａ’＝０のときは、ｂ’・ｃ’＝０でＺは存在
せず、化合物は中性体となる。） Ｒ1 及びＲ1'がアルカリ金属イオンを結合した基を有す
る場合には、Ｘは存在しなくても良い。Ｙ、Ｙ’はＯ、
Ｓ、Ｓｅ、ＮＨ、−ＣＨ＝ＣＨ−から選択される。ａは
モル数であり、Ｘの電価数により決まる正の整数で表さ
れる。〕
するか、またはナフタレン環あるいは置換ナフタレン環
を形成する原子群であり、同種であっても異種であって
も良い。Ｒ9 〜Ｒ31は置換または未置換のアルキル基、
アルコキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ハロゲ
ン原子、アリル基、アルキルカルボキシル基、アルキル
アルコキシル基、アラルキル基、アルキルカルボニル
基、金属イオンと結合したスルホネートアルキル基、ニ
トロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、フェニル基、フ
ェニルエチレン基から選択される。Ｍは、Ｎｉ、Ｃｏ、
Ｍｎ、Ｃｕ、Ｐｄ及びＰｔから選択される遷移金属を示
している。Ｍは、電荷を持ち、カチオンと塩構造をとっ
ても良い。ａ’はイオン体の電価数を表し、０を含む正
の整数である。Ｚはカチオンを示し、ａ’＝ｂ’・ｃ’
であり、ａ’＝０のときは、ｂ’・ｃ’＝０でＺは存在
せず、化合物は中性体となる。） Ｒ1 及びＲ1'がアルカリ金属イオンを結合した基を有す
る場合には、Ｘは存在しなくても良い。Ｙ、Ｙ’はＯ、
Ｓ、Ｓｅ、ＮＨ、−ＣＨ＝ＣＨ−から選択される。ａは
モル数であり、Ｘの電価数により決まる正の整数で表さ
れる。〕
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【化６】 また、Ｑは一般式（７）〜（１１）（化７）に表される
ような少なくとも窒素原子を１個含む置換または非置換
の５員環または６員環からなる原子群である。
ような少なくとも窒素原子を１個含む置換または非置換
の５員環または６員環からなる原子群である。
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に記録層、反射層を有する光記録
媒体において、記録層がトリメチンシアニン色素からな
ることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 記録層を形成するトリメチンシアニン色
素が、一般式（１）（化１）で示される化合物である請
求項１記載の光記録媒体。 【化１】 〔但し、Ｐは一般式（２）〜（６）（化２）に表される
ような少なくとも窒素原子を１個含む置換または非置換
の５員環または６員環からなる原子群である。 【化２】 また、Ｑは一般式（７）〜（１１）（化３）に表される
ような少なくとも窒素原子を１個含む置換または非置換
の５員環または６員環からなる原子群である。 【化３】 Ａ1 、Ａ1'は置換ベンゼン環を形成するか、またはナフ
タレン環あるいは置換ナフタレン環を形成する原子群で
あり、同種であっても異種であっても良い。Ａ2，
Ａ3 ，Ａ4 ，Ａ5 ，Ａ2'，Ａ3'，Ａ4'及びＡ5'はベンゼ
ン環あるいは置換ベンゼン環を形成するか、またはナフ
タレン環あるいは置換ナフタレン環を形成する原子群で
あり、同種であっても異種であっても良い。Ｒ1 及びＲ
1'は置換または非置換のアルキル基、アルコキシ基、ア
ルキルヒドロキシ基、アラルキル基、アルケニル基、ア
ルキルカルボキシル基、アルキルスルホニル基またはア
ルカリ金属イオンもしくはアルキル基と結合したアルキ
ルカルボキシル基もしくはアルキルスルホニル基であり
同種でも異種でも良い。Ｒ2 〜Ｒ8 は水素原子、ハロゲ
ン原子、アルキル基、アルコキシ基、ジフェニルアミノ
基から選択され、Ｒ6 〜Ｒ 8 は複数の炭素間にわたる置
換または未置換の環状側鎖であってもよい。Ｘはハロゲ
ン原子、過塩素酸、ホウ弗化水素酸、ベンゼンスルホン
酸、トルエンスルホン酸、アルキルスルホン酸、ベンゼ
ンカルボン酸、アルキルカルボン酸またはトリフルオロ
メチルカルボン酸から選択される陰イオン、或いは一般
式（１２）〜（１８）（化４）に示された化合物の陰イ
オン残基を表す。 【化４】 （Ａ、Ａ' はベンゼン環あるいは置換ベンゼン環を形成
するか、またはナフタレン環あるいは置換ナフタレン環
を形成する原子群であり、同種であっても異種であって
も良い。Ｒ9 〜Ｒ31は置換または未置換のアルキル基、
アルコキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ハロゲ
ン原子、アリル基、アルキルカルボキシル基、アルキル
アルコキシル基、アラルキル基、アルキルカルボニル
基、金属イオンと結合したスルホネートアルキル基、ニ
トロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、フェニル基、フ
ェニルエチレン基から選択される。Ｍは、Ｎｉ、Ｃｏ、
Ｍｎ、Ｃｕ、Ｐｄ及びＰｔから選択される遷移金属を示
している。Ｍは、電荷を持ち、カチオンと塩構造をとっ
ても良い。ａ’はイオン体の電価数を表し、０を含む正
の整数である。Ｚはカチオンを示し、ａ’＝ｂ’・ｃ’
であり、ａ’＝０のときは、ｂ’・ｃ’＝０でＺは存在
せず、化合物は中性体となる。） Ｒ1 及びＲ1'がアルカリ金属イオンを結合した基を有す
る場合には、Ｘは存在しなくても良い。Ｙ、Ｙ’はＯ、
Ｓ、Ｓｅ、ＮＨ、−ＣＨ＝ＣＨ−から選択される。ａは
モル数であり、Ｘの電価数により決まる正の整数で表さ
れる。〕 - 【請求項３】 波長６３０〜６９０ｎｍの赤色レーザー
から選ばれた光に対する基板側から測定した反射率が４
０％以上であり、波長６３０〜６９０ｎｍの赤色レーザ
ーで記録再生可能で、且つ、波長７７０〜８３０ｎｍの
近赤外レーザーから選ばれた光に対する基板側から測定
した反射率が６５％以上であり、７７０〜８３０ｎｍか
ら選ばれた近赤外レーザーで再生可能であることを特徴
とする請求項１又は２記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 基板上に記録層、反射層及び保護層の順
に設けられた請求項１〜３の何れかに記載の光記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6055751A JPH07262604A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6055751A JPH07262604A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07262604A true JPH07262604A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=13007562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6055751A Pending JPH07262604A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07262604A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0840307A3 (en) * | 1996-11-01 | 1998-06-10 | Taiyoyuden Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| GB2331176A (en) * | 1997-11-11 | 1999-05-12 | Fuji Electric Co Ltd | Optical recording medium with thin film organic dye |
| US6162520A (en) * | 1997-09-17 | 2000-12-19 | Mitsui Chemicals, Inc. | Optical recording medium and dipyrromethene metal chelate compound for use therein |
| JP2006021543A (ja) * | 2005-09-20 | 2006-01-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光情報記録媒体及び情報の記録方法 |
| WO2010137432A1 (ja) | 2009-05-28 | 2010-12-02 | 株式会社Adeka | 有機塩化合物、該有機塩化合物を用いた光学記録材料及び光学記録媒体 |
-
1994
- 1994-03-25 JP JP6055751A patent/JPH07262604A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0840307A3 (en) * | 1996-11-01 | 1998-06-10 | Taiyoyuden Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| US5976658A (en) * | 1996-11-01 | 1999-11-02 | Taiyoyuden Co., Ltd. | Optical information recording medium |
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